專利名稱：半導(dǎo)體器件的測試圖案及利用其的測試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的測試圖案及利用其的測試方法，更具體地，涉及一種用于測試半導(dǎo)體器件的導(dǎo)電圖案以檢測其電氣故障的測試圖案以及利用其的測試方法。
背景技術(shù)：
為了以所需的性能需要操作半導(dǎo)體器件，應(yīng)滿足用于半導(dǎo)體器件的組成元件間排列、隔離和電連接的所需條件。此外，對于高集成度的半導(dǎo)體器件來說需要減少設(shè)計規(guī)則和形成多層互連結(jié)構(gòu)，因而，半導(dǎo)體器件的組成元件之間的排列、隔離和電連接是直接影響半導(dǎo)體器件的產(chǎn)量的重要因素。因此，半導(dǎo)體器件的制造包括各種類型的測試操作，以便在進行制造半導(dǎo)體器件的各個工序之前，測定是否如所設(shè)計的那樣構(gòu)造各個組成元件，并且來檢查其是否正常工作。
當(dāng)在半導(dǎo)體襯底上形成導(dǎo)電圖案時，進行各種測試以評價導(dǎo)電圖案的特性。測試之一是檢查導(dǎo)電圖案是否存在電故障。例如，在形成多晶硅圖案以便在半導(dǎo)體襯底上形成柵電極的情況下，通過以下步驟形成多晶硅圖案通過化學(xué)氣相淀積(CVD)法在半導(dǎo)體襯底上形成多晶硅層，并隨后進行光刻和蝕刻工藝。然而，由于例如微粒的缺陷，多晶硅層可以具有電缺陷，例如，短路或斷路情況。
常規(guī)地，已使用同軸掃描電子顯微鏡(in-line scanning electronmicroscope)來檢查例如多晶硅圖案之類的導(dǎo)電圖案中的電故障。然而，用同軸掃描電子顯微鏡檢查具有分辨率和精確度方面的限制。此外，由于一般所用的掃描方法要花費很長時間來做檢查，并且很難區(qū)分出可以直接影響產(chǎn)量減少的主要缺陷類型。因此，需要制造一種測試圖案，該測試圖案能夠在短時間內(nèi)提供在導(dǎo)電圖案中產(chǎn)生的電故障的各種信息。關(guān)于這一點，在美國專利申請公開No.2003-0102474中公開了用電方法檢測柵極缺陷的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)以及用其檢測柵極缺陷的方法。而且，在美國專利No.5,877,631中公開了用于檢測導(dǎo)電圖案是否短路或斷路以及查找產(chǎn)生短路或斷路的位置的半導(dǎo)體器件的測試結(jié)構(gòu)，以及利用其的計算方法。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明提供一種用于提供關(guān)于導(dǎo)電圖案的電故障的各種信息的測試圖案。
本發(fā)明還提供一種使用測試圖案測試半導(dǎo)體器件的方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個方案，提供一種半導(dǎo)體器件的測試圖案。半導(dǎo)體器件的測試圖案包括位于半導(dǎo)體襯底上的導(dǎo)電圖案。而且，測試圖案包括多個晶體管，晶體管由預(yù)定間距限定導(dǎo)電圖案，并且晶體管的源和漏區(qū)電連接導(dǎo)電圖案的不同位置。此外，測試圖案包括晶體管選擇部分，晶體管選擇部分電連接多個晶體管的各個柵極并且選擇多個晶體管之一或其組合。
根據(jù)一個示范性實施例，導(dǎo)電圖案可以包括多個線路區(qū)和多個連接區(qū)，多個線路區(qū)平行排列并間隔一均勻間距，多個連接區(qū)用于按鋸齒形連接多個線路區(qū)。此外，多個晶體管可以電開關(guān)對應(yīng)連接區(qū)的相鄰線路區(qū)的第一末端，各個晶體管可以包括源區(qū)和漏區(qū)，源區(qū)電連接相鄰線路區(qū)之一的一端，漏區(qū)電連接相鄰線路區(qū)中另一個的一端。
