專(zhuān)利名稱(chēng)：光學(xué)微距校正方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本揭露是有關(guān)于一種半導(dǎo)體元件的制造，且特別關(guān)于一種用于光微影制程中的校正線寬與線距(line-space)偏移的方法，以將電路元件(circuit component)與圖案轉(zhuǎn)印至半導(dǎo)體元件基底上。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體集成電路(IC)與元件的制造需要用到許多道光微影制程步驟，以將特定的電路元件(circuit component)與電路布局定義且產(chǎn)生至基底層上，常見(jiàn)的光微影系統(tǒng)會(huì)將掩膜板圖案倍縮掩膜板(mask pattern reticle)上的特定電路與/或組成影像投射至已涂布光感膜(光致抗蝕劑)的平坦基底材料層上，在影像曝光后，再將此膜顯影，以將電路與/或元件轉(zhuǎn)印至基底層上，接著將此圖案化基底以各式技術(shù)如蝕刻與摻雜等進(jìn)行處理，以利用此轉(zhuǎn)印圖案改變此基底層。
當(dāng)關(guān)鍵尺寸(critical dimensions)(各式關(guān)鍵構(gòu)件的邊緣之間的最小距離，這些最小距離對(duì)IC效能有關(guān)鍵性的影響)接近或小于光微影制程所用的光源波長(zhǎng)時(shí)，光微影制程就面臨到重大挑戰(zhàn)，因?yàn)樵贑Ds接近或小于光波長(zhǎng)(此光波長(zhǎng)一般在次微米范圍)時(shí)，轉(zhuǎn)印圖案的完整度就會(huì)變差，這現(xiàn)象是由許多效應(yīng)包括光學(xué)微距的扭曲與化學(xué)處理的波動(dòng)所造成，而這些效應(yīng)所呈現(xiàn)的現(xiàn)象常包括線端縮短(line-end shortening)、線端連結(jié)(line-endbridging)與/或線寬變異(line width variations)等現(xiàn)象產(chǎn)生，且這些現(xiàn)象也會(huì)跟基底材料層以及線圖案的區(qū)域密度相關(guān)，如某些材料層的圖案化對(duì)于光學(xué)微距效應(yīng)的現(xiàn)象會(huì)更加敏感，例如，金屬層對(duì)于線縮小的問(wèn)題會(huì)特別敏感，因?yàn)榻饘俳佑|插塞與內(nèi)連線常位于線端，所以需要大于25nm的線端延伸，以確保接觸插塞與內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的有較佳與完整地形成。當(dāng)元件持續(xù)縮小至較小尺寸時(shí)，如厚度小于150nm的金屬線與/或金屬線對(duì)金屬線的間隔小于100nm，由于產(chǎn)生了扭曲與偏移之故，金屬層就會(huì)對(duì)線端連結(jié)(line-end bridging)高度敏感；同樣地，在厚度小于100nm的柵極層與/或柵極線間隔小于100nm則會(huì)對(duì)線端扭曲與偏移具高度敏感；而元件基底的其它主動(dòng)材料層則會(huì)對(duì)于線端扭曲與偏移有其它或類(lèi)似的尺寸敏感度。
為了避免這些或其它光學(xué)微距效應(yīng)，半導(dǎo)體工業(yè)會(huì)利用光微影掩膜板圖案的修改對(duì)其作補(bǔ)償，此補(bǔ)償會(huì)改善IC生產(chǎn)與元件的良率、大幅降低生產(chǎn)成本(材料、設(shè)備、人力)，同時(shí)使半導(dǎo)體制造技術(shù)可制造出更先進(jìn)的元件且可進(jìn)步至下一代的制程技術(shù)。
