專利名稱：電路裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及層積多個(gè)IC芯片的電路裝置，特別是涉及在上層層積襯底電位固定的IC芯片的電路裝置。
背景技術(shù)：
伴隨半導(dǎo)體集成電路的高集成化、小型化，疊層型電路裝置是作為高集成IC被注目的結(jié)構(gòu)之一。
圖6是現(xiàn)有疊層型電路裝置結(jié)構(gòu)的剖面圖。
在襯底150的一側(cè)面上設(shè)置多個(gè)配線156，利用粘接部件159固定第一IC芯片151。然后，在其上介由絕緣性粘接部件160層積第二IC芯片152。在各IC芯片151、152表面上分別設(shè)置電極焊盤(未圖示)，并通過接合引線153等與設(shè)于襯底150上的配線156連接。各配線156介由設(shè)于襯底150上的通孔TH連接在設(shè)于襯底150背面的焊球等外部端子154上。
這些層積IC芯片151、152及接合引線153、配線156由密封樹脂155密封，而封裝化(例如參照專利文獻(xiàn)1)。
專利文獻(xiàn)1特開2002-368189號公報(bào)在上述這樣的疊層型電路裝置中，第二IC芯片152的固定，為與第一IC芯片151絕緣而通過芯片附著片(ダィァタッチシ一ト)或絕緣性粘接劑等粘接部件160固定。即，第二IC芯片152的襯底以浮置狀態(tài)安裝。
但是，在例如第二IC芯片152上想要采用雙極IC等、固定襯底電位而使用的IC芯片時(shí)，當(dāng)在上層層積該芯片時(shí)，襯底電位形成浮置狀態(tài)，不能得到充分的特性。
因此，在雙極IC等、含有以固定電位使用的IC的電路裝置中，在疊層安裝時(shí)，以固定電位使用的IC總是配置在最下層，疊層安裝的通用性有限。
另外，關(guān)于不能進(jìn)行疊層安裝的裝置，是將以固定電位使用的IC大致配置在平面上等，也有安裝面積增大的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于所述問題點(diǎn)而開發(fā)的，本發(fā)明的第一方面提供一種電路裝置，其包括含有固定電位圖案的多個(gè)導(dǎo)電圖案；含有襯底電位固定的IC芯片的多個(gè)IC芯片；導(dǎo)體層，將所述襯底電位固定的IC芯片固定在所述導(dǎo)體層上，將該IC芯片作為上層，層積安裝所述多個(gè)IC芯片，該導(dǎo)體層連接在所述固定電位圖案上。
所述多個(gè)導(dǎo)電圖案設(shè)在所述支承襯底上。
另外，將所述多個(gè)導(dǎo)電圖案的背面露出，埋入在絕緣樹脂內(nèi)，并由該絕緣樹脂支承。
所述多個(gè)導(dǎo)電圖案由絕緣樹脂密封。
在所述導(dǎo)體層和下層的所述IC芯片之間配置有絕緣層。
另外，所述固定電位是GND電位或VDD電位。
根據(jù)本發(fā)明，在層積安裝多個(gè)IC芯片的電路裝置中，可將固定襯底電位的IC芯片在不浮置狀態(tài)下層積兩層以上。
由此，可在提高含有固定襯底電位的IC芯片的電路裝置的疊層安裝的通用性的同時(shí)，降低安裝面積，且維持該IC芯片的裸片特性。


圖1是本發(fā)明電路裝置的剖面圖；圖2(A)、(B)是表示本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖3(A)、(B)、(C)是表示本發(fā)明電路裝置制造方法的剖面圖；圖4(A)、(B)、(C)是表示本發(fā)明電路裝置封裝例的剖面圖；圖5(A)、(B)是表示本發(fā)明電路裝置封裝例的剖面圖；圖6是現(xiàn)有電路裝置的剖面圖。
