專利名稱：：一種制造半導體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明為關(guān)于一種用于制造半導體器件的方法，且，更具體地，為關(guān)于一種用于制造具有電容器的半導體器件的方法。
背景技術(shù)：
：集成規(guī)模的增加以及半導體器件的最小線寬減少已導致電容器面積的減少。作為減少的電容器面積的結(jié)果，它強迫電容器對每一單元(cell)最小需要具有大于約25fF的電容。因此，各種在有限的面積中制造具有高電容的電容器的方法已被嘗試。其中一方法為使用具有高介電常數(shù)的介電材料如鉭氧化物(Ta2O5)，鋁氧化物(Al2O3)或鉿氧化物(HfO2)而不使用具有介電常數(shù)3.8的硅氧化物與具有介電常數(shù)7的氮化物。另一方法為以三維形狀如圓柱形或凹形來形成電容器的下電極，以增加下電極的面積。另一方法為通過生長亞穩(wěn)(metastable)多晶硅(MPS)顆粒于下電極的表面上來增加下電極的有效表面面積大于原先表面面積約1.7至2倍。當圓柱形或凹形的電容器被制造時，有必要執(zhí)行下電極隔離過程，其利用化學機械研磨過程或等離子體毯式回蝕刻過程。(plasmablanketetch-backprocess)。圖1A至1D為截面圖說明一傳統(tǒng)方法，使用等離子體毯式回蝕刻過程來隔離下電極。參考圖1A，多個結(jié)區(qū)域12如晶體管的源極與漏極被形成于基板11的預定區(qū)域中。在此，雖然未說明，先于形成該結(jié)區(qū)域12，用于器件隔離的場氧化物層被形成，且隨后柵極結(jié)構(gòu)被形成于基板11上。其次，層間絕緣層13被形成于基板11上，雖未說明，先于形成層間(inter-layer)絕緣層13，使用另一層間絕緣層以覆蓋該柵極結(jié)構(gòu)的層間絕緣層形成過程，以及位線形成過程被執(zhí)行。因此，層間絕緣層13具有多層結(jié)構(gòu)。然后，該層間絕緣層13被蝕刻以形成多個存儲節(jié)點接觸孔14，每一個暴露該結(jié)區(qū)域12。接著，多個存儲節(jié)點接觸塞(plug)15被填入該存儲節(jié)點接觸孔14中。在此，該存儲節(jié)點接觸塞15起到使能電容器與晶體管間信號處理的作用。蝕刻阻擋層16與絕緣層17用以形成電容器結(jié)構(gòu)，順序地被形成于層間絕緣層13與存儲節(jié)點接觸塞15上。接著，該蝕刻阻擋層16與該絕緣層17順序地被蝕刻以形成多個開口18，其暴露存儲節(jié)點接觸塞15。于開口18形成后，用于下電極中例如多晶硅層19中的導電層被形成于絕緣層17上并且進入每個開口18。其后，一下電極隔離過程被執(zhí)行，并且作為用于該下電極隔離的補充層的光阻層20被形成于多晶硅層19上。參考圖1B，光阻層20的一部分通過等離子體毯式回蝕刻過程被移除，使得光阻層20僅殘余在開口18的內(nèi)部。參考圖1C，設(shè)置于絕緣層17上的多晶硅層19的部分通過執(zhí)行等離子體毯式回蝕刻過程被移除，使得圓柱形下電極19A被形成于開口18的內(nèi)部。參考圖1D，用以移除光阻層20的剝離過程通過使用氧等離子體被實施，且接著，絕緣層17被移除以暴露該圓柱形下電極19A。如上所述，光阻層20被用作用以隔離下電極19A的補充層，以防止電容器的內(nèi)側(cè)于下電極隔離過程中被損壞，且防止當隨后的用以增加下電極19A的表面面積的過程被施加時發(fā)生污染問題。而且，使用氧等離子體，光阻層20可被輕易地移除而不會損壞下電極19A。然而，下電極隔離使用等離子體毯式回蝕刻過程情形中，它必須執(zhí)行至少四個附加的步驟；形成補充(supplemental)層用以隔離下電極，移除部分補充層，完全移除補充層以及執(zhí)行清潔過程。