專利名稱：發(fā)光二極管數組封裝結構及其方法
技術領域：
本發(fā)明是有關于一種組裝結構及其方法，且特別是有關于一種發(fā)光二極管數組的組裝結構及其方法。
背景技術：
傳統(tǒng)打印機頭所采用的技術是借助能量高，固定波段的激光將打印信息掃瞄在滾筒上。使用激光的優(yōu)點在于，較一般光線而言沒有散射的困擾，然而卻有光學機構復雜使得激光打印機在機構上存在著無法進一步縮小的問題。因此，利用發(fā)光二極管(1ight-emitting diodes，LED)為替代光源來設計打印機，可簡化光學機構，達到打印機機構簡潔的目的。
參閱圖1所示為一傳統(tǒng)打印機的概略示意圖。打印時，當打印機接收計算機傳送的數據后，由多個發(fā)光二極管數組102所組成的打印機頭100光源，會通過聚焦鏡104照射到感光鼓106，感光鼓106上被照到的地方會帶靜電，此靜電會吸引墨粉盒108中的碳粉，再由感光鼓106壓印碳粉至紙張110，經熱處理固定，即完成打印的動作。發(fā)光二極管是一種通電即可發(fā)光的半導體，成像面的每一個點都要對應一個發(fā)光二極管。以一臺600dpi(Dot Per Inch，DPI)的LED打印機對于A4紙張大小的打印格式而言，其成像線面就要有約5,000個發(fā)光二極管與其對應，此時若以具192點的發(fā)光二極管數組102來形成此打印機頭100，則需使用26支發(fā)光二極管數組。
由于在發(fā)光二極管打印技術中，若要提高分辨率，需要將發(fā)光二極管組件做的更小，以在相同的打印機頭體積下，容納更多發(fā)光二極管。然而，傳統(tǒng)封裝方法，如圖2所示，需通過高精度的固晶設備將發(fā)光二極管數組102與驅動集成電路數組112精確的平行置放于印刷電路板114上。接著進行打線接合，將各發(fā)光二極管數組102與驅動集成電路數組112間的金墊以約5000條導線116進行連接，使驅動集成電路112得以電性驅動各發(fā)光二極管。
上述的封裝方法，由于打線的條數及密度太高，將導致產出效率不佳及制程難度增加，因而造成產品良率降低以及制造成本增加。且隨著分辨率要求越來越高，發(fā)光二極管組件會做得越來越小，使得打線接合制程更加困難。另一方面，在傳統(tǒng)的封裝結構下，是在發(fā)光二極管數組與驅動集成電路均安置于印刷電路板上后，再進行兩者的電性連接，因此當連接完成后所進行的電性測試，發(fā)現有不良品時，不論是發(fā)光二極管數組或驅動集成電路，均需將其在從印刷電路板上拆卸下來，再以新品取代之，其重工制程不僅繁瑣且相當困難。
因此，本發(fā)明提出一種新的封裝方法及結構，來解決上述的缺點。

發(fā)明內容
因此本發(fā)明的主要目的就是在提供一種不需使用高密度打線接合的發(fā)光二極管數組封裝結構及其方法。
本發(fā)明的另一目的是在提供一種可使用微影制程進行導線線路布局的封裝結構及其方法。
本發(fā)明的再一目的為提供一種使用發(fā)光二極管數組制造打印機頭的方法。
根據本發(fā)明的上述目的，提出一種發(fā)光二極管數組封裝方法，根據本發(fā)明的方法，是先在一基板上形成溝渠結構，接著將發(fā)光二極管數組和驅動集成電路數組放置于相對應的溝渠結構中，并形成一絕緣層于基板、發(fā)光二極管數組和驅動集成電路表面上，接著利用一微影制程程序在兩者接腳間形成電性連接，并進行切割來完成各封裝單元，再將封裝單元固著于印刷電路板上，進行打線接合驅動集成電路數組與印刷電路板上的輸出輸入接腳。