一般的補(bǔ)償技術(shù)常被稱(chēng)為光學(xué)微距校正(Optical ProximityCorrection，簡(jiǎn)稱(chēng)OPC)，OPC所要校正的扭曲與偏移包括線端縮短、線端連結(jié)、線寬變異、線角圓化(line corner rounding)、線密度與線深度的焦聚，而OPC的終極目標(biāo)就是要利用固有的設(shè)備，借由改良的掩膜板圖案轉(zhuǎn)移技術(shù)，來(lái)獲得生產(chǎn)IC設(shè)計(jì)中的較小元件圖案的能力；此OPC技術(shù)是對(duì)掩膜板圖案尺寸作系統(tǒng)性地改變，以補(bǔ)償因?yàn)楣馕⒂安僮髦泄鈱W(xué)衍射與散射所產(chǎn)生的扭曲，此外，OPC的掩膜板圖案還可在圖案轉(zhuǎn)移時(shí)對(duì)非所欲的扭曲產(chǎn)生負(fù)面影響，也就是說(shuō)OPC就是借由對(duì)會(huì)產(chǎn)生扭曲/偏移的IC布局作些許改變來(lái)作用的，此OPC元件圖案(features)常為次分辨率(sub-resolution)(即其尺寸小于曝光工具的分辨率)，因此不會(huì)轉(zhuǎn)移到元件基底上，且這些元件圖案會(huì)與原本的掩膜板圖案相互作用，以改良最終的轉(zhuǎn)移圖案，此元件圖案常稱(chēng)為襯線(serifs)，此襯線是為對(duì)所設(shè)計(jì)的掩膜板圖案的角、末端區(qū)域或其它地方作微小、附加型的增加或減小。
線端的扭曲/偏移通常更難校正，因?yàn)樾枰瑫r(shí)考慮線端縮短與線端連結(jié)的問(wèn)題，這些與線相關(guān)的問(wèn)題對(duì)于線層與基底而言是很難處理，因?yàn)榫€層與基底中的彼此處于相反與/或相對(duì)處的元件圖案(features)線端間的微距非常小，這些問(wèn)題都會(huì)造成OPC技術(shù)的挑戰(zhàn)，因?yàn)镺PC方法必須同時(shí)預(yù)防所轉(zhuǎn)移的線不會(huì)因?yàn)槠湎噜徎蛳喾淳€處的非預(yù)期的連結(jié)或連接，而使所設(shè)計(jì)的布局圖案縮短、縮小、變長(zhǎng)或變大，因此，這些線端的問(wèn)題也常被認(rèn)知為線空隙或線延伸的問(wèn)題，其分別涉及個(gè)別線結(jié)構(gòu)線端間的空隙極限或線的總長(zhǎng)。
現(xiàn)行用于線端的OPC方法是將對(duì)稱(chēng)的OPC結(jié)構(gòu)加入掩膜板圖案線設(shè)計(jì)里，若正確地執(zhí)行此技術(shù)，就可有效地降低因光學(xué)微距效應(yīng)對(duì)線端所產(chǎn)生的扭曲/偏移。OPC所提供的增加的線區(qū)域常需要光微影與線形成蝕刻制程，以更精準(zhǔn)地防止線對(duì)線的連結(jié)與過(guò)度的線端縮短；但在更新與未來(lái)的元件/制程技術(shù)里，元件尺寸會(huì)持續(xù)地縮小，使得制程寬裕度(process conditions windows)的減少的現(xiàn)象會(huì)更加惡化。
圖1A至圖1C說(shuō)明一般半導(dǎo)體制程操作如何處理線端扭曲/偏移的問(wèn)題。圖1A顯示包括4個(gè)線端的4條線a、b、a’、b’的部分掩膜板圖案，其中線a與b為一對(duì)相鄰線，且其位于另一對(duì)相鄰線a’與b’的相反端，且線a、b與線a’與b’相距一微小微距；在此例中，OPC并未提供至此四個(gè)線端，以不對(duì)此掩膜板圖案的線端進(jìn)行修改；通常不加OPC的原因常是因?yàn)樵诰€間加入OPC結(jié)構(gòu)后，會(huì)使光學(xué)制程寬裕度下降，造成操作上的困難。
圖1B顯示在圖1A的4個(gè)線端各加入OPC襯線后的圖案，在此例中，所加入的OPC襯線會(huì)使得如圖1A所示的直線型的掩膜板圖案線端變成如圖1B所示的T型線端，此T型襯線是以x軸的方向作延伸，且只延伸線端；這些T型襯線在業(yè)界常稱(chēng)作“錘頭”，這些提供至各線端的襯線在尺寸與結(jié)構(gòu)上是對(duì)稱(chēng)的；請(qǐng)注意所提供的襯線會(huì)使相鄰與相反線端間的間隔(gap)和間隙(space)變得比圖1A所示的沒(méi)加OPC線的間隙和間隙更小且更短；為了使OPC方法更有效率地執(zhí)行，必須考慮間隔(gap)、間隙(space)、光微影的光學(xué)制程寬裕度、線蝕刻制程操作等因素，以避免線連結(jié)與/或線縮短。
