專利名稱：半導體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導體器件和制造這種器件的方法。
背景技術(shù)：
在日本專利申請KOKAI NO.2003-298005中公開的常規(guī)半導體器件包括焊球作為具有預(yù)定尺寸的半導體芯片外的連接端子。因此，這種半導體器件具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中半導體芯片在其上表面上具有多個連接焊盤且形成在基板的上表面上。絕緣層圍繞著半導體芯片形成在基板的上表面上。上絕緣膜在半導體芯片和絕緣層的上表面上形成，上部互連在上絕緣膜的上表面上形成，以便連接到半導體芯片的連接焊盤，除了用于連接上部互連的焊盤部分以外的部分被最上層的絕緣膜覆蓋。焊球分別在上部互連的連接焊盤部分上形成。
例如，上述常規(guī)半導體器件的制造過程如下所述。為了增加生產(chǎn)率，多個半導體芯片分離地設(shè)置在基板的上表面上，該基板具有能夠形成多個完整的半導體器件的面積。絕緣層圍繞著半導體芯片形成在基板的上表面上。上絕緣膜在半導體芯片和絕緣層的上表面上形成。上部互連在上絕緣膜的上表面上形成，以便電連接到半導體芯片的連接焊盤。除了用于連接上部互連的焊盤部分以外的部分被最上部絕緣膜覆蓋。在上部互連的連接焊盤部分上形成焊球。在半導體芯片之間將基板、絕緣層、上絕緣膜和最上部絕緣膜切開，由此得到多個上述常規(guī)半導體器件。
在這種常規(guī)的半導體器件制造方法中，通過熱硬化和收縮絕緣層形成層基板上表面上圍繞著半導體芯片形成絕緣層，該絕緣層形成層由未硬化的樹脂例如環(huán)氧基樹脂和聚酰亞胺基樹脂制成。因此，基板很大程度地翹曲，并且這妨礙了后續(xù)步驟的執(zhí)行，降低了后續(xù)步驟中的處理精度。例如，當具有能夠形成多個完整半導體器件的面積的基板的尺寸為300mm×250mm時，該基板的翹曲量可達到13到15mm。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種能夠減少基板翹曲的半導體器件和制造這種器件的方法。
為了達到上述目的，硬板放置在絕緣層形成層上，該絕緣層形成層形成在基板上且由包含至少半硬化樹脂或者液體樹脂的材料制成，并且通過加熱和按壓完全硬化絕緣層形成層中的半硬化樹脂或者液體樹脂來形成絕緣層。
在本發(fā)明中，硬板放置在形成在基板上并且包括半硬化樹脂或液體樹脂的絕緣層形成層上。因此，在這點上，厚度方向上的材料設(shè)置基本上是對稱的。因此，當施加熱和壓力的時候，絕緣層形成層在厚度方向上基本上對稱地硬化和收縮。因此，可以減少基板的翹曲。
本發(fā)明另外的目的和優(yōu)點將在下面的說明中得到闡述，部分通過說明顯而易見或通過本發(fā)明實踐來了解。本發(fā)明的目的和優(yōu)點可以借助于下文特別指出的手段和組合來實現(xiàn)和獲得。
附圖簡述所包括的、并且構(gòu)成了說明書的一部分的附圖舉例說明了本發(fā)明的實施例，并且連同上面的總的描述和下文給出的實施例的詳細描述一起用于說明本發(fā)明的原理。


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導體器件的截面圖；圖2是示出在制造如圖1所示的半導體器件的方法的一個例子中最初準備的材料的截面圖；圖3是圖2之后的步驟中的組件的截面圖；圖4是圖3之后的步驟中的組件的截面圖；圖5是圖4之后的步驟中的組件的截面圖；圖6是圖5之后的步驟中的組件的截面圖；圖7是圖6之后的步驟中的組件的截面圖；圖8是圖7之后的步驟中的組件的截面圖；圖9是圖8之后的步驟中的組件的截面圖；圖10是圖9之后的步驟中的組件的截面圖；圖11是圖10之后的步驟中的組件的截面圖；圖12是圖11之后的步驟中的組件的截面圖；圖13是圖12之后的步驟中的組件的截面圖；圖14是圖13之后的步驟中的組件的截面圖；圖15是圖14之后的步驟中的組件的截面圖；圖16是圖15之后的步驟中的組件的截面圖；圖17是圖16之后的步驟中的組件的截面圖；圖18是用來解釋本發(fā)明第二實施例的預(yù)定步驟中的組件的截面圖；圖19是用來解釋本發(fā)明第三實施例的預(yù)定步驟中的組件的截面圖；圖20是用來解釋本發(fā)明第四實施例的預(yù)定步驟中的組件的截面圖；圖21是圖20之后的步驟中的組件的截面圖；圖22是用來解釋本發(fā)明第五實施例的預(yù)定步驟中的組件的截面圖；圖23是用來解釋本發(fā)明第六實施例的預(yù)定步驟中的組件的截面圖；
圖24是根據(jù)本發(fā)明第七實施例的半導體器件的截面圖；圖25是根據(jù)本發(fā)明第八實施例的半導體器件的截面圖；圖26是根據(jù)本發(fā)明第九實施例的半導體器件的截面圖；圖27是根據(jù)本發(fā)明第十實施例的半導體器件的截面圖；圖28是根據(jù)本發(fā)明第十一實施例的半導體器件的截面圖；圖29是根據(jù)本發(fā)明的第十二實施例的半導體器件的截面圖；以及圖30是根據(jù)本發(fā)明第十三個實施例的半導體器件的截面圖。
最佳實施方式第一實施例圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導體器件的截面圖。這個半導體器件包括方形平坦形狀的基板1?；?由通常用作印刷電路板的材料制成。這種材料的例子是由無機材料例如玻璃布、玻璃纖維或者芳族聚酸胺纖維制成的并且注入了熱固樹脂例如環(huán)氧基樹脂、聚酰亞胺基樹脂或者BT(雙馬來酰亞胺-三嗪)樹脂的襯底，以及熱固樹脂例如環(huán)氧基樹脂。
