專利名稱：各向異性導(dǎo)電連接器、探測(cè)部件和晶片檢測(cè)設(shè)備以及晶片檢測(cè)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種適用于在晶片狀態(tài)下對(duì)形成在晶片上的多個(gè)集成電路進(jìn)行電檢測(cè)的各向異性導(dǎo)電連接器、備有這種各向異性導(dǎo)電連接器的探測(cè)部件、備有這種探測(cè)部件的晶片檢測(cè)設(shè)備以及使用這種探測(cè)部件的晶片檢測(cè)方法，特別涉及適用于在晶片狀態(tài)下對(duì)形成在具有例如8英寸或更大的直徑的晶片上并且具有要檢測(cè)的總共至少5000個(gè)電極的集成電路進(jìn)行電檢測(cè)的各向異性導(dǎo)電連接器、備有這種各向異性導(dǎo)電連接器的探測(cè)部件、備有這種探測(cè)部件的晶片檢測(cè)設(shè)備以及使用這種探測(cè)部件的晶片檢測(cè)方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體集成電路的制造工藝中，在大量集成電路形成在例如由硅構(gòu)成的晶片上之后，一般通過(guò)檢測(cè)這些集成電路的每個(gè)的基本電性能而對(duì)有缺陷集成電路進(jìn)行分類的探針測(cè)試。然后切割這個(gè)晶片，由此形成半導(dǎo)體芯片。這種半導(dǎo)體芯片被包含并密封在各自合適的封裝中。對(duì)每個(gè)被封裝的半導(dǎo)體集成電路器件進(jìn)一步進(jìn)行老化測(cè)試，通過(guò)在高溫環(huán)境下檢測(cè)電性能來(lái)而對(duì)具有潛在缺陷的半導(dǎo)體集成電路器件進(jìn)行分類。
在這種集成電路的電檢測(cè)中，如探針測(cè)試或老化測(cè)試，使用探測(cè)部件用于將在檢測(cè)目標(biāo)中要被檢測(cè)的每個(gè)電極電連接到測(cè)試器上。作為這種探測(cè)部件，已知一種由檢測(cè)用電路板和各向異性導(dǎo)電彈性板構(gòu)成的部件，在檢測(cè)用電路板上根據(jù)對(duì)應(yīng)要檢測(cè)的電極的圖形的圖形形成了檢測(cè)電極，并且所述各向異性導(dǎo)電彈性板設(shè)置在這個(gè)檢測(cè)用電路板上。
作為這種各向異性導(dǎo)電彈性板，以前已經(jīng)公知了各種結(jié)構(gòu)。例如，下面的現(xiàn)有技術(shù)1公開了一種通過(guò)在彈性體中均勻地分散金屬顆粒而獲得的各向異性導(dǎo)電彈性板(以下稱為“分散型各向異性導(dǎo)電彈性板”)，下面的現(xiàn)有技術(shù)2公開了一種各向異性導(dǎo)電彈性板(以下稱為“非均勻分布型各向異性導(dǎo)電彈性板”)，它是通過(guò)在彈性體中非均勻地分布導(dǎo)電磁性物質(zhì)的顆粒，從而形成在其厚度方向延伸的大量導(dǎo)電部分和用于使它們相互絕緣的絕緣部分而獲得的。此外，下面的現(xiàn)有技術(shù)3公開了一種在導(dǎo)電部分和絕緣部分的表面之間有限定的水平差異的非均勻分布型各向異性導(dǎo)電板。
在非均勻分布型各向異性導(dǎo)電彈性板中，由于導(dǎo)電部分是根據(jù)對(duì)應(yīng)要檢測(cè)的集成電路的要檢測(cè)的電極圖形而形成的，因此與分散型各向異性導(dǎo)電彈性板相比有利之處在于即使在集成電路的要檢測(cè)的電極的設(shè)置間距，亦即要檢測(cè)的相鄰電極之間的中心距離很小的情況下，也可以高度可靠地實(shí)現(xiàn)電極之間的電連接。在非均勻分布型各向異性導(dǎo)電彈性板當(dāng)中，具有在從絕緣部分的表面突出的狀態(tài)下形成的導(dǎo)電部分，其優(yōu)點(diǎn)是可以以小的壓力實(shí)現(xiàn)高度導(dǎo)電性。
在這種非均勻分布型各向異性導(dǎo)電彈性板中，在對(duì)它們進(jìn)行電連接的操作中必須將其保持和固定在相對(duì)于檢測(cè)用電路板和檢測(cè)目標(biāo)的特定位置上。
該各向異性導(dǎo)電彈性板是柔性的并且容易變形，因此其操作性能很低。此外，利用近年來(lái)電子產(chǎn)品的最小化或高密度布線，其中使用的集成電路器件趨于隨著電極數(shù)量增加而高密度地設(shè)置電極，并且電極的設(shè)置間距變小。因此，在將其電連接到檢測(cè)目標(biāo)的待檢測(cè)電極上時(shí)，非均勻分布型各向異性導(dǎo)電彈性板的定位和保持與固定變得非常困難。
在老化測(cè)試中，存在的問(wèn)題是即使已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了非均勻分布型各向異性導(dǎo)電彈性板至集成電路器件的必須的定位和保持與固定時(shí)，當(dāng)通過(guò)溫度變化對(duì)它們進(jìn)行熱遲滯作用時(shí)，在非均勻分布型各向異性導(dǎo)電彈性板和集成電路器件要檢測(cè)的電極之間發(fā)生位置偏移，這是因?yàn)闃?gòu)成作為檢測(cè)目標(biāo)的集成電路器件的材料(例如，硅)和構(gòu)成非均勻分布型各向異性導(dǎo)電彈性板的材料(例如硅酮橡膠)之間的熱膨脹系數(shù)大大不同，結(jié)果是，改變了電連接狀態(tài)，并因此不能保持穩(wěn)定的連接狀態(tài)。
為了解決這個(gè)問(wèn)題，有人建議了一種各向異性導(dǎo)電連接器，它由具有開口的金屬制框架板和設(shè)置在這個(gè)框架板的開口中并在其周邊邊緣通過(guò)靠著框架板的開口邊緣而被支撐的各向異性導(dǎo)電板構(gòu)成(例如，參見下列現(xiàn)有技術(shù)4)。
這種各向異性導(dǎo)電連接器一般是通過(guò)以下方式制造的。
如圖31所示，提供一種用于模制各向異性導(dǎo)電彈性板的由構(gòu)成一對(duì)的上模81和下模85構(gòu)成的模具，具有開口91的框架板90以對(duì)準(zhǔn)的方式設(shè)置在這個(gè)模具中，并且將模制材料饋送到包括框架板90的開口91和開口邊緣的區(qū)域中，從而形成模制材料層95，其中所述模制材料具有分散在聚合物形成材料中的呈現(xiàn)磁性的導(dǎo)電顆粒。這里，模制材料層95中包含的導(dǎo)電顆粒P處于分散在模制材料層95中的狀態(tài)下。
在該模具中的上模81和下模85的每個(gè)中，根據(jù)對(duì)應(yīng)要模制的各向異性導(dǎo)電彈性板的導(dǎo)電部分的圖形的圖形在基板82或86上形成多個(gè)鐵磁物質(zhì)層83或87，所述基板82或86例如由鐵磁物質(zhì)構(gòu)成，并且在其上形成鐵磁物質(zhì)層83或87的部分以外的其它部分上形成非磁性物質(zhì)層84或88。通過(guò)鐵磁物質(zhì)層83或87和非磁性物質(zhì)層84或88形成模制表面。在鐵磁物質(zhì)層83和87分別位于其上的上模81和下模85的模制表面的位置上形成凹陷部分84a和84b，用于在各向異性導(dǎo)電彈性板上形成突起部分。上模81和下模85按照以下方式設(shè)置，即它們的對(duì)應(yīng)鐵磁物質(zhì)層83和87彼此相對(duì)。
然后在上模81的上表面和下模85的下表面上設(shè)置例如一對(duì)電磁體，并且該電磁體工作，由此將在上模81的鐵磁物質(zhì)層83和下模85的它們的對(duì)應(yīng)鐵磁物質(zhì)層87之間的部分上，即變?yōu)閷?dǎo)電部分的部分上而不是其它部分上的具有較高強(qiáng)度的磁場(chǎng)在模制材料層95的厚度方向施加于模制材料層95。結(jié)果是，分散在模制材料層95中的導(dǎo)電顆粒P集聚在具有較高強(qiáng)度的磁場(chǎng)施加于模制材料層95的部分上，即上模81的鐵磁物質(zhì)層83和下模85的它們的對(duì)應(yīng)鐵磁物質(zhì)層87之間的部分上，并進(jìn)一步取向，以便在厚度方向?qū)?zhǔn)。在這個(gè)狀態(tài)下，對(duì)模制材料層95進(jìn)行固化處理，由此各向異性導(dǎo)電彈性板由多個(gè)導(dǎo)電部分和絕緣部分構(gòu)成，其中所述導(dǎo)電部分中含有以對(duì)準(zhǔn)厚度方向進(jìn)行取向的導(dǎo)電顆粒P，并且絕緣部分用于使這些導(dǎo)電部分相互絕緣并具有使導(dǎo)電部分從絕緣部分的表面突出的突起部分，突起部分在其周邊邊緣被靠著框架板的開口邊緣支撐的狀態(tài)下被模制，由此制成各向異性導(dǎo)電連接器。
根據(jù)這種各向異性導(dǎo)電連接器，它是難以變形的并且容易操作，因?yàn)樵摳飨虍愋詫?dǎo)電彈性板由金屬制框架板支撐。在框架板中預(yù)先形成定位標(biāo)記(例如孔)，由此可以在對(duì)集成電路器件進(jìn)行電連接操作時(shí)很容易進(jìn)行集成電路器件的定位和保持與固定。此外，熱膨脹系數(shù)低的材料用做形成框架板的材料，由此通過(guò)該框架板抑制了各向異性導(dǎo)電板的熱膨脹，從而即使在通過(guò)溫度變化對(duì)它們進(jìn)行熱遲滯作用時(shí)也可以防止在非均勻分布型各向異性導(dǎo)電彈性板的導(dǎo)電部分和集成電路器件的要檢測(cè)的電極之間發(fā)生位置偏移。結(jié)果是，可以穩(wěn)定地保持良好的電連接。
由此，在對(duì)形成在晶片上的集成電路進(jìn)行探針測(cè)試時(shí)，已經(jīng)有人提出了一種方法，在形成在晶片上的大量集成電路當(dāng)中在由16或32個(gè)集成電路構(gòu)成的一組集成電路上共同地進(jìn)行探針測(cè)試，并且在其它組的集成電路上依次進(jìn)行探針測(cè)試。
近年來(lái)，需要在形成在晶片上的大量集成電路當(dāng)中的例如64或124個(gè)集成電路上或所有集成電路上共同進(jìn)行探針測(cè)試，以便提高檢測(cè)效率和減少檢測(cè)成本。
另一方面，在老化測(cè)試中，需要長(zhǎng)時(shí)間來(lái)單獨(dú)地進(jìn)行大量集成電路器件的電檢測(cè)，因?yàn)樽鳛闄z測(cè)目標(biāo)的每個(gè)集成電路器件都是很精細(xì)的，并且其操縱是不方便的，由此檢測(cè)成本顯著增高。鑒于這些原因，已經(jīng)有人提出了一種WLBI(Wafer Lebel Burn-in)測(cè)試，其中在晶片的狀態(tài)下在形成在晶片上的大量集成電路上共同進(jìn)行老化測(cè)試。
當(dāng)作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片是大尺寸時(shí)，例如直徑至少為8英寸，并且其上形成的待檢測(cè)電極的數(shù)量例如至少為5000個(gè)，特別是至少10000個(gè)，但是，當(dāng)施加上述各向異性導(dǎo)電連接器作為用于探針測(cè)試或WLBI測(cè)試的探測(cè)部件時(shí)，將發(fā)生下列問(wèn)題，這是因?yàn)槊總€(gè)集成電路中的待檢測(cè)電極之間的間距非常小。
換言之，為了檢測(cè)具有例如8英寸(大約20cm)直徑的晶片，必須使用具有大約8英寸直徑的各向異性導(dǎo)電彈性板作為各向異性導(dǎo)電連接器。然而，這種各向異性導(dǎo)電彈性板的整個(gè)面積很大，但是每個(gè)導(dǎo)電部分很細(xì)，并且導(dǎo)電部分的表面與各向異性導(dǎo)電彈性板的整個(gè)表面的面積比很低。因此有把握地制造出這種各向異性導(dǎo)電彈性板是極其困難的。
此外，由于要形成的導(dǎo)電部分很細(xì)和間距極小，因此難以確保制造在相鄰導(dǎo)電部分之間具有所需絕緣性能的各向異性導(dǎo)電彈性板。這被認(rèn)為是由于下列原因造成的。
如上所述，在制造各向異性導(dǎo)電彈性板期間，具有強(qiáng)度分布的磁場(chǎng)施加于模制材料層，所述模制材料層具有在其厚度方向分散在聚合物形成材料中的呈現(xiàn)磁性的導(dǎo)電顆粒，由此形成導(dǎo)電顆粒致密地聚集在一起的部分以及導(dǎo)電顆粒稀少的部分，并且對(duì)這種模制材料層進(jìn)行固化處理，由此形成其中致密地含有導(dǎo)電顆粒的導(dǎo)電部分和其中根本不含或稀少地含有導(dǎo)電顆粒的絕緣部分。
然而，當(dāng)制造適于具有8英寸或更大直徑和至少5000個(gè)待檢測(cè)電極的晶片的各向異性導(dǎo)電彈性板時(shí)，即使使用上述模具，導(dǎo)電顆粒也難以聚集到所希望的部分，并且具有強(qiáng)度分布的磁場(chǎng)施加于模制材料層，這是因?yàn)閬?lái)自鄰接鐵磁物質(zhì)層的磁場(chǎng)互相影響。當(dāng)特別制造具有突起部分的各向異性導(dǎo)電彈性板時(shí)，通過(guò)形成在模具的模制表面上的凹陷部分抑制了導(dǎo)電顆粒在橫向的移動(dòng)，從而使導(dǎo)電顆粒更難以聚集在所希望的部分上。
相應(yīng)地，在得到的各向異性導(dǎo)電彈性板中，導(dǎo)電顆粒沒有以填充在導(dǎo)電部分中所需量，由此不僅使導(dǎo)電部分的導(dǎo)電性下降，而且使導(dǎo)電顆粒保持在絕緣部分中，從而鄰接導(dǎo)電部分之間的電阻值降低，從而難以確保鄰接導(dǎo)電部分之間的所需絕緣性能。
近年來(lái)已經(jīng)制造了其上已經(jīng)形成了具有突起電極(凸塊)的集成電路的晶片，并且在其制造工藝中進(jìn)行形成在這個(gè)晶片上的集成電路的電檢測(cè)。
然而，當(dāng)具有突起部分的各向異性導(dǎo)電彈性板用在這種晶片中時(shí)，各向異性導(dǎo)電彈性板存在其重復(fù)使用的耐久性降低的問(wèn)題。
更具體地說(shuō)，重復(fù)地進(jìn)行使突起電極在壓力下與各向異性導(dǎo)電彈性板的導(dǎo)電部分接觸的操作，其中所述突起電極是作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片中的待檢測(cè)電極，由此導(dǎo)電部分的突起部分在前一級(jí)碰撞，并在導(dǎo)電部分中發(fā)生永久變形，從而在導(dǎo)電部分和待檢測(cè)電極之間不能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的電連接。
除了對(duì)形成在晶片上的所有集成電路共同地進(jìn)行探針測(cè)試的方法以外，用于對(duì)高度集成地形成在具有8英寸或12英寸直徑的晶片上的集成電路進(jìn)行探針測(cè)試的方法還包括以下方法將晶片分成2個(gè)或更多個(gè)區(qū)域，以便對(duì)形成在每個(gè)分割區(qū)域中的集成電路共同進(jìn)行探針測(cè)試。希望這種方法中使用的各向異性導(dǎo)電彈性板具有重復(fù)使用的高度耐久性，以便減少檢測(cè)成本。
現(xiàn)有技術(shù)1日本專利申請(qǐng)?zhí)卦S公開No.93393/1976；現(xiàn)有技術(shù)2日本專利申請(qǐng)?zhí)卦S公開No.147772/1978；現(xiàn)有技術(shù)3日本專利申請(qǐng)?zhí)卦S公開No.250906/1986；現(xiàn)有技術(shù)4日本專利申請(qǐng)?zhí)卦S公開No.40224/1999。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是在前述情況的基礎(chǔ)上做出的，并且其第一目的是提供一種各向異性導(dǎo)電連接器，利用該導(dǎo)電連接器，即使在晶片具有例如直徑為8英寸或更大的大面積和在形成的集成電路中的要檢測(cè)的電極間距很小時(shí)，也可以很容易地進(jìn)行定位、保持和固定到作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片上，確保實(shí)現(xiàn)了對(duì)于所有用于連接的導(dǎo)電部分的良好導(dǎo)電性，確保實(shí)現(xiàn)了用于連接的相鄰導(dǎo)電部分之間的絕緣性，并且即使在重復(fù)使用的長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)也可保持良好的導(dǎo)電性。
除了上述目的之外，本發(fā)明的第二目的是提供一種各向異性導(dǎo)電連接器，即使在小負(fù)載下加壓時(shí)也實(shí)現(xiàn)了對(duì)于用于連接的導(dǎo)電部分的良好導(dǎo)電性。
除了上述目的之外，本發(fā)明的第三目的是提供一種各向異性導(dǎo)電連接器，甚至通過(guò)環(huán)境變化如由于溫度變化導(dǎo)致的熱磁滯作用，也可以穩(wěn)定地保持良好的電連接狀態(tài)。
本發(fā)明的第四目的是提供一種探測(cè)部件，通過(guò)該探測(cè)部件，即使在晶片具有例如直徑為8英寸或更大的大面積和在形成的集成電路中的要檢測(cè)的電極間距很小時(shí)，也可以很容易地進(jìn)行定位、保持和固定到作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片上，而且連接到要檢測(cè)的每個(gè)電極上的可靠性很高，并且即使在重復(fù)使用的長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)也可保持良好的導(dǎo)電性。
本發(fā)明的第五目的是提供一種各向異性導(dǎo)電連接器和探測(cè)部件，即使在對(duì)于以高集成度形成在具有8英寸或12英寸的直徑的晶片上的集成電路進(jìn)行探針測(cè)試，本發(fā)明也具有重復(fù)使用的高度耐久性。
本發(fā)明的第六目的是提供一種各向異性導(dǎo)電連接器和探測(cè)部件，即使在對(duì)于具有以高集成度形成在大面積晶片上的突起電極的集成電路進(jìn)行電檢測(cè)，本發(fā)明也具有重復(fù)使用的高度耐久性。