本發(fā)明也提出一種發(fā)光二極管的封裝結構，根據本發(fā)明的結構，至少包括一印刷電路板和一與此印刷電路板連接的基板，其中此印刷電路板包含至少一輸出輸入接點，而此基板上形成有溝渠結構，至少一發(fā)光二極管數組和驅動集成電路數組放置于相對應的溝渠結構中，一第一電性連接電路形成于發(fā)光二極管數組和驅動集成電路數組間，一第二電性連接電路形成于驅動集成電路數組和印刷電路板的輸出輸入接點間。


為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)點與實施例能更明顯易懂，將附圖的詳細說明如下圖1所示為一傳統(tǒng)打印機的概略示意圖；圖2所示為一傳統(tǒng)打印機頭的封裝方法；圖3a所示為溝渠結構于基板上的概略示意圖；圖3b所示為圖3a中AA線的剖面結構示意圖；圖4a所示為將發(fā)光二極管數組與驅動電路數組置于基板的一實施例；圖4b所示為將發(fā)光二極管數組與驅動電路置于基板上的另一實施例；圖4c所示為將發(fā)光二極管數組與驅動電路數組置于基板上溝渠結構的示意圖；圖5a、6a、7a、8a、10a所示為基板、發(fā)光二極管數組和驅動集成電路數組的表面上，沉積一層絕緣層的示意圖；圖5b、6b、7b、8b、10b所示為將絕緣層蝕刻，以形成接觸窗開口，來暴露出發(fā)光二極管數組和驅動集成電路數組的接腳的示意圖；圖5c、6c、7c、8c、10c所示為利用微影制程方法，進行發(fā)光二極管數組接腳和驅動集成電路數組接腳間的導線連接示意圖；圖5d、6d、7d、8d、10d所示為發(fā)光二極管數組與驅動集成電路數組放置于晶圓上的概略圖；圖5e、6e、7e、8e、10e所示分別為圖5d、6d、7d、8d區(qū)域308的放大概略圖標；圖5f、6f、7f、8f、10f所示分別為圖5e、6e、7e、8e中AA線的剖面結構示意圖；圖9a所示為另一種溝渠結構在基板上的概略示意圖；圖9b所示為圖9a中AA線的剖面結構示意圖；圖9c所示為將發(fā)光二極管數組與驅動電路數組置于基板上溝渠結構的示意圖；圖11a～11e所示分別為根據本發(fā)明的五個較佳實施例完成的打印機頭概略示意圖。
附圖標記說明100 打印機頭102、302 發(fā)光二極管數組104 聚焦鏡106 感光鼓108 墨粉盒110 紙張112、304 驅動集成電路114、500 印刷電路板116 導線300 基板308 區(qū)域310、310a、400 溝渠結構312 絕緣層314 導體層316 發(fā)光二極管單元317a、317b、318和504 接腳320、320a、420a、420b、420c 虛線322、502 黏著物質具體實施方式
為了解決傳統(tǒng)上打線接合制程的困難，與良率難提升的缺點，因此，本發(fā)明采用半導體微影制程的方法，來進行發(fā)光二極管數組和驅動集成電路間的導線連接。
根據一較佳實施例，本發(fā)明會先使用一現有的方法，如圖3a所示，在一基板300，例如為一硅晶圓上，形成多個溝渠結構310與310a，其中溝渠結構310置放發(fā)光二極管數組302，而溝渠結構310a置放驅動集成電路數組304。此溝渠結構的深度與大小，一般是需可容納相對應發(fā)光二極管數組302和驅動集成電路數組304，如圖3b所示為圖3a中AA線的剖面結構示意圖。形成此溝渠結構310與310a的現有方法，例如可使用干式蝕刻、濕式蝕刻法或機械加工在晶圓上形成溝渠結構，然而其它可形成溝渠結構的制程方法均可用于本發(fā)明中。
