專利名稱：半導(dǎo)體組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型是有關(guān)于一種半導(dǎo)體組件，且特別是有關(guān)于一種多重閘晶體管，本實用新型的多重閘晶體管具有設(shè)置有源極與漏極的一鰭部(fin)以及擴(kuò)展至此鰭部的多側(cè)的一閘電極，進(jìn)而構(gòu)成具有多個柵極的晶體管。
背景技術(shù)：
美國第6,413,802號專利揭露了一種多重閘晶體管(multiple gatetransistor)，其具有包含晶體管的源極與漏極的一鰭部(fin)以及擴(kuò)展至此鰭部兩側(cè)的閘電極以構(gòu)成晶體管的兩柵極。因此，上述專利是揭露了一種含有雙重柵極的多重閘晶體管的實例。
多重閘晶體管通常具有位于源極與漏極間的一溝道區(qū)，以及用以防止由源極流向漏極的漏電流的一阻障。然而，當(dāng)晶體管的尺寸縮小時，將增加源極/漏極與溝道區(qū)間的相互影響而降低了上述對于漏電流的阻障。如此而增加了如漏電流等因素并將導(dǎo)致如短溝道效應(yīng)等的不期望效應(yīng)。
于單一晶體管中的多重柵極可改善耦合于柵極以及溝道區(qū)的電容，并增加了用以控制晶體管的臨界電壓以及于晶體管處的浮置電壓偏壓的信道區(qū)電位的柵極控制能力以及抑制了短溝道效應(yīng)。
于如美國第6,344,405號專利所揭露的現(xiàn)有晶體管中，溝道區(qū)具有第一類型摻質(zhì)而用于源極與漏極的布植則使用了另一類型摻質(zhì)。對于N溝道金氧半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(N-channel MOSFET)而言，當(dāng)其源極及漏極為N型摻雜時，其溝道區(qū)是P型摻雜。對于P溝道金氧半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(P-channelMOSFET)而言，當(dāng)其源極及漏極為P型摻雜時，其溝道區(qū)是N型摻雜。關(guān)于將晶體管切換至開啟狀態(tài)的柵極偏壓的應(yīng)用可使得溝道區(qū)產(chǎn)生反轉(zhuǎn)，可引起P型溝道區(qū)內(nèi)N型載子(carriers)或電子(electrons)的形成或引起于N型溝道區(qū)內(nèi)P型載子或電子的形成。如此兼具上述P型及N型摻雜類型的晶體管可構(gòu)成一增強(qiáng)模式晶體管(enhancement mode transistor)。
當(dāng)多重柵極晶體管縮減至較小尺寸時，形成具有互為緊鄰且具有不同摻雜類型區(qū)域的晶體管的方法越見困難。比方說，對于各邊長約為10奈米(nm)且溝道區(qū)體積約10-18立方公分以與門溝道長度為10奈米的如此小晶體管溝道區(qū)中，其所導(dǎo)入摻質(zhì)的摻雜濃度等同于10-18/每平方公分。當(dāng)溝道區(qū)為一第一類型摻質(zhì)而上述摻雜使用另一不同類型的摻質(zhì)，于溝道區(qū)內(nèi)每一摻質(zhì)所貢獻(xiàn)的如此大摻質(zhì)濃度將明顯地改變溝道區(qū)內(nèi)的摻雜濃度并導(dǎo)致劣化晶體管表現(xiàn)的效應(yīng)。其中一種效應(yīng)例如為臨界電壓的明顯降低以及于柵極晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)時的相關(guān)的高漏電流。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本實用新型的主要目的就是提供一種半導(dǎo)體組件，其包含具有單一摻雜類型的源極、漏極以及溝道區(qū)的一多重閘晶體管，如此的晶體管可避免于溝道區(qū)內(nèi)的摻質(zhì)原子所形成的不期望的大量摻雜濃度。