符號說明1 支承件2 導(dǎo)電圖案2a 固定電位圖案3 粘接劑
4 第一IC芯片5 絕緣層6 導(dǎo)體層7 導(dǎo)電性粘接劑8 第二IC芯片10 接合引線20 電路裝置31 絕緣樹脂33 絕緣樹脂34 背面電極41 絕緣樹脂42 導(dǎo)電膜43 樹脂片44 外敷樹脂45 鍍敷膜46 多層連接裝置47 通孔48 外敷樹脂51 襯底TH 通孔具體實(shí)施方式
參照圖1～圖5說明本發(fā)明的一實(shí)施例。
圖1是本發(fā)明實(shí)施例電路裝置的剖面圖。
電路裝置20由多個(gè)導(dǎo)電圖案、多個(gè)IC芯片、導(dǎo)體層構(gòu)成。在多個(gè)IC芯片中含有固定襯底電位的IC芯片，在本實(shí)施例中，以層積安裝固定襯底電位的IC芯片8和其它IC芯片4兩個(gè)芯片為例進(jìn)行說明。
多個(gè)導(dǎo)電圖案2以規(guī)定的配線圖案利用支承件1支承。導(dǎo)電圖案2可以是將印刷線路板等絕緣性襯底作為支承件1而形成在其表面上的導(dǎo)電圖案，也可以是將絕緣樹脂作為支承件1埋入其中并被支承。另外，在使引線架作為支承件1時(shí)，導(dǎo)電圖案2是引線。
導(dǎo)電圖案2至少含有一個(gè)施加GND電位(或VDD電位)的固定電位圖案2a。另外，固定電位圖案以下作為GND圖案進(jìn)行說明。
第一層的第一IC芯片4是裸片，在表面?zhèn)染哂须姌O焊盤(未圖示)，背面被固定在例如導(dǎo)電圖案2上。另外，第一IC芯片4和支承件1的固定根據(jù)第一IC芯片4的結(jié)構(gòu)由絕緣性或?qū)щ娦哉辰硬牧?固定。另外，第一IC芯片4根據(jù)其結(jié)構(gòu)也可以不固定在導(dǎo)電圖案2上。
第一IC芯片4的電極焊盤和規(guī)定的導(dǎo)電圖案2利用接合引線10等連接。
在第一IC芯片4表面介由絕緣性粘接劑等絕緣層5配置有導(dǎo)體層6。導(dǎo)體層6必須具有承受引線接合的壓裝的規(guī)定強(qiáng)度，以例如硅襯底、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂等為心件，在其表面粘接鋁等作為導(dǎo)電箔，或形成金屬蒸鍍膜等。
另外，只要通過銅箔等能得到規(guī)定的強(qiáng)度，則可不需要心件，并直接固定在絕緣層5上，形成導(dǎo)體層6。在使用銅箔時(shí)，根據(jù)采用的接合引線要在引線接合區(qū)域施行規(guī)定的鍍敷處理等。
在導(dǎo)體層6上利用導(dǎo)電性粘接劑7固定第二層的第二IC芯片8。第二IC芯片8是如雙極晶體管等這樣在襯底(芯片背面)施加固定電位使用的IC芯片，例如是模擬IC的裸片。另外，在本說明書中，以以下模擬IC芯片為例進(jìn)行說明，但不限于此，如上所述，只要是需要在襯底上施加固定電位的IC芯片即可。另外，固定電位在此指GND電位、VDD電位等電位不變動(dòng)的電位。
在第二IC芯片8的表面也設(shè)置電極焊盤(未圖示)，利用接合引線10等與規(guī)定的導(dǎo)電圖案2連接。
