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固態(tài)電解電容器、傳輸線器件、它們的制作方法及采用它們的復(fù)合電子元件的制作方法

文檔序號(hào):6847762閱讀:134來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:固態(tài)電解電容器、傳輸線器件、它們的制作方法及采用它們的復(fù)合電子元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及薄型固態(tài)電解電容器、薄型傳輸線器件、由半導(dǎo)體芯片與所述電容器或傳輸線器件合成的復(fù)合電子元件,以及制作它們的方法。
電子設(shè)備正向小型化、薄型化和高功能化發(fā)展。這些特點(diǎn)在便攜式設(shè)備中尤顯重要。隨著這樣的趨勢(shì),越來(lái)越多地要求這些設(shè)備中安裝的電子元件要小型化、薄型化和高功能化。
在這些情況下,不僅在各種半導(dǎo)體元件中,而且在無(wú)源元件中,特別是在那些用于去耦電源電路的各種固態(tài)電解電容器和傳輸線器件中,小型化和薄型化已有越來(lái)越多的需求。
在這種趨勢(shì)下,以半導(dǎo)體元件與這些無(wú)源元件結(jié)合的復(fù)合元件方式也屬于小型化。特別是,由于與陶瓷電容器等相比,固態(tài)電解電容器和傳輸線器件的電容量大,因此,當(dāng)把它們與半導(dǎo)體芯片結(jié)合時(shí),可以預(yù)期有極好的去耦效果。
按照慣例,表面安裝型固態(tài)電解電容器一般被覆蓋以固態(tài)樹(shù)脂封裝。圖1示出這種常規(guī)樹(shù)脂模塑型的固態(tài)電解電容器的剖面圖。
參照?qǐng)D1,樹(shù)脂模塑型的固態(tài)電解電容器701具有陽(yáng)極主體1,所述主體是比如鋁、鈮、鉭,或它們?yōu)榛窘饘俚暮辖鸬扔兄鼓孀饔玫慕饘倨虿?。延展這種基本金屬的表面,并以所述基本金屬的氧化物構(gòu)成的介電層覆蓋這種延展的基本金屬表面。該電容器還包括阻擋層2,它限定兩部分,還包括陰極導(dǎo)體層3,它蓋住陽(yáng)極主體1的主要部分。所述電容器進(jìn)一步包括陽(yáng)極接線端71,這個(gè)陽(yáng)極接線端71牢固地固著在陽(yáng)極主體1上未被覆蓋陰極導(dǎo)體層3的部分上;陰極接線端81牢固地固著在所述陰極導(dǎo)體層3上;以及模塑樹(shù)脂封裝91。然而,由于樹(shù)脂模塑成型所需的厚度之故,所述電容器不能足夠地薄。
日本專利未審公開(kāi)No.2003-249418公開(kāi)了另一種薄型固態(tài)電解電容器的結(jié)構(gòu)。圖2表示其中一種普通薄型固態(tài)電解電容器的剖面圖。
參照?qǐng)D2,薄型固態(tài)電解電容器702包括固著在陽(yáng)極主體1上的陽(yáng)極接線端72、固著在陰極導(dǎo)體層3上的陰極接線端82、覆蓋陰極導(dǎo)體層3的金屬板92,以及被所述金屬板92覆蓋的絕緣部分93。由于去掉樹(shù)脂模塑封裝,可使整個(gè)厚度減小。然而,由于加工時(shí)對(duì)金屬板所需的厚度使得難以進(jìn)一步減小厚度。
為了實(shí)現(xiàn)由半導(dǎo)體元件構(gòu)成的復(fù)合電子元件的小型化,要求將固態(tài)電解電容器的厚度減小到半導(dǎo)體芯片的厚度那樣薄,比如不超過(guò)0.3mm。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提出一種進(jìn)一步薄型化的電解電容器和傳輸線器件及其制作方法。
本發(fā)明的另一目的在于提出一種薄型化的復(fù)合電子元件,其中電解電容器和傳輸線器件與半導(dǎo)體芯片相結(jié)合。
按照本發(fā)明,提供一種固態(tài)電解電容器,它包括固態(tài)電解質(zhì)電容元件、覆蓋該元件的封裝和用于與外部目標(biāo)電連接的陽(yáng)極接線端及陰極接線端。所述固態(tài)電解質(zhì)電容元件包括陽(yáng)極部件,它由有止逆(valve)作用之金屬制成,并沿著該電容元件的縱長(zhǎng)方向延展;所述陽(yáng)極部件被提供有陽(yáng)極部分和陽(yáng)極導(dǎo)引部分;介電層,它由有止逆作用的金屬氧化物制成,并且形成于所述陽(yáng)極部分的表面上;以及陰極部件,它具有在所述介電層表面上形成的陰極導(dǎo)體部分。所述封裝為一絕緣樹(shù)脂件,被布置成用以覆蓋所述電容元件。所述絕緣樹(shù)脂件具有多個(gè)穿過(guò)它而形成的通孔部分。所述陽(yáng)極接線端具有被置于所述通孔部分內(nèi)的金屬鍍層。該陽(yáng)極接線端通過(guò)所述通孔部分與陽(yáng)極導(dǎo)引部分電連接。所述陰極接線端具有被置于所述通孔部分內(nèi)的金屬鍍層。該陰極接線端通過(guò)所述通孔部分與陰極導(dǎo)體部分電連接。所述有止逆作用的金屬可以是鋁、鈮、鉭,或它們的合金。
所述陽(yáng)極接線端和陰極接線端可以包括突起于絕緣樹(shù)脂件表面的擴(kuò)張區(qū),該擴(kuò)張區(qū)與各通孔部分內(nèi)的金屬鍍層電連接。所述擴(kuò)張區(qū)可以包含形成于所述絕緣樹(shù)脂件表面上的金屬鍍層。該擴(kuò)張區(qū)可以包含與各通孔部分內(nèi)的金屬鍍層鄰接的焊接球。該擴(kuò)張區(qū)可以是形成于所述絕緣樹(shù)脂件表面上的金屬箔。
所述固態(tài)電解電容器可以包括附加的陽(yáng)極接線端,它被電連接到陽(yáng)極導(dǎo)引部分的不同位置。該電容器可以包括附加的陰極接線端;它被電連接到所述陰極導(dǎo)體部分的不同位置??蓪⑺鲫?yáng)極接線端、附加陽(yáng)極接線端、陰極接線端和附加陰極接線端布置在所述絕緣樹(shù)脂件的兩側(cè)。可將所述陽(yáng)極接線端、附加陽(yáng)極接線端、陰極接線端和附加陰極接線端布置在所述絕緣樹(shù)脂件的一側(cè)。