如圖4a所示，在半導體晶圓300完成溝渠結構310、310a后，會在溝渠結構310、310a的底部，形成一黏著物質322，此黏著物質322可為銀膠或是一般半導體制程現有的聚合物(polymide)。制作方法可以旋轉涂布法(spin coating)或點印法(stamping)進行。接著將發(fā)光二極管數組302和驅動集成電路數組304分別置入溝渠結構310、310a中?；蚴欠謩e在發(fā)光二極管數組302與驅動集成電路數組304的底部先形成一黏著物質322，再分別固著于溝渠結構310與310a中，如圖4b所示。圖4c所示為發(fā)光二極管數組與驅動集成電路數組放置于基板上溝渠結構中的剖面結構示意圖。
接著利用微影制程方法，進行發(fā)光二極管數組302接腳317b，和驅動集成電路數組304接腳317a間的導線連接，下述通過各微影制程實施例來說明本發(fā)明的導線連接形成方法，但本發(fā)明并不以此實施例為限，各種可能的導線形成方法均可應用于本發(fā)明中。
本封裝結構可使用不同設計規(guī)格的發(fā)光二極管數組和驅動集成電路數組以完成相同的應用。如圖5a～5f為本發(fā)明的第一實施例的制程流程圖，其中發(fā)光二極管數組302和驅動集成電路數組304是對稱排列型數組，如第5e圖所示。首先使用一現有制程，在基板300、發(fā)光二極管數組302和驅動集成電路數組304的表面上，沉積一層絕緣層312，如第5a圖所示。本發(fā)明中是以Polymide為絕緣材料，但不以此為限，而沉積的方法，使用涂旋式涂布法(Spin-coating)，但也不以此為限。接著進行一現有的平坦化制程，用以平坦絕緣層312，例如可采用熱流的方式，讓所沉積的絕緣層因高溫熱流而平坦化，其它已知的平坦技術也可用于本發(fā)明中。
當完成平坦化后，即可在絕緣層312上進行微影制程，來暴露出發(fā)光二極管數組302的接腳317b，和驅動集成電路數組304上的接腳317a和318，其中接腳318為外接電源接腳。首先在絕緣層312上涂布一光阻層(附圖未標示)，并圖案化此光阻層。接著以此圖案化光阻層為罩幕，蝕刻絕緣層312，以在絕緣層312中形成接觸窗開口319，來暴露出發(fā)光二極管數組302和驅動集成電路數組304的接腳。如圖5b所示。在另一較佳實施例中，也可以光感性polymide進行微影制程，以顯影方式直接暴露出發(fā)光二極管數組302和驅動集成電路數組304的接腳。
接著在表面上全面沉積一層導體層314，填充接觸窗口319，其導體材料可為鋁、金等，根據本發(fā)明的最佳實施例而言，是采用金作為導線材料，其制造方法可利用電鍍法、熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法等現有技術加以完成。
接著，涂布一光阻層(附圖未標示)于導體層314之上，接著圖案化此光阻層，使其具有所需的導線圖案，然后以此圖案化光阻層為罩幕，接著蝕刻暴露的導體層314。最后再將光阻層去除而完成導體層314的定義，亦即形成發(fā)光二極管數組302接腳317b，和驅動集成電路數組304接腳317a間的連接。除了以蝕刻方式完成上述的電性連接外，也可以光電半導體的現有技術，以金屬剝離法(Lift-off)完成電性連接，如圖5c所示。如圖5d所示為發(fā)光二極管數組302和驅動集成電路數組304在上述制程完成后，在基板300上的排列方式。如圖5e所示，為圖5d區(qū)域308的放大概略圖標。接著即可在基板300上進行導線連接的電性測試，以篩選制程中的不良品，進一步降低在后段印刷電路板封裝上的不良率。換句話說，通過本發(fā)明的方法，其電性測試不必在完成印刷電路板封裝后再加以進行，因此可大幅降低重工發(fā)生的可能性。此外，由于在發(fā)光二極管數組302接腳317b，和驅動集成電路數組304接腳317a間已沒有傳統(tǒng)高密度打線接合的結構，因此可以打線方式進行后段印刷電路板封裝后的重工，再進一走降低重工的復雜性。結合上述兩項優(yōu)點，可將封裝上的不良率降至最低。