為達(dá)上述目的，本實用新型提供了一種半導(dǎo)體組件，包括一累積模式(accumulation mode)多重閘晶體管，其中上述累積模式多重閘晶體管包括至少一半導(dǎo)體鰭部，位于一絕緣層上，其中該半導(dǎo)體鰭部分別含有具有第一摻雜類型的一源極、一漏極以及一溝道區(qū)；一閘介電層，位于上述溝道區(qū)上；以及一多重閘電極，于上述閘介電層上。
而本實用新型的半導(dǎo)體組件的制造方法，其步驟則包括提供覆蓋有一絕緣層的一半導(dǎo)體基材，于上述絕緣層上設(shè)置有具有第一摻雜類型的一半導(dǎo)體鰭部；形成一閘介電層，覆蓋于一部分的上述半導(dǎo)體鰭部上；形成一閘電極，覆蓋于上述閘介電層；以及形成具有第一摻雜類型的一源極與一漏極，以組成一累積模式多重閘晶體管。


圖1是顯示本實用新型的一晶體管的透視情形。
圖2是顯示沿圖1中A～A’切線的剖面情形。
圖3A是顯示沿圖1中B～B’切線的剖面情形，并圖標(biāo)了一累積模式N信道場效應(yīng)晶體管。
圖3B是顯示形成于具有如圖3A所圖示晶體管的同一基材上的一累積模式N信道場效晶體管的剖面情形。
圖3C是顯示形成于具有如圖3A所圖示晶體管的同一基材上之一加強(qiáng)模式P信道場效晶體管的剖面情形。
圖4是顯示本實用新型的另一晶體管的透視情形。
圖5是顯示沿圖4中A～A’切線的剖面情形。
圖6A、圖6B是顯示沿圖4中B～B’切線的剖面情形。
圖7是顯示沿圖4中C～C’切線的剖面情形。
圖8是顯示本實用新型的另一晶體管的透視情形。
圖9是顯示本實用新型的另一晶體管的透視情形。
符號說明1～多重閘晶體管； 2～半導(dǎo)體鰭部；3～閘電極；4～基材；5～中間層；6～源極；7～漏極； 8～溝道區(qū)；8a～淺溝道區(qū)； 8b～深溝道區(qū)；9～柵極； 9a～絕緣罩幕；
10～閘介電層；11～延伸柵極；12～間隔物。
具體實施方式
為了讓本實用新型的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，并配合所附圖示，作詳細(xì)說明如下于以下敘述中，如“下方的”、“上方的”、“水平的”、“垂直的”、“以上”、“以下”、“上部”、“下部”、“頂部”、“底部”等描述是用以解釋相關(guān)圖示中的定位而非用以描述組件制備或操作的特定方向。而如“耦合于”、“連接于”、“互連于”等關(guān)于連結(jié)方面的描述除非經(jīng)由特別的解釋，否則是用以解釋結(jié)構(gòu)間直接或間接的連接關(guān)系。
于本實用新型的圖1、圖4、圖8及圖9中分別揭露了一種多重閘晶體管1，其具有一半導(dǎo)體鰭部2以及建構(gòu)于一電性絕緣的基材4上的經(jīng)絕緣支撐的一閘電極3，此電性絕緣的基材4具有覆蓋于基材4上的一中間層5以電性隔離上述晶體管1與基材4。如圖3A、圖3B、圖3C、圖6A及圖6B所示，半導(dǎo)體鰭部2含有一源極6、一漏極7以及介于源極6與漏極7間的一絕緣溝道區(qū)8。上述經(jīng)絕緣支撐的閘電極3擴(kuò)展至半導(dǎo)體鰭部2的多側(cè)上以相對于溝道區(qū)8而形成具有多個柵極的晶體管1。而溝道區(qū)8則于源極6以及漏極7間沿縱長方向(longitudinal direction)擴(kuò)展。