具有方形平坦形狀且尺寸比基板1的尺寸小到一定程度的半導體結(jié)構(gòu)體2的下表面通過由管芯鍵合材料制成的粘接層3附著到基板1的上表面。半導體結(jié)構(gòu)體2具有互連11、柱形電極12、和包裹膜13(所有這些都將在后面解釋)，并且通常被叫做CSP(芯片尺寸封裝)。因為獨立的半導體結(jié)構(gòu)體2是在互連11、柱形電極12、和包裹膜13在硅晶片上形成之后通過切割得到的，這將在后面說明，因此半導體結(jié)構(gòu)體2也特別稱為硅片級CSP(W-CSP)。半導體結(jié)構(gòu)體2的結(jié)構(gòu)將在下面進行解釋。
半導體結(jié)構(gòu)體2包括硅襯底(半導體襯底)4。硅襯底4的下表面通過粘接層3附著到基板1的上表面。具有預(yù)定功能的集成電路(未示出)形成在硅襯底4的上表面。由金屬例如鋁基金屬制成的多個連接焊盤5在上表面上在其外圍形成，以便電連接到集成電路。除連接焊盤5的中央部分之外，在硅襯底4和連接焊盤5的上表面上形成由氧化硅等制成的絕緣膜6。連接焊盤5的這些中央部分通過形成在絕緣膜6中的孔7暴露出來。
由絕緣材料例如環(huán)氧基樹脂或者聚酰亞胺基樹脂制成的保護膜8形成在絕緣膜6的上表面上。在保護膜8的對應(yīng)于絕緣膜6中的孔7的那些部分中形成孔9。由銅等制成的金屬內(nèi)涂層10形成在保護膜8的上表面上。銅互連11直接形成在金屬內(nèi)涂層10的整個上表面上。金屬內(nèi)涂層10的一個端部并且由此互連11通過孔7和9電連接到連接焊盤5的端部。
由銅制成的柱形電極(外部連接電極)12形成在連接焊盤部分的上表面上或者互連11的另一端。由絕緣材料例如，環(huán)氧基樹脂或者聚酰亞胺基樹脂制成的包裹膜13形成在保護膜8和互連11的上表面上，這樣使包裹膜13的上表面和柱形電極12的上表面平齊。如上所述，稱作W-CSP的半導體結(jié)構(gòu)體2，包括硅襯底4、連接焊盤5和絕緣膜6，并且還包括保護膜8、互連11、柱形電極12和包裹膜13。
方形框狀絕緣層14圍繞著半導體結(jié)構(gòu)體2形成在基板1的上表面上。絕緣層14通常稱為預(yù)浸材料，其是包含無機材料，例如玻璃布、玻璃纖維或者芳族聚酸胺纖維并且注入了熱固樹脂，例如環(huán)氧基樹脂、聚酰亞胺基樹脂或BT(雙馬來酰亞胺-三嗪)樹脂的襯底。方形框狀硬片15掩埋在絕緣層14的上表面的外圍。硬片15的材料和厚度與基板1的相同。絕緣層14和硬片15的上表面基本上與半導體結(jié)構(gòu)體2的上表面平齊。
在半導體結(jié)構(gòu)體2、絕緣層14和硬片15的上表面上，形成上絕緣膜16以具有平坦的上表面。上絕緣膜16通常稱為累積材料，用于堆積襯底中，并且通過在熱固樹脂，例如環(huán)氧基樹脂、聚酰亞胺基樹脂或者BT樹脂中分散增強材料例如纖維或填料而形成。纖維例如是玻璃纖維或者芳族聚酸胺纖維。填料例如是硅土填料或陶瓷基填料。
在上絕緣膜16的對應(yīng)于柱形電極12的上表面中央部分的那些部分中形成孔17。由銅等制成的上金屬內(nèi)涂層18形成在上絕緣膜16的上表面上。由銅制成的上部互連19形成在上金屬內(nèi)涂層18的整個上表面上。上金屬內(nèi)涂層18的一個端部，并且由此互連19通過上絕緣膜16中的孔17電連接到柱形電極12的上表面。
由阻焊劑(solder resist)等形成的最上層絕緣膜20形成在上絕緣膜16和上部互連19的上表面上。在最上層絕緣膜20的對應(yīng)于上部互連19的連接焊盤部分的那些部分中形成通孔21。焊球22在孔21的里面和上面形成，以便電且機械地連接到上部互連19的連接焊盤部分。焊球22在最上層絕緣膜20上設(shè)置成矩陣，而且一些或者所有焊球位于半導體結(jié)構(gòu)體2的外部。
由與上絕緣膜16相同的材料制成的下絕緣膜23形成在基板1的下表面。由與最上層絕緣膜20相同的材料制成的最下層絕緣膜24形成在下絕緣膜23的下表面上。
如上所述，為了使焊球22的形成區(qū)的尺寸根據(jù)硅襯底4上連接焊盤5數(shù)量的增加而比半導體結(jié)構(gòu)體2的尺寸大到一定程度，使基板1的尺寸比半導體結(jié)構(gòu)體2的尺寸大一定程度。這使得上部互連19的連接焊盤部分(最上層絕緣膜20的孔21中的部分)的尺寸和間距大于柱形電極12的尺寸和間距。
因此，不僅在相應(yīng)于半導體結(jié)構(gòu)體2的區(qū)域中，而且在相應(yīng)于形成在半導體結(jié)構(gòu)體2側(cè)面外部的絕緣層14的區(qū)域中形成上部互連19的設(shè)置成矩陣的那些連接焊盤部分。也就是說，在設(shè)置成矩陣的焊球22中，至少最外面的焊球22形成在位于半導體結(jié)構(gòu)體2外部的外圍中。
下面將介紹制造這種半導體器件的方法的一個例子。首先，說明半導體結(jié)構(gòu)體2的制造方法的例子。在這種方法中，制備如圖2所示的組件。在這個組件中，在晶片狀的硅襯底(半導體襯底)4上形成例如由鋁基金屬制成的連接焊盤5、例如由氧化硅制成的絕緣膜6、以及例如由環(huán)氧基樹脂或聚酰亞胺基樹脂制成的保護膜8。通過絕緣膜6和保護膜8中形成的孔7和9使連接焊盤5的中央部分暴露出來。在具有這種結(jié)構(gòu)的晶片狀硅襯底4中，在將要形成每個半導體結(jié)構(gòu)體的區(qū)域中形成具有預(yù)定功能的集成電路，而且每個連接焊盤5電連接到相應(yīng)的區(qū)域中形成的集成電路。
如圖3所示，在包括連接焊盤5通過孔7和9暴露出的上表面的保護膜8的整個上表面上形成金屬內(nèi)涂層10。金屬內(nèi)涂層10可以是通過非電解電鍍形成的銅層、通過濺射形成的銅層，以及通過濺射形成的鈦等的薄膜和通過濺射形成在該薄膜上的銅層的組合中的任何一種。
通過在金屬內(nèi)涂層10的上表面上構(gòu)圖來形成電鍍抗蝕劑膜31。在電鍍抗蝕劑膜31中，在對應(yīng)于將要形成互連11的區(qū)域的部分中已經(jīng)形成孔32。然后通過利用金屬內(nèi)涂層10作為電鍍電流通路來進行銅的非電解電鍍，由此在電鍍抗蝕劑膜31的孔32中、在金屬內(nèi)涂層10的上表面上形成互連11。在這之后，除去電鍍抗蝕劑膜31。