本發(fā)明的第七目的是提供一種晶片檢測(cè)設(shè)備和晶片檢測(cè)方法，使用上述探測(cè)部件在晶片狀態(tài)下對(duì)形成在晶片上的多個(gè)集成電路進(jìn)行電檢測(cè)。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種各向異性導(dǎo)電連接器，它包括各具有功能部件的彈性各向異性導(dǎo)電膜，其中含有導(dǎo)電顆粒并在膜的厚度方向延伸的多個(gè)連接用導(dǎo)電部件以通過(guò)絕緣部件相互絕緣的狀態(tài)設(shè)置，其中假設(shè)彈性各向異性導(dǎo)電膜的功能部件中的連接用導(dǎo)電部件的厚度為T1，功能部件中的絕緣部件的厚度為T2，則比例(T2/T1)至少為0.9。
根據(jù)本發(fā)明，還提供一種各向異性導(dǎo)電連接器，它適于用來(lái)在晶片狀態(tài)下對(duì)形成在晶片上的多個(gè)集成電路的每個(gè)進(jìn)行電檢測(cè)，其包括框架板，其中在形成在作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片上的所有或部分集成電路中對(duì)應(yīng)電極區(qū)形成多個(gè)各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔，每個(gè)所述設(shè)置孔穿過(guò)框架板的厚度方向延伸，所述電極區(qū)中設(shè)置了要檢測(cè)的電極，并且多個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜設(shè)置在這個(gè)框架板中的各個(gè)各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔中，而且各由各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔附近的周邊部件支撐，其中每個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜備有功能部件，該功能部件具有多個(gè)連接用導(dǎo)電部件和絕緣部件，所述連接用導(dǎo)電部件對(duì)應(yīng)形成在作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片上的集成電路中的要檢測(cè)電極而設(shè)置、以高密度含有呈現(xiàn)磁性的導(dǎo)電顆粒并在膜的厚度方向延伸，并且所述絕緣部件使這些連接用導(dǎo)電部件相互絕緣，和其中假設(shè)彈性各向異性導(dǎo)電膜的功能部件中的連接用導(dǎo)電部件的厚度為T1，功能部件中的絕緣部件的厚度為T2，則比例(T2/T1)至少為0.9。
在這種各向異性導(dǎo)電連接器中，每個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜中的功能部件的至少一個(gè)表面優(yōu)選可以是平的。
優(yōu)選地，每個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜中的功能部件的所述至少一個(gè)平表面形成得從任何其它部分突出。
假設(shè)所有彈性各向異性導(dǎo)電膜的功能部件的一個(gè)表面的面積總和是S1，在已經(jīng)形成要檢測(cè)的電極的一側(cè)上的作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片的表面的面積S2，則比例S1/S2為0.001到0.3。
框架板的線熱膨脹系數(shù)優(yōu)選最大為3×10-5/K。
根據(jù)本發(fā)明，進(jìn)一步提供一種用于在晶片狀態(tài)下電檢測(cè)形成在晶片上的多個(gè)集成電路的每個(gè)的探測(cè)部件，包括檢測(cè)用電路板，在其表面上，根據(jù)對(duì)應(yīng)形成在作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片上的集成電路的要檢測(cè)的電極圖形的圖形形成檢測(cè)電極，并且上述各向異性導(dǎo)電連接器具有框架板并設(shè)置在檢測(cè)用電路板的表面上。
在根據(jù)本發(fā)明的探測(cè)部件中，優(yōu)選地，各向異性導(dǎo)電連接器中的框架板的線性熱膨脹系數(shù)至多為3×10-5/K，并且構(gòu)成檢測(cè)用電路板的基本材料的線性熱膨脹系數(shù)至多為3×10-5/K。
在探測(cè)部件中，由絕緣板和多個(gè)電極結(jié)構(gòu)構(gòu)成的板狀連接器可以設(shè)置在各向異性導(dǎo)電連接器上，所述多個(gè)電極結(jié)構(gòu)各穿過(guò)絕緣板在其厚度方向延伸并根據(jù)對(duì)應(yīng)要檢測(cè)的電極圖形的圖形進(jìn)行設(shè)置。
根據(jù)本發(fā)明，仍然提供一種用于在晶片狀態(tài)下進(jìn)行形成在晶片上的多個(gè)集成電路的每個(gè)的電檢測(cè)的晶片檢測(cè)設(shè)備，包括上述探測(cè)部件，其中通過(guò)該探測(cè)部件實(shí)現(xiàn)了與形成在作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片上的集成電路的電連接。
根據(jù)本發(fā)明，還提供一種晶片檢測(cè)方法，包括以下步驟通過(guò)上述探測(cè)部件將形成在晶片上的多個(gè)集成電路的每個(gè)電連接到測(cè)試器上，從而進(jìn)行形成在晶片上的集成電路的電檢測(cè)。
根據(jù)本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電連接器，在每個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜中的具有連接用導(dǎo)電部件的功能部件的周邊邊緣上形成將被支撐的部分，并將這個(gè)要支撐的部分固定到框架板中的各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔附近的周邊上，從而各向異性導(dǎo)電連接器難以變形并且容易操縱，而且在對(duì)晶片進(jìn)行電連接操作時(shí)很容易進(jìn)行向作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片的定位、保持和固定。
此外，在每個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜的功能部件中的連接用導(dǎo)電部件和絕緣部件之間不存在或幾乎不存在厚度差，從而在形成彈性各向異性導(dǎo)電膜時(shí)使用的模具具有平坦模制表面或凹陷部分的深度很小的模制表面，因此在向模制材料層施加磁場(chǎng)時(shí)不阻止導(dǎo)電顆粒的移動(dòng)，并且導(dǎo)電顆粒很容易集中到成為連接用導(dǎo)電部件的部分上，同時(shí)幾乎不保留在成為模制材料層中的絕緣部件的部分上。結(jié)果是，對(duì)于形成的所有連接用導(dǎo)電部件確保實(shí)現(xiàn)了良好的導(dǎo)電性，并在相鄰連接用導(dǎo)電部件之間可靠地實(shí)現(xiàn)了充分的絕緣性能。
此外，在每個(gè)各向異性導(dǎo)電膜的功能部件的表面中在連接用導(dǎo)電部件和絕緣部件之間不存在或幾乎不存在高度差，從而，即使在作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片具有要檢測(cè)的突出電極的情況下，也可以避免或抑制由于其突出部分的擠壓而導(dǎo)致連接用導(dǎo)電部件的永久變形，并且實(shí)現(xiàn)了重復(fù)使用的高耐久性。
根據(jù)如下結(jié)構(gòu)，其中功能部件的一個(gè)平表面形成得從任何其它部分突出，并且功能部件的一個(gè)表面的面積與作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片的表面的面積之比在指定范圍內(nèi)，在厚度方向?qū)Ω飨虍愋詫?dǎo)電連接器加壓時(shí)只對(duì)功能部件集中施加負(fù)載，從而即使在小負(fù)載下對(duì)各向異性導(dǎo)電連接器加壓時(shí)也可以在連接用導(dǎo)電部件上保證實(shí)現(xiàn)良好的導(dǎo)電性。
由于框架板中的各個(gè)各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔對(duì)應(yīng)作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片中的集成電路的其中形成要檢測(cè)的電極的電極區(qū)形成，并且設(shè)置在每個(gè)各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔中的彈性各向異性導(dǎo)電膜的面積可以很小，單獨(dú)的彈性各向異性導(dǎo)電膜很容易形成。此外，由于即使在對(duì)其進(jìn)行熱磁滯作用時(shí)面積很小的彈性各向異性導(dǎo)電膜在彈性各向異性導(dǎo)電膜的平面方向上的熱膨脹的絕對(duì)量很小，因此通過(guò)使用具有低線性熱膨脹系數(shù)的材料作為用于形成框架板的材料而由框架板確切地限制了彈性各向異性導(dǎo)電膜在平面方向的熱膨脹。相應(yīng)地，即使在大面積晶片上進(jìn)行WLBI測(cè)試時(shí)，也可以穩(wěn)定地保持良好的電連接狀態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明的探測(cè)部件，在向晶片的電連接操作中很容易進(jìn)行對(duì)作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片的定位、保持和固定，而且即使在檢測(cè)其上已經(jīng)形成了具有突出電極的集成電路的晶片時(shí)重復(fù)使用它們，也可以在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)保持所需的導(dǎo)電性。
根據(jù)本發(fā)明的晶片檢測(cè)設(shè)備和晶片檢測(cè)方法，通過(guò)上述探測(cè)部件實(shí)現(xiàn)了與作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片的要檢測(cè)電極的電連接，因而即使要檢測(cè)的電極的間距很小，也可以很容易地進(jìn)行定位、保持和固定到晶片上。此外，即使在其上已經(jīng)形成了具有突出電極的集成電路的晶片上重復(fù)進(jìn)行檢測(cè)，也可以在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)穩(wěn)定地進(jìn)行所需電檢測(cè)。


圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的示意各向異性導(dǎo)電連接器的平面圖。
圖2是表示圖1所示的各向異性導(dǎo)電連接器的放大尺寸的一部分上的平面圖。
圖3是表示圖1所示的各向異性導(dǎo)電連接器中的彈性各向異性導(dǎo)電膜的放大尺寸的平面圖。
圖4是表示圖1所示的各向異性導(dǎo)電連接器中的彈性各向異性導(dǎo)電膜的放大尺寸的剖面圖。
圖5是表示給用于模制彈性各向異性導(dǎo)電膜的模具施加模制材料從而形成模制材料層的狀態(tài)的剖面圖。
圖6是表示用于模制彈性各向異性導(dǎo)電膜的模具的一部分的放大尺寸的剖面圖。
圖7是表示穿過(guò)圖5中所示的模具中的上模和下模之間的間隔器設(shè)置框架板的狀態(tài)的剖面圖。
圖8是表示在模具中的上模和下模之間已經(jīng)形成預(yù)定形式的模制材料層的狀態(tài)的剖面圖。
圖9是表示圖8所示模制材料層的放大尺寸的剖面圖。
圖10是表示在其厚度方向給模制材料層施加具有強(qiáng)度分布的磁場(chǎng)的狀態(tài)的剖面圖。
圖11是表示根據(jù)本發(fā)明的典型晶片檢測(cè)設(shè)備的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖12是表示圖11所示晶片檢測(cè)設(shè)備中的探測(cè)部件的主要部分的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖13是表示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的晶片檢測(cè)設(shè)備的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖14是表示圖13所示晶片檢測(cè)設(shè)備中的探測(cè)部件的主要部分的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖15是表示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的各向異性導(dǎo)電連接器中的彈性各向異性導(dǎo)電膜的放大尺寸的平面圖。
圖16是表示根據(jù)本發(fā)明的上述另一實(shí)施例的各向異性導(dǎo)電連接器中的彈性各向異性導(dǎo)電膜的放大尺寸的剖面圖。
圖17是表示根據(jù)本發(fā)明的再一實(shí)施例的各向異性導(dǎo)電連接器中的彈性各向異性導(dǎo)電膜的放大尺寸的平面圖。
圖18是表示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的晶片檢測(cè)設(shè)備的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖19是表示圖18所示晶片檢測(cè)設(shè)備中的探測(cè)部件的主要部分的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖20是表示用于檢測(cè)具有突出電極的晶片的晶片檢測(cè)設(shè)備的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖21是表示圖20中所示晶片檢測(cè)設(shè)備中的探測(cè)部件的主要部分的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖22是表示根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的各向異性導(dǎo)電連接器中的彈性各向異性導(dǎo)電膜的放大尺寸的平面圖。
圖23是在例子中使用的評(píng)估用晶片的頂部圖。
圖24表示在圖23所示評(píng)估用晶片上形成的集成電路中的要檢測(cè)的電極的區(qū)域的位置。
圖25表示在形成在圖23所示的評(píng)估用晶片上的集成電路中的要檢測(cè)的電極。
圖26是在例子中制造的框架板的頂部圖。
圖27表示圖26所示的框架板的一部分的放大尺寸的示意圖。
圖28表示在例子中制造的模具的模制表面的放大尺寸的示意圖。
圖29是表示用于模制在獲得對(duì)比各向異性導(dǎo)電連接器時(shí)使用的彈性各向異性導(dǎo)電膜的模具的一部分的放大尺寸的剖面圖。
圖30表示用于模制在獲得對(duì)比的各向異性導(dǎo)電連接器時(shí)使用的彈性各向異性導(dǎo)電膜的模具的模制表面的放大尺寸的剖面圖。
圖31是表示在用于制造常規(guī)各向異性導(dǎo)電連接器的工藝中在模具內(nèi)設(shè)置了框架板和已經(jīng)形成模制材料層的狀態(tài)的剖面圖。
1探測(cè)部件，2各向異性導(dǎo)電連接器，3加壓板，4晶片安裝臺(tái)，5加熱器，6晶片，7要檢測(cè)的電極，10框架板，11各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔，15空氣循環(huán)孔，16定位孔，20彈性各向異性導(dǎo)電膜，20A模制材料層，21功能部件，22連接用導(dǎo)電部件，23絕緣部件，24突出部分，25要支撐的部分，26非連接用導(dǎo)電部件，30檢測(cè)用電路板，31檢測(cè)電極，41絕緣板，40板狀連接器，42電極結(jié)構(gòu)，43前表面電極部分，44背表面電極部分，45短路部件，50腔室，51排氣管，55O形環(huán)，60模具，61上模，62基板，63、63a鐵磁性物質(zhì)層，64非磁性物質(zhì)層，64a、64b、64c凹陷部分，65下模，66基板，67、67a鐵磁性物質(zhì)層，68非磁性物質(zhì)層，68a、68b、68c凹陷部分，69a、69b間隔器，81上模，82基板，83鐵磁性物質(zhì)層，84非磁性物質(zhì)層，84a凹陷部分，85下模，86基板，87鐵磁性物質(zhì)層，88非磁性物質(zhì)層，88a凹陷部分，90框架板，91開口，95模制材料層，P導(dǎo)電顆粒。
具體實(shí)施例方式
下面詳細(xì)介紹本發(fā)明的實(shí)施例。
圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的典型各向異性導(dǎo)電連接器的平面圖，圖2是表示圖1所示的各向異性導(dǎo)電連接器的放大尺寸的一部分上的平面圖，圖3是表示圖1所示的各向異性導(dǎo)電連接器中的彈性各向異性導(dǎo)電膜的放大尺寸的平面圖，圖4是表示圖1所示的各向異性導(dǎo)電連接器中的彈性各向異性導(dǎo)電膜的放大尺寸的剖面圖。