所述絕緣樹(shù)脂件可以包含多個(gè)樹(shù)脂片,它們之間夾有所述電容元件。這些樹(shù)脂片可以熱壓或借助粘合劑被互相粘合在一起。所述絕緣樹(shù)脂件可以是通過(guò)給元件灌注以環(huán)氧樹(shù)脂液體而形成的樹(shù)脂覆蓋物。
按照本發(fā)明,提供一種傳輸線型電容器件,它包括傳輸線型電容元件、覆所述元件的封裝,以及用以與外部目標(biāo)電連接的陽(yáng)極接線端和陰極接線端。所述傳輸線型固態(tài)電解質(zhì)電容元件包含陽(yáng)極元件,該元件由有止逆作用的金屬制成,并沿著該電容元件的縱長(zhǎng)方向延展;而且所述陽(yáng)極部件依序被提供有第一陽(yáng)極導(dǎo)引部分、陽(yáng)極部分和第二陽(yáng)極導(dǎo)引部分;介電層,它由有止逆作用的金屬氧化物制成,并且形成于所述陽(yáng)極部分的表面上;以及陰極部件,它具有在所述介電層表面上形成的陰極導(dǎo)體部分。所述封裝為一絕緣樹(shù)脂件,被布置成用以覆蓋所述電容元件。所述絕緣樹(shù)脂件具有多個(gè)穿過(guò)它所形成的通孔部分。所述陽(yáng)極接線端具有被置于所述通孔部分內(nèi)的金屬鍍層。各陽(yáng)極接線端通過(guò)所述各通孔部分與所述第一和第二陽(yáng)極導(dǎo)引部分電連接。所述陰極接線端具有被置于所述通孔部分內(nèi)的金屬鍍層。各陰極接線端通過(guò)所述通孔部分與陰極導(dǎo)體部分電連接。
按照本發(fā)明,提供一種復(fù)合電子元件,它包括半導(dǎo)體芯片;固態(tài)電解電容器,該電容器包含固態(tài)電解質(zhì)電容元件、覆蓋所述元件的封裝和用于與半導(dǎo)體芯片電連接的陽(yáng)極接線端和陰極接線端。所述固態(tài)電解質(zhì)電容元件包括陽(yáng)極部件,所述陽(yáng)極部件由有止逆作用的金屬制成,并沿該電容元件的縱長(zhǎng)方向延展,并且所述陽(yáng)極部件設(shè)置一個(gè)陽(yáng)極部分和一個(gè)陽(yáng)極導(dǎo)引部分;介電層,由有止逆作用金屬的金屬氧化物制成并形成于所述陽(yáng)極部分的表面上;陰極部件,它包含形成于所述介電層表面上的陰極導(dǎo)體部分。所述封裝為一絕緣樹(shù)脂件,該絕緣樹(shù)脂件被布置成用以覆蓋所述固態(tài)電解質(zhì)電容器元件,并且該絕緣樹(shù)脂件具有多個(gè)穿通它形成的通孔部分。所述陽(yáng)極接線端是被置于所述通孔內(nèi)的金屬鍍層。該陽(yáng)極接線端通過(guò)所述通孔部分與陽(yáng)極導(dǎo)引部分電連接。所述陰極接線端是被置于所述通孔內(nèi)的金屬鍍層。該陰極接線端通過(guò)所述通孔部分與陰極導(dǎo)體部分電連接。將半導(dǎo)體芯片安裝在固態(tài)電解電容器上。
按照本發(fā)明,提供一種復(fù)合電子元件,它包括半導(dǎo)體芯片;傳輸線型固態(tài)電解電容器,該電容器包含傳輸線型固態(tài)電解質(zhì)電容元件、覆蓋所述元件的封裝和用于與半導(dǎo)體芯片電連接的陽(yáng)極接線端和陰極接線端。所述傳輸線型固態(tài)電解質(zhì)電容元件包括陽(yáng)極部件,所述陽(yáng)極部件由有止逆作用的金屬制成,并沿該電容元件的縱長(zhǎng)方向延展,并且所述陽(yáng)極部件依序設(shè)置第一陽(yáng)極導(dǎo)引部分、陽(yáng)極部分和第二陽(yáng)極導(dǎo)引部分;介電層,由有止逆作用金屬的金屬氧化物制成并形成于所述陽(yáng)極部分的表面上;陰極部件,它包含形成于所述介電層表面上的陰極導(dǎo)體部分。所述封裝為一絕緣樹(shù)脂件,該絕緣樹(shù)脂件被被布置成用以覆蓋所述固態(tài)電解質(zhì)電容器元件。該絕緣樹(shù)脂件具有多個(gè)穿通它形成的通孔部分。所述陽(yáng)極接線端是被置于所述各通孔內(nèi)的金屬鍍層。該陽(yáng)極接線端通過(guò)所述通孔部分與第一和第二陽(yáng)極導(dǎo)引部分電連接。所述陰極接線端是被置于所述各通孔內(nèi)的金屬鍍層。該陰極接線端通過(guò)所述各通孔部分與陰極導(dǎo)體部分電連接。將半導(dǎo)體芯片安裝在傳輸線型固態(tài)電解電容器上。
按照本發(fā)明,提供一種制作固態(tài)電解電容器的方法,所述固態(tài)電解電容器包括固態(tài)電解質(zhì)電容元件、覆蓋該元件的封裝以及用于與外部目標(biāo)電連接的陽(yáng)極接線端和陰極接線端。所述固態(tài)電解質(zhì)電容元件包括陽(yáng)極部件,所述陽(yáng)極部件由有止逆作用的金屬制成,并沿該電容元件的縱長(zhǎng)方向延展,并且所述陽(yáng)極部件設(shè)置有陽(yáng)極部分和陽(yáng)極導(dǎo)引部分;介電層,由有止逆作用金屬的金屬氧化物制成并形成于所述陽(yáng)極部分的表面上;陰極部件,它包含形成于所述介電層表面上的陰極導(dǎo)體部分,并且所述陰極部件包括形成于所述介電層表面上的陰極導(dǎo)體部分。所述方法包括如下步驟制備所述固態(tài)電解質(zhì)電容元件;加給絕緣樹(shù)脂件,以覆蓋該電容元件;在所述絕緣樹(shù)脂件中形成多個(gè)通孔部分;以及將金屬鍍層置于各通孔部分內(nèi),以提供陽(yáng)極接線端和陰極接線端。
按照本發(fā)明,提供一種制作傳輸線型電容器件的方法,所述傳輸線型電容器件包括傳輸線型固態(tài)電解質(zhì)電容元件、覆蓋該元件的封裝,以及用于與外部目標(biāo)電連接的陽(yáng)極接線端和陰極接線端。所述傳輸線型固態(tài)電解質(zhì)電容元件包括陽(yáng)極部件,所述陽(yáng)極部件由有止逆作用的金屬制成,并沿該電容元件的縱長(zhǎng)方向延展,其中,所述陽(yáng)極部件依序設(shè)置有第一陽(yáng)極導(dǎo)引部分、陽(yáng)極部分和第二陽(yáng)極導(dǎo)引部分;介電層,由有止逆作用金屬的金屬氧化物制成并形成于所述陽(yáng)極部分的表面上;陰極部件,它包含形成于所述介電層表面上的陰極導(dǎo)體部分。所述方法包括如下步驟制備所述傳輸線型固態(tài)電解質(zhì)電容元件;加給絕緣樹(shù)脂件,以覆蓋該電容元件;在所述絕緣樹(shù)脂件中形成多個(gè)通孔部分;以及將金屬鍍層置于各通孔部分內(nèi),以提供陽(yáng)極接線端和陰極接線端。