根據(jù)一個示范性實施例，晶體管選擇部分可以包括電連接多個晶體管的柵極的多個選擇墊。此外，晶體管選擇部分可以包括電連接多個晶體管的柵極的解碼器和用于傳送輸入信號給解碼器的解碼器墊。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方案，提供一種測試半導(dǎo)體器件的方法。該方法包括測量位于半導(dǎo)體襯底上的導(dǎo)電圖案的電阻、以及探測在導(dǎo)電圖案中是否存在電故障，如果存在電故障，測定電故障的類型。該方法還包括重復(fù)以下步驟在由預(yù)定間距限定導(dǎo)電圖案并具有分別電連接到導(dǎo)電圖案的不同位置的源和漏區(qū)的多個晶體管中選擇一個或其組合，操作晶體管以查找存在電故障的位置，以及測定引起電故障的缺陷的尺寸。
在本發(fā)明的一個實施例中，導(dǎo)電圖案包括多個線路區(qū)和多個連接區(qū)，多個線路區(qū)平行排列并間隔一均勻間距，多個連接區(qū)用于按鋸齒形連接多個線路區(qū)。多個晶體管可以電開關(guān)對應(yīng)連接區(qū)的相鄰線路區(qū)的第一末端，各個晶體管可以包括源區(qū)和漏區(qū)，源區(qū)電連接相鄰線路區(qū)之一的一端，漏區(qū)電連接相鄰線路區(qū)中另一個的一端。在一個實施例中，導(dǎo)電圖案是多晶硅圖案。在一個實施例中，如果導(dǎo)電圖案的電阻高于導(dǎo)電圖案的線路電阻，那么判定導(dǎo)電圖案含有斷路。通過線路區(qū)的組合可以探測斷路存在的位置，并且斷路存在于多個線路區(qū)之一中，或同時存在于多個線路區(qū)之中的至少兩個相鄰線路區(qū)中。在一個實施例中，由nW+(n-1)S≤Do≤nW+(n+1)S給出引起斷路的缺陷的尺寸；其中Do為引起斷路的缺陷的尺寸，W為線路區(qū)的寬度，S為間隔區(qū)域的寬度，n為具有斷路的線路區(qū)的數(shù)量。
在一個實施例中，如果導(dǎo)電圖案的電阻小于導(dǎo)電圖案的規(guī)定線路電阻，那么判定導(dǎo)電圖案含有短路。在一個實施例中，由(n-2)W+(n-1)S≤Ds≤nW+(n+1)S給出引起短路的缺陷的尺寸；其中Ds為引起短路的缺陷的尺寸，W為線路區(qū)的寬度，S為間隔區(qū)域的寬度，n為具有短路的線路區(qū)的數(shù)量。


通過附圖中所示例的本發(fā)明優(yōu)選實施例的更具體說明，本發(fā)明的上述及其它目的、特征和優(yōu)勢將更加清楚，在全部不同視圖中相同的參考標(biāo)記指示相同的部分。不必按比例繪制附圖，重點在于示例出本發(fā)明的主旨。在附圖中，為清楚明了放大了層和區(qū)域的厚度。
圖1示例了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件的測試圖案的電路圖；圖2示例了圖1中的部分P的布局；圖3示例了圖2中的導(dǎo)電圖案區(qū)域的示意平面圖，以示例根據(jù)本發(fā)明實施例計算引起斷路的缺陷尺寸的方法；圖4示例了圖2中的導(dǎo)電圖案區(qū)域的示意平面圖，以示例根據(jù)本發(fā)明實施例引起短路的缺陷尺寸的計算方法。
具體實施例方式
圖1示例了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體器件的測試圖案的電路圖。本發(fā)明的測試圖案是用于檢查柵極圖案電故障的測試圖案。