圖1所示的各向異性導(dǎo)電連接器用于在晶片狀態(tài)下進(jìn)行例如形成在晶片上的多個(gè)集成電路的每個(gè)的電檢測(cè)并具有框架板10，在該框架板中，形成了各在框架板的厚度方向延伸的多個(gè)各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔11(虛線表示的)，如圖2所示。這個(gè)框架板10中的各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔11是根據(jù)電極區(qū)的圖形形成的，在該電極區(qū)中在形成在作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片上的集成電路中形成了要檢測(cè)的電極。在由框架板10的各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔11附近的周邊部分支撐的狀態(tài)下和在相鄰的彈性各向異性導(dǎo)電膜20彼此獨(dú)立的狀態(tài)下在框架板10中的各個(gè)各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔11中設(shè)置厚度方向具有導(dǎo)電性的彈性各向異性導(dǎo)電膜20。在本實(shí)施例的框架板10中，形成空氣循環(huán)孔15，在減壓系統(tǒng)的加壓裝置用在晶片檢測(cè)設(shè)備中時(shí)該空氣循環(huán)孔15用于使空氣在各向異性導(dǎo)電連接器和與其相鄰的部件之間通過(guò)。此外，形成用于在作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片和檢測(cè)用電路板之間定位的定位孔16。
每個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜20是通過(guò)彈性聚合物形成的，如圖3所示，并具有由多個(gè)連接用導(dǎo)電部件22和絕緣部件23構(gòu)成的功能部件21，所述連接用導(dǎo)電部件22各在膜的厚度方向(圖3中垂直于紙面的方向)延伸，所述絕緣部件形成在各個(gè)連接用導(dǎo)電部件22的周圍并相互絕緣這些連接用導(dǎo)電部件22。功能部件21設(shè)置成位于框架板10中的各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔11內(nèi)。功能部件21中的連接用導(dǎo)電部件22根據(jù)形成在作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片上的集成電路中的對(duì)應(yīng)要檢測(cè)的電極的圖形的圖形進(jìn)行設(shè)置，并在檢測(cè)晶片時(shí)電連接到要檢測(cè)的電極上。
在功能部件21的周邊邊緣上，與功能部件21一體地和連續(xù)地形成被支撐的部分25，該部分25固定到各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔11附近的周邊上并由其支撐。更具體地說(shuō)，被實(shí)施例中的被支撐部分25成形為叉形并以緊密接觸狀態(tài)固定和支撐，以便抓住框架板10中的各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔11附近的周邊。
在彈性各向異性導(dǎo)電膜20的功能部件21中的連接用導(dǎo)電部件22中，以高密度含有在取向與厚度方向?qū)?zhǔn)的狀態(tài)下呈現(xiàn)磁性的導(dǎo)電顆粒P，如圖4所示。另一方面，絕緣部件23根本不含有導(dǎo)電顆粒P或含有很少的導(dǎo)電顆粒P。在本實(shí)施例中，彈性各向異性導(dǎo)電膜20中的被支撐部分25含有導(dǎo)電顆粒P。
在根據(jù)本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電連接器中，假設(shè)彈性各向異性導(dǎo)電膜20的功能部件21中的連接用導(dǎo)電部件22的厚度為T1，功能部件21中的絕緣部件23的厚度為T2，則絕緣部件23的厚度與連接用導(dǎo)電部件22的厚度的比例(T2/T1)至少為0.9，優(yōu)選為0.92-1.2。在本實(shí)施例中，彈性各向異性導(dǎo)電膜20的功能部件21的兩個(gè)表面形成在平坦表面中，并因此絕緣部件23的厚度與連接用導(dǎo)電部件22的厚度之比(T2/T1)為1。特別優(yōu)選的是比值(T2/T1)如上所述為1，因此提高了各向異性導(dǎo)電連接器的生產(chǎn)量，即使在要檢測(cè)的電極具有突起形式時(shí)也可以抑制由于連接用導(dǎo)電部件的變形而導(dǎo)致產(chǎn)生連接用導(dǎo)電部件的電阻升高，并且更提高了重復(fù)使用的耐久性。
如果這個(gè)比值(T2/T1)太低，則在形成各向異性導(dǎo)電膜20過(guò)程中在向模制材料層施加具有強(qiáng)度分布的磁場(chǎng)時(shí)，模制材料層中的導(dǎo)電顆粒難以聚集到成為連接用導(dǎo)電部件22的部分上，從而得到的連接用導(dǎo)電部件22的電阻變高，或者在有些情況下相鄰連接用導(dǎo)電部件22之間的電阻變低。
在本實(shí)施例中的各向異性導(dǎo)電連接器中，每個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜20中的功能部件21具有大于被支撐部分25的厚度的厚度，并且按照每個(gè)功能部件21的兩個(gè)表面從被支撐部分25突出的方式形成。
在這種各向異性導(dǎo)電連接器中，假設(shè)所有彈性各向異性導(dǎo)電膜的功能部件的一個(gè)表面的面積的總和為S1，在已經(jīng)形成了要檢測(cè)的電極的一側(cè)上的作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片的表面的面積為S2，則比值S1/S2優(yōu)選為0.001到0.3，更優(yōu)選為0.002到0.2。
如果這個(gè)比值S1/S2的值太低，則存在以下可能性在這種各向異性導(dǎo)電連接器從加壓狀態(tài)釋放時(shí)，每個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜20可能保持在被壓縮狀態(tài)，并變得難以通過(guò)檢測(cè)用電路板的重量利用每個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜20的功能部件21的粘附性或者通過(guò)彈性各向異性導(dǎo)電膜20自身的粘附性恢復(fù)到原始形式，由此在有些情況下明顯降低了彈性各向異性導(dǎo)電膜20的重復(fù)使用的耐久性。另一方面，如果這個(gè)比值S1/S2的值太高，則為了實(shí)現(xiàn)與作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片的電連接，這種各向異性導(dǎo)電連接器必須在相當(dāng)重的負(fù)載下被加壓。因此，必須在晶片檢測(cè)設(shè)備安裝大尺寸加壓機(jī)構(gòu)。結(jié)果是，出現(xiàn)了晶片檢測(cè)設(shè)備本身變成大尺寸并且晶片檢測(cè)設(shè)備的制造成本增加的問(wèn)題。由于各向異性導(dǎo)電連接器在相當(dāng)重的負(fù)載下被加壓，因此還出現(xiàn)了各向異性導(dǎo)電連接器、檢測(cè)用電路板和作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片可能被損壞的問(wèn)題。
框架板10的厚度根據(jù)其材料而變化，但是優(yōu)選為20-600μm，更優(yōu)選為40-400μm。
如果這個(gè)厚度小于20μm，則不能實(shí)現(xiàn)在使用得到的各向異性導(dǎo)電連接器過(guò)程中所需的強(qiáng)度，并且其耐久性也容易降低。此外，不能實(shí)現(xiàn)象保持框架板的形狀的這種強(qiáng)度，并且各向異性導(dǎo)電連接器的操作性能變低。另一方面，如果厚度超過(guò)600μm，則形成在各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔11中的彈性各向異性導(dǎo)電膜20其厚度變得太厚，并且在有些情況下可能難以實(shí)現(xiàn)連接用導(dǎo)電部件22中的良好導(dǎo)電性和相鄰連接用導(dǎo)電部件22之間的絕緣性能。
框架板10中的各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔11的平面方向的形狀和尺寸是根據(jù)作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片中的要檢測(cè)的電極的尺寸、間距和圖形進(jìn)行設(shè)計(jì)。
對(duì)于用于形成框架板10的材料不特別限制，只要它具有使得到的框架板10不易變形的強(qiáng)度并穩(wěn)定地保持其形狀即可。例如，可以使用各種材料，如金屬材料、陶瓷材料和樹脂材料。當(dāng)框架板10例如由金屬材料形成時(shí)，可以在框架板10的表面上形成絕緣膜。
用于形成框架板10的金屬材料的具體例子包括金屬，如鐵、銅、鎳、鉻、鈷、鎂、錳、鉬、銦、鉛、鈀、鈦、鎢、鋁、金、鉑和銀；和由這些金屬中的至少兩種組合而成的合金或合金鋼。
形成框架板10的樹脂材料的具體例子包括液晶聚合物和聚酰亞胺樹脂。
框架板10可優(yōu)選至少在每個(gè)各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔11附近的周邊部分即支撐彈性各向異性導(dǎo)電膜20的部分上呈現(xiàn)磁性，使之在所述部分中通過(guò)將在后面介紹的工藝可以使導(dǎo)電顆粒P很容易地包含在彈性各向異性導(dǎo)電膜20中的被支撐部分25中。具體地說(shuō)，這個(gè)部分可優(yōu)選具有至少0.1Wb/m2的飽和磁化。特別是，整個(gè)框架板10可優(yōu)選通過(guò)磁性物質(zhì)來(lái)形成，使之很容易制造框架板10。
形成這種框架板10的磁性物質(zhì)的具體例子包括鐵、鎳、鈷、這些磁性金屬的合金和這些磁性金屬與任何其它金屬的合金或合金鋼。
當(dāng)在WLBI測(cè)試中使用得到的各向異性導(dǎo)電連接器時(shí)，優(yōu)選使用具有至多3×10-5/K、更優(yōu)選為-1×10-7/K到1×10-5/K、特別優(yōu)選為1×10-6/K到8×10-6/K的線行熱膨脹系數(shù)的材料作為用于形成框架板10的材料。
這種材料的具體例子包括因瓦合金如因鋼、鎳鉻恒彈性鋼合金如鎳鉻恒彈性鋼和磁性金屬的合金或合金鋼，如超級(jí)鎳鈷鋼、柯伐合金和42合金。
彈性各向異性導(dǎo)電膜20的功能部件21的總厚度優(yōu)選為40-3000μm，更優(yōu)選為50-2500μm，特別優(yōu)選為70-2000μm。當(dāng)這個(gè)厚度為40μm或以上時(shí)，確實(shí)提供了具有足夠強(qiáng)度的彈性各向異性導(dǎo)電膜20。另一方面，當(dāng)這個(gè)厚度為3000μm或以下時(shí)，確實(shí)提供了具有所需導(dǎo)電性的連接用導(dǎo)電部件22。
被支撐部分25的厚度(所示實(shí)施例中的叉形部分之一的厚度)優(yōu)選為5-600μm，更優(yōu)選為10-500μm。
被支撐部分25不是必須是叉形的以便固定到框架板10的兩個(gè)表面上，它也可以只固定到框架板10的一個(gè)表面上。
作為形成彈性各向異性導(dǎo)電膜20的彈性聚合物，優(yōu)選使用具有交鏈結(jié)構(gòu)的耐熱聚合物。各種材料可以用做可用于獲得交鏈聚合物的可固化聚合物-形成材料。然而，液體硅橡膠是優(yōu)選的。
液體硅橡膠可以是任何添加型和濃縮型的。但是，添加型液體硅橡膠是優(yōu)選的。這種添加型液體硅橡膠可通過(guò)乙烯基與Si-H鍵的反應(yīng)來(lái)固化并包括由具有乙烯基和Si-H鍵二者的聚硅氧烷構(gòu)成的一封裝型(一元件型)和由具有乙烯基的聚硅氧烷和具有Si-H鍵的聚硅氧烷構(gòu)成的兩封裝型(兩元件型)。在本發(fā)明中，優(yōu)選使用兩封裝型的添加型液體硅橡膠。
作為添加型液體硅橡膠，使用在23℃下粘度優(yōu)選為100-1250Pa·S、更優(yōu)選為150-800Pa·S、特別優(yōu)選為250-500Pa·S的添加型液體硅橡膠。如果這個(gè)粘度低于100Pa·S，則在將要在后面介紹的用于獲得彈性各向異性導(dǎo)電膜20的模制材料中容易發(fā)生這種添加型液體硅橡膠中的導(dǎo)電顆粒的沉淀，從而不能獲得良好的儲(chǔ)存穩(wěn)定性。此外，在平行磁場(chǎng)施加于模制材料層時(shí)，導(dǎo)電顆粒不以與厚度方向?qū)?zhǔn)取向，因而在有些情況下可能難以在均勻狀態(tài)下形成導(dǎo)電顆粒的鏈。另一方面，如果這個(gè)粘度超過(guò)1250Pa·S，得到的模制材料的粘度太高，因而在有些情況下難以在模具中形成模制材料層。此外，甚至在平行磁場(chǎng)施加于模制材料層時(shí)，導(dǎo)電顆粒也不能充分地移動(dòng)。因此，在有些情況下可能難以使導(dǎo)電顆粒取向成在厚度方向?qū)?zhǔn)。
這種添加型液體硅橡膠的粘度可以通過(guò)Brookfiled型粘度計(jì)來(lái)測(cè)量。
當(dāng)通過(guò)液體硅橡膠的固化產(chǎn)品(以下稱為“固化硅橡膠”)形成彈性各向異性導(dǎo)電膜20時(shí)，固化硅橡膠優(yōu)選具有在150℃下的至多10％、更優(yōu)選至多8％、仍然優(yōu)選至多6％的壓縮形變。如果壓縮形變超過(guò)10％，則在得到的各向異性導(dǎo)電連接器在高溫環(huán)境下重復(fù)使用時(shí)，連接用導(dǎo)電部件22中的導(dǎo)電顆粒P的鏈變?yōu)榛靵y。結(jié)果是，難以保持所需的導(dǎo)電性。
在本發(fā)明中，固化硅橡膠的壓縮形變可以通過(guò)根據(jù)JIS K 6249的方法進(jìn)行測(cè)量。
形成彈性各向異性導(dǎo)電膜20的固化硅橡膠優(yōu)選具有在23℃下的10-60、更優(yōu)選15-60、特別優(yōu)選20-60的硬度計(jì)A硬度。如果硬度計(jì)A硬度低于10，則使連接用導(dǎo)電部件22互相絕緣的絕緣部件23在被加壓時(shí)很容易過(guò)變形，因而在有些情況下難以保持連接用導(dǎo)電部件22之間的所需絕緣性。另一方面，如果硬度計(jì)A硬度超過(guò)60，為了給連接用導(dǎo)電部件22提供合適的變形而需要由相當(dāng)重的負(fù)載施加壓力，因而，例如作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片趨于產(chǎn)生大的變形或損壞。
在本發(fā)明中，固化硅橡膠的硬度計(jì)A硬度可通過(guò)根據(jù)JIS K 6249的方法進(jìn)行測(cè)量。
此外，用于形成彈性各向異性導(dǎo)電膜20的固化硅橡膠優(yōu)選具有在23℃下的至少8KN/m、更優(yōu)選至少為10KN/m、進(jìn)一步優(yōu)選至少15KN/m、特別優(yōu)選至少20KN/m的撕扯強(qiáng)度。如果撕扯強(qiáng)度小于8KN/m，在它們過(guò)度變形時(shí)，得到的彈性各向異性導(dǎo)電膜20趨于使耐久性下降。
在本發(fā)明中，固化硅橡膠的撕扯強(qiáng)度可以通過(guò)根據(jù)JIS K 6249的方法進(jìn)行測(cè)量。
作為具有這種性能的添加型液體硅橡膠，可以使用市場(chǎng)上可買到的由Shin-EtsuChemical公司制造的液體硅橡膠“KE2000”系列、“KE1950”系列或“KE1990”系列。
在本發(fā)明中，為了使添加型液體硅橡膠固化，可以使用合適的固化催化劑。作為這種固化催化劑，可以使用含鉑的催化劑。其具體例子包括公知的催化劑，如氯化鉑及其鹽類、含不飽和基的鉑-硅氧烷絡(luò)合物、乙烯基硅氧烷-鉑絡(luò)合物、鉑-1，3-丁二烯四甲基二硅氧烷絡(luò)合物、三有機(jī)磷化氫或具有鉑的亞磷酸鹽的絡(luò)合物、乙酰乙酸-鉑螯合物和環(huán)二烯-鉑絡(luò)合物。
根據(jù)固化催化劑的種類和其它固化處理?xiàng)l件來(lái)適當(dāng)?shù)剡x擇使用的固化催化劑的量。然而，一般情況下是每100重量份中的3-15重量份的添加型液體硅橡膠。
為了提高添加型液體硅橡膠的觸變性、調(diào)節(jié)粘度、提高導(dǎo)電顆粒的分散穩(wěn)定性、提供具有高強(qiáng)度的基料等，可以根據(jù)需要在添加型液體硅橡膠中含有一般的無(wú)機(jī)填料，如硅石粉末、膠狀硅石、氣凝膠硅石或氧化鋁。
對(duì)使用的這種無(wú)機(jī)填料的量不特別限制。但是，使用的量太大不是優(yōu)選的，因?yàn)椴荒艹浞謱?shí)現(xiàn)由磁場(chǎng)引起的導(dǎo)電顆粒的取向。
導(dǎo)電顆粒P的數(shù)量平均粒徑優(yōu)選為3-30μm，更優(yōu)選為6-15μm。
假設(shè)導(dǎo)電顆粒P的數(shù)量平均粒徑為Dn，并且其重量平均粒徑為Dw，則其重量平均粒徑與數(shù)量平均粒徑的比Dw/Dn(以下只稱為“比Dw/Dn”)至多為5的這種導(dǎo)電顆粒優(yōu)選用做導(dǎo)電顆粒P。具有至多3的比Dw/Dn的導(dǎo)電顆粒是更優(yōu)選的。通過(guò)使用這種導(dǎo)電顆粒確實(shí)獲得了相鄰連接用導(dǎo)電部件22之間的所需絕緣性能。
在本發(fā)明中，顆粒的平均粒徑指的是通過(guò)激光衍射散射法測(cè)量的值。
此外，導(dǎo)電顆粒P優(yōu)選具有至多50％、更優(yōu)選至多35的粒徑的變化系數(shù)。
在本發(fā)明中，粒徑的變化系數(shù)是根據(jù)以下公式確定的值(σ/Dn)×100，其中σ是粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差值。
如果導(dǎo)電顆粒P的粒徑變化系數(shù)超過(guò)50％，則難以確實(shí)實(shí)現(xiàn)相鄰連接用導(dǎo)電部件22之間的所需絕緣性能。
對(duì)導(dǎo)電顆粒P的形狀不特別限制。但是，從可以容易地在聚合物-形成材料中分散這些顆粒的角度來(lái)看，它們優(yōu)選是球形或星形，或者是通過(guò)使這些顆粒聚集在一起獲得的次級(jí)顆粒。