如圖1所示的本實用新型實施例中，多重閘晶體管1至少包括一第一柵極以及一第二柵極，其是藉由擴(kuò)展閘電極3至半導(dǎo)體鰭部2的兩對稱面上并形成于溝道區(qū)8的對稱側(cè)而構(gòu)成。一絕緣罩幕9a則覆蓋于溝道區(qū)8的頂部側(cè)并隔絕了溝道區(qū)8與閘電極3的連結(jié)。此外，閘電極3覆蓋于位于閘電極3與溝道區(qū)8之間的一薄閘介電層10上，用以提供介于各柵極9及溝道區(qū)8間的半導(dǎo)體載子。如此具有第一柵極以及第二柵極的晶體管1，可視為一雙重閘晶體管(double gate transistor)。如此具有雙重閘晶體管的場效晶體管(field effect transistor；FET)類型即為一雙重閘場效晶體管(doublegate FET)。
如圖4所示的本實用新型的另一實施例中，閘電極3具有結(jié)構(gòu)類似于圖1中的一第一柵極9以及一第二柵極9。此外，閘電極3更包括了藉由擴(kuò)展至半導(dǎo)體鰭部2頂部側(cè)而形成的一第三電極9并對著溝道區(qū)8的一相對頂面。再者，閘電極3覆蓋于位于閘電極3及溝道區(qū)8之間的薄閘介電層10上。閘介電層10亦可提供介于第三柵極9與溝道區(qū)8之間的半導(dǎo)體載子。如此具有第一柵極、第二柵極以及第三柵極的晶體管1，可視為一三重閘晶體管(triple gate transistor)。如此具有三重柵極的晶體管的場效應(yīng)晶體管類型即為一三重閘場效晶體管(triple gate FET)。
如圖8所示的本實用新型的另一實施例中，閘電極3包括了位于半導(dǎo)體鰭部2之下的延伸柵極11以藉由延長柵極9覆蓋于更多部分的溝道區(qū)8以增進(jìn)對于柵極的控制能力。設(shè)置于半導(dǎo)體鰭部之下的閘電極有助于保護(hù)溝道區(qū)免于遭受來自漏極的電場線并改善了柵極對溝道的控制能力，因此緩和了漏極導(dǎo)致的能障降低效應(yīng)(drain-induced barrier lowering effect)并改善了短溝道效應(yīng)表現(xiàn)。上述延伸柵極11更部分?jǐn)U展進(jìn)入溝道區(qū)8內(nèi)且沿縱長方向(longitudinal direction)而朝向彼此擴(kuò)展。當(dāng)于本實用新型的三重閘晶體管內(nèi)制備延伸柵極11時，此三重柵極9具有如Ω(omega)的外型，并可視為一Ω晶體管1。故具有延伸柵極11的三重柵極9的場效晶體管則即為一Ω場效應(yīng)晶體管(Ω-FET)。
如圖9所示的本實用新型的另一可能實施情形中，其中間隔物12可能含有面對各柵極9的外部側(cè)壁的硅側(cè)壁，且間隔物12提供了覆蓋于閘電極3的相對側(cè)的電性絕緣障壁。間隔物12的材質(zhì)則包括如氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或其組合的一介電材料，但不局限于上述材料。上述間隔物12的材質(zhì)亦可使用為不同間隔物材料所堆棧而成。
圖7中則圖標(biāo)了含有一淺信道區(qū)8a以及一深信道區(qū)8b的信道區(qū)8，其中深溝道區(qū)8b于縱長方向上較長于淺溝道區(qū)8a。
請參照圖3A及圖6A，是顯示的本實用新型的實施例中的一N溝道晶體管1，其包括有N+、N、及N+摻雜之硅鰭部2，其內(nèi)設(shè)置有介于N+摻雜的源極6與N+摻雜的漏極7之間的N摻雜溝道區(qū)8。再者，請參照圖3B及圖6B，是顯示本實用新型的實施例中的一P溝道晶體管1，其包括有P摻雜的硅鰭部2，其內(nèi)設(shè)置有介于P+摻雜的源極6與P+摻雜的漏極7之間的P摻雜溝道區(qū)8。晶體管1具有為N型摻雜或P型摻雜的單一摻雜類型的鰭部2，如此的晶體管1可視為一累積模式晶體管1(accumulation mode transistor)，其中上述類型的N摻雜晶體管即為一N信道累積模式晶體管，而上述類型的P摻雜晶體管即為一P信道累積模式晶體管。