當在發(fā)光二極管數組302和驅動集成電路數組304間完成金線連接后，接著會進行切割制程，以形成印刷電路板上的封裝單元。在切割制程上，是依循發(fā)光二極管數組302的中線320a與驅動集成電路數組304的中線320b進行切割，即可完成兩個由發(fā)光二極管數組302和驅動集成電路數組304所共同構成的封裝單元，如圖5f所示，為圖5e中AA線的剖面示意圖。
由于在更高分辨率的打印機頭應用下，如1200DPI的打印分辨率。發(fā)光二極管數組上的二極管單元排列更趨密集，因此在發(fā)光二極管數組的制作上通常將發(fā)光二極管數組的接腳分布于兩側，此時便需以兩側驅動集成電路數組一起驅動該發(fā)光二極管數組。
本結構也可適用于以兩側驅動集成電路一起驅動該發(fā)光二極管數組的應用。以本發(fā)明的第二實施例為例，其制程流程與上述第一實施例類似，如圖6a～6f所示。差異之處在于使用不同型態(tài)的發(fā)光二極管數組與驅動集成電路數組時，微影布線的繞線型態(tài)有所不同。如圖6a所示為絕緣層312沉積與平坦化。如圖6b所示為，在絕緣層312中形成接觸窗開口319，來暴露出發(fā)光二極管數組302和驅動集成電路數組304的接腳。如圖6c所示為，完成發(fā)光二極管數組302接腳317b，和驅動集成電路數組304接腳317a間的電性連接。如圖6d所示為發(fā)光二極管數組302和驅動集成電路數組304在基板300上的排列示意圖。如圖6e所示，其為圖6d區(qū)域308的放大概略圖標。在切割制程上，是依循驅動集成電路304中線320b進行切割，即可完成一個由發(fā)光二極管數組302和兩側驅動集成電路數組304所共同構成的封裝單元，如圖6f所示，為圖6e中AA線的剖面示意圖。
當使用單邊驅動集成電路數組時，也可以應用于本發(fā)明上。以本發(fā)明的第三實施例為例，是使用含有對稱接腳的高密度發(fā)光二極管數組和單邊驅動集成電路數組。其制程流程圖如圖7a～7f所示。如圖7a所示為絕緣層312沉積與平坦化。如圖7b所示為，在絕緣層312中形成接觸窗開口319，來暴露出發(fā)光二極管數組302和驅動集成電路數組304的接腳。如圖7c所示為，完成發(fā)光二極管數組302接腳317b，和驅動集成電路數組304接腳317a間的電性連接。如圖7d所示為發(fā)光二極管數組302和驅動集成電路數組304在基板300上的排列示意圖。如圖7e所示，為圖7d區(qū)域308的放大概略圖標。在切割制程上，是依循介于驅動集成電路數組304中的基板中線420進行切割，即可完成一個由發(fā)光二極管數組302和兩側驅動集成電路數組304所共同構成的封裝單元，如圖7f所示，為圖7e中AA線的剖面示意圖。
本發(fā)明的第四實施例，是使用一般單邊發(fā)光二極管數組和單邊驅動集成電路數組。其制程流程圖如圖8a～8f所示。如圖8a所示為絕緣層312沉積與平坦化。如圖8b所示為，在絕緣層312中形成接觸窗開口319，來暴露出發(fā)光二極管數組302和驅動集成電路數組304的接腳。如圖8c所示為，完成發(fā)光二極管數組302接腳317b，和驅動集成電路數組304接腳317a間的電性連接。如圖8d所示為發(fā)光二極管數組302和驅動集成電路數組304在基板300上的排列示意圖。如圖8e所示，為圖8d區(qū)域308的放大概略圖標。在切割制程上，是依循介于發(fā)光二極管數組302與驅動集成電路數組304中的基板中線420b進行切割，即可完成一個由發(fā)光二極管數組302和驅動集成電路數組304所共同構成的封裝單元，如圖8f所示，為圖8e中AA線的剖面示意圖。