通過(guò)用高導(dǎo)電金屬涂覆呈現(xiàn)磁性的芯粒(以下還稱為“磁芯粒子”)的表面而獲得的顆粒優(yōu)選用做導(dǎo)電顆粒P。
這里使用的術(shù)語(yǔ)“高導(dǎo)電金屬”指的是在0℃下具有至少5×106Ω-1m-1的導(dǎo)電率的金屬。
作為用于形成磁芯粒子的材料，可以使用鐵、鎳、鈷、通過(guò)將這種金屬涂覆到銅或樹脂上獲得的材料等。優(yōu)選使用具有至少0.1Wb/m2的飽和磁化的材料。其飽和磁化更優(yōu)選至少為0.3Wb/m2，特被優(yōu)選為少0.5Wb/m2。該材料的具體例子包括鐵、鎳、鈷或其合金。其中，鎳是優(yōu)選的。
當(dāng)這種飽和磁化至少為0.1Wb/m2，導(dǎo)電顆粒P可以在用于通過(guò)工藝形成彈性各向異性導(dǎo)電膜20的模制材料層中很容易地移動(dòng)，這將在后面進(jìn)行說(shuō)明，由此導(dǎo)電顆粒P可以確保移動(dòng)到模制材料層中成為連接用導(dǎo)電部件的部分，從而形成導(dǎo)電顆粒P的鏈。
作為用于涂覆磁芯粒子的高導(dǎo)電金屬，可以使用金、銀、銠、鉑、鉻等。其中，優(yōu)選使用金，其化學(xué)性能穩(wěn)定并具有高導(dǎo)電性。
為了獲得具有高導(dǎo)電性的連接用導(dǎo)電部件22，優(yōu)選使用其高導(dǎo)電金屬與磁芯粒子的比例[(高導(dǎo)電金屬的質(zhì)量)/(磁芯粒子的質(zhì)量)×100]至少為15％質(zhì)量的導(dǎo)電顆粒，并且高導(dǎo)電金屬與磁芯粒子的比例更優(yōu)選為25-35％質(zhì)量。
導(dǎo)電顆粒P中的水含量?jī)?yōu)選至多為5％，更優(yōu)選至多為3％，再優(yōu)選至多為2％，特別優(yōu)選至多為1％。使用滿足這種條件的導(dǎo)電顆粒P可以在制造工藝中在模制材料層的固化處理期間防止或抑制在模制材料層中產(chǎn)生氣泡，其中所述制造工藝將在后面介紹。
這種導(dǎo)電顆粒P可以根據(jù)例如以下工藝獲得。
首先根據(jù)本領(lǐng)域公知的方法用鐵磁物質(zhì)形成顆粒，或者提供商業(yè)上可獲得的鐵磁物質(zhì)的顆粒。根據(jù)需要對(duì)這些顆粒進(jìn)行分類處理。
顆粒的分類處理可以通過(guò)例如分類器如空氣分類器或聲波分類器來(lái)進(jìn)行。
用于分類處理的具體條件根據(jù)磁芯粒子的預(yù)定數(shù)量平均粒徑、分類器的種類等進(jìn)行適當(dāng)?shù)仡A(yù)設(shè)置。
然后用酸處理磁芯粒子的表面，并進(jìn)一步用例如純凈水清洗，由此除去位于磁芯粒子的表面上的雜質(zhì)如灰塵、外來(lái)物質(zhì)和氧化膜。之后，用高導(dǎo)電金屬涂覆磁芯粒子的表面，由此獲得呈現(xiàn)磁性的導(dǎo)電顆粒。
作為用于處理磁芯粒子表面的酸的例子，可以是上述的鹽酸。
作為用高導(dǎo)電金屬涂覆磁芯粒子的表面的方法，可以使用化學(xué)鍍、置換鍍等。但是，該方法不限于這些方法。
下面介紹通過(guò)化學(xué)鍍或置換鍍法制造導(dǎo)電顆粒的工藝。進(jìn)行了酸處理和清洗處理的磁芯粒子首先添加到鍍液中，從而制備漿料，并且在攪拌漿料的同時(shí)在磁芯粒子上進(jìn)行化學(xué)鍍或置換鍍。然后從鍍液中分離出漿料中的顆粒。隨后，用例如純凈水對(duì)分離出來(lái)的顆粒進(jìn)行清洗處理，由此獲得磁芯粒子的表面用高導(dǎo)電金屬涂覆的導(dǎo)電顆粒。
或者，可以在磁芯粒子的表面上進(jìn)行初鍍，從而形成初鍍層，然后在初鍍層的表面上形成由高導(dǎo)電金屬構(gòu)成的鍍層。對(duì)用于形成初鍍層和形成在其上的鍍層的工藝不特別限制。然而，優(yōu)選通過(guò)化學(xué)鍍?cè)诖判玖Ｗ拥谋砻嫔闲纬沙蹂儗?，然后通過(guò)置換鍍?cè)诔蹂儗拥谋砻嫔闲纬捎筛邔?dǎo)電金屬構(gòu)成的鍍層。
對(duì)在化學(xué)鍍或置換鍍中使用的鍍液不特別限制，并且可以使用商業(yè)上可獲得的各種鍍液。
對(duì)利用這種方式獲得的導(dǎo)電顆粒進(jìn)行分類處理，目的是提供具有上述粒徑和粒徑分布的粒子。
作為用于進(jìn)行導(dǎo)電顆粒的分類處理的分類器，可以使用以在磁芯粒子的上述分類處理中使用的分類器為代表的分類器。然而，至少優(yōu)選使用空氣分類器。通過(guò)空氣分類器對(duì)導(dǎo)電顆粒進(jìn)行分類處理，由此確實(shí)獲得了具有上述粒徑和粒徑分布的導(dǎo)電顆粒。
根據(jù)需要，可以用耦合劑如硅烷耦合劑對(duì)導(dǎo)電顆粒P進(jìn)行處理。通過(guò)用耦合劑處理導(dǎo)電顆粒P的表面，提高了導(dǎo)電顆粒P與彈性聚合物的粘接性能。結(jié)果是，得到的彈性各向異性導(dǎo)電膜20的重復(fù)使用的耐久性變高了。
使用的耦合劑的量可以在不影響導(dǎo)電顆粒P的導(dǎo)電性的有限范圍內(nèi)進(jìn)行適當(dāng)?shù)剡x擇。然而，優(yōu)選這樣的量，使得耦合劑在導(dǎo)電顆粒P的表面上的涂覆率(用耦合劑涂覆的面積與導(dǎo)電顆粒的表面面積的比)至少等于5％，更優(yōu)選為7-100％，進(jìn)一步優(yōu)選為10-100％，特別優(yōu)選為20-100％。
以體積分?jǐn)?shù)表示，在功能部件21的連接用導(dǎo)電部件22中含的導(dǎo)電顆粒P的比例優(yōu)選是10-60％，更優(yōu)選是15-50％。如果這個(gè)比例低于10％，則在有些情況下不可能獲得具有充分低的電阻值的連接用導(dǎo)電部件22。另一方面，如果這個(gè)比例超過(guò)60％，則得到的連接用導(dǎo)電部件22容易碎，因而在有些情況下不能實(shí)現(xiàn)連接用導(dǎo)電部件22所需的彈性。
在被支撐部分25中含有的導(dǎo)電顆粒P的比例根據(jù)用于形成彈性各向異性導(dǎo)電膜20的模制材料中的導(dǎo)電顆粒的含量而變化。然而，它優(yōu)選等于或大于在模制材料中含有的導(dǎo)電顆粒的比例，使之確實(shí)防止了導(dǎo)電顆粒P被過(guò)量地包含在位于彈性各向異性導(dǎo)電膜20中的連接用導(dǎo)電部件22的最外側(cè)的連接用導(dǎo)電部件22中。還優(yōu)選以體積分?jǐn)?shù)表示的比例至多為30％，使之提供了具有足夠強(qiáng)度的被支撐部分25。
例如可以用以下方式可以制造上述的各向異性導(dǎo)電連接器。
首先制造由磁性金屬構(gòu)成的框架板10，在該框架板10中對(duì)應(yīng)作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片中的集成電路的電極區(qū)的圖形已經(jīng)形成了各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔11，在所述電極區(qū)中已經(jīng)形成了要檢測(cè)的電極。作為用于在框架板10中形成各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔11的方法，例如可以使用刻蝕法等。
然后制備用于彈性各向異性導(dǎo)電膜的模制材料，其具有在添加型液體硅橡膠中分散的呈現(xiàn)磁性的導(dǎo)電顆粒。如圖5所示，提供用于模制彈性各向異性導(dǎo)電膜的模具60，并根據(jù)所需圖形，即要形成的彈性各向異性導(dǎo)電膜的設(shè)置圖形，向模具60中的上模61和下模65的模制表面施加用于彈性各向異性導(dǎo)電膜的模制材料，由此形成模制材料層20A。
下面將具體介紹模具60。這個(gè)模具60是如此構(gòu)成的，構(gòu)成一對(duì)的上模61和下模65彼此相對(duì)設(shè)置。
在上模61中，根據(jù)與要在基板62的下表面上模制的每個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜20中的連接用導(dǎo)電部件22的設(shè)置圖形正相反的圖形形成鐵磁物質(zhì)層63，并在除了鐵磁物質(zhì)層63以外的其它部分上形成非磁性物質(zhì)層64，如圖6中以放大尺寸示出的。通過(guò)這些鐵磁物質(zhì)層63和非磁性物質(zhì)層64形成模制表面。
另一方面，在下模65中，根據(jù)與要在基板66的上表面上模制的每個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜20中的連接用導(dǎo)電部件22的設(shè)置圖形相同的圖形形成鐵磁物質(zhì)層67，并且在除了鐵磁物質(zhì)層67以外的其它部分上形成非磁性物質(zhì)層68。通過(guò)這些鐵磁物質(zhì)層67和非磁性物質(zhì)層68形成了模制表面。
分別在上模61和下模65的模制表面中形成凹陷部分64a和68a，用于形成具有比被支撐部分25的厚度更厚的厚度的功能部件21。
優(yōu)選由鐵磁物質(zhì)形成上模61和下模65中的各個(gè)基板62和66。這種鐵磁物質(zhì)的具體例子包括鐵磁金屬如鐵、鐵-鎳合金、鐵-鈷合金、鎳和鈷。基板62、66優(yōu)選具有厚度0.1-50mm的厚度，其表面優(yōu)選是平滑的，并進(jìn)行化學(xué)去油處理或機(jī)械拋光處理。
作為用于在上模61和下模65中形成鐵磁物質(zhì)層63、67的材料，可以使用鐵磁金屬如鐵、鐵-鎳合金、鐵-鈷合金、鎳或鈷。鐵磁物質(zhì)層63、67優(yōu)選具有至少10μm的厚度。當(dāng)這個(gè)厚度至少為10μm時(shí)，可以向模制材料層20A施加具有足夠強(qiáng)度分布的磁場(chǎng)。結(jié)果是，導(dǎo)電顆粒可以以高密度聚集在模制材料層20A中的成為連接用導(dǎo)電部件22的部分上，因而可以提供具有良好導(dǎo)電性的連接用導(dǎo)電部件22。
作為用于在上模61和下模65中形成非磁性物質(zhì)層64、68的材料，可以使用非磁性金屬，如銅、具有耐熱性的聚合物等。然而，通過(guò)磁波固化的聚合物質(zhì)可以優(yōu)選使用，使之非磁性物質(zhì)層64、68可以通過(guò)光刻技術(shù)很容易地形成。作為其材料，例如可以使用光刻膠，如丙烯酸型干膜抗蝕劑、環(huán)氧型液體抗蝕劑或聚酰亞胺型液體抗蝕劑。
作為用于用模制材料涂覆上模61和下模65的模制表面的方法，優(yōu)選使用絲網(wǎng)印刷法。根據(jù)這種方法，可以根據(jù)所需圖形很容易地施加模制材料，并且可以施加適量的模制材料。
如圖7所示，然后在其上已經(jīng)形成模制材料層20A的下模65的模制表面上通過(guò)間隔器69a對(duì)準(zhǔn)地設(shè)置框架板10，并在框架板10上，通過(guò)間隔器69b對(duì)準(zhǔn)設(shè)置其上已經(jīng)形成了模制材料層20A的上模61。這些部件彼此疊加，由此在上模61和下模65之間形成了預(yù)定形狀(要形成的彈性各向異性導(dǎo)電膜20的形狀)的模制材料層20A，如圖8所示。在這些模制材料層20A的每個(gè)中，在模制材料層20A中以分散狀態(tài)含有導(dǎo)電顆粒P，如圖9所示。
間隔器69a和69b分別設(shè)置在框架板10、和下模65和上模61之間，如上所述，由此可以形成預(yù)定形狀的彈性各向異性導(dǎo)電膜，并防止相鄰彈性各向異性導(dǎo)電膜彼此連接，因而確實(shí)地形成了彼此獨(dú)立的大量各向異性導(dǎo)電膜。
然后將例如一對(duì)電磁體設(shè)置在上模61中的基板62的上表面上和下模65中的基板66的下表面上，并使電磁體工作，由此形成了在上模61的鐵磁物質(zhì)層63和下模65的它們的對(duì)應(yīng)鐵磁物質(zhì)層67之間的部分上具有比其周圍區(qū)域更高的強(qiáng)度的磁場(chǎng)，這是因?yàn)樯夏?1和下模65的鐵磁物質(zhì)層63，67用做磁極。結(jié)果是，在模制材料層20A中，分散在模制材料層20A中的導(dǎo)電顆粒P聚集到成為連接用導(dǎo)電部件22的部分上，該部分位于上模61的鐵磁物質(zhì)層63和下模65的它們的對(duì)應(yīng)鐵磁物質(zhì)層67之間，并且這些導(dǎo)電顆粒取向成在厚度方向?qū)?zhǔn)，如圖10所示。在上述工藝中，由于框架板10由磁性金屬構(gòu)成，因此形成了在上模61和下模65的每個(gè)與框架板10之間的部分上具有比其附近更高的強(qiáng)度的磁場(chǎng)。結(jié)果是，位于模制材料層20A中的框架板10之上和之下的導(dǎo)電顆粒P不會(huì)聚集在上模61的鐵磁物質(zhì)層63和下模65的鐵磁物質(zhì)層67之間，而是保持在框架板10之上和之下。
在這個(gè)狀態(tài)下，對(duì)模制材料層20A進(jìn)行固化處理，由此在被支撐部分25已經(jīng)固定到框架板10的每個(gè)各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔11的周邊上的狀態(tài)下形成了各由功能部件21構(gòu)成的彈性各向異性導(dǎo)電膜20，以及連續(xù)和整體地形成在功能部件21的周邊且其中導(dǎo)電顆粒P包含在彈性聚合物質(zhì)中的被支撐部分25，由此制造各向異性導(dǎo)電連接器，其中在彈性聚合物質(zhì)中含有取向與厚度方向?qū)?zhǔn)的導(dǎo)電顆粒P的多個(gè)連接用導(dǎo)電部件22在被由彈性聚合物質(zhì)構(gòu)成的絕緣部件23相互絕緣的狀態(tài)下進(jìn)行設(shè)置，其中在所述絕緣部件23中根本不存在或存在很少的導(dǎo)電顆粒P。
在上述工藝中，施加于模制材料層20A中的成為連接用導(dǎo)電部件22的部分和成為被支撐部分25的部分的外部磁場(chǎng)的強(qiáng)度優(yōu)選平均在0.1-2.5T范圍內(nèi)。
根據(jù)使用的材料適當(dāng)?shù)剡x擇模制材料層20A的固化處理。但是，該處理一般是通過(guò)熱處理來(lái)進(jìn)行的。當(dāng)通過(guò)加熱來(lái)進(jìn)行模制材料層20A的固化處理時(shí)，只需要在電磁體中提供加熱器。具體加熱溫度和加熱時(shí)間根據(jù)用于形成模制材料層20A的聚合物質(zhì)-形成材料的種類等、用于移動(dòng)導(dǎo)電顆粒P所需的時(shí)間等適當(dāng)?shù)剡x擇。
根據(jù)上述各向異性導(dǎo)電連接器，由于被支撐部分25形成在每個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜20中的具有連接用導(dǎo)電部件22的功能部件21的周邊邊緣，并且這個(gè)被支撐部分25固定到框架板10中的各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔11附近的周邊上，因此各向異性導(dǎo)電連接器難以變形和容易控制，因而在對(duì)晶片進(jìn)行電連接操作時(shí)很容易進(jìn)行與作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片的定位、保持和固定。
此外，由于在每個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜20的功能部件21中連接用導(dǎo)電部件22和絕緣部件23之間沒有厚度差，因此在形成彈性各向異性導(dǎo)電膜20時(shí)使用的模具具有平坦模制表面，并因此在磁場(chǎng)施加于模制材料層20A時(shí)，不妨礙導(dǎo)電顆粒P移動(dòng)，并且導(dǎo)電顆粒P可以很容易聚集到成為連接用導(dǎo)電部件22的部分上而不會(huì)保持在成為模制材料層20A中的絕緣部件的部分上。結(jié)果是，關(guān)于形成的所有連接用導(dǎo)電部件22確實(shí)實(shí)現(xiàn)了良好的導(dǎo)電性，并在相鄰連接用導(dǎo)電部件22之間確實(shí)地實(shí)現(xiàn)了足夠的絕緣性。
此外，由于在每個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜20的功能部件21的表面中在連接用導(dǎo)電部件22和絕緣部件23之間沒有高度差，因此即使作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片具有被檢測(cè)的突出電極，也可以避免由于其突出部分受擠壓而導(dǎo)致連接用導(dǎo)電部件22產(chǎn)生永久變形，并實(shí)現(xiàn)了重復(fù)使用的高耐久性。
彈性各向異性導(dǎo)電膜20中的功能部件21的一個(gè)平坦表面形成得從被支撐部分25突出，并且功能部件21的一個(gè)表面的面積與作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片的前表面的面積之比落入規(guī)定范圍內(nèi)，由此在厚度方向?qū)Ω飨虍愋詫?dǎo)電連接器進(jìn)行加壓時(shí)，將負(fù)載只集中施加于功能部件上，因而即使在小負(fù)載下加壓也在連接用導(dǎo)電部件22上確實(shí)地實(shí)現(xiàn)了良好的導(dǎo)電性。
由于框架板10中的各個(gè)各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔11對(duì)應(yīng)作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片中的集成電路的其中已經(jīng)形成被檢測(cè)電極的電極區(qū)而形成，并且在每個(gè)各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔11中的彈性各向異性導(dǎo)電膜20的面積可以很小，很容易形成單獨(dú)的彈性各向異性導(dǎo)電膜20。此外，由于即使在對(duì)彈性各向異性導(dǎo)電膜20進(jìn)行熱磁滯作用時(shí)，面積很小的彈性各向異性導(dǎo)電膜20在彈性各向異性導(dǎo)電膜20的平面方向上的熱膨脹的絕對(duì)量很小，因此通過(guò)使用具有低線性熱膨脹系數(shù)的材料作為用于形成框架板10的材料而利用框架板10確實(shí)地防止了彈性各向異性導(dǎo)電膜20在平面方向上的熱膨脹。相應(yīng)地，即使在大面積晶片上進(jìn)行WLBI測(cè)試，也可以穩(wěn)定地保持良好的電連接狀態(tài)。