而且，導(dǎo)體層6利用接合引線10等連接在GND圖案2a上。GND圖案2a是如前所述施加固定電位的導(dǎo)電圖案，由此，第二IC芯片8介由導(dǎo)體層6和GND圖案2a將襯底固定為GND電位。即第二IC芯片8由于不構(gòu)成浮置狀態(tài)，故可得到充分的特性。
例如，在數(shù)字電視接收機(jī)中使用的電路裝置中，有將數(shù)字信號處理用IC芯片和接收用IC芯片一體模制的情況。此時(shí)，第一IC芯片4是數(shù)字信號用IC芯片，第二IC芯片8是接收用IC芯片。
雙極晶體管等模擬IC通常將襯底電位固定使用，但如圖6，在現(xiàn)有的疊層結(jié)構(gòu)中，由于不能將襯底形成固定電位，故在上層疊置模擬IC是困難的。
但是，根據(jù)本實(shí)施例，可使導(dǎo)體層6與上層第二IC芯片8的背面(襯底)接觸，并在導(dǎo)體層6上施加GND電位。由此，可不使裸片的狀態(tài)的特性降低而在上層層積模擬IC芯片，可提高疊層安裝的通用性，同時(shí)，可實(shí)現(xiàn)安裝面積的小型化。
其次，參照圖2及圖3說明本實(shí)施例制造方法之一例。
第一工序(參照圖2(A))準(zhǔn)備設(shè)置含有固定電位圖案2a的導(dǎo)電圖案2的支承件1。在此，導(dǎo)電圖案2以將印刷線路板等絕緣性襯底作為支承件1在其表面形成的導(dǎo)電圖案為例說明，但也可以以絕緣樹脂為支承件1，在其中埋入并支承導(dǎo)電圖案。另外，在將引線架作為支承件1時(shí)，導(dǎo)電圖案2形成引線。
第二工序(參照圖2(B))在導(dǎo)電圖案2上涂敷粘接劑3。此時(shí)，可以根據(jù)安裝的第一IC芯片的用途，選擇絕緣性/導(dǎo)電性之一。然后，固定第一IC芯片4。
第三工序(參照圖3(A))其次，準(zhǔn)備導(dǎo)體層6。在此，導(dǎo)體層6形成以硅襯底6a為心件，在表面上形成例如鋁等金屬蒸鍍膜6b的結(jié)構(gòu)。然后，導(dǎo)體層6(硅襯底6a)背面粘附絕緣性粘接片5。
然后，如圖3(B)，將導(dǎo)體層6搭載在第一IC芯片4上，利用絕緣性粘接片5(或粘接劑)固定。另外，由于在第一IC芯片4表面上配置有電極焊盤，故導(dǎo)體層6當(dāng)然形成該電極焊盤露出這樣的圖案。
第四工序(參照圖3(C))然后，在金屬蒸鍍膜6b上涂敷導(dǎo)電性粘接劑7等。在其上固定第二IC芯片8。此時(shí)，在導(dǎo)體層6上留下引線接合的固定區(qū)域涂敷導(dǎo)電性粘接劑7等。
然后，利用接合引線10等連接第一IC芯片4的電極焊盤和規(guī)定的導(dǎo)電圖案2、及第二IC芯片8的電極焊盤9和規(guī)定的導(dǎo)電圖案2。然后，導(dǎo)體層6通過接合引線10等與GND圖案2a連接，得到圖1所示的結(jié)構(gòu)。通過在固定電位圖案上施加GND、VDD等固定電位，固定第二IC8的襯底電位。
其次，參照圖4～圖5說明所述電路裝置的封裝例。
首先，參照圖4，圖4(A)是不需要安裝襯底的類型的電路裝置，圖4(B)是使用具有導(dǎo)電圖案的樹脂片進(jìn)行封裝的裝置，圖4(C)是使用多層配線結(jié)構(gòu)襯底時(shí)的剖面圖。
圖4(A)中，可在具有例如所希望的導(dǎo)電圖案的支承襯底上如圖所示安裝、模制元件后，剝離支承襯底。另外，可半蝕刻銅箔，安裝、模制元件后，蝕刻存在于封裝件背面的銅箔來實(shí)現(xiàn)。另外，在使沖切的引線架的背面接觸下模具的同時(shí)進(jìn)行模制也可以實(shí)現(xiàn)。在此，以采用第二次半蝕刻的情況為例進(jìn)行說明。