圖1C是以另一方式在圖1A上的4個(gè)線端各加入OPC襯線，在此例中，提供到4線端的襯線會(huì)使得線端的x與y方向軸兩者皆變大，且此OPC方法所加入的特殊線端襯線在尺寸與結(jié)構(gòu)上都是對(duì)稱(chēng)的，且相鄰與相反線端間的間隔(gap)和間隙(space)也比圖1A所示的未加OPC線者小且短；為了使OPC方法更有效率地執(zhí)行，必須考慮間隔(gap)、間隙(space)、光微影的光學(xué)制程寬裕度、線蝕刻制程操作等因素，以避免線連結(jié)與/或線縮短。
所以業(yè)界急需提出一種不需小/窄的制程寬裕度的OPC方法，且此改良的方法可更易于用于現(xiàn)行的半導(dǎo)體制造中，且對(duì)制程工程師與生產(chǎn)操作者而言只需要很小的額外需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明揭露一種光學(xué)微距校正(OPC)方法，包括在偵測(cè)第一元件圖案的一端點(diǎn)，該端點(diǎn)接近第二元件圖案的一端點(diǎn)，再將朝向第一方向的第一OPC圖案加到第一元件圖案上；以及將朝向第二方向的第二OPC圖案加到第二元件圖案上，且第二方向大體上與第一方向相反。
本發(fā)明所述的光學(xué)微距校正方法，該第一與第二方向彼此相反。
本發(fā)明所述的光學(xué)微距校正方法，該第一與第二光學(xué)微距校正圖案相同。
本發(fā)明所述的光學(xué)微距校正方法，該第一與第二元件圖案大體上線性對(duì)齊。
本發(fā)明所述的光學(xué)微距校正方法，該第一與第二元件圖案大體上彼此平行。
本發(fā)明所述的光學(xué)微距校正方法，該第一與第二元件圖案間的端點(diǎn)至端點(diǎn)間隙小于100nm。
本發(fā)明所述的光學(xué)微距校正方法，該第一與第二元件圖案間一線至線間隙大于一預(yù)定設(shè)計(jì)規(guī)則(design rule)。
本發(fā)明另提供一種光學(xué)微距校正方法，所述光學(xué)微距校正方法包括偵測(cè)第一群元件圖案的第一端點(diǎn)，該端點(diǎn)接近第二群元件圖案的第一端點(diǎn)，且其間存在一預(yù)定的端點(diǎn)至端點(diǎn)間隙；將朝向第一方向的第一光學(xué)微距校正圖案加到該第一群元件圖案的第一端點(diǎn)上；以及將朝向第二方向的第二光學(xué)微距校正圖案加到該第二群元件圖案的第一端點(diǎn)上，且該第二方向大體上與該第一方向相反。
本發(fā)明所述的光學(xué)微距校正方法，該第一與第二方向彼此相反。
本發(fā)明所述的光學(xué)微距校正方法，該第一與第二光學(xué)微距校正圖案相同。
本發(fā)明所述的光學(xué)微距校正方法，該第一與第二元件圖案大體上線性對(duì)齊。
本發(fā)明所述的光學(xué)微距校正方法，該第一群元件圖案大體上彼此平行，且該第二群元件圖案大體上彼此平行。
本發(fā)明所述的光學(xué)微距校正方法，該第一與第二群元件圖案間的端點(diǎn)至端點(diǎn)間隙小于100nm。
本發(fā)明所述的光學(xué)微距校正方法，該元件圖案間一線至線間隙大于一預(yù)定設(shè)計(jì)規(guī)則(design rule)。
本發(fā)明還提供一種光學(xué)微距校正方法，所述光學(xué)微距校正方法包括偵測(cè)第一元件圖案的一端點(diǎn)，該端點(diǎn)接近第二以及第三元件圖案的端點(diǎn)；將第一光學(xué)微距校正圖案加到該第一元件圖案的端點(diǎn)上；將第二光學(xué)微距校正圖案加到該第二元件圖案的端點(diǎn)上；以及將第三光學(xué)微距校正圖案加到該第三元件圖案的端點(diǎn)上，其中該第一光學(xué)微距校正圖案的一突出部分指向一方向，該方向與該第二與第三光學(xué)微距校正圖案的突出部分所指的方向相反，使任何兩元件圖案間一端點(diǎn)至端點(diǎn)間隙可被最小化。