按照本發(fā)明,由于電容器和傳輸線型器件的封裝以及陽(yáng)極和陰極接線端都非常薄,可使固態(tài)電解電容器和傳輸線器件薄型化和小型化。
此外,采用本發(fā)明固態(tài)電解電容器和傳輸線器件,可使與半導(dǎo)體芯片構(gòu)成的復(fù)合電子元件薄而且小型。另外所述復(fù)合電子元件省去外部電容元件。
另外,本發(fā)明的固態(tài)電解電容器使各種實(shí)用電路能夠高速動(dòng)作。這是因?yàn)樵诠虘B(tài)電解電容器和傳輸線器件中可以容易形成多個(gè)陽(yáng)極接線端和陰極接線端,而各種實(shí)用電路可以使用位于緊靠各實(shí)用電路接線端的適宜的陽(yáng)極接線端和陰極接線端。有多個(gè)陽(yáng)極接線端和陰極接線端可供利用,這用于減小整個(gè)電路的感應(yīng)現(xiàn)象。
因而,本發(fā)明對(duì)于使電子裝置的小型化有所貢獻(xiàn)。


從以下結(jié)合附圖的描述可以更完整地理解本發(fā)明,其中圖1是普通樹(shù)脂模塑型固態(tài)電解電容器一種舉例的剖面圖;
圖2是普通薄型固態(tài)電解電容器另一種舉例的剖面圖;圖3A和3B是本發(fā)明第一種固態(tài)電解電容器的剖面圖和仰視圖;圖4是本發(fā)明第一實(shí)施例一種改型的固態(tài)電解電容器的剖面圖;圖5A和5B是本發(fā)明第一實(shí)施例另一改型的固態(tài)電解電容器的剖面圖和仰視圖;圖6A和6B是本發(fā)明第二實(shí)施例固態(tài)電解電容器的剖面圖和仰視圖;圖7是本發(fā)明第二實(shí)施例一種改型固態(tài)電解電容器的的剖面圖;圖8是本發(fā)明第二實(shí)施例另一種改型的固態(tài)電解電容器的剖面圖;圖9A和9B是本發(fā)明第三實(shí)施例傳輸線器件的剖面圖和仰視圖;圖10A和10B是本發(fā)明第四實(shí)施例固態(tài)電解電容器的透視圖和仰視圖;圖11是表示本發(fā)明制造固態(tài)電解電容器方法的制作過(guò)程的流程圖;圖12是本發(fā)明第五實(shí)施例復(fù)合電子元件的剖面圖;圖13是本發(fā)明第六實(shí)施例復(fù)合電子元件的剖面圖;圖14是本發(fā)明第七實(shí)施例復(fù)合電子元件的剖面圖;圖15是本發(fā)明第八實(shí)施例復(fù)合電子元件的剖面圖;圖16是本發(fā)明第九實(shí)施例復(fù)合電子元件的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
第一實(shí)施例參照?qǐng)D3A和3B,本發(fā)明第一實(shí)施例固態(tài)電解電容器101包括陽(yáng)極主體1,這個(gè)陽(yáng)極主體1為由比如鋁、鈮、鉭或以它們?yōu)榛窘饘俚暮辖鸬扔兄鼓孀饔弥饘僦瞥傻钠虿?。使?yáng)極主體1的表面延展,并由阻擋層2將其分成兩部分。陽(yáng)極主體1包括被置于一部分內(nèi)的陽(yáng)極部分1a和被置于另一部分內(nèi)的陽(yáng)極導(dǎo)引部分1b。給陽(yáng)極部分1a的表面覆蓋以介電層(未示出),該介電層由所述基本金屬的氧化物制成。所述介電層的表面覆蓋有陰極導(dǎo)體層3。陰極導(dǎo)體層3由固態(tài)電解質(zhì)、石墨和銀糊制成。這些就構(gòu)成固態(tài)電解質(zhì)電容元件的基本構(gòu)造。
由包含下片5a和上片5b的封裝5從所述電容元件的下側(cè)面和上側(cè)面夾持該固態(tài)電解質(zhì)電容元件。例如,所述下片和上片5a和5b當(dāng)中的每一個(gè)的厚度為幾十微米。所述封裝5的厚度不超過(guò)0.3mm。
下片5a有兩個(gè)通孔部分6,它們分別達(dá)到所述陽(yáng)極主體1和陰極導(dǎo)體層3。形成通孔部分6的過(guò)程是可以在樹(shù)脂件中形成穿孔的過(guò)程,比如激光穿孔過(guò)程。在達(dá)到陽(yáng)極體主1的通孔部分6中,通過(guò)在該通孔部分6中形成金屬鍍層而構(gòu)成陽(yáng)極接線端7。同樣,在達(dá)到陰極導(dǎo)體層3的通孔部分6中,通過(guò)在該通孔部分6中形成金屬鍍層而構(gòu)成陰極接線端8。這些金屬鍍層從封裝5的表面略有伸出。由比如銅之類的高電導(dǎo)率金屬制成所述金屬鍍層。例如,從封裝5伸出的金屬鍍層的厚度為從幾微米到幾十微米,陽(yáng)極接線端7和陰極接線端8提供與外部目標(biāo)的電連接,所述外部目標(biāo)就是要與所述電容元件電連接的。
上述實(shí)施例中,雖然沒(méi)有金屬鍍層形成于所述另一部分中的陽(yáng)極主體1的表面上,或者形成于陽(yáng)極導(dǎo)引部分1b的表面上,但最好是在陽(yáng)極導(dǎo)引部分1b的表面上形成金屬鍍層。這是因?yàn)橐乐乖诜庋b5中形成通孔6的過(guò)程中陽(yáng)極導(dǎo)引部分1b的表面受到損害。以在陽(yáng)極導(dǎo)引部分1b的表面上使用導(dǎo)電粘合劑代替所述金屬鍍層可以制成金屬箔。
同樣的理由,最好是在陰極導(dǎo)體層3的表面上形成金屬鍍層或金屬箔。
接下去將說(shuō)明制作電解電容器101的方法。
參照?qǐng)D11,預(yù)先制備陽(yáng)極主體,由比如鋁、鈮、鉭或它們的合金等有止逆作用的金屬制成的片或箔所構(gòu)成,延展該陽(yáng)極主體的表面(步驟S1)。通過(guò)蝕刻所述的片或箔,或者通過(guò)給有止逆作用的金屬片燒結(jié)有止逆作用的金屬粉末,使之結(jié)合,可以造成表面的延展。所述片或箔包含多個(gè)陽(yáng)極主體;由所述的片或箔切割出每個(gè)陽(yáng)極主體。