如圖4所示，通過在金屬內(nèi)涂層10和互連11的上表面上構(gòu)圖來形成電鍍抗蝕劑膜33。在電鍍抗蝕劑膜33中，在對應(yīng)于將要形成柱形電極12的區(qū)域的部分中已經(jīng)形成孔34。然后通過利用金屬內(nèi)涂層10作為電鍍電流通路來進行銅的非電解電鍍，由此在電鍍抗蝕劑膜33的孔34中、在互連11的連接焊盤部分的上表面上形成柱形電極12。在這之后，除去電鍍抗蝕劑膜33，并且通過使用互連11作為掩膜，刻蝕掉金屬內(nèi)涂層10的不需要的部分。因此，如圖5所示，只有在互連11的下面金屬內(nèi)涂層10保留。
如圖6所示，通過例如絲網(wǎng)印刷、旋涂、或者模涂(die coating)在保護膜8、柱形電極12和互連11的整個上表面上形成由環(huán)氧基樹脂或聚酰亞胺基樹脂制成包裹膜13，使得包裹膜13的厚度大于柱形電極12的高度。因此，在這種狀態(tài)下，柱形電極12的上表面被包裹膜13覆蓋。
如圖7所示，適當拋光包裹膜13和柱形電極12的上表面，以暴露出柱形電極12的上表面，并且平坦化包括柱形電極12的那些暴露出來的上表面的包裹膜13的上表面。對柱形電極12的上表面已經(jīng)進行如此適當?shù)貟伖猓员阃ㄟ^消除非電解電鍍形成的柱形電極12的高度差來使柱形電極12的高度均勻。
如圖8所示，粘接層3附著到硅襯底4的整個下表面。粘接層3由管芯鍵合材料例如環(huán)氧基樹脂或聚酰亞胺基樹脂制成，并且在半硬化狀態(tài)下通過加熱和加壓附著到硅襯底4。然后，粘到硅襯底4的粘接層3附著到切割帶(dicing tape)上(未顯示)。在進行圖9所示的切割步驟后，從切割帶移走粘結(jié)層3。因此，如圖1所示，得到了多個半導體結(jié)構(gòu)體2，每個半導體結(jié)構(gòu)體2都在硅襯底4的下表面具有粘接層3。
如此得到的半導體結(jié)構(gòu)體2在硅襯底4的下表面上具有粘接層3。這消除了切割步驟之后在每個半導體結(jié)構(gòu)體2的硅襯底4的下表面上形成粘接層的非常麻煩的操作。注意到，切割步驟之后從切割帶移走粘接層這個操作比切割步驟之后在每個半導體結(jié)構(gòu)體2的硅襯底4的下表面形成粘接層的操作要容易得多。
下面將介紹通過使用如此得到的半導體結(jié)構(gòu)體2來制造圖1所示的半導體器件的方法的一個例子。首先，如圖10所示，制備基板1，其面積能夠形成多個如圖1所示的完整的半導體器件?；?例如具有方形平坦形狀，盡管其形狀不限于這種形狀。通過用熱固樹脂例如環(huán)氧基樹脂注入例如由玻璃布形成的襯底，并且通過硬化熱固樹脂將所得到的襯底形成為板來形成基板1。
各自附著到半導體結(jié)構(gòu)體2的硅襯底4的下表面的粘接層3，被附著到基板1的上表面上的多個預(yù)定部分。在這個附著過程中，通過加熱和加壓使粘接層3完全硬化。此后，當通過引腳等定位時，兩個格狀絕緣層形成板(絕緣層形成層)14a和14b以及格狀硬板15圍繞著半導體結(jié)構(gòu)體2堆疊在基板1的上表面上。注意也可以在疊置這兩個絕緣層形成板14a和14b以及硬板15之后來設(shè)置半導體結(jié)構(gòu)體2。
通過用熱固樹脂例如環(huán)氧基樹脂注入由例如玻璃布形成的襯底，半硬化熱固樹脂(在B階段)以形成板狀的預(yù)浸材料，并且通過例如沖孔、鉆孔、或挖掘(rooter)處理形成多個方形孔35來得到格狀絕緣層形成板14a和14b。格狀硬板15的材料和厚度與基板1的相同。格狀硬板15是通過例如沖孔、鉆孔、或挖掘處理在硬化的熱固樹脂板中形成多個方形孔36而得到的。
孔35和36的尺寸比半導體結(jié)構(gòu)體2的尺寸稍大。因此，在絕緣層形成板14a、14b和硬板15以及半導體結(jié)構(gòu)體2之間形成間隙37。而且，如此設(shè)置絕緣層形成板14a、14b和硬板15的總厚度，使得其比半導體結(jié)構(gòu)體2的厚度大一定程度，并且，如將在后面說明的，當加熱加壓時，間隙37將會被絕緣層形成板14a和14b中的熱固樹脂很好地填充。
盡管在本實施例中絕緣層形成板14a和14b具有相同的厚度，但是它們的厚度也可以不同。另外，如上所述，絕緣層形成板的數(shù)目是兩個，但是也可以是一個或三個或者更多。關(guān)鍵是由與基板1相同的材料制成的，即，具有與基板1相同的熱膨脹系數(shù)和相同的厚度的硬板15只需要被疊置在絕緣層形成板的上表面上。
然后，如圖11所示，一對加熱/加壓板38和39用于從上面和下面，對絕緣層形成板14a和14b以及硬板15進行加熱和加壓。結(jié)果，絕緣層形成板14a和14b中的熔化的熱固樹脂被擠出并且填充到圖10所示的間隙37中。當之后進行冷卻時，在每個半導體結(jié)構(gòu)體2周圍、在基板1的上表面上形成絕緣層14。
另一方面，硬板15在加熱和加壓中沒有變形，因為硬板15中的熱固樹脂已經(jīng)預(yù)先硬化，并掩埋在絕緣層14的上表面上的預(yù)定區(qū)域中(除了圖10所示的間隙37)。在這種狀態(tài)下，絕緣層14和硬板15的上表面基本上與半導體結(jié)構(gòu)體2的上表面平齊。如果必要，可以通過軟料(buff)拋光或類似方式去除圖10所示的從間隙37突出的多余熱固樹脂。注意并不總是需要掩埋硬板15以使得它的上表面與絕緣層14的上表面或半導體結(jié)構(gòu)體2的上表面平齊。