本發(fā)明所述的光學(xué)微距校正方法，該第一元件圖案的突出部分指向一方向，該方向與任一該第二或第三元件圖案的突出部分所指的方向相反。
本發(fā)明所述的光學(xué)微距校正方法，該第一、第二與第三光學(xué)微距校正圖案相同。
本發(fā)明所述的光學(xué)微距校正方法，該第一與第二元件圖案大體上線性對(duì)齊，且該第三元件圖案與該第一與第二元件圖案平行。
本發(fā)明所述的光學(xué)微距校正方法，該第一元件圖案的突出部分指向一方向，該方向與該第二與第三元件圖案兩者所指的方向相反。
本發(fā)明所述的光學(xué)微距校正方法，該第一元件圖案的突出部分指向一方向，該方向與該第二的突出部分相反，且與該第三元件圖案的突出部分方向相同。
本發(fā)明所述的光學(xué)微距校正方法，該第一與第二元件圖案間的端點(diǎn)至端點(diǎn)間隙小于100nm。
本發(fā)明描述一種改良的OPC技術(shù)，以校正在半導(dǎo)體制造中因光學(xué)微距效應(yīng)所產(chǎn)生的線端扭曲/偏移。此揭露方法利用非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)作為OPC的襯線，以對(duì)一般方法進(jìn)行改良，且此襯線對(duì)于光學(xué)光微影與線蝕刻制程寬裕度無(wú)傷害或傷害很小，以避免線端連結(jié)與線端縮短的問(wèn)題。


圖1A至圖1C說(shuō)明一般如何在半導(dǎo)體制造操作中解決掩膜板圖案線結(jié)構(gòu)的線端扭曲/偏移；圖2A至圖2D說(shuō)明在掩膜板圖案線結(jié)構(gòu)上使用本揭露的不對(duì)稱(chēng)OPC結(jié)構(gòu)，以校正線端扭曲/偏移。
具體實(shí)施例方式
本揭露描述一種改良的OPC技術(shù)，以校正在半導(dǎo)體制造中因光學(xué)微距效應(yīng)所產(chǎn)生的線端扭曲/偏移。此揭露方法利用非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)作為OPC的襯線，以對(duì)一般方法進(jìn)行改良，且此襯線對(duì)于光學(xué)光微影與線蝕刻制程寬裕度無(wú)傷害或傷害很小，以避免線端連結(jié)與線端縮短的問(wèn)題。
圖2A至圖2D說(shuō)明本揭露如何使用非對(duì)稱(chēng)的OPC結(jié)構(gòu)進(jìn)行OPC處理。本揭露的OPC結(jié)構(gòu)的尺寸與形狀未必一定呈對(duì)稱(chēng)狀才能有效地校正線扭曲/偏移，而是利用某些較佳的方位以及非對(duì)稱(chēng)的OPC結(jié)構(gòu)進(jìn)行線扭曲/偏移的校正。
圖2A是為不對(duì)稱(chēng)OPC結(jié)構(gòu)的一例，其部分掩膜板圖案包括4線端，此4線端為一對(duì)相鄰線a與b與以一微距位于另一對(duì)相鄰線a’與b’的相反處，而4線端皆使用OPC進(jìn)行處理，以使每一線端都具有從端點(diǎn)向外延伸的“突出部分”；請(qǐng)注意線a與b端的非對(duì)稱(chēng)襯線的方向與線a’與b’端的非對(duì)稱(chēng)襯線的方向不同；圖2A顯示襯線只以x軸且以相鄰線a與b的右側(cè)方向提供至相鄰線a與b的線端上，而提供到相鄰線a’與b’線端的OPC襯線是沿著x軸且向其左側(cè)方向加入，此4線端中的相反方向的線端的OPC襯線方向也相反，但不一定要準(zhǔn)確地差180度，只要其方向不同且不置于跨越彼此即可。在此較佳例子中，每線端的OPC結(jié)構(gòu)不用具有相同的尺寸或形狀(如前述的圖1B與圖1C)，且兩相反端間的距離較佳小于100nm；此較佳例子的改良的間隔(gap)和間隙(space)可使光微影與線蝕刻制程具有更寬/大的條件范圍，以避免因光學(xué)微距效應(yīng)所產(chǎn)生的線連結(jié)與/或線縮短等問(wèn)題。