請參照圖6A，將以圖6A中結(jié)構(gòu)解說上述累積模式晶體管1之操作。于“關(guān)閉”狀態(tài)時，柵極9電壓等同于源極6電壓而信道區(qū)8則具有缺乏如電子的移動電荷載子的空乏區(qū)，如此地便抑制了自源極至漏極處的電流流動。
于次臨界狀態(tài)時，相對于源極6的電壓而于柵極9施加具有次臨界電壓程度的偏壓。當(dāng)電子移至鄰近于源極6的一未空乏溝道區(qū)8(undepletedchannel region)時，將導(dǎo)致由鄰近于漏極7的空乏區(qū)的縮減所造成的未空乏溝道區(qū)8的擴(kuò)張，故于溝道區(qū)8內(nèi)的空乏區(qū)將會因此縮小。當(dāng)少量的電壓差存在于漏極7以及未空乏溝道區(qū)8間時，于未開啟狀態(tài)下晶體管1內(nèi)將存在有少量流動于其間的電流。
藉由于柵極9處施加相較高于源極6處電壓且高于臨界電壓程度的一偏壓電壓可使晶體管1達(dá)到“開啟”狀態(tài)。于溝道區(qū)8內(nèi)的空乏區(qū)將進(jìn)而為累積且含有鄰近于閘介電層10與門極9的如電子的大量移動電荷載子的累積區(qū)(accumulation region)所取代。如此，藉由上述累積區(qū)可自源極6引導(dǎo)足夠量的電流至漏極7處。
于本實用新型中，半導(dǎo)體鰭部2的材質(zhì)可為如硅、鍺的元素態(tài)半導(dǎo)體材料或如鍺化硅的合金半導(dǎo)體材料，亦可為如砷化鎵或磷化銦等的化合物半導(dǎo)體材料。而閘電極3的材質(zhì)可例如為多晶硅、多晶硅鍺等導(dǎo)電材料，然而并不以上述材料加以限定本實用新型。至于閘介電層10的材質(zhì)則例如為具有相對電容率高于8的介電材料，像氧化鋁(Al2O3)、氧化鉿(HfO2)、氧化鋯(ZrO2)、氮氧化鉿(HfON)、硅酸鉿(HfSiO4)、硅酸鋯(ZrSiO4)、氧化鑭(La2O3)等材料或其組合的材料等，其具有相當(dāng)少于100埃的等效氧化硅厚度。
于前述的各個多重柵極中，累積模式晶體管1可藉由本實用新型所提供制程而制備成。此外，前述的多重閘累積模式晶體管1亦可同時地于上述制程中完成，而上述N信道累積模式晶體管1以及P信道累積模式晶體管1亦可制備同一基材4上。而累積模式晶體管亦可于增強(qiáng)模式晶體管的存在下同時于相同的基材4上制備而成。
本實用新型的半導(dǎo)體組件的制造方法將藉由以下描述的一種累積模式N信道晶體管1以及/或增強(qiáng)模式(enhancement mode)P信道晶體管的制造流程加以說明。起始材料則為沉積于基材4上的一半導(dǎo)體層，藉以制備半導(dǎo)體鰭部2，而半導(dǎo)體層與基材4之間設(shè)置有一中間層5。
在此，用以制備半導(dǎo)體鰭部2的材質(zhì)例如為硅、如鍺化硅的合金半導(dǎo)體以及如砷化鎵、磷化銦的化合物半導(dǎo)體材料，其厚度約介于200～5000埃。而中間層5的材質(zhì)則例如為氧化硅及氮化硅等介電或絕緣材料，其厚度約介于100～2000埃。
于本實用新型中，可首先于氧化硅材質(zhì)的中間層5上沉積硅材質(zhì)的半導(dǎo)體層，而此中間層5是形成于硅材質(zhì)的基材4上。
接著，于前述半導(dǎo)體層上形成具有多個開口的圖案化罩幕以露出此些開口內(nèi)的半導(dǎo)體層，并接著蝕刻移除此些露出的半導(dǎo)體層，以分別形成多個為罩幕所覆蓋的半導(dǎo)體鰭部2。在此所采用罩幕的材質(zhì)可例如為光阻或氧化硅等材料。然后則移除上述罩幕以露出此些半導(dǎo)體鰭部2。