參考圖1，導(dǎo)電圖案100位于半導(dǎo)體襯底上。導(dǎo)電圖案100優(yōu)選為多晶硅圖案。如圖1中所示，導(dǎo)電圖案100包括多個線路區(qū)100a和多個連接區(qū)100b，多個線路區(qū)100a沿水平方向相互平行排列并間隔一均勻間距，各個連接區(qū)100b沿著垂直于線路區(qū)100a的方向在線路區(qū)100a的末端處交替地設(shè)置在兩個相鄰線路區(qū)100a之間，由此連續(xù)地連接多個線路區(qū)100a。下文中，為便于說明，在整篇說明書中，這種形狀將簡稱為“鋸齒形(zigzagshape)”。導(dǎo)電圖案100的末端連接到輸入墊IP1和輸出墊OP1。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，導(dǎo)電圖案100還可以包括附加輸入墊IP2和附加輸出墊OP2，附加輸入墊IP2電連接到沿導(dǎo)電圖案100首先連接輸入墊IP1的連接區(qū)100b，附加輸出墊OP2電連接到沿導(dǎo)電圖案100首先連接輸出墊OP1的連接區(qū)100b。在輸入墊IP1和輸出墊OP1之間施加電壓以測量導(dǎo)電圖案100的電阻。下面將詳細(xì)說明附加輸入墊IP2和附加輸出墊OP2的作用。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，多個晶體管102連接具有鋸齒形的導(dǎo)電圖案100，以便通過多個晶體管102把導(dǎo)電圖案100定義成多個區(qū)。更詳細(xì)地，多個晶體管102中的各個晶體管位于與各個連接區(qū)100b相對應(yīng)的位置，并且電開關(guān)相鄰線路區(qū)100a的第一末端。也就是，多個晶體管102的各個源區(qū)電連接相鄰線路區(qū)100a之一的一端，并且多個晶體管102的各個漏區(qū)電連接相鄰線路區(qū)100a中另一個的一端。
多個晶體管102的各個柵極連接晶體管選擇部分TS。晶體管選擇部分TS選擇多個晶體管102中的一個或其組合，并導(dǎo)通所選擇的一個或多個晶體管。晶體管選擇部分TS可以包括多個選擇墊，各個選擇墊電連接多個晶體管102的各個柵極。在這種情況下，晶體管選擇部分TS的選擇墊的數(shù)量與多個晶體管102的數(shù)量相等。優(yōu)選地，晶體管選擇部分TS還可以包括電連接多個晶體管102的各個柵極的解碼器和用于傳送輸入信號給解碼器的解碼器墊。
圖2是圖1中虛線所示部分P的布局，以更詳細(xì)地示例導(dǎo)電圖案100和多個晶體管102。
參考圖2，導(dǎo)電圖案100具有如上所述的鋸齒形。導(dǎo)電圖案100可設(shè)置在半導(dǎo)體襯底上，并且在設(shè)置導(dǎo)電圖案100之前，例如氧化硅層的絕緣層優(yōu)選形成在半導(dǎo)體襯底的全部表面上。如上所述，導(dǎo)電圖案100優(yōu)選為多晶硅圖案，并且包括多個線路區(qū)100a和多個連接區(qū)100b，多個線路區(qū)100a平行排列并間隔一均勻間距，所述多個連接區(qū)100b中的各個連接區(qū)交替連接兩個相鄰的線路區(qū)100a，由此連續(xù)地連接多個線路區(qū)100a。導(dǎo)電圖案100可以具有如上所述的鋸齒形狀。導(dǎo)電圖案100的多個線路區(qū)100a優(yōu)選具有相同的寬度W，并且由多個線路區(qū)100a限定的間隔區(qū)域104也具有相同的寬度S。多個晶體管102的各個源區(qū)和各個漏區(qū)電連接相鄰線路區(qū)100a的各自第一末端。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以按各種形式來修改多個晶體管102的各個源區(qū)和各個漏區(qū)與線路區(qū)100a的第一末端的連接。
參考圖1，將說明根據(jù)本發(fā)明一個實施例的半導(dǎo)體器件的測試方法。
本發(fā)明實施例中的電故障指短路或斷路。此外，假設(shè)僅在本發(fā)明實施例中要測試的導(dǎo)電圖案的一個區(qū)域中產(chǎn)生短路和斷路。
首先，探測在導(dǎo)電圖案100中是否存在電故障的一種方法以及電故障類型如下。通常，導(dǎo)電線路的電阻能由下式給出。
<公式1>