此外，使用由鐵磁物質(zhì)構(gòu)成的框架板10，由此在形成彈性各向異性導(dǎo)電膜20時(shí)在通過(guò)例如給模制材料層20A中的成為被支撐部分25的部分施加磁場(chǎng)而使導(dǎo)電顆粒P已經(jīng)存在于所述部分中的狀態(tài)下對(duì)模制材料層20A進(jìn)行固化處理時(shí)，存在于模制材料層20A中的要成為被支撐部分25的部分中、即存在于位于框架板10中的各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔11附近的周邊之上和之下的部分中的導(dǎo)電顆粒P不聚集到成為連接用導(dǎo)電部件22的部分上。結(jié)果是，確實(shí)地防止了導(dǎo)電顆粒P被過(guò)量地包含在彈性各向異性導(dǎo)電膜20中的連接用導(dǎo)電部件22當(dāng)中的位于最外側(cè)的連接用導(dǎo)電部件22中。相應(yīng)地，不必減少模制材料層20A中的導(dǎo)電顆粒P的含量，因而確實(shí)地實(shí)現(xiàn)了對(duì)于彈性各向異性導(dǎo)電膜20的所有連接用導(dǎo)電部件22的導(dǎo)電性，并確實(shí)地實(shí)現(xiàn)了相鄰連接用導(dǎo)電部件22之間的絕緣性能。
由于定位孔16形成在框架板10內(nèi)，因此很容易進(jìn)行與作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片或檢測(cè)用電路板進(jìn)行定位。
由于空氣循環(huán)孔15形成在框架板10中，因此在利用減壓系統(tǒng)作為用于擠壓晶片檢測(cè)設(shè)備中的探測(cè)部件的裝置(將在后面進(jìn)行說(shuō)明)時(shí)，在減少腔室內(nèi)的壓力時(shí)，各向異性導(dǎo)電連接器和檢測(cè)用電路板之間存在的空氣通過(guò)框架板10中的空氣循環(huán)孔15被釋放，由此可以確保各向異性導(dǎo)電連接器與檢測(cè)用電路板緊密接觸，因而可以確實(shí)地實(shí)現(xiàn)所需的電連接。
圖11是示意性地表示使用根據(jù)本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電連接器的典型晶片檢測(cè)設(shè)備的結(jié)構(gòu)的剖面圖。這種晶片檢測(cè)設(shè)備用于在晶片狀態(tài)下對(duì)形成在晶片中的多個(gè)集成電路的每個(gè)進(jìn)行電檢測(cè)。
圖11所示的晶片檢測(cè)設(shè)備具有用于將作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片6的每個(gè)被檢測(cè)電極7電連接到測(cè)試器的探測(cè)部件1。還如圖12中的以放大尺寸所示的，探測(cè)部件1具有檢測(cè)用電路板30，在該檢測(cè)用電路板30的前表面(圖11中的下表面)上根據(jù)對(duì)應(yīng)作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片6的被檢測(cè)電極7的圖形的圖形形成了多個(gè)檢測(cè)電極31。在檢測(cè)用電路板30的前表面上，按照連接器的彈性各向異性導(dǎo)電膜20中的連接用導(dǎo)電部件22分別與檢測(cè)用電路板30的檢測(cè)電極31相對(duì)并接觸的方式設(shè)置如圖1-4所示的結(jié)構(gòu)的各向異性導(dǎo)電連接器2。在各向異性導(dǎo)電連接器2的前表面(圖中的下表面)上，按照電極結(jié)構(gòu)42分別與各向異性導(dǎo)電連接器2的彈性各向異性導(dǎo)電膜20中的連接用導(dǎo)電部件22相對(duì)并接觸的方式，設(shè)置板狀連接器40，其中多個(gè)電極結(jié)構(gòu)42根據(jù)對(duì)應(yīng)作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片6的被檢測(cè)電極7的圖形的圖形設(shè)置在絕緣板41中。
在探測(cè)部件1中的檢測(cè)用電路板30的后表面(圖中的上表面)上，設(shè)置用于向下壓探測(cè)部件1的加壓板3。其上安裝了作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片6的晶片安裝臺(tái)4設(shè)置在探測(cè)部件1的下面。加熱器5連接到加壓板3和晶片安裝臺(tái)4的每個(gè)上。
作為構(gòu)成檢測(cè)用電路板30的基本材料，可以使用常規(guī)公知的任何各種基本材料。其具體例子包括合成樹脂材料，如玻璃纖維增強(qiáng)環(huán)氧樹脂、玻璃纖維增強(qiáng)苯酚樹脂、玻璃纖維增強(qiáng)聚酰亞胺樹脂和玻璃纖維增強(qiáng)雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹脂；和陶瓷材料，如玻璃、二氧化硅和氧化鋁。
當(dāng)構(gòu)成用于進(jìn)行WLBI的晶片檢測(cè)設(shè)備時(shí)，優(yōu)選使用具有至多3×10-5/K、更優(yōu)選為1×10-7/K到1×10-5/K、特別優(yōu)選為1×10-6/K到6×10-6/K的線性熱膨脹系數(shù)的材料。
這種基本材料的具體例子包括Pyrex(商標(biāo))玻璃、石英玻璃、氧化鋁、氧化鈹、碳化硅、氮化鋁、和氮化硼。
下面將具體描述探測(cè)部件1中的板狀連接器40。這種板狀連接器40具有柔性絕緣板41，并且在這種絕緣板41中，根據(jù)對(duì)應(yīng)作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片6的被檢測(cè)電極7的圖形的圖形，在絕緣板41的平面方向上、在彼此分離的狀態(tài)下設(shè)置在絕緣板41的厚度方向延伸的多個(gè)電極結(jié)構(gòu)42。
每個(gè)電極結(jié)構(gòu)42是通過(guò)利用穿過(guò)絕緣板41的厚度方向延伸的短路部件45將暴露于絕緣板41的前表面(圖中的下表面)的突出前表面電極部分43和暴露于絕緣板41的后表面的板狀后表面電極部分44彼此整體地連接起來(lái)而形成。
對(duì)絕緣板41不特別限制，只要它具有絕緣性能并且是柔性的即可。例如，可以使用由聚酰胺樹脂、液晶聚合物、聚酯、氟樹脂等形成的樹脂板，或者通過(guò)向由纖維紡織的布內(nèi)注入上述任何樹脂而獲得的板。
對(duì)絕緣41的厚度不特別限制，只要這種絕緣板41是柔性的即可。然而，其厚度優(yōu)選為10-50μm，更優(yōu)選為10-25μm。
作為用于形成電極結(jié)構(gòu)42的金屬，可以使用鎳、銅、金、銀、鈀、鐵等。電極結(jié)構(gòu)42可以是由簡(jiǎn)單金屬作為整體形成的、由至少兩種金屬的合金形成的、以及通過(guò)疊加至少兩種金屬獲得的結(jié)構(gòu)中的任何一種。
在電極結(jié)構(gòu)42中的前表面電極部分43和后表面電極部分44的表面上，優(yōu)選形成具有高導(dǎo)電性的化學(xué)性能穩(wěn)定的金屬的膜，例如金、銀或鉑使之可以防止這些電極部分的氧化，并且獲得接觸電阻小的電極部分。
電極結(jié)構(gòu)42中的前表面電極部分的突出高度優(yōu)選為15-50μm，更優(yōu)選為15-30μm，使之可以實(shí)現(xiàn)與晶片6的被檢測(cè)電極7的穩(wěn)定電連接。前表面電極部分43的直徑根據(jù)晶片6的被檢測(cè)電極的尺寸和間距而預(yù)先設(shè)置，例如其直徑為30-80μm，優(yōu)選為30-50μm。
對(duì)于電極結(jié)構(gòu)42中的后表面電極部分44的直徑來(lái)說(shuō)，只需大于短路部件45的直徑并小于電極結(jié)構(gòu)42的設(shè)置間距，并且該直徑優(yōu)選盡可能的大，由此可以確實(shí)地實(shí)現(xiàn)與各向異性導(dǎo)電連接器2的彈性各向異性導(dǎo)電膜20中的連接用導(dǎo)電部件22的穩(wěn)定電連接。后表面電極部分44的厚度優(yōu)選為20-50μm，更優(yōu)選為35-50μm，使之強(qiáng)度足夠高，并且實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的重復(fù)耐久性。
電極結(jié)構(gòu)42中的短路部件45的直徑優(yōu)選為30-80μm，更優(yōu)選為30-50μm，使之可以實(shí)現(xiàn)足夠高的強(qiáng)度。
板狀連接器40可以例如利用以下方式進(jìn)行制造。
即，提供通過(guò)在絕緣板41上疊加金屬層而獲得的疊加材料，并且利用激光加工、濕刻蝕加工、干刻蝕加工等，根據(jù)對(duì)應(yīng)要形成的電極結(jié)構(gòu)42的圖形的圖形在疊加材料的絕緣板41中形成在絕緣板41的厚度方向延伸的多個(gè)通孔。然后對(duì)這種疊加材料進(jìn)行光刻和電鍍處理，由此在絕緣板41中的通孔中形成整體地連接到金屬層上的短路部件45，同時(shí)，在絕緣板41的前表面上形成整體地連接到各個(gè)短路部件45上的突出前表面電極部分43。之后，對(duì)疊加材料的金屬層進(jìn)行光刻蝕處理，從而除去其一部分，由此形成后表面電極部分44，從而形成電極結(jié)構(gòu)42，由此獲得板狀連接器40。
在這種電檢測(cè)設(shè)備中，在晶片安裝臺(tái)4上安裝作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片6，然后通過(guò)加壓板3向下對(duì)探測(cè)部件1施加壓力，由此使其板狀連接器40的電極結(jié)構(gòu)42中的各個(gè)前表面電極部分43與晶片6的它們的對(duì)應(yīng)被檢測(cè)電極7接觸，并進(jìn)一步通過(guò)前表面電極部分43對(duì)晶片6的各被檢測(cè)電極7施加壓力。在這種狀態(tài)下，各向異性導(dǎo)電連接器2的彈性各向異性導(dǎo)電膜20中的每個(gè)連接用導(dǎo)電部件22分別被檢測(cè)用電路板30的檢測(cè)電極31和板狀連接器40的電極結(jié)構(gòu)42的前表面電極部分43固定并加壓，并且在厚度方向被壓縮，由此在其厚度方向在各連接用導(dǎo)電部件22中形成導(dǎo)電通路。結(jié)果是，實(shí)現(xiàn)了晶片6的被檢測(cè)電極7和檢測(cè)用電路板30的檢測(cè)電極31之間的電連接。隨后，利用加熱器5通過(guò)晶片安裝臺(tái)4和加壓板3將晶片6加熱到預(yù)定溫度。在這種狀態(tài)下，對(duì)晶片6中的多個(gè)集成電路的每個(gè)進(jìn)行必須的電檢測(cè)。
根據(jù)這種晶片檢測(cè)設(shè)備，通過(guò)具有上述各向異性導(dǎo)電連接器2的探測(cè)部件1實(shí)現(xiàn)了與作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片6的被檢測(cè)電極7的電連接。
因此，即使在被檢測(cè)電極7的間距很小時(shí)，也很容易實(shí)現(xiàn)與晶片的定位、保持和固定。此外，由于各向異性導(dǎo)電連接器2中的彈性各向異性導(dǎo)電膜20的連接用導(dǎo)電部件22具有良好的導(dǎo)電性，因此實(shí)現(xiàn)了與各個(gè)被檢測(cè)電極的連接的高可靠性，并充分地保證了相鄰連接用導(dǎo)電部件22之間的絕緣性能，而且即使重復(fù)進(jìn)行檢測(cè)，也可以在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)穩(wěn)定地進(jìn)行所需電檢測(cè)。
由于各向異性導(dǎo)電連接器2中的每個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜20其自身的面積很小，并且即使在進(jìn)行熱磁滯作用時(shí)，彈性各向異性導(dǎo)電膜20的平面方向上的熱膨脹的絕對(duì)量也很小，通過(guò)使用具有低線性熱膨脹系數(shù)的材料作為框架板10的材料而利用框架板確實(shí)地防止了彈性各向異性導(dǎo)電膜20在平面方向上的熱膨脹。因而，即使在大面積晶片上進(jìn)行WLBI測(cè)試時(shí)，也可以穩(wěn)定的保持良好的電連接狀態(tài)。
圖13是示意性地表示利用根據(jù)本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電連接器的另一典型晶片檢測(cè)設(shè)備的結(jié)構(gòu)的剖面圖，圖14是表示圖13中所示的晶片檢測(cè)設(shè)備中的探測(cè)部件的放大尺寸的剖面圖。
這種晶片檢測(cè)設(shè)備具有在其頂部開口的盒式腔室50，其中裝有作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片6。在這個(gè)腔室50的側(cè)壁中設(shè)置用于排放腔室50內(nèi)的空氣的排氣管51，并且排氣器(未示出)例如真空泵連接到排氣管51上。
與圖11所示的晶片檢測(cè)設(shè)備中的探測(cè)部件1結(jié)構(gòu)相同的探測(cè)部件1設(shè)置在腔室50上，以便氣密地封閉腔室50的開口。更具體地說(shuō)，彈性O(shè)形環(huán)55緊密接觸地設(shè)置在腔室50中的側(cè)壁的上端表面上，并且探測(cè)部件1在各向異性導(dǎo)電連接器2和其板狀連接器40安裝在腔室50中的狀態(tài)下設(shè)置，并且其檢測(cè)用電路板30的周邊與O形環(huán)55緊密接觸。此外，檢測(cè)用電路板30在由設(shè)置在其后表面(圖13中的上表面)上的加壓板3向下加壓的狀態(tài)下固定。
加熱器5連接到腔室50和加壓板3上。
在這種晶片檢測(cè)設(shè)備中，連接到腔室50的排氣管51上的排氣器(未示出)被驅(qū)動(dòng)，由此使腔室50內(nèi)的壓力減小到例如1000Pa或更低。結(jié)果是，探測(cè)部件1被大氣壓向下加壓，由此使O形環(huán)彈性變形，并且探測(cè)部件1向下移動(dòng)。結(jié)果是，晶片6的被檢測(cè)電極7分別被板狀連接器40的電極結(jié)構(gòu)42中的它們的對(duì)應(yīng)前表面電極部分43加壓。在這個(gè)狀態(tài)下，各向異性導(dǎo)電連接器2的彈性各向異性導(dǎo)電膜20中的連接用導(dǎo)電部件22分別被檢測(cè)用電路板30的檢測(cè)電極31和板狀連接器40的電極結(jié)構(gòu)42中的前表面電極部分43固定和加壓，并在厚度方向被壓縮，由此在其厚度方向在各個(gè)連接用導(dǎo)電部件22中形成導(dǎo)電通路。結(jié)果是，實(shí)現(xiàn)了晶片6的被檢測(cè)電極7與檢測(cè)用電路板30的檢測(cè)電極31之間的電連接。此后，利用加熱器5經(jīng)過(guò)腔室50和加壓板3將晶片6加熱到預(yù)定溫度。在這個(gè)狀態(tài)下，在晶片6中的多個(gè)集成電路的每個(gè)上進(jìn)行所需的電檢測(cè)。
根據(jù)這種晶片檢測(cè)設(shè)備，可以獲得與圖11所示晶片檢測(cè)設(shè)備中相同的效果。此外，由于不需要任何大尺寸的加壓機(jī)構(gòu)，因此整個(gè)檢測(cè)設(shè)備可以最小化，而且，即使在晶片6具有例如直徑為8英寸或更大的大面積時(shí)，也可以利用均勻力對(duì)作為檢測(cè)目標(biāo)的整個(gè)晶片6進(jìn)行加壓。此外，由于空氣循環(huán)孔15形成在各向異性導(dǎo)電連接器2中的框架板10中，因此當(dāng)減小腔室50內(nèi)的壓力時(shí)，通過(guò)各向異性導(dǎo)電連接器2中的框架板10的空氣循環(huán)孔15排放了各向異性導(dǎo)電連接器2和檢測(cè)用電路板30之間存在的空氣，由此可以確保各向異性導(dǎo)電連接器2與檢測(cè)用電路板30緊密接觸，因而確實(shí)實(shí)現(xiàn)了所需電連接。
本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，并且可以給其添加下列各種變化或修改。
(1)在本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電連接器中，除了連接用導(dǎo)電部件22之外，可以在彈性各向異性導(dǎo)電膜20中形成沒有電連接到晶片中的被檢測(cè)電極上的非連接用導(dǎo)電部件。其中形成了非連接用導(dǎo)電部件的具有各向異性導(dǎo)電膜的各向異性導(dǎo)電連接器將在后面進(jìn)行說(shuō)明。
圖15是表示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的各向異性導(dǎo)電連接器中的彈性各向異性導(dǎo)電膜的放大尺寸的平面圖，圖16是表示圖15中所示的各向異性導(dǎo)電連接器中的彈性各向異性導(dǎo)電膜的放大尺寸的剖面圖。在這種各向異性導(dǎo)電連接器的彈性各向異性導(dǎo)電膜20中，電連接到作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片中的被檢測(cè)電極上并在厚度方向(在圖15中，垂直于紙面的方向)延伸的多個(gè)連接用導(dǎo)電部件22設(shè)置成根據(jù)對(duì)應(yīng)被檢測(cè)電極的圖形的圖形而對(duì)準(zhǔn)成一線。這些連接用導(dǎo)電部件22的每個(gè)以高密度含有在取向與厚度方向?qū)?zhǔn)的狀態(tài)下呈現(xiàn)磁性的導(dǎo)電顆粒，并被絕緣部件23相互絕緣，在該絕緣部件23中根本不含有或者含有很少的導(dǎo)電顆粒。