以制備累積模式N信道晶體管為例，可采用具有適當(dāng)圖案的罩幕并搭配如離子摻雜的程序以于各半導(dǎo)體鰭部2的各末端處摻雜N+摻質(zhì)。而可藉由具有其它適當(dāng)圖案的罩幕的使用并搭配如離子摻雜的程序以使硅材質(zhì)的半導(dǎo)體層形成N摻雜。而于制備累積模式P信道晶體管時，可采用具有適當(dāng)圖案的罩幕并搭配如離子摻雜的程序以于各半導(dǎo)體鰭部2的各末端處摻雜P+摻質(zhì)。而可藉由具有其它適當(dāng)圖案的罩幕的使用并搭配如離子摻雜的程序以使硅材質(zhì)的半導(dǎo)體層形成P摻雜。因此，于各累積模式晶體管1內(nèi)，其各半導(dǎo)體鰭部2的尾端處具有較高的離子濃度以及相同于各半導(dǎo)體鰭部2內(nèi)溝道區(qū)8的相同摻雜類型。
接著形成閘介電層10覆蓋于半導(dǎo)體鰭部2上，其方法例如為熱氧化法、化學(xué)氣相沉積法、濺鍍法或其它已知的涂布方法。
接著形成一層導(dǎo)電材料覆蓋于閘介電層10上以作為閘電極3之用，其形成方法例如為化學(xué)氣相沉積法，其厚度介于500～4000埃。此外，上述導(dǎo)電材料的材質(zhì)例如為未經(jīng)摻雜的材料、或具有相對少摻雜濃度的經(jīng)摻雜材料，并可經(jīng)由功函數(shù)離子植入方式以改變其部分物理特性。于本實施例中，上述材料例如為具有厚度約為2000埃的未摻雜多晶硅。
接著形成一具有適當(dāng)圖案的罩幕于上述導(dǎo)電材料上。此經(jīng)圖案化的罩幕具有露出導(dǎo)電材料的多個開口。接著施行如電漿干蝕刻的蝕刻程序以蝕刻開口內(nèi)露出的導(dǎo)電材料以形成為上述罩幕所覆蓋而未蝕刻去除的閘電極3。于上述蝕刻過程中，于開口內(nèi)露出的導(dǎo)電材料下方的閘介電層10亦可同時為的蝕刻去除。接著則移除上述罩幕以露出閘電極3。
當(dāng)于半導(dǎo)體鰭部2上仍存有如閘介電層10的殘留物時，可藉由適當(dāng)蝕刻劑的使用以選擇性的去除此些殘留物以露出各半導(dǎo)體鰭部2的源極6與漏極7。
當(dāng)有需要增大半導(dǎo)體鰭部2的源極6與漏極7時，可藉由一選擇性外延程序以加大之，而半導(dǎo)體鰭部2內(nèi)的溝道區(qū)8則因覆蓋有閘電極材料而可于上述程序中免于增大。
當(dāng)需要增加半導(dǎo)體鰭部2的源極6、漏極7以與門極9的導(dǎo)電性時，可選擇性地于其上形成一層或多層導(dǎo)電材料，其方法例如藉由適當(dāng)罩幕的遮蔽以形成。上述導(dǎo)電材料例如為鎢、鈦、鈷、鎳、鉑、鉺或其組合的金屬的硅化物，但不限定其實際材料類型。
上述各半導(dǎo)體鰭部2內(nèi)的源極6與漏極7可藉由如離子植入程序或電漿浸入法的方法所形成。此時，形成于同一基材4上的各累積模式(accumulation mode)P信道晶體管1以及各增強(qiáng)模式(enhancement mode)晶體管皆為此圖案化的罩幕所覆蓋，而各增強(qiáng)模式N信道晶體管的半導(dǎo)體鰭部2同時地暴露于此圖案化罩幕的開口內(nèi)，其半導(dǎo)體鰭部2的溝道區(qū)8是用以接受N摻質(zhì)的摻雜，而其半導(dǎo)體鰭部2的尾端部分則用以接收N+摻質(zhì)的摻雜。
或者，上述累積模式N信道晶體管1可與增強(qiáng)模式晶體管同時形成于同一基材4上且為一相關(guān)的圖案化罩幕所覆蓋，而各累積模式P信道晶體管的半導(dǎo)體鰭部2同時地暴露于此圖案化罩幕之開口內(nèi)，其半導(dǎo)體鰭部2的溝道區(qū)8是用以接受P摻質(zhì)的摻雜，而其半導(dǎo)體鰭部2的尾端部分則用以接收P+摻質(zhì)的摻雜。溝道區(qū)8可具有等同于源極6及漏極7的相同摻雜濃度。而各增強(qiáng)模式晶體管是藉由自源極/漏極處擴(kuò)散摻質(zhì)以形成具有第二摻雜類型的溝道區(qū)。此外，可更藉由一回火程序以活化上述摻質(zhì)。