另外，于亞-100nm納米技術(shù)中完全移除補充層是困難的。例如，當光阻層被用作為補充層時，于等離子體毯式回蝕刻過程后執(zhí)行的移除補充層的步驟中，光阻層仍可殘余于晶片的某些區(qū)域上，且此殘余光阻層可能導致單個位失效的發(fā)生。當金屬如鈦氮化物(TiN)以及釕(Ru)被使用為用以形成下電極的導電層時，此問題可被觀察到。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的一個目的為提供一種用以制造一半導體器件的方法，其能夠以簡單下電極隔離過程進行而不會損壞下電極且當用于下電極隔離的補充層被使用時防止單個位失效發(fā)生，。依據(jù)本發(fā)明的一觀點，提供一種用以制造一半導體器件方法，包含步驟(a)在基板上形成具有多個開口的絕緣層，以形成下電極；(b)在絕緣層上形成導電層；以及(c)以比形成于開口內(nèi)的導電層的第二部分快的速率蝕刻形成于開口外的導電層第一部分，從而將下電極彼此隔離。本發(fā)明的以上與其它目的與特征將通過結(jié)合附圖的優(yōu)選實施例的以下描述而被更好了解，其中圖1A至1D為截面圖，說明通過使用等離子體毯式回蝕刻過程來隔離下電極的傳統(tǒng)方法；以及圖2A至2D為截面圖，說明依據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例制造半導體器件的方法。具體實施例方式依據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例的一種用于制造半導體器件的方法將被結(jié)合附圖描述如下。當使用用以防止在下電極隔離過程中下電極的內(nèi)側(cè)與底部表面被損壞的補充層如光阻層時，為了簡化變復雜的下電極隔離過程，本發(fā)明的優(yōu)選實施例說明了該情況，即使用用以隔離下電極的等離子體毯式回蝕刻過程而不損壞下電極，甚至是于缺少補充層的情形下。圖2A至2D為截面圖，說明依據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例用以制造具有電容器的半導體器件的方法。參考圖2A，許多結(jié)區(qū)域22如晶體管的源極/漏極被形成于基板21中。雖未說明，在形成結(jié)區(qū)域22之前，用于器件隔離的場氧化層被形成，且許多柵極結(jié)構(gòu)被形成于基板21上。于結(jié)區(qū)域22形成后，層間絕緣層23被形成于基板21上。雖未示出，在形成層間絕緣層23之前，用以覆蓋柵極結(jié)構(gòu)的另一層間絕緣層被形成且接著，被蝕刻以形成位線。因此，層間絕緣層23具有多層的結(jié)構(gòu)。接著，層間絕緣層23被蝕刻以形成暴露相應(yīng)的結(jié)區(qū)域22的存儲節(jié)點接觸孔24，以及塞(plug)材料被填入存儲節(jié)點接觸孔24中，從而形成許多存儲節(jié)點接觸塞25。在此，填入存儲節(jié)點接觸孔24中的存儲節(jié)點接觸塞25起到使能隨后將形成的電容器與晶體管間信號處理的作用。其后，用以形成電容器結(jié)構(gòu)的蝕刻阻擋層26與絕緣層27順序地被形成于層間絕緣層23以及存儲節(jié)點接觸塞25上。接著，絕緣層27與蝕刻阻擋層26被順序地蝕刻以形成暴露相應(yīng)的存儲節(jié)點接觸塞25的許多開口28。用于形成下電極的導電層29被形成于絕緣層27上且進入開口28。在此，導電層29是基于包括摻雜的多晶硅，一堆未摻雜的多晶硅/摻雜的多晶硅，鎢(W)，鈦氮化物(TiN)，釕(Ru)，與鉑(Pt)的組中選擇的材料。參考圖2B，下電極隔離過程被執(zhí)行。此時，為形成圓柱形下電極，等離子體毯式回蝕刻過程被執(zhí)行而不使用光阻層，其為傳統(tǒng)方法中使用的用于下電極隔離的補充層。