然后,通過(guò)化學(xué)反應(yīng)處理,在所述片或箔的表面上形成由所述基本金屬的氧化物構(gòu)成的介電層(步驟S2)。這些過(guò)程制成所述陽(yáng)極主體,該主體具有在所述片或箔上形成的介電層。
繼而,在所述陽(yáng)極主體表面的預(yù)定部分中加給或形成阻擋層2(步驟S3),以及在陰極的預(yù)定部分中形成由固態(tài)電解質(zhì)制成的陰極導(dǎo)體層3(步驟S4)。對(duì)二氧化錳或?qū)щ娋酆衔?,如聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺或它們的絡(luò)合物采用公知的過(guò)程可以得到所述固態(tài)電解質(zhì)。此外,可在固態(tài)電解質(zhì)的表面上形成比如石墨層、銀糊層。然后,去掉部分介電層,給出陽(yáng)極導(dǎo)引部分1b。
所述陰極導(dǎo)體層3的最外層最好具有金屬鍍層或者用導(dǎo)電粘合劑粘結(jié)的金屬箔,以減少因比如激光處理等后加工處理所致的損壞。因同樣的理由,所述陽(yáng)極導(dǎo)引部分1b的最外層最好也具有金屬鍍層或者金屬箔焊層。
此后,給通過(guò)上述過(guò)程制得的電容元件從該元件的頂部到底部覆蓋以封裝5,所述封裝由下片5a和上片5b組成(步驟S5)。通過(guò)固化或部分固化,比如通過(guò)加熱處理半固化環(huán)氧樹(shù)脂片而制得封裝5。作為選擇,可以通過(guò)把粘合劑加給所述電容元件并由所述樹(shù)脂片夾住它們制得所述封裝5。
此外,通過(guò)激光處理在封裝5中所形成通孔部分6,使它們的深度足以達(dá)到所述陽(yáng)極導(dǎo)引部分1b和陰極導(dǎo)體層3。電鍍各通孔部分6和封裝5的預(yù)定部分(步驟S7),得到陽(yáng)極接線端7和陰極接線端8。最后,按各預(yù)先確定的部分實(shí)行切割,分割出多個(gè)元件。
參照?qǐng)D4,固態(tài)電解電容器102作為本發(fā)明第一實(shí)施例的改型,它與圖3A和3B的第一實(shí)施例不同在于該電容器在固態(tài)電解質(zhì)電容元件的下側(cè)和上側(cè)上面都有多個(gè)接線端。因此,將用同樣的參考標(biāo)號(hào)表示同樣的部件,并省略詳細(xì)的描述,而將主要描述各不同的部件。
封裝5的下片5a和上片5b具有多個(gè)通孔部分6,它們分別達(dá)到陽(yáng)極主體1和陰極導(dǎo)體層3。在達(dá)到陽(yáng)極主體1的通孔部分6中,通過(guò)在各通孔部分6中形成金屬鍍層構(gòu)成陽(yáng)極接線端7。同樣,在達(dá)到陰極導(dǎo)體層3的通孔部分6中,通過(guò)在各通孔部分6中形成金屬鍍層構(gòu)成陰極接線端8。這些金屬鍍層略為突出于封裝5的表面。由諸如銅之類的高電導(dǎo)率金屬制成各金屬鍍層。
參照?qǐng)D5A和5B,固態(tài)電解電容器103作為本發(fā)明第一實(shí)施例的另一改型包含圖4所示第一實(shí)施例改型之固態(tài)電解電容器的各個(gè)部件。第一實(shí)施例的這兩個(gè)改型之間的主要不同在于所示接線端的數(shù)目方面。主要描述這一不同點(diǎn)。
封裝5的下片5a和上片5b有18個(gè)通孔部分6,它們分別達(dá)到陽(yáng)極主體1和陰極導(dǎo)體層3。在達(dá)到所述陽(yáng)極主體1的通孔部分6中,通過(guò)在各通孔部分6中形成金屬鍍層而構(gòu)成各陽(yáng)極接線端7。同樣,在達(dá)到所述陰極導(dǎo)體層3的通孔部分6中,通過(guò)在各通孔部分6中形成金屬鍍層而構(gòu)成各陰極接線端8。這些金屬鍍層略為突出于封裝5的表面。由諸如銅之類的高電導(dǎo)率金屬制成各金屬鍍層。如5B所示,在陽(yáng)極導(dǎo)引部分1b的下表面上,沿著與電容元件的縱長(zhǎng)方向平行和垂直的每條線布置所述各陽(yáng)極接線端7。
第二實(shí)施例參照?qǐng)D6A,本發(fā)明第二實(shí)施例的固態(tài)電解電容器104與圖3A和3B的第一實(shí)施例主要不同在于陽(yáng)極接線端7和陰極接線端8分別具有擴(kuò)張區(qū)12和13。因此,將用同樣的參考標(biāo)號(hào)表示同樣的部件,并省略詳細(xì)的描述,而將主要描述各不同的部件。
與圖6A一起參照?qǐng)D6B,所述電容器104還包括在陽(yáng)極導(dǎo)引部分1b的表面上形成的金屬鍍層4。通過(guò)在各通孔部分6中和在封裝5的部分表面上形成金屬鍍層,分別構(gòu)成陽(yáng)極接線端7和陰極接線端8,以提供與金屬鍍層4和陰極導(dǎo)體層3的電連接。封裝5的部分表面上的金屬鍍層的區(qū)域12和13構(gòu)成陽(yáng)極接線端7和陰極接線端8的擴(kuò)張區(qū)12和13。
擴(kuò)張區(qū)12和13略為突出于封裝5的表面。例如,從封裝5突出的金屬鍍層厚度為幾個(gè)微米到幾十微米。擴(kuò)張區(qū)12和13用于使所述陽(yáng)極接線端7和陰極接線端8與外部目標(biāo)連接,所述外部目標(biāo)是要與電容元件電連接的。
參照?qǐng)D7,固態(tài)電解電容器105作為本發(fā)明第二實(shí)施例的改型與圖6A和6B所示第二實(shí)施例主要不同在于陽(yáng)極接線端和陰極接線端具有焊接球14作為擴(kuò)張區(qū),分別替代所述金屬鍍層。因此,將用同樣的參考標(biāo)號(hào)表示同樣的部件,并省略詳細(xì)的描述,而將主要描述各不同的部件。
焊接球14由高電導(dǎo)率的金屬制成,并通過(guò)焊接構(gòu)成而形成。例如,使焊接球14突出于封裝5幾百微米的厚度或高度。焊接球14使陽(yáng)極接線端7和陰極接線端8容易與外部目標(biāo)連接,所述外部目標(biāo)是要與電容元件電連接的。這種結(jié)構(gòu)被稱為BGA(球柵陣列)結(jié)構(gòu)。