本發(fā)明的第五實施例，也使用一般單邊發(fā)光二極管數組和單邊驅動集成電路數組。如圖9a～9c所示，在半導體晶圓300形成溝渠結構400后，將發(fā)光二極管數組302和驅動集成電路數組304置入溝渠結構400后向兩側靠攏。如圖10a所示為絕緣層312沉積。如圖10b所示為，在絕緣層312中形成接觸窗開口319，來暴露出發(fā)光二極管數組302和驅動集成電路數組304的接腳。如圖10c所示為，完成發(fā)光二極管數組302接腳317b，和驅動集成電路數組304接腳317a間的電性連接。如圖10d所示為發(fā)光二極管數組302和驅動集成電路數組304在基板300上的排列示意圖。如圖10e所示，為圖10d區(qū)域308的放大概略圖標。在切割制程上，是依循介于發(fā)光二極管數組302與驅動集成電路數組304中的溝渠中線420c進行切割，即可完成一個由發(fā)光二極管數組302和驅動集成電路數組304所共同構成的封裝單元，如圖10f所示，為圖10e中AA線的剖面示意圖。
接著請參閱圖11a～11e所示分別為上述五個實施例的封裝單元與一印刷電路板連接后的結構圖。根據本發(fā)明的較佳實施例，切割完成的各封裝單元可通過一黏著裝置502，與印刷電路板500進行接合。同時，驅動集成電路數組304上的接腳318，會以打線接合的方式來與印刷電路板上的輸出輸入接腳504進行電性連接，如此完成打印機頭的制程。
根據本發(fā)明的封裝方法，其發(fā)光二極管數組和驅動集成電路數組是先置放于基板上，接著再以微影制程的方式在兩者接腳間形成電性連接，最后進行切割來完成各封裝單元。因此，本發(fā)明的方法，是以批量的制作方式，整批完成發(fā)光二極管數組和驅動集成電路數組間的電性連接，而不是如傳統(tǒng)般采用一根一根進行的打線接合，因此其制程速率快。且本發(fā)明的方法，在基板上完成電性連接后，即可接著進行電性測試，因此可實時將不良品找出并同時以打線重工方式修補，而傳統(tǒng)的方法，其電性測試是在完成后段印刷電路板封裝，才得以進行，若在此時發(fā)現不良品，其重工制程將相當復雜。因此，本發(fā)明將可大幅提升生產效率與良率。
雖然本發(fā)明已以數個較佳實施例公開如上，然而它并不是用來限定本發(fā)明，任何熟悉此項技術的人，在不脫離本發(fā)明的創(chuàng)作思路和范圍內，當可作各種變動與修飾，因此本發(fā)明的保護范圍應當以權利要求書所界定的為準。
權利要求
1.一種發(fā)光二極管的封裝結構，該結構至少包含一基板，其中該基板上具有多個溝渠；至少一發(fā)光二極管數組，位于相對應的溝渠中；至少一驅動電路數組，位于相對應的溝渠中；以及一第一導電連接結構，位于該至少一發(fā)光二極管數組和該至少一驅動電路數組中。
2.如權利要求1所述的結構，其特征在于，所述的封裝結構還包含一印刷電路板，該印刷電路板具有至少一輸出/輸入接點。
3.如權利要求2所述的結構，其特征在于，所述的封裝結構還包含一第二導電連接結構，位于該至少一輸出/輸入接點和該至少一驅動電路中。
4.如權利要求3所述的結構，其特征在于，所述的第二導電連接結構是以打線連接的方式形成。
5.如權利要求1所述的結構，其特征在于，所述的封裝結構還包含一絕緣層位于該基板、發(fā)光二極管數組和驅動電路數組上。
6.如權利要求5所述的結構，其特征在于，所述的第一導電連接結構是以微影制程方法形成。