而且，取決于采用的用以形成導電層29的材料，蝕刻過程配方變?yōu)椴煌?。此后，假定用以形成下電極的導電層29為基于一種選取的材料TiN，等離子體毯式回蝕刻過程將詳細被描述。通常地，等離子體蝕刻裝置包括具有頂部電極與底部電極的室。一具有目標蝕刻結(jié)構(gòu)的晶片被設(shè)置在底部電極的頂部上。在此，頂部電極是用以供應(yīng)源功率以產(chǎn)生等離子體的電極，同時底部電極是用以供應(yīng)偏置功率以將等離子體的離子與基(radicals)向晶片吸引的電極。因為頂部電極與底部電極彼此被分離，有可能分別控制離子與基的能量。通過使用上述等離子體蝕刻裝置被執(zhí)行的等離子體回蝕刻過程可被分類成物理蝕刻過程，化學蝕刻過程與物理化學蝕刻過程。首先，在物理蝕刻過程中，等離子體通過使用惰性氣體如氬(Ar)，氦(He)與氙(Xe)被產(chǎn)生。等離子體的正離子垂直撞擊晶片，從而物理地蝕刻目標層。另一方面，化學蝕刻過程通過使用一氣體產(chǎn)生的等離子體產(chǎn)生對蝕刻目標層的蝕刻，所述氣體化學地相關(guān)于等離子體相中的蝕刻目標層，且接著通過使用等離子體的被激活的中性基化學地蝕刻該蝕刻目標層。物理化學蝕刻過程通過使用正離子的強大碰撞能量產(chǎn)生蝕刻，所述能量是當?shù)入x子體的正離子撞擊晶片且同時撞擊與蝕刻目標層化學反應(yīng)的基所產(chǎn)生的。作為物理化學蝕刻過程的這些特性的結(jié)果，有可能獲得將蝕刻速率加快一步的效果。根據(jù)以上描述的等離子體蝕刻過程的原則，當導電層29，即，TiN層，被蝕刻時，Ar與Cl2氣體的混合氣體被用以引入TiN層29的物理化學蝕刻。也就是說，Ar氣體是用于TiN層29的物理蝕刻，同時Cl2氣體為用于TiN層29的化學蝕刻，其是基于Cl2氣體化學地反應(yīng)于TiN的事實。在假設(shè)物理蝕刻過程僅通過使用Ar氣體被執(zhí)行的情況下，當TiN層29經(jīng)歷等離子體毯式回蝕刻過程而不使用用以形成下電極的補充層時，被形成于開口28外與被形成開口28內(nèi)部的TiN層29被蝕刻。而且，于物理蝕刻過程中碰撞出的TiN分子連續(xù)地被沉積于蝕刻室的壁上，結(jié)果，會有降低功率傳送效率的問題，并且產(chǎn)生不需要的顆粒。假如化學蝕刻過程僅通過使用Cl2氣體被執(zhí)行以形成下電極而不使用補充層，各向同性蝕刻特性，即，無方向性在化學蝕刻過程中被觀察到。因此，設(shè)置于開口28外以及在每一開口28的內(nèi)側(cè)的深區(qū)域上的TiN層29的部分被蝕刻，且因此下電極的高度減少。而且，隨著Cl2氣體沿TiN層29的顆粒被擴散，TiN層29被蝕刻，從而導致下電極的粗糙與不一致形狀。而且，TiN層29的顆粒容易甚至被弱的振動剝離，而導致器件中的瑕疵。另外，假如絕緣層27的蝕刻輪廓的縱橫比(aspectratio)27為小的，設(shè)置于每一開口28內(nèi)側(cè)的底部部分上的TiN層29被蝕刻，導致下電極的完全蝕刻。因此，為達到下電極的期望的隔離而不用使用補充層，被形成于開口28外側(cè)的TiN層29通過同時施加物理蝕刻過程與化學蝕刻過程，被設(shè)定以一較快速率蝕刻。同時，被形成于各個開口28內(nèi)部，更具體地，被形成于每一開口28內(nèi)側(cè)的底部部分上與側(cè)面部分上的TiN層29，通過控制蝕刻氣體與蝕刻配方被設(shè)定以一較慢速率化學地蝕刻。通常地，于蝕刻多晶硅與金屬情形中，物理蝕刻過程因為離子的方向性很少發(fā)生于每一開口28的內(nèi)側(cè)面部分。然而，在每一開口28的內(nèi)底部部分，物理蝕刻過程發(fā)生。