R＝ρ(L/A)(R線路電阻，ρ電阻率，A導(dǎo)電線路的表面積，L導(dǎo)電線路的長度)根據(jù)上述的本發(fā)明的一個實施例，導(dǎo)電圖案100為多晶硅圖案。在多晶硅圖案沒有電故障的情況下，可以通過公式1來測定導(dǎo)電線路的電阻。整個全部說明及所附權(quán)利要求書中，沒有電故障的導(dǎo)電圖案的電阻將稱為規(guī)定線路電阻。
在輸入墊IP1和輸出墊OP1之間施加電壓，以測量導(dǎo)電圖案100的電阻。在所測量的電阻比規(guī)定線路電阻的值高(即電阻為無限值)的情況下，判斷出導(dǎo)電圖案100的一部分是斷路的。另外，在所測量的電阻比規(guī)定線路電阻的值低的情況下，判斷出多個線路區(qū)100a中的至少兩個相鄰線路區(qū)是短路的。
下文中，在導(dǎo)電圖案100的一部分是斷路的情況下，查找引起斷路的缺陷的位置和探測缺陷的尺寸的方法介紹如下。如上所述，在通過測量導(dǎo)電圖案100的電阻來探測導(dǎo)電圖案100中斷路的情況下，通過操作多個晶體管102可以查找斷路存在的位置。在本發(fā)明的一個實施例中，通過由多個晶體管102中的各個晶體管所限定的線路區(qū)組合(a unit of line region)，可以查找斷路存在的位置。此外，斷路可以出現(xiàn)在多個線路區(qū)100a的任一個中，或多個線路區(qū)100a的至少兩個相鄰線路區(qū)中。下面說明查找斷路出現(xiàn)的位置的過程。首先，在輸入墊IP1和輸出墊OP1之間施加電壓。然后，通過晶體管選擇部分TS選擇并導(dǎo)通多個晶體管102中的任一個或其組合。隨后，檢查電流是否流經(jīng)導(dǎo)電圖案。重復(fù)上述步驟，由此定位斷路所在的線路區(qū)。
例如，如圖1中所示，在首先連接到輸入墊IP1的晶體管T1導(dǎo)通、而其余的晶體管截止的狀態(tài)下，檢查電流是否流經(jīng)導(dǎo)電圖案100。以同樣的方法，在其余的晶體管T2、T3、T4、T5和T6中的任一個導(dǎo)通、而除所選擇那個以外的其余晶體管截止的狀態(tài)下，檢查電流是否流經(jīng)導(dǎo)電圖案100。然后，通過組合導(dǎo)通各個晶體管的結(jié)果，可以測定斷路所處的位置。結(jié)果如下列表1中所示。在表1中，“O”表示電流流經(jīng)導(dǎo)電圖案100，而“X”表示電流沒有流過導(dǎo)電圖案100。而且，為簡化說明，分別用A、B、C、D、E、F和G表示由晶體管T1、T2、T3、T4、T5和T6所限定的各自線路區(qū)。
<表1>

也就是，如果僅僅在連接到線路區(qū)的兩端的兩個晶體管之一導(dǎo)通的情況下探測到電流，并且如果在其余晶體管中任一個導(dǎo)通的情況下沒有測量到電流的話，推斷出線路區(qū)為斷路。例如，如果在僅一個晶體管T2或T3導(dǎo)通的情況下探測到電流，并且如果在其余晶體管T1、T4、T5和T6之一導(dǎo)通的情況下沒有測量到電流的話，推斷出多個線路區(qū)100a的線路區(qū)C為斷路。而且，如果在晶體管T1、T2、T3、T4、T5和T6中僅一個導(dǎo)通的情況下探測到電流，并且如果在除所選擇晶體管以外的其余晶體管之一導(dǎo)通的情況下沒有測量到電流的話，推斷出連接到所選擇晶體管上的兩個線路區(qū)同時為斷路。例如，如果在僅一個晶體管T3導(dǎo)通的情況下探測到電流，并且如果在其余晶體管T1、T2、T4、T5和T6之一導(dǎo)通的情況下沒有測量到電流的話，推斷出連接到晶體管T3上的線路區(qū)C和D同時為斷路。
如表1中所示，在線路區(qū)“A”和線路區(qū)“B”同時為斷路的情況下和在僅線路區(qū)“A”為斷路的情況下，得到了相同的結(jié)果。也就是，如果僅當(dāng)晶體管“T1”工作時探測到流經(jīng)導(dǎo)電圖案100的電流，并且當(dāng)其余晶體管T2、T3、T4、T5和T6之一導(dǎo)通時沒有探測到電流，那么不能判斷僅線路區(qū)“A”為斷路，或是線路區(qū)“A”和“B”同時為斷路。在這種情況下，當(dāng)在附加輸入墊IP2和輸出墊OP1之間施加電壓時，如果探測到流經(jīng)導(dǎo)電圖案100的電流，那么僅線路區(qū)“A”為斷路，并且在相反的情況下，推斷出線路區(qū)“A”和“B”同時為斷路。以相同的方式，通過在輸入墊IP1和附加輸出墊OP2之間施加電壓，判斷是否能探測到流經(jīng)導(dǎo)電圖案100的電流，以區(qū)分出僅線路區(qū)“G”為斷路的情況，和線路區(qū)“F”和“G”同時為斷路的情況。
