專利名稱：高亮度發(fā)光二極體的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及發(fā)光二極體的亮度提升技術，旨在提供一具高亮度表現(xiàn)效果的發(fā)光二極體構(gòu)造。
背景技術：
由于，發(fā)光二極體具備有體積小、低耗電、低熱度以及壽命長等特性，如圣誕燈飾、手電筒、車輛信號燈、交通標志等商品，已逐漸利用發(fā)光二極體所替代功能相近的傳統(tǒng)鎢絲燈泡；又，一般發(fā)光二極體的基本構(gòu)造，是在一透明絕緣體的內(nèi)部設有不同極性的導電端以及一承載部，其承載部處是固設有一晶片，其晶片的周邊是設有螢光材料，另設有金線構(gòu)成晶片的電極層與導電端的連接，而各導電端并延伸出透明絕緣體外部成為電源接點。
在導電端的通電作用下，其晶片所產(chǎn)生的光源在穿過螢光材料時，即與螢光材料的波長結(jié)合成為預期的可見光；因此，在相關制程、制造技術的改良下，發(fā)光二極體是可經(jīng)由螢光材料的設計，而制作成為具特定光色表現(xiàn)效果的發(fā)光元件，更使得發(fā)光二極體的市場版圖極速的擴大。
但是，就目前的既有技術而言，發(fā)光二極體的相關技術研發(fā)，仍較注重在發(fā)光二極體的光色表現(xiàn)效果，以及發(fā)光二極體的產(chǎn)能提升，較少有關于發(fā)光二極體的亮度提升，使得發(fā)光二極體仍然存在亮度稍顯不足的課題。
實用新型內(nèi)容本實用新型高亮度發(fā)光二極體，即在提升發(fā)光二極體的亮度，其發(fā)光二極體的基本構(gòu)造同樣是在一透明絕緣體的內(nèi)部設有不同極性的導電端以及一承載部，其承載部處是固設有一晶片，其晶片的周邊是設有螢光材料，另設有金線構(gòu)成晶片的電極層與導電端的連接；其重點在于整體發(fā)光二極體是在承載部供晶片固設的一側(cè)設有一反射層，俾由反射層的光線反射作用將晶片的光源朝向透明絕緣體的外部投射，以有效提升發(fā)光二極的亮度。
又，在具體實施時，本實用新型中的螢光材料是可依照發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)空間型態(tài)、加工制程的不同而有所差異，而其反射層則可以是鏡面層、玻璃鏡面、金屬電鍍層、金屬烤漆等形體呈現(xiàn)。


圖1為本實用新型第一實施例發(fā)光二極體的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實用新型中晶片、鏡面層、導電端等構(gòu)件的相關組配關系分解圖；圖3為本實用新型第二實施例發(fā)光二極體的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實用新型第三實施例發(fā)光二極體的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖號說明10 透明絕緣體20 導電端30 承載端40 晶片41 電極層50 金線60 螢光材料 70 反射層80 透明絕緣膠90 電路板具體實施方式
為能使貴審查員清楚本實用新型的結(jié)構(gòu)組成，以及整體運作方式，茲配合圖式說明如下本實用新型高亮度發(fā)光二極體，其發(fā)光二極體的基本結(jié)構(gòu)組成如圖1所示，是在一透明絕緣體10的內(nèi)部設有不同極性的導電端20以及一承載部30，其承載部30處是固設有一晶片40，其晶片40的周邊設有螢光材料60，另設有金線50構(gòu)成晶片40的電極層41與導電端20的連接，各導電端20并延伸出透明絕緣體10外部成為電源接點；據(jù)以，在導電端20的通電作用下，其晶片40所產(chǎn)生的光源在穿過螢光材料60時，即與螢光材料60的波長結(jié)合成為預期的可見光。
請同時配合參照圖2所示，整體發(fā)光二極體是進一步在承載部30供晶片40固設的一側(cè)設有一反射層70，在本實施例中，承載部30是為設在其中一導電端20上的碗杯狀形體，其反射層70則是為一粘設在晶片40與碗杯底部之間的玻璃鏡面，至于螢光材料60則是由固晶粘著材料混合螢光粉所構(gòu)成，而得以配設在晶片40與反射層70之間，以將晶片40粘固在反射層70的上位，俾由反射層70的光線反射作用將晶片40的光源朝向透明絕緣體10的外部投射，以有效提升發(fā)光二極的亮度。