為抑制物理蝕刻過程發(fā)生于每一開口28的內(nèi)底部部分，每一開口28的內(nèi)部壓力通過引入離子與存在于各個開口28內(nèi)部其它粒子撞擊而被增加，以造成于垂直方向進入各個開口28的離子的能量損失。各個開口28的內(nèi)部壓力可通過使用蝕刻氣體施加等離子體蝕刻過程被增加，所述蝕刻氣能夠引入關(guān)于形成個別開口28內(nèi)部的下電極材料的化學蝕刻。此時，當大量下電極材料設(shè)置于各個開口28內(nèi)部且蝕刻殘余物于化學蝕刻存在中被產(chǎn)生時，每一開口28的內(nèi)部壓力可被增加，且作為結(jié)果，進入每一開口28的內(nèi)側(cè)的離子撞擊蝕刻殘余物，造成離子能量損失。因此，即使離子到達每一開口28的內(nèi)底部部分，能量減少是夠大的，以阻止物理蝕刻過程發(fā)生。除開口28的內(nèi)部壓力增加外，它必須減少進入每一開口28內(nèi)側(cè)的離子的能級以最小化或消除每一開口28的內(nèi)底部部分上的物理蝕刻過程效果。即是，即使各個開口28的內(nèi)部壓力為高的，物理蝕刻可發(fā)生于各個開口28的內(nèi)底部部分假如離子的能級仍為高。因此，于每一開口28的內(nèi)底部部分周圍的離子能級通過組合由蝕刻殘余物導致的各個開口28的內(nèi)部壓力以及確定離子能級的偏壓功率而確定。為調(diào)整由蝕刻殘余物所造成的各個開口28的內(nèi)部壓力，即是，一些于化學蝕刻過程中所產(chǎn)生的蝕刻殘余物的調(diào)整，選取合適的引入化學蝕刻的蝕刻氣體以及調(diào)整用于物理蝕刻過程的蝕刻氣體與用于化學蝕刻過程的蝕刻氣體間的組成比率是重要的。而且，優(yōu)選的是盡可能減少離子能量以最小化各個開口28的內(nèi)底部部分周圍的離子能級。然而，如果為了抑制物理蝕刻過程發(fā)生而使該偏壓功率減少至極低水平，被形成于開口28外部的TiN層29可不被物理地蝕刻。為此，該偏壓功率應(yīng)被適當設(shè)置?？傊?，等離子體毯式回蝕刻過程被執(zhí)行而不使用補充層，需要適合的蝕刻配方以及蝕刻氣體的組合，使形成在各個開口28外部的下電極材料的部分被化學地以及物理地蝕刻，同時被形成于各個開口28的內(nèi)側(cè)與底部部分上的下電極材料的另一部分被化學地蝕刻。例如，在TiN的情況下，Ar與Cl2的混合氣體被用以在各個開口28的外側(cè)產(chǎn)生一物理化學蝕刻過程，且偏壓功率被調(diào)整至低水平，范圍從大約30W至大約300W用于抑制物理蝕刻過程在各個開口28的內(nèi)底部部分發(fā)生。而且，在Ar與Cl2氣體的混合氣體中的Cl2氣體成份百分比被調(diào)整至范圍從大約1％至大約50％以控制化學蝕刻過程的程度。而且，蝕刻室的壓力被控制于范圍從大約1毫托至大約50毫托以使物理蝕刻與化學蝕刻以期望的程度執(zhí)行。另外，頂部電極的功率，室壓力，頂部電極的溫度，以及室溫度在等離子體毯式回蝕刻過程上并無大的影響，但被調(diào)整以適當?shù)厥┘又撩恳凰璧倪^程配方。在上述過程配方下在等離子體毯式回蝕刻過程被執(zhí)行的情形下，設(shè)置于各個開口28外部的TiN層29以較快速率被蝕刻，然而設(shè)置于各個開口28的內(nèi)側(cè)部分上的TiN層29被最小地蝕刻，原因是設(shè)置于各個開口28的內(nèi)側(cè)部分上的TiN層29的化學蝕刻通過調(diào)整Cl2氣體的成份百分比到大約1％至50％的范圍而設(shè)置為以慢速率執(zhí)行。而且，隨著基與被形成于各個開口28的內(nèi)側(cè)部分上的TiN層29間的反應(yīng)副產(chǎn)品填入開口28，每一開口28的內(nèi)部壓力增加且偏置功率被調(diào)整至低范圍從大約30W至大約300W。