同樣，在三個以上相鄰的線路區(qū)同時為斷路的情況下，可以通過如下方式查找出斷路存在的位置在導(dǎo)通連接到連接區(qū)100b的兩端的兩個晶體管并截止其余晶體管之后，探測是否測量出經(jīng)過導(dǎo)電圖案100的電流，以及重復(fù)上述步驟。
圖3是圖2的導(dǎo)電圖案區(qū)域的示意平面圖，以示例根據(jù)本發(fā)明實施例測定引起斷路的缺陷尺寸的方法。
參考圖3，如果通過上述方法測定出多個線路區(qū)100a中斷路線路區(qū)的數(shù)量，那么就可以測定引起斷路的缺陷的尺寸。如上所述，假設(shè)在導(dǎo)電圖案100內(nèi)部引起斷路的缺陷僅僅為一個。在導(dǎo)電圖案100的多個線路區(qū)100a中僅僅一個線路區(qū)是斷路的情況下，如圖3中所示，推斷出引起斷路的缺陷D1的尺寸大約大于或等于線路區(qū)的寬度W，并且小于或等于線路區(qū)的寬度W和在線路區(qū)兩側(cè)的兩個間隔區(qū)域的寬度2S的總和。此外，如圖3中所示，在導(dǎo)電圖案100的多個線路區(qū)100a中兩個相鄰線路區(qū)同時為斷路的情況下，引起斷路的缺陷D2的尺寸大于或等于斷路線路區(qū)的寬度2W和位于斷路線路區(qū)之間的間隔區(qū)域104的寬度S的總和，并且小于或等于斷路線路區(qū)的寬度2W和位于斷路線路區(qū)之間的間隔區(qū)域與分別位于斷路線路區(qū)旁邊的間隔區(qū)域的寬度3S的總和。因此，通過如下公式可以給出引起導(dǎo)電圖案100中斷路的缺陷的尺寸。
<公式2>
nW+(n-1)S≤Do≤nW+(n+1)S(Do引起斷路的缺陷的尺寸，W線路區(qū)的寬度，S間隔區(qū)域的寬度，n具有斷路的線路區(qū)的數(shù)量)下文中，將介紹當(dāng)在導(dǎo)電圖案100的區(qū)域中存在短路時測定引起短路的缺陷尺寸的方法。
圖4示例了圖2中的導(dǎo)電圖案區(qū)域的示意平面圖，以說明根據(jù)本發(fā)明實施例計算引起短路的缺陷尺寸的方法。
參考圖4，通過檢查多個線路區(qū)之中具有短路的線路區(qū)的數(shù)量，可以測定引起短路的缺陷的尺寸。假設(shè)在導(dǎo)電圖案100內(nèi)引起短路的缺陷僅為一個。如上所述，在導(dǎo)電圖案100的電阻具有小于規(guī)定線路電阻的值的情況下，推斷出在導(dǎo)電圖案100的多個線路區(qū)100a中的至少兩個相鄰線路區(qū)含有短路。隨著多個線路區(qū)100a中短路線路區(qū)的數(shù)量增加，所測量電阻的值降低。因為這樣，所以使用變化電阻值的差來探測短路線路區(qū)的數(shù)量。在n個線路區(qū)短路的情況下，用如下公式可以給出引起短路的缺陷的尺寸。
<公式3>
(n-2)W+(n-1)S≤Ds≤nW+(n+1)S(Ds引起短路的缺陷的尺寸，W線路區(qū)的寬度，S間隔區(qū)域的寬度，n具有短路的線路區(qū)的數(shù)量)也就是，在導(dǎo)電圖案100的多個線路區(qū)100a中的兩個相鄰線路區(qū)同時短路時，引起短路的缺陷D3的尺寸大于或等于位于短路線路區(qū)之間的間隔區(qū)域104的寬度S，并且小于或等于短路線路區(qū)的寬度2W和位于短路線路區(qū)之間的間隔區(qū)域與分別位于短路線路區(qū)旁邊的間隔區(qū)域的寬度3S的總和。