7.如權利要求6所述的結構，其特征在于，所述的微影制程方法至少包括圖案化該絕緣層；形成一導體材料于該絕緣層上；以及圖案化該導體材料。
8.如權利要求7所述的結構，其特征在于，所述的導體材料為金或鋁等導體。
9.如權利要求1所述的結構，其特征在于，所述的發(fā)光二極管數組具有對稱排列的發(fā)光二極管晶粒，該驅動電路數組亦具有對稱排列的晶粒。
10.如權利要求9所述的結構，其特征在于，當進行切割時，是分別沿著該發(fā)光二極管數組的中線，和該驅動電路數組的中線。
11.如權利要求1所述的結構，其特征在于，所述的發(fā)光二極管數組具有對稱排列的接腳，所述的驅動電路數組具有對稱排列的晶粒，以兩側驅動電路數組一起驅動該發(fā)光二極管數組。
12.如權利要求11所述的結構，其特征在于，當進行切割時，是沿著該驅動電路數組的中線。
13.如權利要求1所述的結構，其特征在于，所述的發(fā)光二極管數組具有對稱排列的接腳，該驅動電路數組具單邊排列的接腳，以兩側驅動電路數組一起驅動該發(fā)光二極管數組。
14.如權利要求13所述的結構，其特征在于，當進行切割時，是沿著該驅動電路數組間的基板中線。
15.如權利要求1所述的結構，其特征在于，所述的發(fā)光二極管數組具單邊排列的接腳與發(fā)光二極管晶粒，所述的驅動電路數組具單邊排列的接腳。
16.如權利要求15所述的結構，其特征在于，當進行切割時，是沿著該驅動電路數組與發(fā)光二極管數組間的基板中線。
17.一種發(fā)光二極管的封裝結構，用于一打印機頭上，該結構至少包含一基板，其中該基板上具有多個溝渠；至少一發(fā)光二極管數組，位于相對應的溝渠中；至少一驅動電路，位于相對應的溝渠中；一第一導電連接結構，位于該至少一發(fā)光二極管數組和該至少一驅動電路中；一印刷電路板，具有至少一輸出/輸入接腳，其中該基板位于該印刷電路板上；以及一第二導電連接結構，位于該至少一輸出/輸入接腳和該至少一驅動電路中。
18.如權利要求17所述的結構，其特征在于，所述的第二導電連接結構是以打線連接的方式形成。
19.如權利要求17所述的結構，其特征在于，所述的封裝結構還包含一絕緣層位于該基板、該發(fā)光二極管數組和該驅動電路上。
20.如權利要求19所述的結構，其特征在于，所述的第一導電連接結構是以微影制程方法形成。
21.如權利要求20所述的結構，其特征在于，所述的微影制程方法至少包括圖案化該絕緣層；形成一導體材料于該絕緣層上；以及圖案化該導體材料。
22.如權利要求21所述的結構，其特征在于，所述的導體材料為金或鋁。
23.如權利要求17所述的結構，其特征在于，所述的發(fā)光二極管數組具有對稱排列的發(fā)光二極管晶粒，所述的驅動電路數組也具有對稱排列的晶粒。
24.如權利要求23所述的結構，其特征在于，當進行切割時，是分別沿著該發(fā)光二極管數組的中線，和該驅動電路數組的中線。
25.如權利要求17所述的結構，其特征在于，所述的發(fā)光二極管數組具有對稱排列的接腳，所述的驅動電路數組具有對稱排列的晶粒，以兩側驅動電路數組一起驅動該發(fā)光二極管數組。
26.如權利要求25所述的結構，其特征在于，當進行切割時，是沿著該驅動電路數組的中線。
27.如權利要求17所述的結構，其特征在于，所述的發(fā)光二極管數組具有對稱排列的接腳、該驅動電路數組具有單邊排列的接腳，以兩側驅動電路數組一起驅動該發(fā)光二極管數組。
28.如權利要求27所述的結構，其特征在于，當進行切割時，是沿著該驅動電路數組間的基板中線。
29.如權利要求17所述的結構，其特征在于，所述的發(fā)光二極管數組具有單邊排列的接腳與發(fā)光二極管晶粒，該驅動電路數組具有單邊排列的接腳。