如圖10所示，當冷卻和完全硬化時，堆疊在基板1的上表面上的絕緣層形成板14a和14b收縮，因為它們從半硬化狀態(tài)熔化和硬化。因此，如果硬板15沒有形成在絕緣層形成板14b上，則基板1會引起大的翹曲。然而，在本發(fā)明中，在堆疊在基板1上表面的絕緣層形成板14a和14b上形成硬板15，且基板1和硬板15預(yù)先硬化。因此，即使加熱加壓也沒有收縮發(fā)生。此外，基板1與硬板15由相同的材料制成，也就是它們具有相同的熱膨脹系數(shù)和相同的厚度，所以在這個部分、在厚度方向上的材料設(shè)置是對稱的。因此，基板1和硬板15承受由絕緣層形成板14a和14b的收縮引起的相同的應(yīng)力。因此，基板1的翹曲被消除或減輕了。這使得后續(xù)步驟能夠順利進行，并保證了后續(xù)步驟中高的處理精度。注意基板1的翹曲可以通過上述方式消除或減輕，即使當基板1和硬板15由與絕緣層形成板14a和14b相同的材料制成。在這種情況下，從半硬化狀態(tài)通過加熱熔化的材料不進入該材料，即，提前硬化的硬板15中。在進行冷卻和完全硬化后，基板1和下形成板14a之間的邊界，以及硬板15和上形成板14b之間的邊界明顯的保留下來。
此外，如果不使用硬板15，則絕緣層形成板14a和14b的總厚度必須增加相應(yīng)于硬板15的體積的量。結(jié)果，絕緣層形成板14b的上表面變得比半導體結(jié)構(gòu)體2的上表面高一定程度。這增加了移動到半導體結(jié)構(gòu)體2的上表面的熔化樹脂的量。而且，如果形成板14a和14b中的熱固樹脂熔化，施加到這個熱固樹脂上的壓力變得不均勻。結(jié)果，熔化的樹脂流動，并且上述問題變得更壞。
相反，當使用硬板15時，絕緣層形成板14a和14b的總厚度可以減小相應(yīng)于硬板15的體積的量。而且，由于壓力均勻地施加到硬板15上，因此即使這些板中的熱固樹脂熔化，施加到形成板14a和14b的壓力也是均勻的。此外，即使形成板14a和14b中的熱固樹脂熔化了，硬板15也可以保持住這個熔化的樹脂，并抑制熔化樹脂的流動。這使得可以很好地減少移動到半導體結(jié)構(gòu)體2的上表面的熔化樹脂的量。
如圖12所示，上絕緣膜形成板16a形成在半導體結(jié)構(gòu)體2、絕緣層14和硬板15的上表面上，而下絕緣膜形成板23a形成在基板1的下表面上。上絕緣膜形成板16a和下絕緣膜形成板23a優(yōu)選由板狀堆積材料制成，盡管對它們并沒有限制。這種堆積材料是通過在熱固樹脂例如環(huán)氧基樹脂中混和硅土填料，并且半硬化該熱固樹脂而獲得的。
然后，一對加熱/加壓板(未顯示)用于從上面和下面對上絕緣膜形成板16a和下絕緣膜形成板23a進行加熱和加壓。從而，上絕緣膜16形成在半導體結(jié)構(gòu)體2、絕緣層14和硬板15的上表面上，而下絕緣膜23形成在基板1的下表面上。
在這種情況下，上和下絕緣膜形成板16a和23a由相同的材料制成，并因此具有相同的熱膨脹系數(shù)。因此，如果這兩個板具有相同的厚度，則在絕緣層14的部分、在厚度方向上材料設(shè)置是對稱的。因此，當進行加熱和加壓時，上絕緣膜形成板16a和下絕緣膜形成板23a在厚度方向上對稱地硬化和收縮，從而基板1的翹曲就減少了。這使得后續(xù)步驟能夠順利進行，并保證了后續(xù)步驟中高的處理精度。
而且，上絕緣膜16的上表面被平坦化，因為通過上加熱/加壓板(未顯示)的下表面對該表面加壓。下絕緣膜23的下表面也被平坦化，因為通過下加熱/加壓板(未顯示)的上表面對該表面加壓。這就省去了對于平坦化上絕緣膜16的上表面和下絕緣膜23的下表面的拋光步驟的需求。
注意到，作為上和下絕緣膜形成板16a和23a，還可以使用通過用熱固樹脂例如環(huán)氧基樹脂注入由例如玻璃布形成的襯底，并且將該熱固樹脂半硬化成板而得到的預(yù)浸材料，或者使用只由不含硅土填料的熱固樹脂制成的板材料。
如圖13所示，使用發(fā)出激光束的激光處理在上絕緣膜16的相應(yīng)于柱形電極12上表面的中央部分的那些部分形成孔17。然后，如果必要，通過清除工藝去除孔17等中出現(xiàn)的環(huán)氧涂污等。
如圖14所示，通過例如非電解鍍銅在上絕緣膜16的整個上表面上和柱形電極12通過孔17暴露出的上表面上形成上金屬內(nèi)涂層18。然后通過在上金屬內(nèi)涂層18的上表面上進行圖案化而形成抗電鍍膜41。在這種狀態(tài)下，在抗電鍍膜41的相應(yīng)于上部互連19的形成區(qū)的部分形成孔42。
然后通過使用金屬內(nèi)涂層18作為電鍍電流通路來進行非電解鍍銅，從而在抗電鍍膜41的孔42中、在上金屬內(nèi)涂層18的上表面上形成上部互連19。之后，去除抗電鍍膜41，并且通過使用上部互連19作為掩膜來刻蝕掉上金屬內(nèi)涂層18的不必需的部分。因此，如圖15所示，上金屬內(nèi)涂層18只保留在上部互連19之下。
如圖16所示，例如使用絲網(wǎng)印刷或旋涂在上絕緣膜16和上部互連19的上表面上形成阻焊膜20a，并且在下絕緣膜23的下表面形成阻焊膜24a。當之后進行加熱時，在絕緣膜16和上部互連19的上表面上形成最上層絕緣膜20，并且在下絕緣膜23的下表面形成最下層絕緣膜24。
在這個結(jié)構(gòu)中，分別用于形成最上層絕緣膜20和最下層絕緣膜24的阻焊膜20a和24a由相同的材料制成，并因此具有相同的熱膨脹系數(shù)。因此，如果阻焊膜20a和24a的厚度也相同，則在絕緣層14的部分中、在厚度方向上的材料設(shè)置是對稱的。結(jié)果，分別用于形成最上層絕緣膜20和最下層絕緣膜24的阻焊膜20a和24a在厚度方向上對稱地硬化和收縮，因此基板1的翹曲減小了。這使得后續(xù)步驟能夠順利進行，并保證了后續(xù)步驟中高的處理精度。
然后，通過光刻在最上層絕緣膜20相應(yīng)于上部互連19的連接焊盤部分的那些部分形成孔21。在孔21中和孔21之上形成焊球22，以便其與上部互連19的連接焊盤部分電連接。
如圖17所示，在彼此相鄰的半導體結(jié)構(gòu)體2之間將最上層絕緣膜20、上絕緣膜16、硬板15、絕緣層14、基板1、下絕緣膜23和最下層絕緣膜24切開。以這種方式，得到多個如圖1所示的半導體器件。