如上所述，本發(fā)明提供了一種使用半導(dǎo)體器件的測試圖案探測是否存在導(dǎo)電圖案的電故障、探測電故障的類型、查找產(chǎn)生電故障的位置、以及測定引起電故障的缺陷的尺寸的方法。
當(dāng)參考本發(fā)明的示范性實施例具體顯示并說明本發(fā)明時，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，在不脫離由所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在形式和細(xì)節(jié)上作出各種變化。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的測試圖案，包括位于半導(dǎo)體襯底上的導(dǎo)電圖案；由預(yù)定間距限定所述導(dǎo)電圖案的多個晶體管，所述晶體管的源和漏區(qū)分別電連接所述導(dǎo)電圖案的不同位置；以及電連接所述多個晶體管的各個柵極的晶體管選擇部分，用于選擇所述多個晶體管的一個或晶體管組合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的測試圖案，其中所述導(dǎo)電圖案是多晶硅圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的測試圖案，還包括連接所述導(dǎo)電圖案的一端的輸入墊和連接所述導(dǎo)電圖案的另一端的輸出墊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的測試圖案，其中所述晶體管選擇部分包括電連接所述多個晶體管的柵極的多個選擇墊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的測試圖案，其中所述晶體管選擇部分包括電連接所述多個晶體管的柵極的解碼器和用于傳送輸入信號給所述解碼器的解碼器墊。
6.一種半導(dǎo)體器件的測試圖案，包括位于半導(dǎo)體襯底上并包括平行排列并間隔一均勻間距的多個線路區(qū)和用于按鋸齒形連接所述多個線路區(qū)的多個連接區(qū)的導(dǎo)電圖案；電開關(guān)對應(yīng)所述連接區(qū)的相鄰線路區(qū)的第一末端的多個晶體管，各個晶體管包括電連接所述相鄰線路區(qū)之一的一端的源區(qū)和電連接所述相鄰線路區(qū)中另一個的一端的漏區(qū)；以及電連接所述多個晶體管的柵極的晶體管選擇部分，用于選擇所述多個晶體管之一或其組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體器件的測試圖案，其中所述導(dǎo)電圖案是多晶硅圖案。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體器件的測試圖案，還包括連接所述導(dǎo)電圖案的一端的輸入墊和連接所述導(dǎo)電圖案的另一端的輸出墊。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的半導(dǎo)體器件的測試圖案，還包括電連接到沿所述導(dǎo)電圖案首先連接所述輸入墊的連接區(qū)的附加輸入墊和電連接到沿所述導(dǎo)電圖案首先連接所述輸出墊的連接區(qū)的附加輸出墊。
10.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體器件的測試圖案，其中所述晶體管選擇部分包括電連接所述多個晶體管的柵極的多個選擇墊。
11.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體器件的測試圖案，其中所述晶體管選擇部分包括電連接所述多個晶體管的柵極的解碼器和用于傳送輸入信號給所述解碼器的解碼器墊。