參照?qǐng)D8,固態(tài)電解電容器106作為本發(fā)明第二實(shí)施例的另一改型與圖6A和6B的第二實(shí)施例主要不同在于陽(yáng)極接線端和陰極接線端具有金屬箔15作為擴(kuò)張區(qū),分別替代所述金屬鍍層。因此,將用同樣的參考標(biāo)號(hào)表示同樣的部件,并省略詳細(xì)的描述,而將主要描述各不同的部件。
金屬箔15由高電導(dǎo)率金屬制成,并采用導(dǎo)電粘合劑形成它。例如,使金屬箔15從封裝5突出幾十微米的厚度。
第三實(shí)施例參照?qǐng)D9A和9B,本發(fā)明第三實(shí)施例的傳輸線器件301包括陽(yáng)極主體1。除了所述陽(yáng)極主體1的表面被兩部分阻擋層2分成三部分外,傳輸線型器件301具有圖6A和6B中固態(tài)電解電容器104同樣的結(jié)構(gòu)。這就是說(shuō),將由固態(tài)電解質(zhì)、石墨、銀糊等所制成的陰極導(dǎo)體層3形成在中心部分,并在兩端部分形成金屬鍍層4。在兩端的兩個(gè)位置處分別構(gòu)成包含擴(kuò)張區(qū)12的兩個(gè)陽(yáng)極接線端7。另外,在中心的一個(gè)位置處(兩個(gè)或多個(gè)位置的結(jié)構(gòu)也是可能的)構(gòu)成包含擴(kuò)張區(qū)13的陰極接線端8。
傳輸線型器件301為二對(duì)一接線端結(jié)構(gòu),有三個(gè)電極接線端中心處形成的一個(gè)陰極接線端8和兩側(cè)上形成的兩個(gè)陽(yáng)極接線端。
于是,除了陽(yáng)極接線端7的數(shù)目之外,這種電容器以及傳輸線器件的結(jié)構(gòu)都是類似的??蓪⒈景l(fā)明第一實(shí)施例中參照?qǐng)D11所述的制作過(guò)程應(yīng)用于制作傳輸線器件。
第四實(shí)施例參照?qǐng)D10A和10B,本發(fā)明第四實(shí)施例的固態(tài)電解電容器401具有多個(gè)電解質(zhì)元件、多個(gè)陽(yáng)極接線端和多個(gè)陰極接線端。
更明確地說(shuō),電容器401具有陽(yáng)極主體1,它包含一個(gè)有止逆作用的正方形的片或正方形的箔。陽(yáng)極主體1的下表面和上表面分別被柵格形的阻擋層2分成九部分。被分成的各部分包括四個(gè)陽(yáng)極部分和五個(gè)陽(yáng)極導(dǎo)引部分。所述陽(yáng)極部分和陽(yáng)極導(dǎo)引部分互相交替地布置。每個(gè)陽(yáng)極部分的表面被覆蓋以有止逆作用金屬之氧化物制成的介電層(未示出)。每個(gè)介電層的表面覆蓋有陰極導(dǎo)體層3。
此外,每個(gè)陽(yáng)極導(dǎo)引部分的表面覆蓋有金屬鍍層4。
由封裝5從電容元件的下側(cè)到上側(cè)夾持所述固態(tài)電解質(zhì)電容元件,所述封裝5包括下片5a和上片5b。
下片5a有9個(gè)通孔部分,分別達(dá)到金屬鍍層4和陰極導(dǎo)體層3。在達(dá)到金屬鍍層4的通孔部分中,通過(guò)形成金屬鍍層而構(gòu)成陽(yáng)極接線端7。同樣,在達(dá)到陰極導(dǎo)體層3的通孔部分中,通過(guò)形成金屬鍍層而構(gòu)成陰極接線端8。所述陽(yáng)極接線端7和陰極接線端8分別具有擴(kuò)張區(qū)12和13。
按照這種結(jié)構(gòu),根據(jù)如何連接陰極接線端8和陽(yáng)極接線端7的方式,可以得到固態(tài)電解電容器和傳輸線器件。
第五實(shí)施例按照本發(fā)明第一到第四實(shí)施例,可在相關(guān)的任意位置形成所述陽(yáng)極接線端7和陰極接線端8,因?yàn)樗鼈兪墙?jīng)過(guò)金屬鍍層形成的。因此,通過(guò)形成多個(gè)陽(yáng)極接線端7和陰極接線端8,可以減小陽(yáng)極接線端7和陰極接線端8之間的距離,從而減少感應(yīng)現(xiàn)象,并能高速地響應(yīng)。另外,如果需要,可以通過(guò)將焊接球14置于陽(yáng)極接線端7和陰極接線端8上,而造成BGA結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的固態(tài)電解電容器和傳輸線器件的優(yōu)點(diǎn)在于是一種薄的表面安裝型元件。
另外,由于薄型結(jié)構(gòu)和大電容的特點(diǎn),通過(guò)與半導(dǎo)體芯片結(jié)合,本發(fā)明的固態(tài)電解電容器和傳輸線器件能夠給出一種小型化的復(fù)合電子元件。以下就描述復(fù)合電子元件的幾種實(shí)施例。
參照?qǐng)D12,按照本發(fā)明第五實(shí)施例的復(fù)合電子元件201具有固態(tài)電解電容器,比如圖6A和6B所示的固態(tài)電解電容器104,它被沿著半導(dǎo)體芯片500的厚度方向放置在該芯片500上。焊接球18被置于半導(dǎo)體芯片500的下表面上。帶有擴(kuò)張區(qū)12和13的陽(yáng)極接線端7和陰極接線端8分別與在芯片500上所形成的導(dǎo)引(芯片接線端)電連接。作為選擇,也可放置傳輸線器件,比如放置圖9A和9B所示的傳輸線器件301,以代替所述固態(tài)電解電容器104。
第六實(shí)施例參照?qǐng)D13,按照本發(fā)明第六實(shí)施例的復(fù)合電子元件202的結(jié)構(gòu)是將圖6A和6B所示的固態(tài)電解電容器104沿著半導(dǎo)體芯片500的厚度方向放置在該芯片500的下表面上。帶有擴(kuò)張區(qū)12和13的陽(yáng)極接線端7和陰極接線端8分別經(jīng)連接線16與在芯片500下表面上所形成的導(dǎo)引17電連接。同樣也可以放置圖9A和9B所示的傳輸線器件301,以代替所述固態(tài)電解電容器104。
第七實(shí)施例參照?qǐng)D14,按照本發(fā)明第七實(shí)施例的復(fù)合電子元件205依序具有疊置的插入器或插入板600、半導(dǎo)體芯片501、固態(tài)電解電容器107和半導(dǎo)體芯片502。