在這樣得到的每個半導體器件中，由與基板1相同的材料制成并具有與基板1相同厚度的硬板15和基板1分別形成在絕緣層14的上面和下面，上絕緣膜16和由與上絕緣膜16相同的材料制成并具有與上絕緣膜16基本相同厚度的下絕緣膜23分別形成在硬板15的上面和基板1的下面，而最上層絕緣膜20和由與最上層絕緣膜20相同材料制成并具有與最上層絕緣膜20基本相同厚度的最下層絕緣膜24分別形成在上絕緣膜16的上面和下絕緣膜23的下面。因此，在這部分中、在厚度方向上材料設(shè)置是基本對稱的，這使得整個結(jié)構(gòu)難以產(chǎn)生翹曲。
在上述制造方法中，多個半導體結(jié)構(gòu)體2通過粘接層3設(shè)置在基板1上，上部互連19和焊球22相對于半導體結(jié)構(gòu)體2共同形成，然后所得到的結(jié)構(gòu)被切割成多個半導體器件。因此，制造步驟可以簡化。另外，多個半導體結(jié)構(gòu)體2可以和基板1一起從圖11所示的制造步驟轉(zhuǎn)移。這也簡化了制造步驟。
第二實施例圖18是用于解釋本發(fā)明第二實施例的預(yù)定步驟中的組件的截面圖。在第一實施例中，在圖10所示的步驟之后，如圖11所示形成絕緣層14和硬板15，并且如圖12所示形成上絕緣膜16和下絕緣膜23。
相反，在本發(fā)明的第二實施例中，在圖10所示的步驟之后，在硬板15的上表面上形成上絕緣膜形成板16a，并且在基板1的下表面上形成下絕緣膜形成板23a，如圖18所示。然后，一對加熱/加壓板用于如圖12所示從上面和下面對所得到的結(jié)構(gòu)進行加熱加壓，從而同時形成絕緣層14、硬板15、上絕緣膜16和下絕緣膜23。因此，在這個實施例中，可以使加熱/加壓步驟的數(shù)目少于第一實施例。
當如上所述使用硬板15時，可以很好地減少移動到半導體結(jié)構(gòu)體2的上表面的熔化樹脂的量。因此，當絕緣層14、硬板15、上絕緣膜16和下絕緣膜23同時形成時，移動到半導體結(jié)構(gòu)體2的上表面的熔化樹脂的量非常少。因此，在半導體結(jié)構(gòu)體2上，可以使包括移動的熔化樹脂的上絕緣膜16的厚度基本上均勻。這促進了如圖13所示在上絕緣膜16中形成孔17的激光處理。換句話說，由于在上絕緣膜16中形成孔17的激光處理變得容易，所以絕緣層14、硬板15、上絕緣膜16和下絕緣膜23可以同時形成。
第三實施例圖19是用于解釋本發(fā)明第三實施例的預(yù)定步驟中的組件的截面圖。在第一實施例中，如圖10所示，兩個格狀絕緣層形成板14a和14b以及格狀硬板15圍繞著半導體結(jié)構(gòu)體2疊置在基板1的上表面上。
相反，在本發(fā)明的第三實施例中，如圖19所示，通過例如絲網(wǎng)印刷或者旋涂，圍繞著半導體結(jié)構(gòu)體2在基板1的上表面上形成由至少包含液態(tài)熱固樹脂的材料制成的絕緣層形成層14c。然后，將格狀硬板15放置在絕緣層形成層14c的上表面上。
隨后，將上絕緣膜形成板16a放置在硬板15的上表面上，并且將下絕緣膜形成板23a放置在基板1的下表面上。之后，一對加熱/加壓板用于如圖11所示從上面和下面對所得到的結(jié)構(gòu)進行加熱加壓，從而同時形成絕緣層14、硬板15、上絕緣膜16和下絕緣膜23。因此，在這個實施例中，可以使加熱/加壓步驟的數(shù)目少于第一實施例。
第四實施例圖20是用于解釋本發(fā)明第四實施例的預(yù)定步驟中的組件的截面圖。在第一實施例中，如圖10所示，兩個格狀的絕緣層形成板14a和14b以及格狀硬板15圍繞著半導體結(jié)構(gòu)體2疊置在基板1的上表面上。
相反，在本發(fā)明的第四實施例中，如圖20所示，通過例如絲網(wǎng)印刷或者旋涂，用至少包含液態(tài)熱固樹脂的材料涂敷硬板15的上表面，并且通過半硬化該熱固樹脂整體地形成絕緣層形成層14d。
然后，如圖21所示，通過例如沖孔、鉆孔或挖掘處理在絕緣層形成層14d和硬板15中形成多個矩形通孔35a和36，從而將絕緣層形成層14d和硬板15形成格狀。之后，如圖10所示，使圖20中所示的結(jié)構(gòu)倒置，并且圍繞著半導體結(jié)構(gòu)體2放置在基板1的上表面上。因此，在這個實施例中，可以使設(shè)置絕緣層形成層14d和硬板15的步驟數(shù)少于第一實施例。
第五實施例圖22是用于解釋本發(fā)明第五實施例的預(yù)定步驟中的組件的截面圖。在第一實施例中，如圖10所示，將一個硬板15放置在絕緣層形成板14b上。相反，在本發(fā)明的第五實施例中，如圖22所示，將另一個硬板15b插入具有相同厚度的兩個絕緣層形成板14a和14b之間。也就是，偶數(shù)個具有相同厚度的絕緣層形成板被堆疊起來，而將另一個硬板插入相鄰的板之間，以便在厚度方向上是對稱的。結(jié)果，可以使這個部分中、在厚度方向上的材料設(shè)置是對稱的。
第六實施例圖23是用于解釋本發(fā)明第六實施例的預(yù)定步驟中的組件的截面圖。在第一實施例中，基板1由至少包含熱固樹脂的材料制成，而硬板15由與基板1相同的材料制成，并且具有與基板1相同的厚度。相反，在本發(fā)明的第六實施例中，如圖23所示，使用例如由銅或不銹鋼制成的金屬板作為基板1a，而硬板15a由與基板1a相同的材料制成，并且具有與基板1a相同的厚度。也就是，基板1a和硬板15a不必由至少包含熱固樹脂的材料制成，而可以是由例如銅或不銹鋼制成的金屬板。還可以使用例如陶瓷襯底或玻璃襯底作為基板1和硬板15。
在這個實施例中，將上絕緣膜形成板16a放置在硬板15a的上表面上，將下絕緣膜形成板23a放置在基板1的下表面上，由此在形成板14a和14b的部分中使厚度方向的材料設(shè)置對稱。然后，一對加熱/加壓板用于從上面和下面對所得到的結(jié)構(gòu)進行加熱加壓，從而同時形成絕緣層14、硬板15a、上絕緣膜16和下絕緣膜23。