連接用導(dǎo)電部件22當(dāng)中彼此相鄰并位于中心的二個(gè)連接用導(dǎo)電部件22其設(shè)置間隔比彼此相鄰的其它連接用導(dǎo)電部件22之間的間隔大。沒有電連接到作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片中的任何被檢測(cè)電極上并在厚度方向延伸的非連接用導(dǎo)電部件26形成在彼此相鄰并位于中心的二個(gè)連接用導(dǎo)電部件22之間。此外，在設(shè)置連接用導(dǎo)電部件22的方向上位于最外側(cè)的連接用導(dǎo)電部件22和框架板10之間形成不電連接到作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片中的任何被檢測(cè)電極上并在厚度方向延伸的非連接用導(dǎo)電部件26。這些非連接用導(dǎo)電部件26以高密度含有在取向與厚度方向?qū)?zhǔn)的狀態(tài)下呈現(xiàn)磁性的導(dǎo)電顆粒并利用絕緣部件23與連接用導(dǎo)電部件22相互絕緣，在絕緣部件23中根本不含有或含有很少的導(dǎo)電顆粒。
在功能部件21的周邊邊緣上，固定到框架板10中的各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔11附近的周邊邊緣并由其支撐的被支撐部分25與功能部件21整體地和連續(xù)地形成，并且在被支撐部分25中含有導(dǎo)電顆粒。
其它結(jié)構(gòu)與圖1-4中所示的各向異性導(dǎo)電連接器中的結(jié)構(gòu)基本相同。
圖15和16所示的各向異性導(dǎo)電連接器可以使用由上模和下模構(gòu)成的模具而利用與用于制造圖1-4所示的各向異性導(dǎo)電連接器的工藝相同的方式來(lái)制造，在所述模具上，根據(jù)對(duì)應(yīng)要形成的彈性各向異性導(dǎo)電膜20中的連接用導(dǎo)電部件22和非連接用導(dǎo)電部26的設(shè)置圖形的圖形分別形成了鐵磁物質(zhì)層，并在除了鐵磁物質(zhì)層以外的其它部分上形成非磁性物質(zhì)層，代替圖6所示的模具。
更具體地說(shuō)，根據(jù)這種模具，例如一對(duì)電磁體設(shè)置在上模中的基板的上表面和下模中的基板的下表面上，并使電磁鐵工作，由此在形成在上模和下模之間的模制材料層中，分散在要成為模制材料層中的功能部件21的部分中的導(dǎo)電顆粒聚集到要成為連接用導(dǎo)電部件22的部分和要成為非連接用導(dǎo)電部件26的部分上，并且取向成在厚度方向?qū)?zhǔn)。另一方面，位于模制材料層中的框架板10之上和之下的導(dǎo)電顆粒保持留在框架板10的上面和下面。
在這個(gè)狀態(tài)下，對(duì)模制材料層進(jìn)行固化處理，由此在被支撐部分25已經(jīng)固定到框架板10的每個(gè)各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔11附近的周邊的狀態(tài)下形成了各由功能部件21和被支撐部分25構(gòu)成的彈性各向異性導(dǎo)電膜20，由此制造各向異性導(dǎo)電連接器，所述功能部件21中多個(gè)連接用導(dǎo)電部件22和非連接用導(dǎo)電部件26在被由彈性聚合物質(zhì)構(gòu)成的絕緣部件23相互絕緣的狀態(tài)下設(shè)置，所述導(dǎo)電部件22和26中以取向成在厚度方向?qū)?zhǔn)的狀態(tài)下在彈性聚合物質(zhì)中含有導(dǎo)電顆粒，所述絕緣部件23中根本不含有或很有很少的導(dǎo)電顆粒，所述被支撐部分25在功能部件21的周邊邊緣上連續(xù)地和整體地形成，并且其中在彈性聚合物質(zhì)中含有導(dǎo)電顆粒。
在形成彈性各向異性導(dǎo)電膜20時(shí)，通過(guò)給每個(gè)模制材料層中要成為非連接用導(dǎo)電部件26的部分施加磁場(chǎng)而獲得圖15所示的各向異性導(dǎo)電連接器中的非連接用導(dǎo)電部件26，由此使存在于在要成為連接用導(dǎo)電部件22的模制材料層中以大間隔設(shè)置的兩個(gè)相鄰部分之間的導(dǎo)電顆粒以及將要成為連接用導(dǎo)電部件22的模制材料層中的位于最外側(cè)的部分和框架板10之間的導(dǎo)電顆粒聚集到要成為非連接用導(dǎo)電部件26的部分上，并在這個(gè)狀態(tài)下對(duì)模制材料層進(jìn)行固化處理。因此，防止導(dǎo)電顆粒過(guò)量地聚集到在將要成為連接用導(dǎo)電部件22的模制材料層中以較大間隔設(shè)置的兩個(gè)相鄰部分，和在將要成為連接用導(dǎo)電部件22的模制材料層中位于最外側(cè)的部分。相應(yīng)地，即使要形成的每個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜20具有以較大間隔設(shè)置的至少兩個(gè)連接用導(dǎo)電部件22，也能確保防止這些連接用導(dǎo)電部件22含有過(guò)量的導(dǎo)電顆粒。此外，即使要形成的彈性各向異性導(dǎo)電膜20具有相對(duì)大量的連接用導(dǎo)電部件22，確實(shí)防止了位于彈性各向異性導(dǎo)電膜20中的最外側(cè)的連接用導(dǎo)電部件22含有過(guò)量的導(dǎo)電顆粒。
(2)在根據(jù)本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電連接器中，連接用導(dǎo)電部件22及其周邊部分從任何其它部分的表面突出的突出部分24可以形成在彈性各向異性導(dǎo)電膜20的功能部件21的一個(gè)表面上，如圖17所示，或者連接用導(dǎo)電部件22及其周邊部分從任何其它部分的表面突出的突出部分24可以形成在彈性各向異性導(dǎo)電膜20的功能部件21的兩個(gè)表面上，使得各向異性導(dǎo)電膜20中的絕緣部件23的厚度與連接用導(dǎo)電部件22的厚度的比至少為0.9。
(3)在根據(jù)本發(fā)明的各向異性連接器中，金屬層可以形成在彈性各向異性導(dǎo)電膜20中的連接用導(dǎo)電部件22的表面上。
(4)在根據(jù)本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電連接器中，DLC層可以形成在彈性各向異性導(dǎo)電膜20的表面上。
(5)在制造本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電連接器時(shí)，在用非磁性物質(zhì)作為框架板10的基本材料時(shí)，作為給模制材料層20A中要成為被支撐部分25的部分施加磁場(chǎng)的方法，可以采用用磁性物質(zhì)電鍍框架板10中的各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔11的周邊部分或用磁性油漆涂覆它們從而給其施加磁場(chǎng)的方式，或者采用在對(duì)應(yīng)彈性各向異性導(dǎo)電膜20的被支撐部分25的模具60上形成鐵磁物質(zhì)層從而給其施加磁場(chǎng)的方式。
(6)在形成模制材料層時(shí)使用間隔器不是重要的，并且用于形成彈性各向異性導(dǎo)電膜的間隔可以在上模和下模與框架板之間由任何其它裝置固定。
(7)在根據(jù)本發(fā)明的晶片檢測(cè)設(shè)備中，探測(cè)部件中的板狀連接器不是主要的，并且晶片檢測(cè)設(shè)備可以如此構(gòu)成，使得各向異性導(dǎo)電連接器2中的彈性各向異性導(dǎo)電膜20與作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片接觸，從而實(shí)現(xiàn)如圖18和19所示的電連接。
(8)除了對(duì)其上形成具有鋁組成的平面電極的集成電路的晶片進(jìn)行檢測(cè)，根據(jù)本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電連接器或根據(jù)本發(fā)明的探測(cè)部件還可以在檢測(cè)晶片6時(shí)使用，其中所述晶片6上形成了具有由金、焊料等構(gòu)成的突起電極(凸塊)作為被檢測(cè)電極7的集成電路，如圖20和21所示。由于與由鋁構(gòu)成的電極相比，由金、焊料等形成的電極可以抵抗在其表面上形成氧化膜，因此在檢測(cè)晶片6時(shí)不必在用于破裂所需的重負(fù)載下對(duì)這些電極加壓，其中所示晶片6上形成了具有作為被檢測(cè)電極7的突起電極的集成電路，并且可以在不使用任何板狀連接器而使各向異性導(dǎo)電連接器2中的連接用導(dǎo)電部件22直接與被檢測(cè)電極7接觸的狀態(tài)下進(jìn)行檢測(cè)。
當(dāng)在各向異性導(dǎo)電連接器的連接用導(dǎo)電部件已經(jīng)與突起電極直接接觸的狀態(tài)下進(jìn)行晶片的檢測(cè)時(shí)，其中所述突起電極是要檢測(cè)的電極，在重復(fù)使用各向異性導(dǎo)電連接器時(shí)，通過(guò)用突起電極加壓而對(duì)連接用導(dǎo)電部件進(jìn)行研磨或永久壓縮變形。結(jié)果是，在連接用導(dǎo)電部件上發(fā)生了電阻的增加和與被檢測(cè)電極的連接故障，因而必須頻繁地用新的各向異性導(dǎo)電連接器代替該各向異性導(dǎo)電連接器。
然而，根據(jù)本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電連接器或本發(fā)明的探測(cè)部件，即使作為檢測(cè)目標(biāo)的其上以高集成度形成了集成電路的晶片6是具有8英寸或12英寸的直徑的晶片時(shí)，也可以在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)保持所需的導(dǎo)電性，并且被檢測(cè)電極7是突起電極，因?yàn)楦飨虍愋詫?dǎo)電連接器或探測(cè)部件的重復(fù)使用的耐久性很高，由此用新各向異性導(dǎo)電連接器替換各向異性導(dǎo)電連接器的頻率變低，因而可以減少檢測(cè)成本。
(9)在根據(jù)本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電連接器中，可以對(duì)應(yīng)電極區(qū)形成其框架板中的各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔，在所述電極區(qū)中被檢測(cè)電極設(shè)置在形成在作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片上的一部分集成電路中，并且彈性各向異性導(dǎo)電膜可以設(shè)置在這些各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔中。
根據(jù)這種各向異性導(dǎo)電連接器，晶片可以被分成兩個(gè)或更多個(gè)區(qū)域，從而在形成在每個(gè)分割區(qū)域中的集成電路上共同地進(jìn)行探針測(cè)試。
更具體地說(shuō)，在使用根據(jù)本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電連接器或根據(jù)本發(fā)明的探測(cè)部件對(duì)晶片進(jìn)行檢測(cè)的方法中，在形成在晶片上的所有集成電路上共同地進(jìn)行檢測(cè)不是重要的。
在老化測(cè)試中，每個(gè)集成電路所需的檢測(cè)時(shí)間是幾個(gè)小時(shí)，并且在形成在晶片上的所有集成電路上共同地進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)高時(shí)間效率。另一方面，在探針測(cè)試中，每個(gè)集成電路所需的檢測(cè)時(shí)間只有幾分鐘，即使晶片分成2或更多個(gè)區(qū)域時(shí)，也可以實(shí)現(xiàn)充分高的時(shí)間效率，并且在形成在每個(gè)分割區(qū)域中的集成電路上共同地進(jìn)行探針測(cè)試。
如上所述，根據(jù)關(guān)于形成在晶片上的集成電路而對(duì)每個(gè)分割區(qū)進(jìn)行電檢測(cè)的方法，當(dāng)對(duì)以高集成度形成在具有8英寸或12英寸的直徑的晶片上的集成電路進(jìn)行電檢測(cè)時(shí)，與在所有集成電路上共同地進(jìn)行檢測(cè)的方法相比，可以減少使用的檢測(cè)電極和檢測(cè)用電路板的布線的數(shù)量，由此可以減少檢測(cè)設(shè)備的制造成本。
由于根據(jù)本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電連接器或根據(jù)本發(fā)明的探測(cè)部件在重復(fù)使用上的耐久性很高，在每個(gè)分割區(qū)域中、在對(duì)形成在晶片上的集成電路進(jìn)行電檢測(cè)的方法中使用它時(shí)，各向異性導(dǎo)電連接器發(fā)生故障和用新的代替它的頻率變低，因而可以減少檢測(cè)成本。
(10)在根據(jù)本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電連接器中，形成被支撐部分25不是主要的，被支撐部分25相對(duì)于框架板10進(jìn)行堆疊，如圖4所示，但是彈性各向異性導(dǎo)電膜20可以通過(guò)將彈性各向異性導(dǎo)電膜20的側(cè)表面連接到框架板10中的各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔11的內(nèi)表面上而由框架板10來(lái)支撐，如圖22所示。
為了獲得這種各向異性導(dǎo)電連接器，在形成彈性各向異性導(dǎo)電膜20的步驟中，只需要形成模制材料層而不用在上模和下模與框架板之間設(shè)置間隔器。
在這種各向異性導(dǎo)電連接器中，在形成彈性各向異性導(dǎo)電膜20時(shí)不需要在上模和下模與框架板之間設(shè)置間隔器，并且由框架板10的厚度和在模具的模制表面中形成的凹陷部分的深度來(lái)確定彈性各向異性導(dǎo)電膜20的預(yù)定，因而很容易形成具有例如100μm或以下的厚度的薄彈性各向異性導(dǎo)電膜20。
下面將通過(guò)以下例子具體介紹本發(fā)明。但是，本發(fā)明不限于這些例子。

如圖23所示，在由硅(線性熱膨脹系數(shù)3.3×10-6/K)制成并具有8英寸直徑的晶片6上形成總數(shù)為393個(gè)正方形集成電路L，其中每個(gè)集成電路具有8nm×8nm的尺寸。形成在晶片6上的每個(gè)集成電路L在其中心具有被檢測(cè)電極的區(qū)域A，如圖24所示。在被檢測(cè)電極的區(qū)域A中，如圖25所示，50個(gè)被檢測(cè)的矩形電極7在橫向方向以100μm的間距設(shè)置成一行，其中每個(gè)電極7具有200μm的垂直方向尺寸(圖25中的上下方向)和50μm的橫向尺寸(圖25中的左右方向)。整個(gè)晶片6中的被檢測(cè)電極7的總數(shù)量是19650。所有被檢測(cè)電極電連接到形成在晶片6的周邊邊緣上的公共引線電極(未示出)上。在形成被檢測(cè)電極7的一側(cè)上的晶片6的表面的面積S2為3.14×104mm2。下面將這個(gè)晶片稱為“評(píng)估用晶片W1”。
此外，在晶片6上形成393個(gè)集成電路(L)，這些集成電路具有與評(píng)估用晶片W1中相同的結(jié)構(gòu)，除了在集成電路(L)上形成了關(guān)于50個(gè)被檢測(cè)電極(7)的公共引線電極，并且被檢測(cè)電極彼此電絕緣之外。整個(gè)晶片中的被檢測(cè)電極的總數(shù)量是19650。形成被檢測(cè)電極(7)的一側(cè)上的晶片(6)的表面的面積S2為3.14×104mm2。下面將這個(gè)晶片稱為“評(píng)估用晶片W2”。
在晶片(6)上，形成393個(gè)集成電路(L)，這些集成電路具有與評(píng)估用晶片W1中相同的結(jié)構(gòu)，除了以下結(jié)構(gòu)之外在集成電路(L)中的50個(gè)被檢測(cè)電極(7)當(dāng)中，在從最末端被檢測(cè)電極(7)數(shù)每隔一個(gè)電極上，每?jī)蓚€(gè)被檢測(cè)電極(7)彼此電連接，并且不形成引線電極。整個(gè)晶片中的被檢測(cè)電極的總數(shù)量為19650。下面，整個(gè)晶片中的被檢測(cè)電極的總數(shù)量是19650。在形成被檢測(cè)電極(7)的一側(cè)上的晶片(6)的表面的面積S2是3.14×104mm2。下面將這種晶片稱為“測(cè)試用晶片W3”。
此外，在晶片(6)上形成393個(gè)集成電路(L)，這些集成電路具有與評(píng)估用晶片W1相同的結(jié)構(gòu)，除了以下結(jié)構(gòu)之外在集成電路(L)中的50個(gè)被檢測(cè)電極(7)當(dāng)中，在從最末端被檢測(cè)電極(7)數(shù)每隔一個(gè)電極上，每?jī)蓚€(gè)被檢測(cè)電極(7)彼此電連接，不形成引線電極，并且被檢測(cè)電極變?yōu)榫哂?0μm的直徑和30μm的高度的突起電極。整個(gè)晶片中的被檢測(cè)電極的總數(shù)量為19650。在形成被檢測(cè)電極(7)的一側(cè)上的晶片(6)的表面的面積S2是3.14×104mm2。下面將這種晶片稱為“測(cè)試用晶片W4”。
<例子和比較例>
(1)導(dǎo)電顆粒的制備向粉末電鍍?cè)O(shè)備的處理容器中注入由鎳(飽和磁化0.6Wb/m2)構(gòu)成并具有10μm的數(shù)量平均粒徑的100g顆粒，并進(jìn)一步添加2L的0.32N鹽酸。攪拌得到的混合物，從而獲得含有磁芯顆粒的漿料。在常溫下攪拌這種漿料30分鐘，由此對(duì)磁芯顆粒進(jìn)行酸處理。之后，將如此處理過(guò)的漿料靜放1分鐘，從而使磁芯顆粒沉淀，并除去清液層。