焊接球18被置于插入器600的下側(cè)面上。半導(dǎo)體芯片501沿著插入板600的厚度方向被置于該插入板600的一側(cè)。
固態(tài)電解電容器107放置在半導(dǎo)體芯片501上。所述固態(tài)電解電容器107的帶有擴(kuò)張區(qū)12和13的陽(yáng)極接線端7和陰極接線端8分別經(jīng)連接線16與在插入器600一側(cè)上所形成的導(dǎo)引17電連接。
半導(dǎo)體芯片502放置在固態(tài)電解電容器107上。所述固態(tài)電解電容器107的帶有擴(kuò)張區(qū)12和13的部分陽(yáng)極接線端7和陰極接線端8分別與半導(dǎo)體芯片502上形成的導(dǎo)引17電連接。帶有擴(kuò)張區(qū)12和13的陽(yáng)極接線端7和陰極接線端8的其余部分分別經(jīng)連接線162與插入器600上形成的導(dǎo)引17電連接。
同樣也可以放置傳輸線器件來(lái)代替所述固態(tài)電解電容器107。
第八實(shí)施例參照?qǐng)D15,按照本發(fā)明第八實(shí)施例的復(fù)合電子元件203具有多個(gè)有如圖6A和6B所示的固態(tài)電解電容器104以及半導(dǎo)體芯片500,它們被置于插入器600上。焊接球18被置于插入器600的下部側(cè)面上??梢允褂枚鄠€(gè)圖9A和9B所示的傳輸線器件代替固態(tài)電解電容器104。
第九實(shí)施例參照?qǐng)D16,按照本發(fā)明第九實(shí)施例的復(fù)合電子元件204具有一個(gè)電容器,比如圖6A和6B所示的電容器104,它被置于插入器600的安裝側(cè)面上,在與半導(dǎo)體芯片500相對(duì)的一側(cè)。焊接球18被置于插入器600的與所示固態(tài)電解電容器104相同的一側(cè)。可以用傳輸線器件代替所示固態(tài)電解電容器104。
作為本發(fā)明的第八和第九實(shí)施例,由于在半導(dǎo)體芯片附近放置薄的大容量的固態(tài)電解電容器或傳輸線器件,所以能夠提高去耦效果,能夠得到高速動(dòng)作的半導(dǎo)體,并使外部的無(wú)源元件成為是不必要的,從而同樣給出小型化的電子器件。
雖然已經(jīng)結(jié)合其優(yōu)選實(shí)施例描述了本發(fā)明,但對(duì)于那些熟悉本領(lǐng)域的人員而言,可對(duì)本發(fā)明作出各種其它方式的實(shí)踐而不致脫離所附權(quán)利要求書(shū)限定的本發(fā)明范圍。
權(quán)利要求
1.一種固態(tài)電解電容器,它包括固態(tài)電解質(zhì)電容元件、覆蓋該元件的封裝和用于與外部目標(biāo)電連接的陰極接線端及陰極接線端;所述固態(tài)電解質(zhì)電容元件包括陽(yáng)極部件,它由有止逆作用的金屬制成,并沿著該電容元件的縱長(zhǎng)方向延展;所述陽(yáng)極部件被提供有陽(yáng)極部分和陽(yáng)極導(dǎo)引部分;介電層,它由有止逆作用的金屬氧化物制成,并且形成于所述陽(yáng)極部分的表面上;以及陰極部件,它具有在所述介電層表面上形成的陰極導(dǎo)體部分;其中,所述封裝為一絕緣樹(shù)脂件,被布置成用以覆蓋所述電容元件;所述絕緣樹(shù)脂件具有多個(gè)穿過(guò)它所形成的通孔部分;所述陽(yáng)極接線端具有被置于所述通孔部分內(nèi)的金屬鍍層;該陽(yáng)極接線端通過(guò)所述通孔部分與陽(yáng)極導(dǎo)引部分電連接;并且所述陰極接線端具有被置于所述通孔部分內(nèi)的金屬鍍層;該陰極接線端通過(guò)所述通孔部分與陰極導(dǎo)體部分電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)電解電容器,其中,所述有止逆作用的金屬是鋁、鈮、鉭,或它們的合金。
3.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)電解電容器,其中,所述陽(yáng)極接線端和陰極接線端包含突起于絕緣樹(shù)脂件表面的擴(kuò)張區(qū),該擴(kuò)張區(qū)與各通孔部分內(nèi)的金屬鍍層電連接。
4.如權(quán)利要求3所述的固態(tài)電解電容器,其中,所述擴(kuò)張區(qū)包含形成于所述絕緣樹(shù)脂件表面上的金屬鍍層。
5.如權(quán)利要求3所述的固態(tài)電解電容器,其中,所述擴(kuò)張區(qū)包含與各通孔部分內(nèi)的金屬鍍層鄰接的焊接球。
6.如權(quán)利要求3所述的固態(tài)電解電容器,其中,所述擴(kuò)張區(qū)包含形成于所述絕緣樹(shù)脂件表面上的金屬箔。
7.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)電解電容器,其中,還包括附加的陽(yáng)極接線端,它被電連接到陽(yáng)極導(dǎo)引部分的不同位置。
8.如權(quán)利要求7所述的固態(tài)電解電容器,其中,還包括附加的陰極接線端,它被電連接到所述陰極導(dǎo)體部分的不同位置。
9.如權(quán)利要求8所述的固態(tài)電解電容器,其中,所述陽(yáng)極接線端、附加陽(yáng)極接線端、陰極接線端和附加陰極接線端布置在所述絕緣樹(shù)脂件的兩側(cè)。
10.如權(quán)利要求8所述的固態(tài)電解電容器,其中,所述陽(yáng)極接線端、附加陽(yáng)極接線端、陰極接線端和附加陰極接線端布置在所述絕緣樹(shù)脂件的一側(cè)。
11.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)電解電容器,其中,所述絕緣樹(shù)脂件包含多個(gè)樹(shù)脂片,將所述電容元件夾持在它們之間。
12.如權(quán)利要求11所述的固態(tài)電解電容器,其中,所述樹(shù)脂片被熱壓或借助粘合劑被互相粘合在一起。
13.如權(quán)利要求1所述的固態(tài)電解電容器,其中,所述絕緣樹(shù)脂件為通過(guò)給元件灌注以環(huán)氧樹(shù)脂液體而形成的樹(shù)脂覆蓋物。