即，如圖4(A)，導(dǎo)電圖案2被埋入絕緣樹脂31內(nèi)，并被其支承，背面從絕緣樹脂31露出。此時(shí)，導(dǎo)電圖案2是以Cu為主材料的導(dǎo)電箔、以Al為主材料的導(dǎo)電箔、或由Fe-Ni等合金構(gòu)成的導(dǎo)電箔等，但也可以采用其它導(dǎo)電材料，最好為可蝕刻的導(dǎo)電材料。
此時(shí)，在制造工序中，通過利用半蝕刻在片狀導(dǎo)電箔上設(shè)置未達(dá)到導(dǎo)電箔厚度的分離槽32，形成導(dǎo)電圖案2。然后，分離槽32內(nèi)填充絕緣樹脂31，與導(dǎo)電圖案側(cè)面的彎曲結(jié)構(gòu)嵌合，而緊固地結(jié)合。然后，通過蝕刻分離槽32下方的導(dǎo)電箔，將導(dǎo)電圖案2一一分離，并利用絕緣樹脂31支承。
即，絕緣樹脂31使導(dǎo)電圖案2的背面露出，密封電路裝置20、接合引線10。絕緣樹脂31可采用通過傳遞模制形成的熱硬性樹脂或通過注入模制形成的熱塑性樹脂。具體地說，可使用環(huán)氧樹脂等熱硬性樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚苯硫醚等熱塑性樹脂。另外，絕緣樹脂只要為了使用模具固定的樹脂、可由浸漬、涂敷而覆蓋的樹脂，則可采用所有樹脂。在該封裝件中，絕緣樹脂31密封電路裝置20等，同時(shí)，還具有支承電路模塊整體的作用。這樣，通過利用絕緣樹脂密封整體，可防止電路裝置從導(dǎo)電圖案2分離。
電路裝置20根據(jù)其用途，被絕緣性或?qū)щ娦哉辰觿?固定在導(dǎo)電圖案(接合面)2上，在電極焊盤上熱壓裝接合引線10，與導(dǎo)電圖案2連接。另外，在導(dǎo)體層6上也熱壓裝接合引線10，與GND圖案2a連接。
另外，調(diào)整絕緣樹脂31的厚度，從電路裝置20的接合引線10的最頂端起覆蓋大約100μm左右。該厚度也可以根據(jù)強(qiáng)度而增厚、減薄。
絕緣樹脂31的背面和導(dǎo)電圖案2的背面形成實(shí)質(zhì)上一致的結(jié)構(gòu)。而且，在背面設(shè)置在所希望的區(qū)域開口的絕緣樹脂(例如焊錫保護(hù)劑)33，在露出的導(dǎo)電圖案2上覆蓋焊錫等導(dǎo)電材料，形成背面電極34，完成電路裝置。
其次，根據(jù)圖4(B)的結(jié)構(gòu)，可提高導(dǎo)電圖案2的配線自由度。
導(dǎo)電圖案2與電路裝置20一體被埋入絕緣性樹脂31內(nèi)，被其支承。此時(shí)的導(dǎo)電圖案2通過準(zhǔn)備在絕緣樹脂41的表面形成導(dǎo)電膜42的絕緣樹脂片43并構(gòu)圖導(dǎo)電膜42而形成，這一點(diǎn)后述。
絕緣樹脂41的材料利用由聚酰亞胺樹脂或環(huán)氧樹脂等高分子構(gòu)成的絕緣材料構(gòu)成。另外，考慮熱傳導(dǎo)性，也可以在其中混入填充物。材料可考慮玻璃、氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、硅碳化物、氮化硼等。絕緣樹脂41的膜厚在涂敷膏狀物質(zhì)形成片的鑄造法時(shí)為10～100μm程度。另外，市售的25μm為最小膜厚。
導(dǎo)電膜42最好為以Cu為主材料的材料或Al、Fe、Fe-Ni、或公知的引線架的材料，利用鍍敷法、蒸鍍法或噴濺法覆蓋在絕緣樹脂2上，也可以粘貼利用壓延法或鍍敷法形成的金屬箔。
