專利名稱：有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置，更具體地說，涉及一種具有增強(qiáng)的色純度的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
圖1為顯示常規(guī)的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置像素的截面圖。該像素包括布置在驅(qū)動(dòng)區(qū)域D中的薄膜晶體管50和布置在發(fā)光區(qū)域E中的顯示單元60。薄膜晶體管50驅(qū)動(dòng)顯示單元60。顯示單元60包括連接至薄膜晶體管50的第一像素電極61、連接至電源(未示出)的第二像素電極62、插入第一和第二像素電極61和62之間的發(fā)光層87b、像素以及插入發(fā)光層87b與第一和第二像素電極61和62中至少一個(gè)之間的電荷傳輸層87a和/或87c。
第一像素電極61通過形成于鈍化層85中的接觸孔85c連接至薄膜晶體管50的漏電極，該鈍化層在隨后的制造過程中保護(hù)薄膜晶體管50。鈍化層85可以包含SiNx層85a和SiO2層85b，并且SiO2層85b可以布置在SiNx層85a之上。
基板81一般包含玻璃和SiO2。玻璃和SiO2的折射率是在約1.4-1.6的范圍內(nèi)，但是SiNx的折射率是在1.8-2.0的范圍內(nèi)。折射率之間的這個(gè)差異可能使從發(fā)光層87b發(fā)出的光扭曲。圖2顯示了對于圖1的常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光裝置，發(fā)射光的強(qiáng)度和波長之間的曲線圖可具有馬鞍一樣的形狀。這種情況下，有機(jī)電致發(fā)光裝置的色純度降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置，與常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光裝置相比，其無需額外的制造時(shí)間和成本就具有增強(qiáng)的色純度。
本發(fā)明另外的特征將在隨后的敘述中得到闡明，并在某種程度上從描述中得以明白，或者可以通過本發(fā)明的實(shí)踐得到認(rèn)識。
本發(fā)明公開了一種包括多個(gè)布置在基板上的像素的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中像素包含布置有通過驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)的第一薄膜晶體管和由第一薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)的第二薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)區(qū)域、以及布置有通過第二薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)的顯示單元的發(fā)光區(qū)域。該發(fā)光區(qū)域包含布置在基板上并連接至第二薄膜晶體管的第一像素電極、插入基板和第一像素電極之間的鈍化層、布置在第一像素電極之上的第二像素電極、以及插入第一像素電極和第二像素電極之間的發(fā)光層。第一像素電極和發(fā)光區(qū)域中布置在第一像素電極之下的各層具有1.4-1.6范圍內(nèi)的折射率。
本發(fā)明也公開了一種包括多個(gè)布置在基板上的像素的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中像素包含布置有通過驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)的第一薄膜晶體管和由第一薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)的第二薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)區(qū)域、以及布置有通過第二薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)的顯示單元的發(fā)光區(qū)域。該發(fā)光區(qū)域包含與層間絕緣層的上表面接觸并連接至第二薄膜晶體管的第一像素電極、布置在第一像素電極之上的第二像素電極、以及插入第一像素電極和第二像素電極之間的發(fā)光層。第一像素電極和發(fā)光區(qū)域中布置在第一像素電極之下的各層具有1.4-1.6范圍內(nèi)的折射率。
本發(fā)明同樣公開了一種包括多個(gè)布置在基板上的像素的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置。像素包含布置有通過驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)的第一薄膜晶體管和由第一薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)的第二薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)區(qū)域、布置有通過第二薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)的顯示單元的發(fā)光區(qū)域、以及覆蓋第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的第一鈍化層。該發(fā)光區(qū)域包含形成于基板之上的柵絕緣層、形成于柵絕緣層之上的層間絕緣層、布置在層間絕緣層之上并連接至第二薄膜晶體管的第一像素電極、插入層間絕緣層和第一像素電極之間的第二鈍化層、布置在第一像素電極之上的第二像素電極、以及插入第一像素電極和第二像素電極之間的發(fā)光層?；濉沤^緣層、層間絕緣層、第一像素電極和第二鈍化層各自具有1.4-1.6范圍內(nèi)的折射率。