注意在圖23中，還可以通過使用由例如銅或不銹鋼制成的金屬板來形成基板1a和硬板15a中的一個，且通過使用具有與前者相同的熱膨脹系數(shù)并且至少包含熱固樹脂的材料來形成另一個。例如，銅的熱膨脹系數(shù)大約為16ppm/℃，而不銹鋼的熱膨脹系數(shù)為16ppm/℃。另一方面，完全硬化的玻璃布襯底環(huán)氧樹脂的熱膨脹系數(shù)為10到20ppm/℃。因此，硬板15可以由具有與基板1基本上相同的熱膨脹系數(shù)并且至少包含熱固樹脂的材料形成。
第七實施例圖24是根據(jù)本發(fā)明第七實施例的半導體器件的截面圖。這個半導體器件與圖中所示的不同之處在于在基板1的下表面上形成由阻焊劑制成的最下層絕緣膜24，而沒有形成任何由熱固樹脂例如環(huán)氧基樹脂制成的下絕緣膜23。
參考圖11，在加熱加壓后，包括基板1、形成在基板1上的半導體結(jié)構(gòu)體2、圍繞著半導體結(jié)構(gòu)體2形成在基板1上的絕緣層14、以及掩埋在絕緣層14的上表面中的硬板15的部分在圖1所示的整個半導體器件厚度方向上占大部分，占整個硬度的絕大部分，并且是整體發(fā)生翹曲的最有影響的部分。
因此，即使當如圖24所示的半導體器件中那樣，在基板1的下表面上形成由阻焊劑制成的最下層絕緣膜24，而不形成任何由熱固樹脂例如環(huán)氧基樹脂制成的下絕緣膜23，也可以將基板1的翹曲控制在允許的范圍內(nèi)。注意阻焊劑的收縮遠大于熱固樹脂例如環(huán)氧基樹脂的收縮。因此，省掉由阻焊劑制成的最下層絕緣膜24是不可取的，盡管可以省掉由熱固樹脂例如環(huán)氧基樹脂制成的下絕緣膜23。
也就是，在絕緣層14的部分、在厚度方向上材料設(shè)置的對稱性可以被稍稍打破，如果基板1的翹曲能控制到可容許的范圍之內(nèi)。因此，硬板15與基板1的厚度可以稍有不同，或者最下層絕緣膜24的厚度與最上層絕緣膜20的厚度可以稍有不同。當下絕緣膜23沒有被省掉，則下絕緣膜23的厚度可以與上絕緣膜16的厚度稍有不同。
第八實施例圖25是根據(jù)本發(fā)明第八實施例的半導體器件的截面圖。這個半導體器件的半導體結(jié)構(gòu)體2與圖2所示的半導體結(jié)構(gòu)體2的不同之處在于柱形電極12和包裹膜13都沒有形成，而且具有連接焊盤部分的互連11是作為外部連接電極形成的。在這個結(jié)構(gòu)中，包括上金屬內(nèi)涂層18的每個上部互連19的一個端部通過在上絕緣膜16中形成的孔17和孔17中的內(nèi)涂層的一部分連接到互連11的連接焊盤部分。
第九實施例圖26是根據(jù)本發(fā)明第九實施例的半導體器件的截面圖。這個半導體器件的半導體結(jié)構(gòu)體2與圖25所示的半導體結(jié)構(gòu)體2的不同之處在于在包括互連11的保護膜8的上表面上形成例如由環(huán)氧基樹脂或聚酰亞胺基樹脂制成的覆蓋膜43。在這個結(jié)構(gòu)中，在覆蓋膜43的相應(yīng)于互連11的連接焊盤部分的那些部分形成孔44。包括上金屬內(nèi)涂層18的每個上部互連19的一個端部通過形成在上絕緣膜16中的孔17和覆蓋膜43中的孔44連接到互連11的連接焊盤部分。
注意在圖26所示的半導體結(jié)構(gòu)體2中，最初不需要在覆蓋膜43中形成孔44。在這種情況下，如圖13所示，，通過發(fā)射激光束的激光處理，在上絕緣膜16和覆蓋膜43中連續(xù)形成孔17和44。
第十實施例圖27是根據(jù)本發(fā)明第十實施例的半導體器件的截面圖。這個半導體器件的半導體結(jié)構(gòu)體2與圖26所示的半導體結(jié)構(gòu)體2的不同之處在于在覆蓋膜43的孔44中和周圍形成作為外部連接電極的金屬內(nèi)涂層45和上連接焊盤46。包括金屬內(nèi)涂層45的每個上連接焊盤46連接到互連11的連接焊盤部分。同樣，包括上金屬內(nèi)涂層18的每個上部互連19的一個端部通過形成在上絕緣膜16中的孔17連接到上連接焊盤46。
圖25到圖27中所示的半導體結(jié)構(gòu)體2沒有圖1中示出的包裹膜13，所以每個半導體結(jié)構(gòu)體2的上表面容易受到機械損害。因此，為了制造圖25到圖27中所示的半導體器件，使用圖18和19所示的加熱/加壓步驟來代替圖11所示的加熱/加壓步驟。因為上絕緣膜形成板16a減小壓力，因此可以減小對半導體結(jié)構(gòu)體2的上表面的機械損害。
第十一實施例圖28是根據(jù)本發(fā)明第十一實施例的半導體器件的截面圖。這個半導體器件與圖1所示的半導體器件的大的差別在于在硬板15的上和下表面分別形成各自由金屬箔例如銅箔制成的上表面互連51和下表面互連52。上表面互連51是由固體圖案形成的地互連。下表面互連52是由固體圖案形成的電源互連。
下部互連52通過形成在硬板15中的垂直導電部分53連接到形成在硬板15上的中繼互連54。包括金屬內(nèi)涂層18的上部互連19的一部分的一個端部通過上絕緣膜16中的孔55連接到上表面互連51。包括金屬內(nèi)涂層18的上部互連19的另一部分的一個端部通過上絕緣膜16中的孔56連接到中繼互連54。
注意在圖28中，上部互連51是由固體圖案形成的地互連，所以形成這個地互連的互連51和在上絕緣膜16上的上部互連19也可形成微帶線結(jié)構(gòu)。由固體圖案形成的地互連或電源互連也可以只在硬板15的上表面上形成，以便連接到上部互連19。此外，也可以只在硬板15的上表面上形成普通的互連圖案，以便連接到上部互連19。
第十二實施例圖29是根據(jù)本發(fā)明第十二實施例的半導體器件的截面圖。這個半導體器件與圖1所示的半導體器件的大差別在于在基板1的上和下表面上分別形成各自由金屬箔例如銅箔制成的固體熱輻射層57和58。注意也可以只在基板1的一個表面上形成熱輻射層。
第十三實施例圖30是根據(jù)本發(fā)明第十三實施例的半導體器件的截面圖。這個半導體器件與圖1所示的半導體器件的大差別在于上絕緣膜、上部互連和下絕緣膜是兩層膜。也就是，在包括第一上部互連19A的第一上絕緣膜16A的上表面上，形成由與第一上絕緣膜16A相同的材料制成的第二上絕緣膜16B。在第二上絕緣膜16B的上表面上，形成包括金屬內(nèi)涂層18B的第二上部互連19B。