因此，向各個開口28的內(nèi)底部部分擴散的等離子體的基以及進入各個開口28的內(nèi)底部部分的等離子體的正離子被抑制流向內(nèi)部且結(jié)果，被形成于每一開口28的內(nèi)底部部分上的TiN層29較少被蝕刻。整體上，以上所提及的過程被設(shè)定成使被形成于各個開口28外的TiN層29通過物理化學蝕刻過程被快速蝕刻，且以比被形成于各個開口28外的TiN層29慢的速率來蝕刻設(shè)置于各個開口28的內(nèi)側(cè)部分與內(nèi)底部部分上的TiN層29，且因此，即使等離子體毯式回蝕刻過程被執(zhí)行于垂直方向而不使用補充層，仍有可能獲得想要的下電極的蝕刻輪廓。當?shù)入x子體毯式回蝕刻過程關(guān)于TiN層29被執(zhí)行時，比較于各個開口28的外側(cè)，在各個開口28的內(nèi)側(cè)與底部部分的蝕刻速率被調(diào)至從大約1％至大約70％范圍。而且，在各個開口28的內(nèi)側(cè)部分的蝕刻速率被調(diào)成與各個開口28的內(nèi)底部部分相同。對此想要的蝕刻速率，一特定配方被設(shè)定。首先，室壓力與室溫度被分別維持在約10毫托與40℃。而且，大約300W的源功率與大約100的偏置功率被供應(yīng)。此時，大約10sccm的Cl2氣體與大約190sccm的Ar氣體被提供。而且，終點(EOP)與過度蝕刻(OE)分別為大約16”±1”與10”。在以上預定配方下，當TiN層29的厚度被采用為大約300時，在各個開口28外側(cè)的蝕刻速率為大約每分鐘1,120，且在各個開口28的內(nèi)側(cè)部分與內(nèi)底部部分的蝕刻速率通過為約每分鐘10而在較大程度上減小。在此，各個開口28外側(cè)的TiN層29的蝕刻速率根據(jù)蝕刻配方而改變，蝕刻速率的平均值在從大約每分鐘500至大約每分鐘2,000的范圍。因此，在各個開口28的內(nèi)側(cè)與底部部分上TiN層29的平均蝕刻速率的范圍從大約每分鐘5至大約每分鐘140。后者的蝕刻速率為大約每分鐘2,000即正式蝕刻速率的大約7％。而且，蝕刻速率，其因Cl2氣體與Ar氣體的組成比率調(diào)整而變化，當Cl2氣體對Ar氣體的組成比率非常低時大于約每分鐘500。另一方面，當Cl2氣體對Ar氣體的組成比率非常高時，蝕刻速率變成約每分鐘3,000。即，蝕刻速率可經(jīng)由調(diào)整Cl2氣體與Ar氣體的組成比率而改變于從約每分鐘500至約每分鐘3,000的范圍。然而，因為下電極并不厚，生產(chǎn)量并非問題。盡管如此，蝕刻配方被調(diào)整以減緩蝕刻速率用以控制蝕刻輪廓，過度蝕刻等目的。優(yōu)選地，等離子體毯式回蝕刻過程處于約5毫托至約20毫托的壓力，約300W至約800W的源功率和約30W至約300W的偏置功率下進行。此時，Cl2氣體相對于Ar與Cl2氣體的混合氣體的百分比優(yōu)選地處于從約1％至約50％的范圍，且電極溫度優(yōu)選地處于從約10℃至約40℃的范圍。以上本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，其于等離子體毯式回蝕刻過程中引起化學蝕刻過程于TiN層29上的蝕刻氣體可為單一氯基氣體，其選自于包含Cl2，HCl與CCl4的組中，或是通過混合以上所列的氯基氣體的組合所得的氣體。除了使用此處所提及的混合氣體，一氣體如Ar，Xe與He亦可被單獨或組合添加以穩(wěn)定等離子體，控制目標氣體量并稀釋蝕刻氣體。而且，有可能添加O2氣體與N2氣體之一或二者用以鈍化目的或作為反應(yīng)抑制物用以防止在主要執(zhí)行的化學蝕刻過程中損壞下電極。雖然本發(fā)明的優(yōu)選實施例說明了當TiN被用于下電極時的蝕刻配方，蝕刻配方根據(jù)使用于導電層29的材料而變化。