導(dǎo)電圖案2利用所希望圖案的光致抗蝕劑覆蓋導(dǎo)電膜42上，通過化學(xué)蝕刻形成所希望的圖案。
導(dǎo)電圖案2使接合引線的固定區(qū)域露出，利用外敷樹脂44覆蓋其它的部分。外敷樹脂44是通過網(wǎng)印粘附利用溶劑溶解的環(huán)氧樹脂等并使其熱硬化的樹脂。
另外，考慮接合性，在固定區(qū)域上形成Au、Ag等鍍敷膜45。該鍍敷膜45以例如外敷樹脂44為掩膜，在固定區(qū)域上選擇地進(jìn)行無電解鍍敷。
電路裝置20通過粘接劑3在裸片狀態(tài)下被安裝在外敷樹脂44上。
而且，電路裝置20的各電極焊盤及導(dǎo)體層6利用接合引線10連接在導(dǎo)電圖案2及GND圖案2a的固定區(qū)域上。
絕緣樹脂片43被絕緣性樹脂31覆蓋，由此，導(dǎo)電圖案2也被埋入絕緣性樹脂31內(nèi)。模制的方法可以通過傳遞模制、注入模制、涂敷、浸漬等進(jìn)行。但是，在考慮批量生產(chǎn)時(shí)，最好通過傳遞模制、注入模制進(jìn)行。
背面露出絕緣樹脂片43的背面即絕緣樹脂41，將絕緣樹脂41的所希望位置開口，在導(dǎo)電圖案2的露出部分設(shè)置外部電極34。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，電路裝置20和其下的導(dǎo)電圖案2被外敷樹脂44電絕緣，故導(dǎo)電圖案2在電路裝置之下也可以自由地配線。
以上，以形成導(dǎo)電圖案2的絕緣樹脂片43的情況為例進(jìn)行了說明，但不限于此，也可以是利用外敷樹脂44覆蓋圖4(A)的導(dǎo)電圖案2上的結(jié)構(gòu)。另外，也可以是利用外敷樹脂44覆蓋撓性板等支承襯底上設(shè)置的導(dǎo)電圖案2上的結(jié)構(gòu)，無論何種情況，均可以在電路裝置的下方對導(dǎo)電圖案2進(jìn)行配線，故可實(shí)現(xiàn)配線自由度提高的封裝件。
其次，圖4(C)是實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電圖案2的多層配線結(jié)構(gòu)的圖示。另外，與圖4(B)相同的構(gòu)成要素利用同一符號表示，省略說明。
導(dǎo)電圖案2與電路裝置20一體地被埋入絕緣性樹脂31內(nèi)，并被其支承。此時(shí)的導(dǎo)電圖案2如下形成，準(zhǔn)備在絕緣樹脂41表面的實(shí)質(zhì)上整個(gè)區(qū)域上形成第一導(dǎo)電膜42a，并在背面也在實(shí)質(zhì)上整個(gè)區(qū)域上形成第二導(dǎo)電膜42b的絕緣樹脂片43，對這些絕緣膜42構(gòu)圖而形成。
絕緣樹脂41、導(dǎo)電膜42的材料與圖4(B)的情況相同，導(dǎo)電圖案2利用所希望圖案的光致抗蝕劑覆蓋第一導(dǎo)電膜42a、第二導(dǎo)電膜42b上，并通過化學(xué)蝕刻形成所希望的圖案。
另外，在圖4(C)中，利用多層連接裝置46電連接介由絕緣樹脂41分離為上層、下層的導(dǎo)電圖案2。多層連接裝置46是在通孔47內(nèi)埋入Cu等鍍敷膜的裝置。鍍敷膜在此采用Cu，但也可以采用Au、Ag、Pd等。
安裝面?zhèn)鹊膶?dǎo)電圖案2使接合引線10的固定區(qū)域露出，利用外敷樹脂44覆蓋其它部分，并在固定區(qū)域上設(shè)置鍍敷膜45。