向進(jìn)行了酸處理的磁芯顆粒添加2L純凈水，并在常溫下攪拌該混合物2分鐘。然后將這種混合物靜放1分鐘，使磁芯顆粒沉淀，并除去清液層。重復(fù)兩次進(jìn)行這個(gè)過(guò)程，由此對(duì)磁芯顆粒進(jìn)行清洗處理。
向進(jìn)行了酸處理和清洗處理的磁芯顆粒添加含金比例為20g/L的2L鍍金液。將處理容器的溫度升高到90℃并攪拌混合物，由此制備漿料。在這個(gè)狀態(tài)下攪拌這種混合物的同時(shí)，對(duì)磁芯顆粒進(jìn)行用金的置換電鍍。之后，靜放該漿料同時(shí)使其冷卻，由此使顆粒沉淀，并除去上清液，從而制備導(dǎo)電顆粒，該導(dǎo)電顆粒具有由鎳構(gòu)成的用金電鍍的表面。
向通過(guò)這種方式獲得的導(dǎo)電顆粒中添加2L純凈水，并且在常溫下攪拌該混合物2分鐘。隨后，靜放該混合物1分鐘，使導(dǎo)電顆粒沉淀，并且除去上清液。重復(fù)兩次這個(gè)過(guò)程，然后向顆粒添加被加熱到90℃的純凈水，并攪拌該混合物。得到的漿料通過(guò)過(guò)濾紙進(jìn)行過(guò)濾，從而收集導(dǎo)電顆粒。借助預(yù)置到90℃的干燥劑對(duì)導(dǎo)電顆粒進(jìn)行干燥處理。
然后在比重8.9、2.5m3/分鐘的氣流、1600rpm的轉(zhuǎn)速、25μm的分類點(diǎn)和16g/min的導(dǎo)電顆粒的饋送速度的條件下，使用空氣分類器“Turboclassifier TC-15N”(由Nisshin Engineering公司制造)對(duì)200g導(dǎo)電顆粒進(jìn)行分類處理，由此收集180g導(dǎo)電顆粒。此外，在比重8.9、25m3/分鐘的氣流、3000rpm的轉(zhuǎn)速、10μm的分類點(diǎn)和14g/min的導(dǎo)電顆粒的饋送速度的條件下，對(duì)180g導(dǎo)電顆粒進(jìn)行另一分類處理。
如此獲得的導(dǎo)電顆粒，其數(shù)量平均粒徑為8.7μm，重量平均粒徑為9.9μm，比例Dw/Dn值為1.1，粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差為2.0，粒徑的變化系數(shù)為23％，并且金與磁芯顆粒的比例為30％質(zhì)量。該導(dǎo)電顆粒被稱為“導(dǎo)電顆粒(a)”。
(2)框架板的制造在下列條件下根據(jù)圖26和27所示的結(jié)構(gòu)制造總數(shù)為二十的框架板，每個(gè)框架板具有8英寸的直徑和對(duì)應(yīng)評(píng)估用晶片W1中的被檢測(cè)電極的各個(gè)區(qū)域形成的393個(gè)各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔。
這種框架板10的材料是柯伐合金(飽和磁化1.4Wb/m2；線性熱膨脹系數(shù)5×10-6/K)，并且其厚度為50μm。
每個(gè)各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔11具有5500μm的橫向(圖26和27中的左右方向)尺寸和320μm的垂直方向(圖26和27中的上下方向)尺寸。
在垂直方向相鄰的各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔11之間的中心位置形成圓形空氣循環(huán)孔15，并且其直徑為1000μm。
(3)間隔器的制造在下列條件下制造用于模制彈性各向異性導(dǎo)電膜的兩個(gè)間隔器，每個(gè)間隔器具有對(duì)應(yīng)評(píng)估用晶片W1中的被檢測(cè)電極的區(qū)域形成的多個(gè)通孔。這些間隔器的材料是不銹鋼板(SUS304)，并且其厚度為10μm。
對(duì)應(yīng)被檢測(cè)電極的每個(gè)區(qū)域的通孔具有6000μm的橫向尺寸和1200μm的垂直方向尺寸。
(4)模具的制造在下列條件下根據(jù)圖7和28所示的結(jié)構(gòu)制造用于模制彈性各向異性導(dǎo)電膜的模具(K1)。
這個(gè)模具(K1)中的上模61和下模65分別具有由鐵構(gòu)成的基板62和66，并且每個(gè)基板的厚度為6mm。在基板62和66上，根據(jù)對(duì)應(yīng)評(píng)估用晶片W1中的被檢測(cè)電極的圖形的圖形而設(shè)置用于形成連接用導(dǎo)電部件的鐵磁物質(zhì)層63(67)和用于形成非連接用導(dǎo)電部件的鐵磁物質(zhì)層63a(67a)，上述導(dǎo)電部件都由鎳制成。更具體地說(shuō)，用于形成連接用導(dǎo)電部件的每個(gè)鐵磁物質(zhì)層63(67)的尺寸為40μm(橫向方向)×200μm(垂直方向)×100μm(厚度)，并且50個(gè)鐵磁物質(zhì)層63(67)在橫向方向上以100μm的間距設(shè)置成一行。用于形成非連接用導(dǎo)電部件的鐵磁物質(zhì)層63a(67a)設(shè)置在位于設(shè)置鐵磁物質(zhì)層63(67)的方向上的最外側(cè)的鐵磁物質(zhì)層63(67)的外側(cè)。每個(gè)鐵磁物質(zhì)層63a(67a)的尺寸為40μm(橫向方向)×200μm(垂直方向)×100μm(厚度)。
對(duì)應(yīng)評(píng)估用晶片W1中的被檢測(cè)電極的區(qū)域，總共形成393個(gè)區(qū)域，每個(gè)區(qū)域中形成了用于形成連接用導(dǎo)電部件的50個(gè)鐵磁物質(zhì)層63(67)和用于形成非連接用導(dǎo)電部件的2個(gè)鐵磁物質(zhì)層63a(67a)。在整個(gè)基板中，形成19650個(gè)用于形成連接用導(dǎo)電部件的鐵磁物質(zhì)層63(67)和786個(gè)用于形成非連接用導(dǎo)電部件的鐵磁物質(zhì)層63a(67a)。通過(guò)對(duì)干膜抗蝕劑進(jìn)行固化處理而形成非磁性物質(zhì)層64(68)。用于形成功能部件的每個(gè)凹陷部分64a的尺寸為5250μm(橫向方向)×210μm(垂直方向)×25μm(深度)，并且除了凹陷部分以外的其它部分的厚度為125μm(凹陷部分的厚度100μm)。
在下列條件下根據(jù)圖29和30中所示的結(jié)構(gòu)制造用于模制彈性各向異性導(dǎo)電膜的模具(K2)。
這個(gè)模具(K2)中的上模61和下模65分別具有由鐵構(gòu)成的基板62和66，并且每個(gè)基板的厚度為6mm。在基板62和66上，根據(jù)對(duì)應(yīng)評(píng)估用晶片W1中的被檢測(cè)電極的圖形的圖形而設(shè)置用于形成連接用導(dǎo)電部件的鐵磁物質(zhì)層63(67)和用于形成非連接用導(dǎo)電部件的鐵磁物質(zhì)層63a(67a)，上述導(dǎo)電部件都由鎳制成。更具體地說(shuō)，用于形成連接用導(dǎo)電部件的每個(gè)鐵磁物質(zhì)層63(67)的尺寸為40μm(橫向方向)×200μm(垂直方向)×100μm(厚度)，并且50個(gè)鐵磁物質(zhì)層63(67)在橫向方向上以100μm的間距設(shè)置成一行。用于形成非連接用導(dǎo)電部件的鐵磁物質(zhì)層63a(67a)設(shè)置在位于設(shè)置鐵磁物質(zhì)層63(67)的方向上的最外側(cè)的鐵磁物質(zhì)層63(67)的外側(cè)。每個(gè)鐵磁物質(zhì)層63a(67a)的尺寸為40μm(橫向方向)×200μm(垂直方向)×100μm(厚度)。
對(duì)應(yīng)評(píng)估用晶片W1中的被檢測(cè)電極的區(qū)域，總共形成393個(gè)區(qū)域，每個(gè)區(qū)域中形成了用于形成連接用導(dǎo)電部件的50個(gè)鐵磁物質(zhì)層63(67)和用于形成非連接用導(dǎo)電部件的2個(gè)鐵磁物質(zhì)層63a(67a)。在整個(gè)基板中，形成19650個(gè)用于形成連接用導(dǎo)電部件的鐵磁物質(zhì)層63(67)和786個(gè)用于形成非連接用導(dǎo)電部件的鐵磁物質(zhì)層63a(67a)。通過(guò)對(duì)干膜抗蝕劑進(jìn)行固化處理而形成非磁性物質(zhì)層64(68)。在設(shè)置用于形成連接用導(dǎo)電部件的鐵磁物質(zhì)層63(67)的區(qū)域以及設(shè)置用于形成非連接用導(dǎo)電部件的鐵磁物質(zhì)層63a(67a)的區(qū)域中，形成用于在彈性各向異性導(dǎo)電膜上形成突起部分的凹陷部分64b(68b)和64c(68c)。其上設(shè)置了用于形成連接用導(dǎo)電部件的鐵磁物質(zhì)層63(67)的凹陷部分64b(68b)的尺寸為60μm(橫向方向)×210μm(垂直方向)×25μm(深度)，并且其上設(shè)置了用于形成非連接用導(dǎo)電部件的鐵磁物質(zhì)層63a(67a)的凹陷部分64c(68c)的尺寸為90μm(橫向方向)×260μm(垂直方向)×25μm(深度)，并且除了凹陷部分以外的其它部分的厚度為125μm(凹陷部分的厚度100μm)。
(5)各向異性導(dǎo)電連接器的制造[各向異性導(dǎo)電連接器(A1)-(A10)的制造]利用下列方式使用上述框架板、間隔器和模具在框架板中形成彈性各向異性導(dǎo)電膜。
添加100質(zhì)量份的添加型液體硅橡膠并混合30質(zhì)量份的導(dǎo)電顆粒(a)。之后，通過(guò)減壓對(duì)得到的混合物進(jìn)行去沫處理，由此制備用于模制彈性各向異性導(dǎo)電膜的模制材料。
在上述工藝中，使用兩封裝型液體硅橡膠作為添加型液體硅橡膠，在這種兩封裝型液體硅橡膠中，溶液A的粘度為250Pa·S，溶液B的粘度為250Pa·S，其固化產(chǎn)品在150℃下的壓縮形變?yōu)?％，固化產(chǎn)品的硬度計(jì)A硬度為32，并且固化產(chǎn)品的撕扯強(qiáng)度為25kN/m。
通過(guò)以下方式確定添加型液體硅橡膠的性能。
(i)添加型液體硅橡膠的粘度通過(guò)Bookfield粘度計(jì)測(cè)量在23±2℃的粘度。
(ii)硅橡膠的固化產(chǎn)品的壓縮形變按照它們的量彼此相等的比例對(duì)兩封裝型的添加型液體硅橡膠中的溶液A和溶液B進(jìn)行攪拌和混合。之后，將這種混合物注入到模具中并通過(guò)減壓進(jìn)行去沫處理，在120℃的條件下進(jìn)行30分鐘的固化處理，由此制造具有12.7mm厚度和29mm直徑的柱狀體，該柱狀體由硅橡膠的固化產(chǎn)品構(gòu)成。在200℃的條件下對(duì)柱狀體進(jìn)行4小時(shí)的后固化處理。將通過(guò)這種方式獲得的柱狀體用做樣品，根據(jù)JIS K 6249在150±2℃下測(cè)量它的壓縮形變。
(iii)硅橡膠的固化產(chǎn)品的撕扯強(qiáng)度在與第(ii)項(xiàng)相同的條件下進(jìn)行添加型液體硅橡膠的固化處理和后固化，由此制造具有2.5mm厚度的板。通過(guò)對(duì)這個(gè)板進(jìn)行沖壓制備月牙型樣品，根據(jù)JIS K 6249在23±2℃下測(cè)量它的撕扯強(qiáng)度。
(iv)硬度計(jì)A硬度通過(guò)與第(iii)項(xiàng)相同的方式制造的五個(gè)板彼此疊在一起，并將得到的疊置體用做樣品，根據(jù)JIS K 6249在23±2℃下測(cè)量其硬度計(jì)A硬度。
利用絲網(wǎng)印刷將制備的模制材料施加于上述模具的上模和下模的表面上，由此根據(jù)要形成的彈性各向異性導(dǎo)電膜的圖形而形成模制材料層，并且穿過(guò)用于下模的一側(cè)的間隔器在下模的模制表面上對(duì)準(zhǔn)疊置框架板。此外，將上模穿過(guò)用于上模的一側(cè)的間隔器而對(duì)準(zhǔn)疊置在框架板上。
在100℃的條件下對(duì)形成在上模和下模之間的模制材料層進(jìn)行固化處理1小時(shí)，同時(shí)利用電磁體向位于厚度方向的鐵磁物質(zhì)層之間的部分施加2T的磁場(chǎng)，由此在框架板的每個(gè)各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔中形成彈性各向異性導(dǎo)電膜。
如此獲得的彈性各向異性導(dǎo)電膜將在后面詳細(xì)說(shuō)明。各向異性導(dǎo)電連接器中的彈性各向異性導(dǎo)電膜的總數(shù)為393，并且每個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜具有6000μm的橫向尺寸和1200μm的垂直方向尺寸。
每個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜中的功能部件具有5250μm的橫向尺寸和210μm的垂直方向尺寸，并且其一個(gè)表面的面積為1.1025mm2。相應(yīng)地，所有彈性各向異性導(dǎo)電膜的功能部件的一個(gè)表面的面積的總和S1為433mm2，并且所有彈性各向異性導(dǎo)電膜的功能部件的一個(gè)表面的面積的總和S1與形成被檢測(cè)電極的一側(cè)上的評(píng)估用晶片W1的表面的面積S2的比S1/S2為0.0138。
在每個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜中的功能部件中，50個(gè)連接用導(dǎo)電部件在橫向方向上以100μm的間距設(shè)置成一行。每個(gè)連接用導(dǎo)電部件的尺寸是厚度為120μm、橫向方向尺寸為40μm，垂直方向的尺寸為200μm。在功能部件中，在位于橫向方向的最外側(cè)的連接用導(dǎo)電部件和框架板之間設(shè)置非連接用導(dǎo)電部件。每個(gè)非連接用導(dǎo)電部件的尺寸為在橫向方向的尺寸為40μm、在垂直方向的尺寸為200μm。功能部件中的絕緣部件的厚度為120μm。絕緣部件的厚度與連接用導(dǎo)電部件的厚度的比(T2/T1)為1。相應(yīng)地，每個(gè)功能部件的兩個(gè)表面是平坦的，并具有均勻的厚度。每個(gè)功能部件是按照其兩個(gè)表面從被支撐部分突出并且功能部件的突出高度為25μm的方式形成的。每個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜中的被支撐部分的總厚度為70μm，一個(gè)叉形部分的厚度為10μm。
利用上述方式在10個(gè)框架板中分別形成彈性各向異性導(dǎo)電膜，從而制造總共10個(gè)各向異性導(dǎo)電連接器。這些各向異性導(dǎo)電連接器將在后面被稱為各向異性導(dǎo)電連接器(A1)-各向異性導(dǎo)電連接器(A10)。
觀察彈性各向異性導(dǎo)電膜的功能部件中的被支撐部分和絕緣部件。結(jié)果是，確認(rèn)導(dǎo)電顆粒存在于被支撐部分中，并且導(dǎo)電顆粒很少地存在于功能部件中的絕緣部件中。
利用與各向異性導(dǎo)電連接器(A1)-(A10)中相同的方式制造用于對(duì)比的各向異性導(dǎo)電連接器，除了使用模具(K2)代替模具(K1)之外。
下面將具體介紹如此獲得的各向異性導(dǎo)電板的彈性各向異性導(dǎo)電膜。各向異性導(dǎo)電連接器中的彈性各向異性導(dǎo)電膜的總數(shù)量為393，并且每個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜具有6000μm的橫向方向尺寸和1200μm的垂直方向尺寸。五十個(gè)連接用導(dǎo)電部件在橫向方向上以100μm的間距設(shè)置成一行。每個(gè)連接用導(dǎo)電部件的尺寸為橫向尺寸40μm、垂直方向尺寸200μm和厚度為120μm。在位于橫向方向的最外側(cè)的連接用導(dǎo)電部件和框架板之間設(shè)置非連接用導(dǎo)電部件。每個(gè)非連接用導(dǎo)電部件的尺寸為在橫向方向的尺寸為40μm、在垂直方向的尺寸為200μm和厚度為120μm。形成在連接用導(dǎo)電部件上的突出部分的突出高度在每個(gè)表面上為25μm，并且每個(gè)突出部分具有60μm的橫向尺寸和210μm的垂直方向尺寸。形成在非連接用導(dǎo)電部件上的突出部分的突出高度在每個(gè)表面上為25μm，并且每個(gè)突出部分具有90μm的橫向尺寸和260μm的垂直方向的尺寸。因而，所有彈性各向異性導(dǎo)電膜中的突出部分的端面的面積的總和是266mm2，并且所有彈性各向異性導(dǎo)電膜中的突出部分的端面的面積的總和與形成被檢測(cè)電極的一側(cè)上的評(píng)估用晶片W1的表面的面積的比為0.0085。絕緣部件的厚度為70μm，并且絕緣部件的厚度與連接用導(dǎo)電部件的厚度的比(T2/T1)為0.58。每個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜中的被支撐部分的厚度(一個(gè)叉形部分的厚度)為10μm。這些各向異性連接器將在后面稱為各向異性導(dǎo)電連接器(B1)-各向異性導(dǎo)電連接器(B10)。
(6)檢測(cè)用電路板氧化鋁陶瓷(線性熱膨脹系數(shù)4.8×10-6/K)用做制造檢測(cè)用電路板的基本材料，在該檢測(cè)用電路板中已經(jīng)根據(jù)對(duì)應(yīng)評(píng)估用晶片W1中的被檢測(cè)電極的圖形的圖形而形成了檢測(cè)電極。這個(gè)檢測(cè)用電路板總體上是矩形的，其尺寸為30cm×30cm。其檢測(cè)電極各具有60μm的橫向方向尺寸和200μm的垂直方向尺寸。這個(gè)檢測(cè)用電路板將在后面稱為“檢測(cè)用電路板T”。