可以理解的是，上述概括描述和下列詳細(xì)描述都是示例性的和說明性的，并且對所要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的說明。


附圖，其包含于其中以提供本發(fā)明的進(jìn)一步理解且結(jié)合于其中并構(gòu)成本說明書的一部分，說明了本發(fā)明的實(shí)施例并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
圖1為顯示常規(guī)有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置像素的截面圖。
圖2為從圖1的發(fā)光區(qū)域E發(fā)出的光強(qiáng)度對光波長的曲線圖。
圖3為顯示根據(jù)本發(fā)明第一示范性實(shí)施例的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置電路的電路圖和電路(IV)放大圖。
圖4為顯示圖3中所示電路(IV)結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖5為沿著圖4中線P1-P7的截面圖。
圖6為從圖5中發(fā)光區(qū)域E發(fā)出的光強(qiáng)度對光波長的曲線圖。
圖7為說明根據(jù)本發(fā)明第二示范性實(shí)施例的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置像素的截面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參照圖3、圖4和圖5描述按照本發(fā)明第一示范性實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光裝置。圖3顯示包括多個(gè)形成于有機(jī)電致發(fā)光裝置基板上的像素的電路以及像素的電路(IV)的放大圖。像素可以包括由驅(qū)動(dòng)電路(未示出)驅(qū)動(dòng)的第一薄膜晶體管10、由第一薄膜晶體管10驅(qū)動(dòng)的第二薄膜晶體管50、和由第二薄膜晶體管50驅(qū)動(dòng)的顯示單元60。顯示單元60發(fā)射紅、綠或藍(lán)光，取決于其發(fā)光層包含的材料。圖4為顯示圖3中所示電路(IV)物理結(jié)構(gòu)的示意圖，以及圖5為沿著圖4中線P1-P7的截面圖。為便于描述，圖4沒有顯示圖5的所有元件，且在圖4中，陰影區(qū)域包含可以相互連接的重疊的元件，而其他元件可以通過柵絕緣層83、層間絕緣層84、鈍化層85等隔開。
參照圖3、圖4和圖5，第二傳導(dǎo)線30將第一薄膜晶體管10的第一柵電極11連接至驅(qū)動(dòng)電路，且第一傳導(dǎo)線20將第一薄膜晶體管10的第一源電極12連接至驅(qū)動(dòng)電路。第一薄膜晶體管10的第一漏電極13連接至存儲(chǔ)電容器40的下電極41和第二薄膜晶體管50的柵電極51。第三傳導(dǎo)線70將第二薄膜晶體管50的源電極52和存儲(chǔ)電容器40的上電極42連接至驅(qū)動(dòng)電路。第二薄膜晶體管50的漏電極53可以連接至顯示單元60的陽極(例如圖5中的第一像素電極61)，且顯示單元60的陰極(例如圖5中的第二像素電極62)可以通過驅(qū)動(dòng)電路或直接地連接至電源。在此示范性實(shí)施例中，第一傳導(dǎo)線20可以是數(shù)據(jù)線，以及第二傳導(dǎo)線30可以是掃描線。
當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路(未示出)向第一柵電極11提供電壓時(shí)，在將第一源電極12和第一漏電極13相互連接的半導(dǎo)體層80中可以形成導(dǎo)電通道。第一傳導(dǎo)線20向第一源電極12提供流向第一漏電極13的電荷。驅(qū)動(dòng)電路也可向第三傳導(dǎo)線70提供電荷。通常，電荷數(shù)量決定從發(fā)光層87b中發(fā)出的光的強(qiáng)度。當(dāng)?shù)谝宦╇姌O13施加電壓至第二柵電極51時(shí)，第二源電極52的電荷可以通過第二漏電極53流至第一像素電極61。術(shù)語“驅(qū)動(dòng)電路”包括連接至第一傳導(dǎo)線20、第二傳導(dǎo)線30和第三傳導(dǎo)線70的驅(qū)動(dòng)電路。
流至第一像素電極61的電荷(例如空穴)移至發(fā)光層87b，在那里它們可以與流經(jīng)第二像素電極62的其他電荷(例如電子)重新結(jié)合。重新結(jié)合的空穴和電子可以形成激子(exiton)，且激子從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變成基態(tài)。從而，發(fā)光層87b發(fā)光。