電路裝置20在裸片狀態(tài)下由粘接劑9裝在外敷樹脂44上。
而且，電路裝置20的電極焊盤及導(dǎo)體層6通過接合引線10連接在導(dǎo)電圖案2及GND圖案2a上。
絕緣樹脂片43被絕緣樹脂31覆蓋，由此，由第一鍍敷膜42a構(gòu)成的導(dǎo)電圖案2也被埋入絕緣性樹脂31內(nèi)，并被其一體地支承。
絕緣樹脂下方的由第二導(dǎo)電膜42b構(gòu)成的導(dǎo)電圖案2從絕緣樹脂31露出，但通過利用絕緣樹脂31覆蓋絕緣片43的一部分而被一體地支承，和第一導(dǎo)電膜42a構(gòu)成的導(dǎo)電圖案2介由多層連接裝置12電連接，實(shí)現(xiàn)多層配線結(jié)構(gòu)。下層的導(dǎo)電圖案2將形成外部電極34的部分露出，網(wǎng)印利用溶劑溶解的環(huán)氧樹脂等，利用外敷樹脂48覆蓋大部分，并利用焊錫的回流或焊錫膏的網(wǎng)印在該露出部分設(shè)置外部電極34。
另外，即使是蝕刻第二導(dǎo)電膜42b，利用金或鈀鍍敷膜覆蓋其表面的凸起電極也可以實(shí)現(xiàn)外部電極34。
其次，圖5表示使用支承襯底的芯片尺寸封裝之一例。圖5(A)是在圖4(C)所示的封裝中不需要外敷樹脂44時(shí)的封裝件，圖5(B)是三層以上的多層配線結(jié)構(gòu)的情況。
支承襯底51是例如玻璃環(huán)氧樹脂襯底等絕緣性襯底。另外，作為支承襯底51采用撓性板也同樣。
在玻璃環(huán)氧樹脂襯底51的表面壓裝Cu箔，配置構(gòu)圖后的導(dǎo)電圖案2，并在襯底51背面設(shè)置外部連接用背面電極34。然后，介由通孔TH電連接導(dǎo)電圖案2和背面電極34。
在襯底51表面利用粘接劑3固定裸的電路裝置20。在電路裝置20的電極焊盤和導(dǎo)體層6上壓裝接合引線10，與導(dǎo)電圖案2、GND圖案2a連接。
然后，電路裝置20、導(dǎo)電圖案2、接合引線10由絕緣樹脂31密封并與襯底51被一體地支承。絕緣樹脂31的材料可采用利用傳遞模制形成的熱硬性樹脂或利用注入模制形成的熱塑性樹脂。這樣，通過利用絕緣樹脂31密封整體，可防止電路裝置從襯底分離。
另一方面，支承襯底51也可以使用陶瓷襯底，此時(shí)，導(dǎo)電圖案2及背面電極34通過導(dǎo)電膏在襯底51的表面和背面印刷、燒結(jié)設(shè)置，并介由通孔TH連接，利用絕緣樹脂31一體地支承襯底31和電路裝置20。
另外，如圖5(B)，設(shè)置多個(gè)在每個(gè)支承襯底51上作為配線層的導(dǎo)電圖案2，通過介由通孔TH將上層和下層的導(dǎo)電圖案2連接，即使在具有支承襯底51時(shí)，也可以形成多層配線結(jié)構(gòu)。
另外，圖示省略，支承襯底也可以采用引線架，并進(jìn)行樹脂模制，也可以通過金屬殼或其它殼件進(jìn)行密封。
另外，本實(shí)施例以兩層疊層安裝結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行了說明，但通過在以襯底電位作為固定電位的IC芯片的背面設(shè)置導(dǎo)體層6，并將導(dǎo)體層6與固定電位圖案2連接，也可以進(jìn)行兩層以上的疊層安裝。另外，作為第二IC芯片8的模擬IC芯片也可以是多層疊置的結(jié)構(gòu)。
另外，在圖3(A)中，是在安裝第一IC芯片4后設(shè)置導(dǎo)體層6，但也可以在第一IC芯片處于晶片狀態(tài)時(shí)設(shè)置。