包括金屬內(nèi)涂層18A的第一上部互連19A的一個端部通過形成在第一上絕緣膜16A中的孔17A連接到柱形電極12的上表面。包括金屬內(nèi)涂層18B的第二上部互連19B的一個端部通過形成在第二上絕緣膜16B中的孔17B連接到第一上部互連19A的連接焊盤部分。焊球22通過形成在最上層絕緣膜20中的孔21連接到第二上部互連19B的連接焊盤部分。
為了減少制造過程中或之后基板1的翹曲，在基板1的下表面上形成由與第一上絕緣膜16A相同的材料制成且厚度相同的第一下絕緣膜23A，在第一下絕緣膜23A的下表面上形成由與第二上絕緣膜16B相同的材料制成且厚度相同的第二下絕緣膜23B，并且在第二下絕緣膜23B的下表面上形成由與最上層絕緣膜20相同的材料制成且厚度相同的最下層絕緣膜24。注意上絕緣膜、上部互連和下絕緣膜中的每一個也可以包括三層或更多層。
另一個實施例在前面所述的第一個實施例中，如圖17所示，在彼此相鄰的半導體結(jié)構(gòu)體2之間切割半導體晶片。然而，兩個或多個半導體結(jié)構(gòu)體2也可以一起分開作為一組，以得到一個多芯片模塊的半導體器件。在這個半導體器件中，形成一組的多個半導體結(jié)構(gòu)體2的類型可以相同也可以不同。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易想到其他的優(yōu)點和修改。因此，本發(fā)明在廣義方面不限于這里描述和顯示的具體細節(jié)和代表實施例。因此，可以在不脫離由附屬的權(quán)利要求和他們的等價物限定的總的發(fā)明概念的精神和范圍的情況下做出各種修改。
權(quán)利要求
1.一種半導體器件，包括基板(1)；半導體結(jié)構(gòu)體(2)，形成在該基板(1)上，并且具有半導體襯底(4)和形成在該半導體襯底(4)上的多個外部連接電極(5、12)；絕緣層(14)，形成在該基板(1)上圍繞著該半導體結(jié)構(gòu)體(2)；硬板(15)，形成在該絕緣層(14)上；以及互連(19)，連接到該半導體結(jié)構(gòu)體(2)的外部連接電極(5、12)。
2.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中所述硬板(15)由與所述基板(1)基本上相同的材料制成。
3.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中所述硬板(15)具有與所述基板(1)基本相同的厚度。
4.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中所述基板(1)與硬板(15)由至少包含熱固樹脂的材料制成。
5.如權(quán)利要求4所述的半導體器件，其中所述基板(1)與硬板(15)由包括無機材料的襯底形成。
6.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中所述硬板(15)由與所述絕緣層(14)相同的材料制成。
7.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中所述硬板(15)由具有與基板(1)基本上相同的熱膨脹系數(shù)的材料制成。
8.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中所述基板(1)和硬板(15)之一由金屬板(1a、15a)制成，而另一個由至少包含熱固樹脂的材料制成。
9.如權(quán)利要求8所述的半導體器件，其中所述金屬板(1a、15a)由選自銅和不銹鋼構(gòu)成的組中的材料制成。
10.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中所述硬板(15)的至少一部分掩埋在所述絕緣層(14)中。
11.如權(quán)利要求10所述的半導體器件，其中所述硬板(15)的上表面基本上與所述絕緣層(14)的上表面平齊。
12.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中由與所述硬板(15)相同的材料制成的另一個硬板(15b)形成在所述絕緣層(14)中。
13.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中所述互連(19)是形成在上絕緣膜(16)上的上部互連，所述上絕緣膜(16)形成在所述半導體結(jié)構(gòu)體(2)和硬板(15)上。
14.如權(quán)利要求13所述的半導體器件，其中由基本上與所述上絕緣膜(16)相同的材料制成的下絕緣膜(23、24)形成在所述基板(1)之下。
15.如權(quán)利要求13所述的半導體器件，還包括最上層絕緣膜(20)，其覆蓋了除所述上部互連(19)的連接焊盤部分之外的部分，以及最下層絕緣膜(24)，其形成在所述基板(1)的最下部表面上，并且由基本上與所述最上層絕緣膜(20)相同的材料制成。
16.如權(quán)利要求15所述的半導體器件，其中所述最上層絕緣膜(20)和所述最下層絕緣膜(24)由阻焊劑形成。
17.如權(quán)利要求15所述的半導體器件，其中焊球(22)形成在所述上部互連(19)的所述連接焊盤部分上。
18.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中至少在所述硬板(15)的上表面上形成由固體圖案制成的接地層(51)和電源層(52)之一，以便連接到所述互連(19)。
19.如權(quán)利要求18所述的半導體器件，其中所述固體圖案是接地層(51)，并且所述接地層(51)和上部互連(19)形成微帶線結(jié)構(gòu)。