30.如權利要求29所述的結構，其特征在于，當進行切割時，是沿著該驅動電路數組與發(fā)光二極管數組間的基板中線。
31.一種發(fā)光二極管的封裝方法，該方法至少包含形成多個溝渠結構于一基板上；放置至少一發(fā)光二極管數組于相對應的溝渠中；放置至少一驅動電路于相對應的溝渠中；形成一第一導電連接結構于該至少一發(fā)光二極管數組和該至少一驅動電路中；切割該基板以形成多個封裝單元；黏附該些封裝單元于一印刷電路板上，其中該印刷電路板具有至少一輸出/輸入接點；以及形成一第二導電連接結構于該至少一輸出/輸入接點和該些封裝單元間。
32.如權利要求31所述的方法，其特征在于，所述的第二導電連接結構是以打線連接的方式形成。
33.如權利要求32所述的方法，其特征在于，所述的方法還包含形成一絕緣層于該基板、該發(fā)光二極管數組和該驅動電路上。
34.如權利要求33所述的方法，其特征在于，形成一第一導電連接結構還包含圖案化該絕緣層；形成一導體材料于該絕緣層上；以及圖案化該導體材料。
35.如權利要求34所述的方法，其特征在于，所述的導體材料為金或鋁等導體。
36.如權利要求31所述的方法，其特征在于，每一該封裝單元至少包括一驅動電路數組和一發(fā)光二極管數組。
37.如權利要求31所述的方法，其特征在于，每一該封裝單元至少包括二驅動電路數組和一發(fā)光二極管數組。
38.如權利要求36所述的方法，其特征在于，所述的發(fā)光二極管數組具有對稱排列的發(fā)光二極管晶粒、該驅動電路數組也具有對稱排列的晶粒。
39.如權利要求38所述的方法，其特征在于，當進行切割時，是分別沿著該發(fā)光二極管數組的中線，和該驅動電路數組的中線。
40.如權利要求36所述的方法，其特征在于，所述的發(fā)光二極管數組具有單邊排列的接腳與發(fā)光二極管晶粒，所述的驅動電路數組具有單邊排列的接腳。
41.如權利要求40所述的方法，其特征在于，當進行切割時，是沿著該驅動電路數組與發(fā)光二極管數組間的基板中線。
42.如權利要求37所述的方法，其特征在于，所述的發(fā)光二極管數組具有對稱排列的接腳，所述的驅動電路數組具有對稱排列的晶粒，以兩側驅動電路數組一起驅動該發(fā)光二極管數組。
43.如權利要求42所述的方法，其特征在于，當進行切割時，是沿著該驅動電路數組的中線。
44.如權利要求37所述的方法，其特征在于，所述的發(fā)光二極管數組具有對稱排列的接腳，所述的驅動電路數組具單邊排列的接腳，以兩側驅動電路數組一起驅動該發(fā)光二極管數組。
45.如權利要求44所述的方法，其特征在于，當進行切割時，是沿著該驅動電路數組間的基板中線。
全文摘要
根據本發(fā)明的方法，是先在一基板上形成溝渠結構，此基板可為一般半導體晶圓或是適用于半導體微影制程的各種基板，如陶瓷基板或塑料基板等。根據本發(fā)明的最佳實施例中，是以硅晶圓為基板材料。接著將發(fā)光二極管數組和驅動集成電路數組放置于相對應的溝渠結構中，并形成一絕緣層于基板、發(fā)光二極管數組和驅動集成電路數組表面上，接著利用一微影制程程序在兩者接腳間形成電性連接，并進行切割來完成各封裝單元，再將封裝單元固著于印刷電路板上，進行打線接合驅動集成電路與印刷電路板上的輸出輸入接腳。
文檔編號H01L21/50GK1815734SQ20051000940
公開日2006年8月9日 申請日期2005年2月3日 優(yōu)先權日2005年2月3日
發(fā)明者杜順利, 莊智宏, 鐘懷谷, 楊佳峰, 楊呈尉, 韓祖安, 王虹東, 洪建成 申請人:光磊科技股份有限公司