參照圖5，現(xiàn)在詳細(xì)描述像素的結(jié)構(gòu)。顯示單元60布置在標(biāo)記P1和P2之間限定的發(fā)光區(qū)域E中。標(biāo)記P2至P7限定了驅(qū)動(dòng)區(qū)域D，其中第二薄膜晶體管50布置在標(biāo)記P2和P3之間，以及存儲(chǔ)電容器40布置在標(biāo)記P3和P7之間。
緩沖層82可以形成于基板81之上?？梢杂砂雽?dǎo)體材料諸如硅制成的半導(dǎo)體層80形成于驅(qū)動(dòng)區(qū)域D中緩沖層82的一部分上，并且形成柵絕緣層83以覆蓋緩沖層82和半導(dǎo)體層80。第一和第二柵電極11和51以及存儲(chǔ)電容器40的下電極41，形成于柵絕緣層83之上，并且形成層間絕緣層84以至少覆蓋第一和第二柵電極11和51以及下電極41。所有形成操作可以在單一過程中進(jìn)行，以便在各個(gè)像素中可以存在上述元件。
通孔53a和52a可以形成在靠近第二柵電極51的柵絕緣層83和層間絕緣層84的一部分中。通孔也可以形成在靠近第一柵電極11的柵絕緣層83和層間絕緣層84的一部分中。源電極12和52及漏電極13和53可以形成在包括這些通孔形成的區(qū)域的區(qū)域中。然后，形成鈍化層85以至少覆蓋驅(qū)動(dòng)區(qū)域D。下面將描述鈍化層的結(jié)構(gòu)。
第一薄膜晶體管10包含半導(dǎo)體層80、柵絕緣層83、第一柵電極11、層間絕緣層84、第一源電極12和第一漏電極13。第二薄膜晶體管50包含半導(dǎo)體層80、柵絕緣層83、第二柵電極51、層間絕緣層84、第二源電極52和第二漏電極53。第一和第二薄膜晶體管10和50可以具有相似的橫截面結(jié)構(gòu)。
鈍化層85覆蓋第一薄膜晶體管10和第二薄膜晶體管50。第一像素電極61通過形成于鈍化層85中的接觸孔85c連接至漏電極53。
通常，薄膜晶體管可以分為交錯(cuò)型、反向交錯(cuò)型、共面型和反向共面型。在此示范性實(shí)施例中，第一薄膜晶體管10和第二薄膜晶體管50顯示為共面型，但本發(fā)明并不僅限于此。
參照圖5，包含SiNx層85a和SiO2層85b的鈍化層85布置在驅(qū)動(dòng)區(qū)域D中。圖5中，驅(qū)動(dòng)區(qū)域D中SiO2層85b布置在SiNx層85a之上。然而，SiNx層85a可以布置在SiO2層85b上。另外，驅(qū)動(dòng)區(qū)域D中鈍化層85可以僅包括SiO2層85b。
如圖5所示，顯示單元60布置在發(fā)光區(qū)域E中。顯示單元60包括可以連接至第二漏電極53的第一像素電極61，面對第一像素電極61的第二像素電極62，以及插入第一和第二像素電極61和62之間的發(fā)光層87b。第一電荷傳輸層87a可以插入至發(fā)光層87b和第一像素電極61之間，以及第二電荷傳輸層87c可以插入至發(fā)光層87b和第二像素電極62之間。然而，第一電荷傳輸層87a和/或第二電荷傳輸層87c可以省略。
發(fā)光層87b可以由低分子量材料或聚合物有機(jī)材料制成。低分子量有機(jī)材料的實(shí)例包括酞菁，諸如銅酞菁(CuPc)、N，N’-二(萘-1-基)-N，N’二苯基聯(lián)苯胺(NPB)、三(8-羥基喹啉合)鋁(Alq3)以及其他類似物質(zhì)。聚合物有機(jī)材料的實(shí)例包括聚亞苯基亞乙烯基(PPV)、聚芴以及其他類似物質(zhì)。
發(fā)光層87b根據(jù)所要發(fā)射光的顏色可以包括不同化合物。例如，為發(fā)射紅光，發(fā)光層87b可以包括聚(1，4-亞苯基亞乙烯基)衍生物、尼羅紅、4-二氰基亞甲基-2-甲基-6-(久洛尼定-4-基-乙烯基)-4H-吡喃(DCM2)、2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基，21H，23H-卟吩合鉑(II)(PEOEP)、4-(二氰基亞甲基)-2-叔丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定-9-烯基)-4H-吡喃，或其他類似物質(zhì)。為發(fā)射綠光，發(fā)光層87b可以包括10-(2-苯并噻唑基)-2，3，6，7-四氫-1，1，7，7-四甲基-1H，5H，11H-[1]苯并吡喃并[6，7，8-ij]喹嗪(C545T)、三(8-羥基喹啉合)鋁(Alq3)、三(2-(2-吡啶基苯基-C，N)合)銥(II)(Ir)ppy，或其他類似物質(zhì)。以及為了發(fā)射藍(lán)光，發(fā)光層87b可以包括芴聚合物、螺環(huán)芴聚合物、咔唑基低分子量分子如二咔唑二苯乙烯(dicarbazolstylbene)(DCS)(也稱為“雙[咔唑-(9)]-二苯乙烯(stylbene)”)、4，4’-雙(2，2’-二苯乙烯-1-基)聯(lián)苯(DPBVi)、N，N’-雙(萘-1-基)-N，N’-雙(苯基)聯(lián)苯胺(α-NPD)，或其他類似物質(zhì)。
第一電荷傳輸層87a和第二電荷傳輸層87c可以包括電荷注入層和/或電荷遷移層。電荷注入層是由允許電荷平穩(wěn)注入的材料制成的，以及電荷遷移層平穩(wěn)地傳遞電荷。電荷注入層可以是電子注入層(EIL)和空穴注入層(HIL)，以及電荷遷移層可以是電子遷移層(ETL)和空穴遷移層(HTL)。