12.一種測試半導(dǎo)體器件的方法，包括測量位于半導(dǎo)體襯底上的導(dǎo)電圖案的電阻，以及探測在所述導(dǎo)電圖案中是否存在電故障，如果存在電故障，測定所述電故障的類型；以及在由預(yù)定的間距限定所述導(dǎo)電圖案并具有分別電連接到所述導(dǎo)電圖案的不同位置的源和漏區(qū)的多個晶體管中選擇一個或其組合，導(dǎo)通所選擇的一個或多個晶體管，以及測量流經(jīng)所述導(dǎo)電圖案的電流；重復(fù)選擇步驟以查找存在電故障的位置；以及計算引起電故障的缺陷的尺寸。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體器件的測試方法，其中所述導(dǎo)電圖案包括平行排列并間隔一均勻間距的多個線路區(qū)和用于按鋸齒形連接所述多個線路區(qū)的多個連接區(qū)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的半導(dǎo)體器件的測試方法，其中所述多個晶體管電開關(guān)對應(yīng)所述連接區(qū)的相鄰線路區(qū)的第一末端，各個晶體管包括電連接所述相鄰線路區(qū)之一的一端的源區(qū)和電連接所述相鄰線路區(qū)中另一個的一端的漏區(qū)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的半導(dǎo)體器件的測試方法，其中所述導(dǎo)電圖案是多晶硅圖案。
16.根據(jù)權(quán)利要求14的半導(dǎo)體器件的測試方法，其中如果所述導(dǎo)電圖案的電阻高于所述導(dǎo)電圖案的規(guī)定線路電阻，那么判定所述導(dǎo)電圖案具有斷路。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體器件的測試方法，其中通過所述線路區(qū)的組合探測斷路存在的位置，并且所述斷路存在于所述多個線路區(qū)的一個，或同時存在于所述多個線路區(qū)之中的至少兩個相鄰線路區(qū)。
18.根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體器件的測試方法，其中由nW+(n-1)S≤Do≤nW+(n+1)S給出引起斷路的缺陷的尺寸；其中Do為引起斷路的缺陷的尺寸，W為所述線路區(qū)的寬度，S為間隔區(qū)域的寬度，n為具有斷路的所述線路區(qū)的數(shù)量。
19.根據(jù)權(quán)利要求14的半導(dǎo)體器件的測試方法，其中如果所述導(dǎo)電圖案的電阻小于所述導(dǎo)電圖案的規(guī)定線路電阻，那么判定所述導(dǎo)電圖案含有短路。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的半導(dǎo)體器件的測試方法，其中由(n-2)W+(n-1)S≤Ds≤nW+(n+1)S給出引起短路的缺陷的尺寸；其中Ds為引起短路的缺陷的尺寸，W為線路區(qū)的寬度，S為間隔區(qū)域的寬度，n為具有短路的線路區(qū)的數(shù)量。
全文摘要
公開了一種半導(dǎo)體器件的測試圖案及利用其的測試方法。半導(dǎo)體器件的測試圖案包括位于半導(dǎo)體襯底上的導(dǎo)電圖案，并且導(dǎo)電圖案包括多個線路區(qū)和多個連接區(qū)，多個線路區(qū)平行排列并間隔一均勻間距，多個連接區(qū)用于按鋸齒形連接多個線路區(qū)。測試圖案包括電開關(guān)對應(yīng)連接區(qū)的相鄰線路區(qū)的第一末端的多個晶體管，并且各個晶體管包括源區(qū)和漏區(qū)，源區(qū)電連接相鄰線路區(qū)之一的一端，漏區(qū)電連接相鄰線路區(qū)中另一個的一端。此外，晶體管選擇部分電連接多個晶體管的柵極，用于選擇多個晶體管之一或其組合。
文檔編號H01L21/70GK1645609SQ20051000387
公開日2005年7月27日 申請日期2005年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2004年1月20日
發(fā)明者李鐘弦 申請人:三星電子株式會社