圖2B為用在包括4線端的部分掩膜板圖案的不對(duì)稱(chēng)OPC結(jié)構(gòu)的另一例子，此例與圖2A所示類(lèi)似，其中包括一對(duì)相鄰線c與d以一微距位于另一對(duì)相鄰線c’與d’的相反處，且OPC襯線是是延著x軸提供至4條在線的所有線端上；圖2B特別顯示提供較大的襯線到相鄰線c與d線端的右側(cè)，以形成一突出部分，且較小的襯線提供到相同線端的左側(cè)，相反地，較大的OPC襯線提供到與線c與d相反處的相鄰線c’與d’的線端左側(cè)上，且較小的襯線加到其線端右側(cè)，也就是說(shuō)相反線端的較大OPC襯線(較大OPC校正效應(yīng))的方向較佳也呈相反狀；在此較佳例子中，每線端的OPC結(jié)構(gòu)不用具有相同的尺寸或形狀(如前述的圖1B與圖1C)，且此較佳例子的改良的間隔(gap)和間隙(space)可以使光微影與線蝕刻制程具有更寬/大的條件范圍，以避免因光學(xué)微距效應(yīng)所產(chǎn)生的線連結(jié)與/或線縮短等問(wèn)題。
本揭露OPC方法的第三個(gè)例子是利用如圖2C所示的不對(duì)稱(chēng)OPC結(jié)構(gòu)進(jìn)行校正，此例顯示一對(duì)相鄰線e與f與以一微距位于另一對(duì)相鄰線e’與f’的相反處，且OPC襯線是是延著x軸提供至4條在線的所有線端上；圖2C顯示提供至相鄰線e與f線端的襯線彼此相對(duì)，且提供至相鄰線e’與f’線端的襯線彼此背對(duì)，且此4線端的OPC襯線的排置與前述類(lèi)似，皆是相反線端的襯線方向彼此也相反，在此較佳例子中，每線端的OPC結(jié)構(gòu)不用具有相同的尺寸或形狀(如前述的圖1B與圖1C)，且此較佳例子的改良的間隔(gap)和間隙(space)可以使光微影與線蝕刻制程具有更寬/大的條件范圍，以避免因光學(xué)微距效應(yīng)所產(chǎn)生的線連結(jié)與/或線縮短等問(wèn)題，且此例也說(shuō)明借由利用不對(duì)稱(chēng)OPC結(jié)構(gòu)來(lái)改良間隔(gap)和間隙(space)，其中不對(duì)稱(chēng)的OPC結(jié)構(gòu)可選擇性地加入某些線與線端結(jié)構(gòu)里。
圖2D說(shuō)明不對(duì)稱(chēng)OPC結(jié)構(gòu)的一例，其中所提供的襯線在x軸方向小量放大且在y軸方向較大量放大，此例顯示的部分掩膜板圖案共包括4線端，其中一對(duì)相鄰線h與i與以一微距位于另一對(duì)相鄰線h’與i’的相反處，且OPC襯線沿著x軸提供至此4條在線的所有線端上；圖2D特別顯示較大襯線被提供至相鄰線h與i的線端側(cè)上，且此襯線彼此背對(duì)，且襯線被提供至相反的一對(duì)相鄰線端h’與i’上，且此襯線彼此相對(duì)，此4線端的OPC襯線安排與上述類(lèi)似，皆是相反線端的襯線方向彼此也相反，在此較佳例子中，每線端的OPC結(jié)構(gòu)不用具有相同的尺寸或形狀(如前述的圖1B與圖1C)。
上述例子同時(shí)指出本發(fā)明掩膜板圖案的相鄰與相反線端具有比一般所使用的OPC方法更小的間隔(gap)和間隙(space)，如因襯線所指的方向相反，所以并行線間的距離可以縮短，不過(guò)此距離還是會(huì)大于最小的設(shè)計(jì)規(guī)則；此改良的OPC方法可使光微影與線蝕刻制程具有更寬/大的條件范圍，以避免光學(xué)微距效應(yīng)所產(chǎn)生的線連結(jié)與/或線縮短等問(wèn)題發(fā)生。
利用不對(duì)稱(chēng)OPC結(jié)構(gòu)的方法可改進(jìn)半導(dǎo)體制造中所使用的OPC技術(shù)，此揭露方法是借由利用不對(duì)稱(chēng)襯線結(jié)構(gòu)提高制程彈性，以減少制造條件較佳寬制程操作范圍的損失，進(jìn)而改良一般制程方法，此改良的制程操作范圍會(huì)減少線端縮短與線端連結(jié)等現(xiàn)象。