如果第一像素電極61為陽極且第二像素電極62為陰極，則第一電荷傳輸層87a可以是HTL，以及第二電荷傳輸層87c可以是ETL。第一電荷傳輸層87a可以包括HIL和HTL。HIL可以由CuPc或星爆形胺如TCTA、m-MTDATA、m-MTDAPB或其他類似物質(zhì)制成。HTL可以由N，N’-雙(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-[1，1-聯(lián)苯]-4，4’-二胺(TPD)、N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基-聯(lián)苯胺(benxidine)(α-NPD)或其他類似物質(zhì)制成。第二電荷傳輸層87c可以包括EIL和ETL。EIL可以由LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO或其他類似物質(zhì)制成。ETL可以由A-噁唑、異-噁唑、三唑、異噻唑、噁二唑(oxidiazole)、噻二唑、苝、鋁絡(luò)合物(例如Alq3(三(8-羥基喹啉合)-鋁)、BAlq、SAlq、Almq3)、鎵絡(luò)合物(例如Gaq′2OPiv、Gaq′2OAc、2(Gaq’2))或其他類似物質(zhì)制成。
基板81、緩沖層82、柵絕緣層83、層間絕緣層84和SiO2層85b可以順序地布置在顯示單元60下面。由于具有1.8-2.0的折射率的SiNx層85a，沒有在根據(jù)本示范性實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光裝置的發(fā)光區(qū)域E中形成，所以從發(fā)光層87b發(fā)出的光不會(huì)顯著地衍射。結(jié)果，如圖6中所示，從有機(jī)電致發(fā)光裝置發(fā)出的光強(qiáng)度對光波長的曲線可以是高斯曲線。換句話說，有機(jī)電致發(fā)光裝置的光純度不會(huì)退化，而且其與常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光裝置相比是增強(qiáng)了的。發(fā)光區(qū)域E的第一電荷傳輸層87a、第二電荷傳輸層87c、第一像素電極61、SiO2層85b、層間絕緣層84、柵絕緣層83、緩沖層82和基板81具有1.4-1.6范圍內(nèi)的折射率。由于上述元件的折射率之間差異小，所以從發(fā)光層87b發(fā)出的光不會(huì)顯著地衍射。
本發(fā)明可用于底部發(fā)光型和雙向發(fā)光型(both-direction emission type)有機(jī)電致發(fā)光裝置。從底部發(fā)光型有機(jī)電致發(fā)光裝置的發(fā)光層87b發(fā)出的光，能被可由反光的導(dǎo)電材料制成的第二像素電極62反射，然后經(jīng)由可用透光的導(dǎo)電材料制成的第一像素電極61向著基板81的下側(cè)發(fā)射。從雙向有機(jī)電致發(fā)光裝置發(fā)出的光在兩個(gè)方向(圖5中向上和向下方向)經(jīng)由可用透光的導(dǎo)電材料制成的第一像素電極61和第二像素電極62射出。反光的導(dǎo)電材料的實(shí)例包括Al、Ag和其他類似物質(zhì)。銦錫氧化物是透光的導(dǎo)電材料的一個(gè)實(shí)例。
可以在鈍化層85上形成平面化層(planarizing layer)86，其使第一電荷傳輸層87a、第二電荷傳輸層87c和第二像素電極62平面化。另外，可以在第二像素電極62上形成保護(hù)層89。然而，平面化層86和保護(hù)層89可以省略。
存儲(chǔ)電容器40包括下電極41和上電極42。下電極41和第二柵電極51可以形成于單一的結(jié)合體中，而上電極42和第二源電極52同樣可以形成于單一的結(jié)合體中。存儲(chǔ)電容器40能使第一像素電極61在預(yù)定的一段時(shí)間內(nèi)維持發(fā)光，或提高驅(qū)動(dòng)速度。
下文中，參照圖7將對按照第二示范性實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光裝置進(jìn)行描述。第二示范性實(shí)施例與第一實(shí)施例的區(qū)別在于SiO2層85b沒有插入在層間絕緣層84和第一像素電極61之間。由于SiO2層85b用于保護(hù)第一和第二薄膜晶體管10和50，其可以不必在發(fā)光區(qū)域E中形成。然而，這些層之一或者全部可以布置在驅(qū)動(dòng)區(qū)域D中。
與第一實(shí)施例相似，折射率為1.8-2.0的SiNx層85a沒有布置在發(fā)光區(qū)域E中。因此，如圖6中所示，從發(fā)光層87b發(fā)出的光不會(huì)顯著地衍射。所以，從有機(jī)電致發(fā)光裝置發(fā)出的光的強(qiáng)度對光波長的曲線可以是高斯曲線。換句話說，有機(jī)電致發(fā)光裝置的色純度不會(huì)退化，而且其與常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光裝置相比是增強(qiáng)了的。發(fā)光區(qū)域E中的第一電荷傳輸層87a、第二電荷傳輸層87c、第一像素電極61、層間絕緣層84、柵絕緣層83、緩沖層82和基板81具有1.4-1.6范圍內(nèi)的折射率。由于上述元件的折射率之間差異小，所以從發(fā)光層87b發(fā)出的光不會(huì)顯著地衍射。