14.一種傳輸線型電容器件,它包括傳輸線型固態(tài)電解質(zhì)電容元件、覆所述元件的封裝,以及用以與外部目標(biāo)電連接的陽(yáng)極接線端和陰極接線端;所述傳輸線型固態(tài)電解質(zhì)電容元件包括陽(yáng)極元件,該元件由有止逆作用的金屬制成,并沿著該電容元件的縱長(zhǎng)方向延展;而且所述陽(yáng)極部件依序被提供有第一陽(yáng)極導(dǎo)引部分、陽(yáng)極部分和第二陽(yáng)極導(dǎo)引部分;介電層,它由有止逆作用的金屬氧化物制成,并且形成于所述陽(yáng)極部分的表面上;以及陰極部件,它具有在所述介電層表面上形成的陰極導(dǎo)體部分;其中,所述封裝為一絕緣樹(shù)脂件,被布置成用以覆蓋所述電容元件;所述絕緣樹(shù)脂件具有多個(gè)穿過(guò)它所形成的通孔部分;所述陽(yáng)極接線端具有被置于所述通孔部分內(nèi)的金屬鍍層;各陽(yáng)極接線端通過(guò)所述各通孔部分與所述第一和第二陽(yáng)極導(dǎo)引部分電連接;所述陰極接線端具有被置于所述通孔部分內(nèi)的金屬鍍層;各陰極接線端通過(guò)所述通孔部分與陰極導(dǎo)體部分電連接。
15.如權(quán)利要求14所述的傳輸線型電容器件,其中,所述有止逆作用的金屬是鋁、鈮、鉭,或它們的合金。
16.如權(quán)利要求14所述的傳輸線型電容器件,其中,所述陽(yáng)極接線端和陰極接線端包含突起于絕緣樹(shù)脂件表面的擴(kuò)張區(qū),該擴(kuò)張區(qū)與各通孔部分內(nèi)的金屬鍍層電連接。
17.如權(quán)利要求16所述的傳輸線型電容器件,其中,所述擴(kuò)張區(qū)包含形成于所述絕緣樹(shù)脂件表面上的金屬鍍層。
18.如權(quán)利要求16所述的傳輸線型電容器件,其中,所述擴(kuò)張區(qū)包含與各通孔部分內(nèi)的金屬鍍層鄰接的焊接球。
19.如權(quán)利要求16所述的傳輸線型電容器件,其中,所述擴(kuò)張區(qū)包含形成于所述絕緣樹(shù)脂件表面上的金屬箔。
20.如權(quán)利要求16所述的傳輸線型電容器件,其中,還包括附加的陽(yáng)極接線端,它們被電連接到所述第一和第二陽(yáng)極導(dǎo)引部分的不同位置。
21.如權(quán)利要求16所述的傳輸線型電容器件,其中,還包括附加的陰極接線端,它們被電連接到所述陰極導(dǎo)體層的不同位置。
22.如權(quán)利要求21所述的傳輸線型電容器件,其中,所述陽(yáng)極接線端、附加陽(yáng)極接線端、陰極接線端和附加陰極接線端布置在所述絕緣樹(shù)脂件的兩側(cè)。
23.如權(quán)利要求21所述的傳輸線型電容器件,其中,所述陽(yáng)極接線端、附加陽(yáng)極接線端、陰極接線端和附加陰極接線端布置在所述絕緣樹(shù)脂件的一側(cè)。
24.如權(quán)利要求14所述的傳輸線型電容器件,其中,所述絕緣樹(shù)脂件包含多個(gè)樹(shù)脂片,所述電容元件夾持在它們之間。
25.如權(quán)利要求24所述的傳輸線型電容器件,其中,所述樹(shù)脂片被熱壓或借助粘合劑被互相粘合在一起。
26.如權(quán)利要求14所述的固態(tài)電解電容器,其中,所述絕緣樹(shù)脂件為通過(guò)給元件灌注以環(huán)氧樹(shù)脂液體而形成的樹(shù)脂覆蓋物。
27.一種復(fù)合電子元件,它包括半導(dǎo)體芯片;固態(tài)電解電容器,該電容器包含固態(tài)電解質(zhì)電容元件、覆蓋所述元件的封裝和用于與半導(dǎo)體芯片電連接的陽(yáng)極接線端和陰極接線端;所述固態(tài)電解質(zhì)電容元件包括陽(yáng)極部件,所述陽(yáng)極部件由有止逆作用的金屬制成,并沿該電容元件的縱長(zhǎng)方向延展,并且所述陽(yáng)極部件設(shè)置陽(yáng)極部分和陽(yáng)極導(dǎo)引部分;介電層,由有止逆作用金屬的金屬氧化物制成并形成于所述陽(yáng)極部分的表面上;陰極部件,它包含形成于所述介電層表面上的陰極導(dǎo)體部分;其中,所述封裝為一絕緣樹(shù)脂件,該絕緣樹(shù)脂件被被布置成用以覆蓋所述固態(tài)電解質(zhì)電容器元件,并且該絕緣樹(shù)脂件具有多個(gè)穿通它形成的通孔部分;所述陽(yáng)極接線端是被置于所述通孔內(nèi)的金屬鍍層;該陽(yáng)極接線端通過(guò)所述通孔部分與陽(yáng)極導(dǎo)引部分電連接;所述陰極接線端是被置于所述通孔內(nèi)的金屬鍍層;該陰極接線端通過(guò)所述通孔部分與陰極導(dǎo)體部分電連接;并且將半導(dǎo)體芯片安裝在所述固態(tài)電解電容器上。
28.如權(quán)利要求27所述的復(fù)合電子元件,其中,所述半導(dǎo)體芯片安裝在固態(tài)電解電容器的封裝的上側(cè)面或者下側(cè)面上。
29.如權(quán)利要求27所述的復(fù)合電子元件,其中,所述半導(dǎo)體芯片安裝在電解電容器的封裝的上側(cè)面和下側(cè)面上。
30.如權(quán)利要求27所述的復(fù)合電子元件,其中,所述半導(dǎo)體芯片和電解電容器安裝插入器的側(cè)面上,用以調(diào)節(jié)到襯底的電極間距。
31.如權(quán)利要求27所述的復(fù)合電子元件,其中,所述半導(dǎo)體芯片和電解電容器安裝在插入器的兩個(gè)側(cè)面上,用以調(diào)節(jié)到襯底的電極間距。