不對(duì)稱(chēng)的OPC也可加到多種的掩膜板圖案設(shè)計(jì)里，包括多種配置/方向與材料組成的線與結(jié)構(gòu)層。上述所揭露的較佳實(shí)施例顯示所利用的不對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)大致是以相反方向?qū)R；此外，其它方向配置與方位的不對(duì)稱(chēng)OPC襯線結(jié)構(gòu)也可用來(lái)校正線端連結(jié)與線端縮小等問(wèn)題。此不對(duì)稱(chēng)OPC方法除了可以用來(lái)校正扭曲/偏移所產(chǎn)生線縮短與線端連結(jié)的等問(wèn)題外，也可用來(lái)校正包括線寬變異、線角圓化、線密度、線深度的焦距等問(wèn)題。
本揭露的方法可與現(xiàn)行、一般與未來(lái)的光微影掩膜板圖案設(shè)計(jì)技術(shù)與操作契合且兼容，且易于與一般OPC技術(shù)整合，如可作為額外的OPC規(guī)則或可取代現(xiàn)行OPC規(guī)則或方法，且對(duì)于制造與生產(chǎn)操作而言改變并不大，所以很容易用在制造操作里。
以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)微距校正方法，其特征在于所述光學(xué)微距校正方法包括偵測(cè)第一元件圖案的一端點(diǎn)，該端點(diǎn)接近第二元件圖案的一端點(diǎn)；將朝向第一方向的第一光學(xué)微距校正圖案加到該第一元件圖案上；以及將朝向第二方向的第二光學(xué)微距校正圖案加到該第二元件圖案上，且該第二方向大體上與該第一方向相反。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)微距校正方法，其特征在于該第一與第二方向彼此相反。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)微距校正方法，其特征在于該第一與第二光學(xué)微距校正圖案相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)微距校正方法，其特征在于該第一與第二元件圖案大體上線性對(duì)齊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)微距校正方法，其特征在于該第一與第二元件圖案大體上彼此平行。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學(xué)微距校正方法，其特征在于該第一與第二元件圖案間的端點(diǎn)至端點(diǎn)間隙小于100nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)微距校正方法，其特征在于該第一與第二元件圖案間一線至線間隙大于一預(yù)定設(shè)計(jì)規(guī)則。
8.一種光學(xué)微距校正方法，其特征在于所述光學(xué)微距校正方法包括偵測(cè)第一群元件圖案的第一端點(diǎn)，該端點(diǎn)接近第二群元件圖案的第一端點(diǎn)，且其間存在一預(yù)定的端點(diǎn)至端點(diǎn)間隙；將朝向第一方向的第一光學(xué)微距校正圖案加到該第一群元件圖案的第一端點(diǎn)上；以及將朝向第二方向的第二光學(xué)微距校正圖案加到該第二群元件圖案的第一端點(diǎn)上，且該第二方向大體上與該第一方向相反。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學(xué)微距校正方法，其特征在于該第一與第二方向彼此相反。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學(xué)微距校正方法，其特征在于該第一與第二光學(xué)微距校正圖案相同。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學(xué)微距校正方法，其特征在于該第一與第二元件圖案大體上線性對(duì)齊。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學(xué)微距校正方法，其特征在于該第一群元件圖案大體上彼此平行，且該第二群元件圖案大體上彼此平行。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學(xué)微距校正方法，其特征在于該第一與第二群元件圖案間的端點(diǎn)至端點(diǎn)間隙小于100nm。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學(xué)微距校正方法，其特征在于該元件圖案間一線至線間隙大于一預(yù)定設(shè)計(jì)規(guī)則。