另外，第二示范性實(shí)施例中，只需要一個(gè)掩模以形成SiNx層85a和SiO2層85b，因?yàn)樗鼈儧]有形成于發(fā)光區(qū)域E中。
事實(shí)上，當(dāng)形成圖1的常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光裝置的接觸孔85c時(shí)，至少需要一個(gè)掩模。因此，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置的制造過程不需要額外的制造時(shí)間和成本。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)明白，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下可以進(jìn)行多種改進(jìn)和變化。因此，意味著只要是在所附的權(quán)利要求書及其等效物的范圍內(nèi)，本發(fā)明涵蓋該發(fā)明的改進(jìn)和變化。
權(quán)利要求
1.一種有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置，包含布置在基板上的多個(gè)像素，其中像素包含布置有通過驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)的第一薄膜晶體管和由第一薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)的第二薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)區(qū)域；以及布置有通過第二薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)的顯示單元的發(fā)光區(qū)域，其中所述發(fā)光區(qū)域包含布置在所述基板之上且連接至第二薄膜晶體管的第一像素電極；插入至所述基板和第一像素電極之間的第一鈍化層；布置在第一像素電極之上的第二像素電極；以及插入至第一像素電極和第二像素電極之間的發(fā)光層，其中第一像素電極和所述發(fā)光區(qū)域中布置在第一像素電極之下的各層具有1.4-1.6范圍內(nèi)的折射率。
2.權(quán)利要求1所述的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中第一鈍化層是由SiO2制成的。
3.權(quán)利要求1所述的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中第一像素電極是由透明的導(dǎo)電材料制成的；和其中第二像素電極是由反光的導(dǎo)電材料制成的。
4.權(quán)利要求1所述的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中在所述驅(qū)動(dòng)區(qū)域中形成第二鈍化層以覆蓋第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；以及其中第一像素電極通過形成于第二鈍化層中的接觸孔連接至第二薄膜晶體管的漏電極。
5.權(quán)利要求4所述的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中第二鈍化層包含SiNx層和SiO2層。
6.權(quán)利要求4所述的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中第二鈍化層僅由SiO2制成。
7.權(quán)利要求4所述的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置，進(jìn)一步包含形成于第二鈍化層之上的平面化層。
8.權(quán)利要求1所述的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置，進(jìn)一步包含布置于所述驅(qū)動(dòng)區(qū)域中的電容器。
9.權(quán)利要求1所述的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置，進(jìn)一步包含所述發(fā)光區(qū)域中形成于所述基板之上的柵絕緣層；形成于所述柵絕緣層上的層間絕緣層；和在所述發(fā)光區(qū)域和所述驅(qū)動(dòng)區(qū)域中都插入至所述基板和所述柵絕緣層之間的緩沖層。
10.權(quán)利要求1所述的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中第一薄膜晶體管的柵電極和源電極，以及第二薄膜晶體管的源電極，連接至所述驅(qū)動(dòng)電路；其中第一薄膜晶體管的漏電極連接至第二薄膜晶體管的柵電極；和其中第二像素電極連接至電源。
11.一種有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置，包含布置于基板上的多個(gè)像素，其中像素包含布置有通過驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)的第一薄膜晶體管和由第一薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)的第二薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)區(qū)域；以及布置有通過第二薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)的顯示單元的發(fā)光區(qū)域，其中所述發(fā)光區(qū)域包含與層間絕緣層的上表面接觸且連接至第二薄膜晶體管的第一像素電極；布置于第一像素電極之上的第二像素電極；和插入至第一像素電極和第二像素電極之間的發(fā)光層，其中第一像素電極和所述發(fā)光區(qū)域中布置在第一像素電極之下的各層具有1.4-1.6范圍內(nèi)的折射率。