另外，本實用新型在具體實施時，其中的螢光材料是可依照發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)空間型態(tài)、加工制程的不同而有所差異，而其反射層則可以鏡面層、玻璃鏡面、金屬電鍍層、金屬烤漆等形體呈現(xiàn)。
如圖1所示的發(fā)光二極體是由兩次烤合制程加工完成，所以其是將晶片40、反射層70、承載部30烘烤結(jié)合，并在金線50構(gòu)成晶片40的電極層41與導電端20的連接的同時，在晶片40表層復蓋一透明絕緣膠80，再以高溫烤合而成，故所完成的發(fā)光二極體是在晶片40的表層形成一由透明絕緣膠80所構(gòu)成的結(jié)構(gòu)體。
如圖3所示，是為由單吹烤合制程加工完成的發(fā)光二極體構(gòu)造，其主要是在碗杯狀的承載部30內(nèi)側(cè)區(qū)域皆設有由玻璃鏡面所構(gòu)成的反射層70，并直接將晶片40置于反射層70上，同時由金線50構(gòu)成晶片40的電極層41與導電端20的連接以后，在承載部30中填入由透明絕緣膠及螢光粉所構(gòu)成的螢光材料60，最后再以高溫加以烤合定型，整體螢光材料60在烘烤的過程中，螢光粉即因重力作用均勻的復蓋在晶片40的表層，且上方的透明絕緣膠則轉(zhuǎn)為清澈的透光結(jié)構(gòu)體。
再者，如圖4所示，是為另一形式的發(fā)光二極體，其發(fā)光二極體是直接建構(gòu)在電路板90上，其電路板90上是預設有呈凹坑狀的承載部30，其反射層70即固設在承載部30內(nèi)側(cè)底面，各導電端(圖中未表示)則是為直接布設在電路板90的電路接點，而成為建構(gòu)在電路板上的發(fā)光二極體。
如上所述，本實用新型提供一可有效增加發(fā)光二極體亮度的技術，于是依法提呈新型專利的申請；但是，以上的實施說明及圖式所示，是本實用新型較佳實施例，并非以此局限本實用新型，因此，凡一切與本實用新型構(gòu)造、裝置、特征等近似、雷同的，均應屬本實用新型的創(chuàng)設目的及申請專利的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種高亮度發(fā)光二極體，其發(fā)光二極體是在一透明絕緣體的內(nèi)部設有不同極性的導電端以及一承載部，其承載部處是固設有一晶片，其晶片的周邊是設有螢光材料，另設有金線構(gòu)成晶片的電極層與導電端的連接；其特征在于該承載部供晶片固設的一側(cè)設有一反射層，通過反射層的光線反射將晶片的光源朝向透明絕緣體的外部投射。
2.如權(quán)利要求1所述的高亮度發(fā)光二極體，其特征在于該反射層為下述形體的一種鏡面層、玻璃鏡面、金屬電鍍層、金屬烤漆。
3.如權(quán)利要求2所述的高亮度發(fā)光二極體，其特征在于該玻璃鏡面粘著固定在承載部上。
4.如權(quán)利要求1所述的高亮度發(fā)光二極體，其特征在于該承載部為碗杯狀的形體。
5.如權(quán)利要求1所述的高亮度發(fā)光二極體，其特征在于該承載部是設在其中一導電端上。
6.如權(quán)利要求1所述的高亮度發(fā)光二極體，其特征在于該各導電端為設在電路板的電路接點。
7.如權(quán)利要求1所述的高亮度發(fā)光二極體，其特征在于該各導電端為設在電路板的電路接點，該承載部為電路板上所預設的凹坑形體。
8.如權(quán)利要求1所述的高亮度發(fā)光二極體，其特征在于該螢光材料是由在透明絕緣膠中混入螢光粉或者由固晶粘著材料混合螢光粉所構(gòu)成。
9.如權(quán)利要求1所述的高亮度發(fā)光二極體，其特征在于該晶片的表面復蓋有一透明絕緣膠。
10.如權(quán)利要求1所述的高亮度發(fā)光二極體，其特征在于該螢光材料是設在晶片的底部。
11.如權(quán)利要求4所述的高亮度發(fā)光二極體，其特征在于該反射層是設在相對應于碗杯形體的內(nèi)側(cè)。
專利摘要本實用新型的高亮度發(fā)光二極體，是在一透明絕緣體的內(nèi)部設有不同極性的導電端以及一承載部，其承載部處是固設有一晶片，其晶片的周邊是設有熒光材料，另設有金線構(gòu)成晶片的電極層與導電端的連接；其中承載部是在供晶片固設的一側(cè)設有一反射層，俾由反射層的光線反射作用將晶片的光源朝向透明絕緣體的外部投射，以有效提升發(fā)光二極的亮度。
文檔編號H01L33/00GK2711909SQ20042006674
公開日2005年7月20日 申請日期2004年6月9日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月9日
發(fā)明者李明順, 孫平如 申請人:李洲科技股份有限公司