15.一種光學(xué)微距校正方法，其特征在于所述光學(xué)微距校正方法包括偵測(cè)第一元件圖案的一端點(diǎn)，該端點(diǎn)接近第二以及第三元件圖案的端點(diǎn)；將第一光學(xué)微距校正圖案加到該第一元件圖案的端點(diǎn)上；將第二光學(xué)微距校正圖案加到該第二元件圖案的端點(diǎn)上；以及將第三光學(xué)微距校正圖案加到該第三元件圖案的端點(diǎn)上，其中該第一光學(xué)微距校正圖案的一突出部分指向一方向，該方向與該第二與第三光學(xué)微距校正圖案的突出部分所指的方向相反，使任何兩元件圖案間一端點(diǎn)至端點(diǎn)間隙可被最小化。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)微距校正方法，其特征在于該第一元件圖案的突出部分指向一方向，該方向與任一該第二或第三元件圖案的突出部分所指的方向相反。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)微距校正方法，其特征在于該第一、第二與第三光學(xué)微距校正圖案相同。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)微距校正方法，其特征在于該第一與第二元件圖案大體上線性對(duì)齊，且該第三元件圖案與該第一與第二元件圖案平行。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的光學(xué)微距校正方法，其特征在于該第一元件圖案的突出部分指向一方向，該方向與該第二與第三元件圖案兩者所指的方向相反。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的光學(xué)微距校正方法，其特征在于該第一元件圖案的突出部分指向一方向，該方向與該第二的突出部分相反，且與該第三元件圖案的突出部分方向相同。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的光學(xué)微距校正方法，其特征在于該第一與第二元件圖案間的端點(diǎn)至端點(diǎn)間隙小于100nm。
全文摘要
本發(fā)明揭露一種光學(xué)微距校正方法，包括在偵測(cè)第一元件圖案的一端點(diǎn)，該端點(diǎn)接近第二元件圖案的一端點(diǎn)，再將朝向第一方向的第一光學(xué)微距校正圖案加到第一元件圖案上；以及將朝向第二方向的第二光學(xué)微距校正圖案加到第二元件圖案上，且第二方向大體上與第一方向相反。本發(fā)明是一種改良的OPC技術(shù)，以校正在半導(dǎo)體制造中因光學(xué)微距效應(yīng)所產(chǎn)生的線端扭曲/偏移。利用非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)作為OPC的襯線，對(duì)于光學(xué)光微影與線蝕刻制程寬裕度無(wú)傷害或傷害很小，以避免線端連結(jié)與線端縮短的問(wèn)題。
文檔編號(hào)H01L21/027GK1684228SQ20051006443
公開(kāi)日2005年10月19日 申請(qǐng)日期2005年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月15日
發(fā)明者廖忠志 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司