32.一種復(fù)合電子元件,它包括半導(dǎo)體芯片;傳輸線型固態(tài)電解電容器,所述固態(tài)電解電容器包含傳輸線型固態(tài)電解質(zhì)電容元件、覆蓋所述元件的封裝和用于與所述半導(dǎo)體芯片電連接的陽(yáng)極接線端和陰極接線端;所述傳輸線型固態(tài)電解質(zhì)電容元件包括陽(yáng)極部件,所述陽(yáng)極部件由有止逆作用的金屬制成,并沿該電容元件的縱長(zhǎng)方向延展,并且所述陽(yáng)極部件依序設(shè)置第一陽(yáng)極導(dǎo)引部分、陽(yáng)極部分和第二陽(yáng)極導(dǎo)引部分;介電層,由有止逆作用金屬的金屬氧化物制成并形成于所述陽(yáng)極部分的表面上;陰極部件,它包含形成于所述介電層表面上的陰極導(dǎo)體部分;其中,所述封裝為一絕緣樹(shù)脂件,該絕緣樹(shù)脂件被布置成用以覆蓋所述固態(tài)電解質(zhì)電容元件,該絕緣樹(shù)脂件具有多個(gè)穿通它形成的通孔部分;所述陽(yáng)極接線端是被置于所述各通孔內(nèi)的金屬鍍層,該陽(yáng)極接線端通過(guò)所述通孔部分與第一和第二陽(yáng)極導(dǎo)引部分電連接;并且所述陰極接線端是被置于所述各通孔內(nèi)的金屬鍍層,該陰極接線端通過(guò)所述各通孔部分與陰極導(dǎo)體部分電連接;并且將半導(dǎo)體芯片安裝在所述傳輸線型固態(tài)電解電容器件上。
33.如權(quán)利要求32所述的復(fù)合電子元件,其中,所述半導(dǎo)體芯片安裝在傳輸線型固態(tài)電解電容器件的封裝的上側(cè)面或著下側(cè)面上。
34.如權(quán)利要求32所述的復(fù)合電子元件,其中,所述半導(dǎo)體芯片安裝在傳輸線型固態(tài)電解電容器件的封裝的上側(cè)面和下側(cè)面上。
35.如權(quán)利要求32所述的復(fù)合電子元件,其中,所述半導(dǎo)體芯片和傳輸線型固態(tài)電解電容器件安裝在插入器的側(cè)面上,用以調(diào)節(jié)到襯底的電極間距。
36.如權(quán)利要求32所述的復(fù)合電子元件,其中,所述半導(dǎo)體芯片和傳輸線型固態(tài)電解電容器件安裝在插入器的兩個(gè)側(cè)面上,用以調(diào)節(jié)到襯底的電極間距。
37.一種制作固態(tài)電解電容器的方法,所述固態(tài)電解電容器包括固態(tài)電解質(zhì)電容元件、覆蓋該元件的封裝,以及用于與外部目標(biāo)電連接的陽(yáng)極接線端和陰極接線端;所述固態(tài)電解質(zhì)電容元件包括陽(yáng)極部件,所述陽(yáng)極部件由有止逆作用的金屬制成,并沿該電容元件的縱長(zhǎng)方向延展,并且所述陽(yáng)極部件設(shè)置有陽(yáng)極部分和陽(yáng)極導(dǎo)引部分;介電層,由有止逆作用金屬的金屬氧化物制成并形成于所述陽(yáng)極部分的表面上;陰極部件,它包含形成于所述介電層表面上的陰極導(dǎo)體部分;并且所述制作方法包括如下步驟制備所述固態(tài)電解質(zhì)電容元件;加給絕緣樹(shù)脂件,以覆蓋該電容元件;在所述絕緣樹(shù)脂件中形成多個(gè)通孔部分;以及將金屬鍍層置于各通孔部分內(nèi),以提供陽(yáng)極接線端和陰極接線端。
38.如權(quán)利要求37所述的制作固態(tài)電解電容器的方法,其中,所述加給步驟包含將所述電容元件夾持在樹(shù)脂片之間的步驟。
39.如權(quán)利要求38所述的制作固態(tài)電解電容器的方法,其中,所述樹(shù)脂片被熱壓或借助粘合劑被互相粘合在一起。
40.如權(quán)利要求38所述的制作固態(tài)電解電容器的方法,其中,所述加給步驟包含以環(huán)氧樹(shù)脂液體灌注所述元件的步驟。
41.一種制作傳輸線型電容器件的方法,所述傳輸線型電容器件包括傳輸線型固態(tài)電解質(zhì)電容元件、覆蓋該元件的封裝,以及用于與外部目標(biāo)電連接的陽(yáng)極接線端和陰極接線端;所述傳輸線型固態(tài)電解質(zhì)電容元件包括陽(yáng)極部件,所述陽(yáng)極部件由有止逆作用的金屬制成,并沿該電容元件的縱長(zhǎng)方向延展,所述陽(yáng)極部件依序設(shè)置有第一陽(yáng)極導(dǎo)引部分、陽(yáng)極部分和第二陽(yáng)極導(dǎo)引部分;介電層,由有止逆作用金屬的金屬氧化物制成并形成于所述陽(yáng)極部分的表面上;陰極部件,它包含形成于所述介電層表面上的陰極導(dǎo)體部分;所述制作方法包括如下步驟制備所述傳輸線型固態(tài)電解質(zhì)電容元件;加給絕緣樹(shù)脂件,以覆蓋該電容元件;在所述絕緣樹(shù)脂件中形成多個(gè)通孔部分;以及將金屬鍍層置于各通孔部分內(nèi),以提供陽(yáng)極接線端和陰極接線端。
42.如權(quán)利要求41所述的制作傳輸線型固態(tài)電解電容器的方法,其中,所述加給步驟包含將所述電容元件夾持在樹(shù)脂片之間的步驟。
43.如權(quán)利要求42所述的制作傳輸線型固態(tài)電解電容器的方法,其中,所述樹(shù)脂片被熱壓或借助粘合劑被互相粘合在一起。
44.如權(quán)利要求41所述的制作傳輸線型固態(tài)電解電容器的方法,其中,所述加給步驟包括以環(huán)氧樹(shù)脂液體灌注所述元件的步驟。
全文摘要
在固態(tài)電解電容器(104)中,封裝(5)為一被布置成覆蓋電容元件的絕緣樹(shù)脂件(5a)。絕緣樹(shù)脂件(5a)具有穿過(guò)它而形成的多個(gè)通孔部分(6)。陽(yáng)極接線端(7)包含被置于通孔部分(6)中的金屬鍍層。陽(yáng)極接線端(7)通過(guò)所述通孔部分(6)與陽(yáng)極導(dǎo)引部分(1b)電連接。陰極接線端(8)包含被置于通孔部分(6)中的金屬鍍層。陰極接線端(8)通過(guò)所述通孔部分(6)與陰極導(dǎo)體部分(3)電連接。
文檔編號(hào)H01G9/012GK1658345SQ20051000946
公開(kāi)日2005年8月24日 申請(qǐng)日期2005年2月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月20日
發(fā)明者荒井智次, 戶井田剛, 齋木義彥, 若生直樹(shù), 高橋正彥 申請(qǐng)人:Nec東金株式會(huì)社
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