12.權(quán)利要求11所述的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中第一像素電極是由透明的導(dǎo)電材料制成的；和其中第二像素電極是由反光的導(dǎo)電材料制成的。
13.權(quán)利要求11所述的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置，進(jìn)一步包含在所述發(fā)光區(qū)域中布置于所述基板之上的柵絕緣層；和形成于所述驅(qū)動(dòng)區(qū)域中的鈍化層以覆蓋第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，其中所述層間絕緣層形成于所述柵絕緣層上；和其中第一像素電極連接至第二薄膜晶體管的漏電極。
14.權(quán)利要求13所述的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中所述鈍化層包含SiNx層。
15.權(quán)利要求13所述的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中所述鈍化層包含SiO2層。
16.權(quán)利要求13所述的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置，進(jìn)一步包含形成于所述鈍化層之上的平面化層。
17.權(quán)利要求11所述的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置，進(jìn)一步包含布置于所述驅(qū)動(dòng)區(qū)域中的電容器。
18.權(quán)利要求11所述的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置，進(jìn)一步包含在所述發(fā)光區(qū)域中布置在所述基板之上的柵絕緣層；和在所述發(fā)光區(qū)域和所述驅(qū)動(dòng)區(qū)域中都插入至所述基板和所述柵絕緣層之間的緩沖層。
19.權(quán)利要求11所述的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中第一薄膜晶體管的柵電極和源電極，以及第二薄膜晶體管的源電極，連接至所述驅(qū)動(dòng)電路；其中第一薄膜晶體管的漏電極連接至第二薄膜晶體管的柵電極；和其中第二像素電極連接至電源。
20.一種有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置，包含布置于基板上的多個(gè)像素，其中像素包含布置有通過驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)的第一薄膜晶體管和由第一薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)的第二薄膜晶體管的驅(qū)動(dòng)區(qū)域；布置有通過第二薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)的顯示單元的發(fā)光區(qū)域；和覆蓋第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的第一鈍化層，其中所述發(fā)光區(qū)域包含形成于所述基板之上的柵絕緣層；形成于所述柵絕緣層上的層間絕緣層；布置于所述層間絕緣層之上且連接至第二薄膜晶體管的第一像素電極；插入至所述層間絕緣層和第一像素電極之間的第二鈍化層；布置于第一像素電極之上的第二像素電極；和插入至第一像素電極和第二像素電極之間的發(fā)光層，其中所述基板、所述柵絕緣層、所述層間絕緣層、第一像素電極和第二鈍化層各具有1.4-1.6范圍內(nèi)的折射率。
全文摘要
一種有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置包括布置于基板上的多個(gè)像素。像素包括驅(qū)動(dòng)區(qū)域和發(fā)光區(qū)域。發(fā)光區(qū)域包含形成于基板之上的柵絕緣層、形成于柵絕緣層上的層間絕緣層、布置于層間絕緣層之上且連接至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的第一像素電極、插入至層間絕緣層和第一像素電極之間的鈍化層、布置于第一像素電極之上的第二像素電極以及插入至第一像素電極和第二像素電極之間的發(fā)光層?；濉沤^緣層、層間絕緣層、第一像素電極和鈍化層各自具有1.4－1.6的折射率。
文檔編號H01L27/32GK1678147SQ200510054179
公開日2005年10月5日 申請日期2005年2月6日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月6日
發(fā)明者申鉉億 申請人:三星Sdi株式會(huì)社