通常，第一IC芯片4是在形成最上層的電極例如電極焊盤等后覆蓋鈍化膜。然后，使鈍化膜的一部分開口，露出電極焊盤。
但是，也可以在開口之前，要在晶片整個(gè)面上介由絕緣層(粘接性絕緣樹脂)5層積晶片尺寸的導(dǎo)體層6，并如圖3(A)所示，按規(guī)定尺寸對導(dǎo)體層6構(gòu)圖。然后，在整個(gè)面上層積導(dǎo)電性粘接劑7，使導(dǎo)電性粘接劑7、粘接性絕緣樹脂5、鈍化膜開口，露出第一IC芯片4的電極焊盤。這樣，可預(yù)先準(zhǔn)備載置導(dǎo)體層6的第一IC芯片4，可簡化安裝工序。
相反，也可以在第二IC芯片8的背面形成導(dǎo)體層6。此時(shí)，由于接合引線10要固定在導(dǎo)體層6上，故必須使導(dǎo)體層6的尺寸大于第二IC芯片8。也就是說，單獨(dú)切割晶片狀態(tài)的第二IC芯片8，然后，在第二IC芯片8的背面設(shè)置導(dǎo)電性粘接劑7、導(dǎo)體層6、粘接性絕緣樹脂5。并且，也可以在處于晶片狀態(tài)的第一IC芯片4上層積第二IC芯片8。
權(quán)利要求
1.一種電路裝置，其特征在于，包括含有固定電位圖案的多個(gè)導(dǎo)電圖案；含有襯底電位固定的IC芯片的多個(gè)IC芯片；導(dǎo)體層，其中，層積安裝所述多個(gè)IC芯片，將所述襯底電位固定的IC芯片固定在所述導(dǎo)體層上，將該IC芯片作為上層，該導(dǎo)體層與所述固定電位圖案連接。
2.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，所述多個(gè)導(dǎo)電圖案被設(shè)置在支承襯底上。
3.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，所述多個(gè)導(dǎo)電圖案露出背面埋入絕緣性樹脂并被其支承。
4.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，所述多個(gè)導(dǎo)電圖案由絕緣性樹脂密封。
5.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，在所述導(dǎo)體層和下層的所述IC芯片之間配置有絕緣層。
6.如權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，所述固定電位是GND電位或VDD電位。
全文摘要
一種電路裝置，在疊層安裝時(shí)，由于上層IC芯片和下層IC芯片通過絕緣性粘接劑等絕緣，故當(dāng)在上層堆積模擬IC芯片時(shí)，襯底構(gòu)成設(shè)置狀態(tài)，不能得到所希望特性。在IC芯片上配置導(dǎo)電層，并在導(dǎo)電層上固定模擬IC芯片。導(dǎo)電層通過利用接合引線等連接在固定電位圖案上，可在模擬IC芯片背面(襯底)上施加固定電位。由此，可實(shí)現(xiàn)在上層層積模擬IC芯片的安裝結(jié)構(gòu)，提高含有模擬IC芯片的電路裝置的疊層安裝的通用性，同時(shí)，降低安裝面積，且可提高特性。
文檔編號H01L23/02GK1674277SQ20051000610
公開日2005年9月28日 申請日期2005年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月26日
發(fā)明者加藤敦史 申請人:三洋電機(jī)株式會社