首先，在硅基材料被用作導電層29用以形成下電極的情況下，用于等離子體毯式回蝕刻過程的化學蝕刻過程的蝕刻氣體被單獨或組合選取自包含氟基氣體如SF6，NF3或CF4，氯基氣體如Cl2與溴基氣體如HBr的組中。在使用鎢(W)作為導電層29用以形成下電極的情形下，用于等離子體毯式回蝕刻過程的化學蝕刻過程的蝕刻氣體被單獨或組合選自包含SF6，NF3和CF4的氟基氣體組中。假如一貴金屬如釕(Ru)或鉑(Pt)被用作為導電層29用以形成下電極，單獨或組合選擇的O2氣體與Cl2氣體被用作蝕刻氣體用于等離子體毯式回蝕刻過程的化學蝕刻過程。當使用硅基材料，鎢與貴金屬之一來執(zhí)行等離子體毯式回蝕刻過程時，除上述的蝕刻氣體用于化學蝕刻過程外，惰性氣體亦被用作為蝕刻氣體用于物理蝕刻過程。而且，單獨或組合選自包括Ar，Xe與He的組中的惰性氣體被用于用以穩(wěn)定等離子體，控制所選氣體量與稀釋主蝕刻氣體。假如因用于化學蝕刻過程的上述蝕刻氣體的使用，化學蝕刻特性出現(xiàn)主導性，則O2氣體與N2氣體之一或兩者被添加作為鈍化(passivation)劑或反應(yīng)抑制劑用以抑制化學蝕刻特性。用于等離子體毯式回蝕刻過程的等離子體蝕刻裝置的例子為感應(yīng)耦合等離子體(ICP)蝕刻裝置，電子回旋共振(ECR)蝕刻裝置，微波蝕刻裝置，與電容耦合的等離子體蝕刻過程。蝕刻氣體的成份百分比，源功率，偏置功率，頂部電極和底部電極的壓力與溫度被調(diào)整以控制于下電極的隔離期間被形成于開口28外的基板結(jié)構(gòu)的蝕刻輪廓。圖2C示出前述之下電極29A通過如圖2B中所說明的下電極隔離過程被形成。在此，下電極29A為圓柱類型。參考圖2D，濕浸出(wetdip-out)過程被執(zhí)行以移除絕緣層27。從此濕浸出過程，圓柱形下電極29A被暴露。依據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例，等離子體毯式回蝕刻過程使得有可能隔離下電極而不會在下電極的底部部分產(chǎn)生壓孔(punch)，甚至是在缺少補充層的情況下。此補充層的消除提供防止單個位失效發(fā)生的效果，由此導致半導體器件產(chǎn)量的進一步增加。而且，因為當共用等離子體蝕刻裝置被使用時蝕刻過程配方被調(diào)整，沒有成本相關(guān)的負擔用以安裝形成電容器的新裝置。而且，具有垂直方向性的物理蝕刻過程和具有各向同性蝕刻特性的化學蝕刻過程的同時執(zhí)行提供了蝕刻均勻度上的改進的附加效果。本發(fā)明包含關(guān)于韓國專利申請?zhí)朘R2004-0022061與2005-0018756的主題，其是2004年3月31日與2005年3月7日分別申請于韓國專利局，其全部內(nèi)容被并入于此作為參考。當本發(fā)明已參照某些優(yōu)選實施例而描述，對本領(lǐng)域技術(shù)人員將明顯的是，各種變更與修改可不用偏離如界定于以下專利申請范圍的本發(fā)明精神與范疇。主要組件符號說明19多晶硅層19A，29A下電極11，21基板12，22結(jié)區(qū)域13，23層間絕緣層14，24存儲節(jié)點接觸孔15，25存儲節(jié)點接觸插座16，26蝕刻阻擋層17，27絕緣層18，28開口29導電層權(quán)利要求1.一種制造半導體器件的方法，其包含在基板上形成具有多個開口的絕緣層，以形成下電極；在絕緣層上形成導電層；以及以比形成于開口內(nèi)的導電層的第二部分快的速率蝕刻形成在所述開口外的導電層的第一部份，從而獲得相互隔離的下電極。2.如權(quán)利要求第1項的方法，其中該蝕刻步驟使用以基本上垂直于基板的方向被引入的誘發(fā)物理蝕刻的第一氣體與在等離子體相對該導電層產(chǎn)生化學反應(yīng)的誘發(fā)化學蝕刻的第二氣體的混合氣體。3.如權(quán)利要求第2項的方法，其中該第一氣體的量等于該第二氣體的量。