(7)板狀連接器提供一種疊置材料，它是通過(guò)在由聚酰亞胺形成并具有20μm厚度的絕緣板的一個(gè)表面上疊加厚度為15μm的銅層而獲得的，并且對(duì)這個(gè)疊置材料中的絕緣板進(jìn)行激光加工，由此根據(jù)對(duì)應(yīng)評(píng)估用晶片W1中的被檢測(cè)電極的圖形的圖形在絕緣板中形成各穿過(guò)絕緣板的厚度方向延伸的19650個(gè)通孔，這些通孔的直徑為30μm。然后對(duì)這種疊置材料進(jìn)行光刻和鎳鍍處理，由此形成整體地連接到絕緣板中的通孔中的銅層上的短路部件，同時(shí)，在絕緣板的前表面上形成整體地連接到各個(gè)短路部件的突出前表面電極部分。每個(gè)前表面電極部分的直徑為40μm，并且相對(duì)于絕緣板的表面的高度為20μm。之后，對(duì)疊置材料的銅層進(jìn)行光刻蝕處理，除去其一部分，由此形成各具有60μm×210μm尺寸的矩形后表面電極部分。此外，對(duì)前表面電極部分和后表面電極部分進(jìn)行金鍍處理，由此形成電極結(jié)構(gòu)，從而制造板狀連接器。這個(gè)板狀連接器在后面將被稱為“板狀連接器M”。
(8)彈性各向異性導(dǎo)電膜的初始性能利用下列方式確定每個(gè)各向異性導(dǎo)電連接器(A1)-(A10)和各向異性導(dǎo)電連接器(B1)-(B10)中的彈性各向異性導(dǎo)電膜的初始性能。
利用如下方式在檢測(cè)用電路板T上對(duì)準(zhǔn)設(shè)置各向異性導(dǎo)電連接器，使得其連接用導(dǎo)電部件位于檢測(cè)用電路板T的各個(gè)檢測(cè)電極上，并且利用RTV硅橡膠將各向異性導(dǎo)電連接器的周邊部分連接到檢測(cè)用電路板T上，從而制造探測(cè)部件。然后將這個(gè)探測(cè)部件固定到加壓板上，并且將評(píng)估用晶片W1安裝在晶片安裝臺(tái)上。在探測(cè)部件和評(píng)估用晶片W1之間推進(jìn)可觀察上下方向的CCD照相機(jī)，并根據(jù)這個(gè)CCD照相機(jī)的圖像對(duì)評(píng)估用晶片W1與探測(cè)部件進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，使得各向異性導(dǎo)電連接器的連接用導(dǎo)電部件分別位于評(píng)估用晶片W1的被檢測(cè)電極的正上方。然后從探測(cè)部件和評(píng)估用晶片W1之間取出CCD照相機(jī)，并在58.95kg(施加于每個(gè)連接用導(dǎo)電部件的負(fù)載為平均為3g)的負(fù)載下向下加壓探測(cè)部件，由此使各向異性導(dǎo)電連接器的彈性各向異性導(dǎo)電膜在壓力下與評(píng)估用晶片W1接觸。然后在室溫(25℃)下測(cè)量評(píng)估用電路板T中的19650個(gè)檢測(cè)電極的每個(gè)檢測(cè)電極與評(píng)估用晶片W1的引線電極之間的電阻，并作為連接用導(dǎo)電部件中的電阻(下面將其稱為“導(dǎo)電電阻”)，從而計(jì)算出導(dǎo)電電阻低于1Ω的連接用導(dǎo)電部件的比例。
在晶片安裝臺(tái)上安裝評(píng)估用晶片W2來(lái)代替評(píng)估用晶片W1，并且在探測(cè)部件和評(píng)估用晶片W2之間推進(jìn)能觀察上下方向的CCD照相機(jī)，并根據(jù)這個(gè)CCD照相機(jī)的圖像對(duì)評(píng)估用晶片W2與探測(cè)部件的對(duì)準(zhǔn)，使得各向異性導(dǎo)電連接器的連接用導(dǎo)電部件分別位于評(píng)估用晶片W2的被檢測(cè)電極的正上方。然后從探測(cè)部件和評(píng)估用晶片W2之間取出CCD照相機(jī)，并在58.95kg(施加于每個(gè)連接用導(dǎo)電部件的負(fù)載為平均為3g)的負(fù)載下向下加壓探測(cè)部件，由此使各向異性導(dǎo)電連接器的彈性各向異性導(dǎo)電膜在壓力下與評(píng)估用晶片W2接觸。然后在室溫(25℃)下測(cè)量評(píng)估用電路板T中的2個(gè)相鄰檢測(cè)電極之間的電阻，并作為2個(gè)相鄰連接用導(dǎo)電部件(以下稱為“導(dǎo)電部件對(duì)”)之間的電阻(下面將其稱為“絕緣電阻”)，從而計(jì)算出絕緣電阻為10MΩ或更高的導(dǎo)電部件對(duì)的比例。
結(jié)果示于表1中。


(9)測(cè)試1利用如下方式在高溫環(huán)境下對(duì)各向異性導(dǎo)電連接器(A1)、各向異性導(dǎo)電連接器(A2)、各向異性導(dǎo)電連接器(B1)、各向異性導(dǎo)電連接器(B2)進(jìn)行耐久性測(cè)試。
按照以下方式將各向異性導(dǎo)電連接器對(duì)準(zhǔn)地設(shè)置在檢測(cè)用電路板T上，使得其連接用導(dǎo)電部件位于檢測(cè)用電路板T的各個(gè)檢測(cè)電極上，并利用RTV硅橡膠將各向異性導(dǎo)電連接器的周邊部分連接到檢測(cè)用電路板T上，從而制造探測(cè)部件。然后將這個(gè)探測(cè)部件固定到加壓板上，并且將測(cè)試用晶片W4安裝在備有電加熱器的晶片安裝臺(tái)上。在探測(cè)部件和測(cè)試用晶片W4之間推進(jìn)可觀察上下方向的CCD照相機(jī)，并根據(jù)這個(gè)CCD照相機(jī)的圖像對(duì)測(cè)試用晶片W4與探測(cè)部件進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，使得各向異性導(dǎo)電連接器的連接用導(dǎo)電部件分別位于測(cè)試用晶片W4的被檢測(cè)電極的正上方。然后從探測(cè)部件和測(cè)試用晶片W4之間移去CCD照相機(jī)，并在158kg(施加于每個(gè)連接用導(dǎo)電部件的負(fù)載為平均為8g)的負(fù)載下向下加壓探測(cè)部件，由此使各向異性導(dǎo)電連接器的彈性各向異性導(dǎo)電膜在壓力下與測(cè)試用晶片W4接觸。然后加熱晶片安裝臺(tái)至125℃。在晶片安裝臺(tái)的溫度穩(wěn)定之后，在檢測(cè)用電路板T中的19650個(gè)檢測(cè)電極當(dāng)中，依次檢測(cè)通過(guò)各向異性導(dǎo)電連接器彼此電連接的2個(gè)檢測(cè)電極和測(cè)試用晶片W4之間的電阻，從而記錄測(cè)量的電阻的半值作為各向異性導(dǎo)電連接器中的連接用導(dǎo)電部件的導(dǎo)電電阻，由此計(jì)算導(dǎo)電電阻為1Ω或更高的連接用導(dǎo)電部件的數(shù)量。之后，在這個(gè)狀態(tài)下將晶片安裝臺(tái)放置1小時(shí)，然后冷卻到室溫。隨后，釋放施加于探測(cè)部件的壓力。
將上述過(guò)程看作是一個(gè)循環(huán)，并且將該循環(huán)總共連續(xù)重復(fù)進(jìn)行500次。
在上述測(cè)試中，連接用導(dǎo)電部件的導(dǎo)電電阻為1Ω或更高的那些連接用導(dǎo)電部件實(shí)際上難以在形成在晶片上的集成電路的電檢測(cè)中使用。
結(jié)果示于表2中。
(10)測(cè)試2利用如下方式在高溫環(huán)境下對(duì)各向異性導(dǎo)電連接器(A3)、各向異性導(dǎo)電連接器(A4)、各向異性導(dǎo)電連接器(B3)、各向異性導(dǎo)電連接器(B4)進(jìn)行耐久性測(cè)試。
按照以下方式將各向異性導(dǎo)電連接器對(duì)準(zhǔn)地設(shè)置在檢測(cè)用電路板T上，使得其連接用導(dǎo)電部件位于檢測(cè)用電路板T的各個(gè)檢測(cè)電極上，并利用RTV硅橡膠將各向異性導(dǎo)電連接器的周邊部分連接到檢測(cè)用電路板T上，板狀探針M對(duì)準(zhǔn)地設(shè)置在這個(gè)各向異性導(dǎo)電連接器上，使得其后表面電極部分位于各向異性導(dǎo)電連接器的各個(gè)連接用導(dǎo)電部件上，并利用RTV硅橡膠將板狀連接器M的周邊部分連接到檢測(cè)用電路板T上，從而制造探測(cè)部件。然后將這個(gè)探測(cè)部件固定到加壓板上，并且將測(cè)試用晶片W3安裝在備有電加熱器的晶片安裝臺(tái)上。在探測(cè)部件和測(cè)試用晶片W3之間推進(jìn)可觀察上下方向的CCD照相機(jī)，并根據(jù)這個(gè)CCD照相機(jī)的圖像對(duì)測(cè)試用晶片W3與探測(cè)部件進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，使得板狀連接器的前表面電極部分分別位于測(cè)試用晶片W3的被檢測(cè)電極的這正上方。然后從探測(cè)部件和測(cè)試用晶片W3之間移去CCD照相機(jī)，并在158kg(施加于每個(gè)連接用導(dǎo)電部件的負(fù)載為平均為8g)的負(fù)載下向下加壓探測(cè)部件，由此使各向異性導(dǎo)電連接器的彈性各向異性導(dǎo)電膜在壓力下與測(cè)試用晶片W4接觸。然后將晶片安裝臺(tái)加熱到125℃。在晶片安裝臺(tái)的溫度穩(wěn)定之后，在檢測(cè)用電路板T中的19650個(gè)檢測(cè)電極當(dāng)中，依次檢測(cè)通過(guò)各向異性導(dǎo)電連接器彼此電連接的2個(gè)檢測(cè)電極、板狀連接器M和測(cè)試用晶片W3之間的電阻，從而記錄各向異性導(dǎo)電連接器中的連接用導(dǎo)電部件的導(dǎo)電電阻，由此計(jì)算導(dǎo)電電阻為1Ω或更高的連接用導(dǎo)電部件的數(shù)量。之后，在這個(gè)狀態(tài)下將晶片安裝臺(tái)放置1小時(shí)，然后冷卻到室溫。隨后，釋放施加于探測(cè)部件的壓力。
將上述過(guò)程看作是一個(gè)循環(huán)，并且將該循環(huán)總共連續(xù)重復(fù)進(jìn)行500次。
在上述測(cè)試中，連接用導(dǎo)電部件的導(dǎo)電電阻為1Ω或更高的那些連接用導(dǎo)電部件實(shí)際上難以在形成在晶片上的集成電路的電檢測(cè)中使用。
結(jié)果示于表3中。
[表3] 如從表1-3所示結(jié)果明顯看出的，確信根據(jù)關(guān)于例子的各向異性導(dǎo)電連接器，即使在連接用導(dǎo)電部件的間距很小時(shí)，在彈性各向異性導(dǎo)電膜中的連接用導(dǎo)電部件上實(shí)現(xiàn)了良好的導(dǎo)電性，而且甚至通過(guò)環(huán)境變化如由于溫度變化產(chǎn)生的熱磁滯作用也可以穩(wěn)定地保持良好的電連接狀態(tài)，并且即使在高溫環(huán)境下重復(fù)使用它們時(shí)，也可以在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)保持良好的導(dǎo)電性。還確信根據(jù)關(guān)于例子的各向異性導(dǎo)電連接器，即使在作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片具有大量被檢測(cè)電極時(shí)，也可以是重復(fù)使用的高耐久性，并且這些被檢測(cè)電極是突起電極。
權(quán)利要求
1.一種各向異性導(dǎo)電連接器，包括各具有功能部件的彈性各向異性導(dǎo)電膜，其中含有導(dǎo)電顆粒并在膜的厚度方向延伸的多個(gè)連接用導(dǎo)電部件以通過(guò)絕緣部件相互絕緣的狀態(tài)設(shè)置，其中假設(shè)彈性各向異性導(dǎo)電膜的功能部件中的連接用導(dǎo)電部件的厚度為T1，功能部件中的絕緣部件的厚度為T2，則比值(T2/T1)至少為0.9。
2.一種各向異性導(dǎo)電連接器，它適于用來(lái)在晶片狀態(tài)下對(duì)形成在晶片上的多個(gè)集成電路的每個(gè)進(jìn)行導(dǎo)電檢測(cè)，其包括框架板，其中在形成在作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片上的所有或部分集成電路中對(duì)應(yīng)電極區(qū)形成多個(gè)各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔，每個(gè)所述設(shè)置孔穿過(guò)框架板的厚度方向延伸，所述電極區(qū)中設(shè)置了要檢測(cè)的電極，并且多個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜設(shè)置在這個(gè)框架板中的各個(gè)各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔中，而且各由各向異性導(dǎo)電膜-設(shè)置孔附近的周邊部分支撐，其中每個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜備有功能部件，該功能部件具有多個(gè)連接用導(dǎo)電部件和絕緣部件，所述連接用導(dǎo)電部件對(duì)應(yīng)形成在作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片上的集成電路中的要檢測(cè)電極而設(shè)置、以高密度含有呈現(xiàn)磁性的導(dǎo)電顆粒并在膜的厚度方向延伸，并且所述絕緣部件使這些連接用導(dǎo)電部件相互絕緣，和其中假設(shè)彈性各向異性導(dǎo)電膜的功能部件中的連接用導(dǎo)電部件的厚度為T1，功能部件中的絕緣部件的厚度為T2，則比值(T2/T1)至少為0.9。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的各向異性導(dǎo)電連接器，其中每個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜中的功能部件的至少一個(gè)表面是平的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的各向異性導(dǎo)電連接器，其中每個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜中的功能部件的所述至少一個(gè)平表面形成得從任何其它部分突出，和其中假設(shè)所有彈性各向異性導(dǎo)電膜的功能部件的一個(gè)表面的面積總和是S1，在已經(jīng)形成要檢測(cè)的電極的一側(cè)上的作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片的表面的面積為S2，則比值S1/S2為0.001到0.3。
5.根據(jù)權(quán)利要求2-4中任一項(xiàng)的各向異性導(dǎo)電連接器，其中框架板的線性熱膨脹系數(shù)至多為3×10-5/K。
6.一種用于在晶片狀態(tài)下電檢測(cè)形成在晶片上的多個(gè)集成電路的每個(gè)的探測(cè)部件，其包括檢測(cè)用電路板，在其表面上，根據(jù)對(duì)應(yīng)形成在作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片上的集成電路的要檢測(cè)的電極圖形的圖形形成檢測(cè)電極，以及設(shè)置在檢測(cè)用電路板的表面上的根據(jù)權(quán)利要求2-5中任一項(xiàng)的各向異性導(dǎo)電連接器。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的探測(cè)部件，其中各向異性導(dǎo)電連接器中的框架板的線性熱膨脹系數(shù)至多為3×10-5/K，并且構(gòu)成檢測(cè)用電路板的基本材料的線性熱膨脹系數(shù)至多為3×10-5/K。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7的探測(cè)部件，其中在各向異性導(dǎo)電連接器上設(shè)置板狀連接器，該板狀連接器由絕緣板和多個(gè)電極結(jié)構(gòu)構(gòu)成，每個(gè)電極結(jié)構(gòu)在其厚度方向穿過(guò)絕緣板延伸，并且該板狀連接器根據(jù)對(duì)應(yīng)被檢測(cè)電極的圖形的圖形進(jìn)行設(shè)置。
9.一種用于在晶片狀態(tài)下進(jìn)行形成在晶片上的多個(gè)集成電路的每個(gè)的導(dǎo)電檢測(cè)的晶片檢測(cè)設(shè)備，其包括根據(jù)權(quán)利要求6-8中任一項(xiàng)的探測(cè)部件，其中通過(guò)探測(cè)部件實(shí)現(xiàn)了與形成在作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片上的集成電路的電連接。
10.一種晶片檢測(cè)方法，包括以下步驟通過(guò)根據(jù)權(quán)利要求6-8中任一項(xiàng)的探測(cè)部件將形成在晶片上的多個(gè)集成電路的每個(gè)電連接到測(cè)試器上，從而對(duì)形成在晶片上的集成電路進(jìn)行電檢測(cè)。
全文摘要
這里公開了一種各向異性導(dǎo)電連接器，通過(guò)該各向異性導(dǎo)電連接器，即使在晶片具有8英寸或更大直徑的大面積和形成的集成電路中的被檢測(cè)電極的間距很小時(shí)，也可以進(jìn)行與作為檢測(cè)目標(biāo)的晶片的定位、保持和固定，確實(shí)地實(shí)現(xiàn)了所有連接用導(dǎo)電部件的良好導(dǎo)電性，同時(shí)，確實(shí)地實(shí)現(xiàn)了相鄰連接用導(dǎo)電部件之間的絕緣性，而且即使重復(fù)使用，也可以在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)保持良好導(dǎo)電性。本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電連接器包括彈性各向異性導(dǎo)電膜，每個(gè)彈性各向異性導(dǎo)電膜具有功能部件，其中含有導(dǎo)電顆粒并在膜的厚度方向延伸的多個(gè)連接用導(dǎo)電部件按照被絕緣部件相互絕緣的狀態(tài)設(shè)置，其中假設(shè)彈性各向異性導(dǎo)電膜的功能部件中的連接用導(dǎo)電部件的厚度為T1，功能部件中的絕緣部件的厚度為T2，則比值(T2/T1)至少為0.9。
文檔編號(hào)H01R11/01GK1762051SQ20048000764
公開日2006年4月19日 申請(qǐng)日期2004年2月13日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月18日
發(fā)明者直井雅也 申請(qǐng)人:Jsr株式會(huì)社