20.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中在所述基板(1)的至少一個表面上形成熱輻射層(57、58)。
21.一種半導體器件制造方法，包括在基板(1)上分別設(shè)置多個半導體結(jié)構(gòu)體(2)，每個半導體結(jié)構(gòu)體(2)具有半導體襯底(4)和形成在所述半導體襯底(4)上的多個外部連接電極(5、12)，圍繞著每個半導體結(jié)構(gòu)體(2)、在所述基板(1)上形成由包含樹脂的材料制成的絕緣層形成層(14a、14b)，該樹脂選自由半硬化樹脂和液態(tài)樹脂構(gòu)成的組，并且在所述絕緣層形成層(14a、14b)上放置硬板(15)，該硬板(15)在相應(yīng)于每個半導體結(jié)構(gòu)體的部分中有孔(35)；進行加熱和加壓，以通過完全硬化所述絕緣層形成層(14a、14b)中的所述半硬化樹脂或液態(tài)樹脂圍繞著每個半導體結(jié)構(gòu)體(2)在所述基板(1)上形成絕緣層(14)，并且將所述硬板(15)的至少一部分掩埋在所述絕緣層(14)中；形成將要連接到每個半導體結(jié)構(gòu)體(2)的所述外部連接電極(5、12)的互連(19)；以及通過在所述半導體結(jié)構(gòu)體(2)之間切割所述硬板(15)、絕緣層(14)和基板(1)來得到多個半導體器件。
22.如權(quán)利要求21所述的半導體器件制造方法，其中所述絕緣層形成層(14a、14b)由半硬化的且在相應(yīng)于每個半導體結(jié)構(gòu)體(2)的部分中具有孔(35)的絕緣層形成板(14a、14b)制成。
23.如權(quán)利要求22所述的半導體器件制造方法，其中形成所述絕緣層形成層還包括在所述硬板上形成另一個絕緣層形成板(14a、14b)，并且在所述另一個絕緣層形成板上放置另一個硬板。
24.如權(quán)利要求21所述的半導體器件制造方法，其中形成所述絕緣層形成板(14a、14b)包括圍繞著所述半導體結(jié)構(gòu)體(2)在所述基板(1)上涂敷含有液態(tài)熱固樹脂的材料。
25.如權(quán)利要求21所述的半導體器件制造方法，其中所述絕緣層形成層(14a、14b)是半硬化的，并且整體地形成在所述硬板(15)的上表面上。
26.如權(quán)利要求21所述的半導體器件制造方法，其中所述硬板(15)由基本上與所述基板(1)相同的材料制成。
27.如權(quán)利要求21所述的半導體器件制造方法，其中所述硬板(15)具有與所述基板(1)基本上相同的厚度。
28.如權(quán)利要求21所述的半導體器件制造方法，其中所述基板(1)和硬板(15)由至少包含熱固樹脂的材料制成。
29.如權(quán)利要求21所述的半導體器件制造方法，其中所述基板(1)和硬板(15)由包含無機材料的襯底形成。
30.如權(quán)利要求21所述的半導體器件制造方法，其中所述硬板(15)由基本上與所述絕緣層(14)相同的材料制成。
31.如權(quán)利要求21所述的半導體器件制造方法，其中所述硬板(15)由熱膨脹系數(shù)基本上與所述基板(1)相同的材料制成。
32.如權(quán)利要求21所述的半導體器件制造方法，其中所述基板(1)和硬板(15)之一由金屬板(1a、15a)制成，而另一個由至少包含熱固樹脂的材料制成。
33.如權(quán)利要求32所述的半導體器件制造方法，其中所述金屬板(1a、15a)由從包括銅和不銹鋼的組中選擇的材料制成。
34.如權(quán)利要求21所述的半導體器件制造方法，其中所述互連(19)是上部互連，并且該方法還包括在所述硬板(15)上形成上絕緣膜(16)，且在所述上絕緣膜(16)上形成所述上部互連(19)。
35.如權(quán)利要求34所述的半導體器件制造方法，其中在所述硬板上形成所述上絕緣膜包括形成半硬化的所述上絕緣膜(16)，以及通過加熱和加壓完全硬化所述上絕緣膜。
36.如權(quán)利要求35所述的半導體器件制造方法，其中通過加熱和加壓使所述絕緣層(14)和上絕緣膜(16)同時完全硬化。
37.如權(quán)利要求35所述的半導體器件制造方法，其中在通過加熱和加壓使所述上絕緣膜(16)完全硬化的同時，在所述基板(1)的下表面上形成由與所述上絕緣膜(16)基本上相同的材料制成的下絕緣膜(23、24)。
38.如權(quán)利要求37所述的半導體器件制造方法，其中通過加熱和加壓使所述絕緣層(14)、上絕緣膜(16)和下絕緣膜(23、24)同時完全硬化。
39.如權(quán)利要求34所述的半導體器件制造方法，還包括形成覆蓋除所述上部互連(19)的連接焊盤部分之外的部分的最上層絕緣膜(20)，并且在所述基板(1)的最下層表面上形成由與所述最上層絕緣膜(20)基本上相同的材料制成的最下層絕緣膜(24)。
40.如權(quán)利要求39所述的半導體器件制造方法，其中所述最上層絕緣膜(20)和最下層絕緣膜(24)由阻焊劑形成。
41.如權(quán)利要求39所述的半導體器件制造方法，還包括在所述上部互連(19)的連接焊盤部分上形成焊球(22)。
全文摘要
一種半導體器件包括基板(1)，和形成在基板(1)上的半導體結(jié)構(gòu)體(2)。半導體結(jié)構(gòu)體具有半導體襯底(4)和形成在半導體襯底(4)上的多個外部連接電極(5、12)。絕緣層(14)圍繞著半導體結(jié)構(gòu)體(2)形成在基板(1)上。硬板(15)形成在絕緣層(14)上。互連(19)連接到半導體結(jié)構(gòu)體(2)的外部連接電極(5、12)。
文檔編號H01L23/16GK1830081SQ20048002220
公開日2006年9月6日 申請日期2004年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月25日
發(fā)明者定別當?？?申請人:卡西歐計算機株式會社