4.如權(quán)利要求第2項的方法，其中該第一氣體的量小于該第二氣體的量。5.如權(quán)利要求第3項的方法，其中該第二氣體的量的百分比是在約1％到約50％的范圍內(nèi)。6.如權(quán)利要求第4項的方法，其中該第二氣體的量的百分比是在約1％到約50％的范圍內(nèi)。7.如權(quán)利要求第2項的方法，其中該混合氣體包含氧(O2)氣、氮(N2)氣以及O2氣跟N2氣的混合氣體之一。8.如權(quán)利要求第1項的方法，其中該蝕刻步驟包括調(diào)整偏置功率，以使發(fā)生于每個開口的內(nèi)底部部分的物理蝕刻少于發(fā)生于各開口的外部部分的物理蝕刻。9.如權(quán)利要求第8項的方法，其中該偏置功率是被調(diào)整至從約30W到約300W的范圍內(nèi)。10.如權(quán)利要求第2項的方法，其中當該導電層包含TiN時，該第一氣體與該第二氣體分別為惰性氣體與氯基氣體。11.如權(quán)利要求第10項的方法，其中該氯基氣體是選自由Cl2、HCl和CCl4及其組合所組成的組的一氣體。12.如權(quán)利要求第2項的方法，其中當該導電層包含硅基材料時，該第一氣體為惰性氣體；且該第二氣體是選自氟基氣體、氯基氣體、溴基氣體及其組合所組成的組中的一氣體。13.如權(quán)利要求第12項的方法，其中該氟基氣體包括SF6、NF3及CF4，而該氯基氣體及該溴基氣體分別為Cl2氣體及HBr。14.如權(quán)利要求第2項的方法，其中當該導電層包含鎢時，該第一氣體和第二氣體分別為惰性氣體及氟基氣體。15.如權(quán)利要求第14項的方法，其中該氟基氣體是選自SF6、NF3、CF4及其組合所組成的組中的一氣體。16.如權(quán)利要求第2項的方法，其中當該導電層包含貴金屬基的材料時，該第一氣體為惰性氣體，而該第二氣體是選自O(shè)2氣體、Cl2氣體及其組合所組成的組中的一氣體。17.如權(quán)利要求第1項的方法，其中該蝕刻步驟采用等離子體毯式回蝕刻過程。18.如權(quán)利要求第1項的方法，其中在該蝕刻步驟中，是采用基本上以垂直于基板的方向被引入的誘發(fā)物理蝕刻的第一氣體與以在等離子體相中對該導電層產(chǎn)生化學反應(yīng)的誘發(fā)化學蝕刻的第二氣體的混合氣體，且調(diào)整偏置功率，以使發(fā)生于每個開口的內(nèi)底部部分的物理蝕刻少于發(fā)生于每個開口外部部分的物理蝕刻。19.如權(quán)利要求第18項的方法，其中該第一氣體的量是等于該第二氣體的量。20.如權(quán)利要求第18項的方法，其中該第一氣體的量是少于該第二氣體的量。21.如權(quán)利要求第19項的方法，其中該第二氣體的量的百分比的范圍為從約1％至約50％。22.如權(quán)利要求第20項的方法，其中該第二氣體的量的百分比的范圍為從約1％至約50％。23.如權(quán)利要求第18項的方法，其中該混合氣體是被添加O2氣體、N2氣體、以及O2氣體和N2氣體的混合氣體之一。24.如權(quán)利要求第18項的方法，其中該偏置功率是被調(diào)整至約30W到約300W的范圍中。全文摘要本發(fā)明關(guān)于一種用于制造具有電容器的半導體器件的方法，其是通過執(zhí)行一等離子體毯式回蝕刻過程而不使用用以隔離下電極的補充層。該方法包含步驟在基板上形成具有多個開口的絕緣層，以形成下電極；在絕緣層上形成導電層，與以較形成于開口內(nèi)的導電層的第二部分為快的蝕刻形成于開口外的導電層第一部分，通過以彼此隔離下電極。文檔編號H01L21/44GK1677615SQ20051006265公開日2005年10月5日申請日期2005年3月31日優(yōu)先權(quán)日2004年3月31日發(fā)明者安明圭,曺允碩申請人:海力士半導體有限公司