于各閘電極3的側(cè)壁上可依據(jù)以下制程步驟形成間隔物12。首先沉積間隔材料于各閘電極3上，接著采用具有適當(dāng)圖案的罩幕以形成露出有間隔材料的多個開口。然后蝕刻去除露出之間隔物材料，最后于各閘電極3的側(cè)壁上留下間隔物12。上述蝕刻較佳地采用具有直角方向蝕刻速度快于其它方向蝕刻速度的一非等向性蝕刻劑。
本實用新型雖以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本實用新型的范圍，任何熟習(xí)此項技藝者，在不脫離本實用新型的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許的更動與潤飾，因此本實用新型的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體組件，其特征是包括一累積模式多重閘晶體管，其中該累積模式多重閘晶體管包括至少一半導(dǎo)體鰭部，位于一絕緣層上，其中該半導(dǎo)體鰭部分別含有具有第一摻雜類型的一源極、一漏極以及一溝道區(qū)；一閘介電層，位于該溝道區(qū)上；以及一多重閘電極，于該閘介電層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其特征是更包括一增強(qiáng)模式多重閘晶體管，位于該絕緣層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體組件，其特征是該累積模式多重閘晶體管為一N溝道晶體管，而該增強(qiáng)模式多重閘晶體管為一P溝道晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體組件，其特征是該累積模式多重閘晶體管為一P溝道晶體管，而該增強(qiáng)模式多重閘晶體管為一N溝道晶體管。
5.一種累積模式多重閘晶體管，其特征是包括一半導(dǎo)體鰭部，位于一絕緣層上，其中該半導(dǎo)體鰭部分別含有具有相同摻雜類型的一源極、一漏極以及一溝道區(qū)；一閘介電層，位于該溝道區(qū)上；以及一多重閘電極，于該閘介電層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的累積模式多重閘晶體管，其特征是該溝道區(qū)具有高于每平方公分1018的摻雜濃度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的累積模式多重閘晶體管，其特征是該溝道區(qū)具有相同于該源極與該漏極的摻雜濃度。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的累積模式多重閘晶體管，其特征是更包括形成于閘電極側(cè)邊上的間隔物。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的累積模式多重閘晶體管，其特征是該多重閘晶體管為一雙重閘晶體管。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的累積模式多重閘晶體管，其特征是該多重閘晶體管為一三重閘晶體管。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的累積模式多重閘晶體管，其特征是該多重閘晶體管為一Ω場效應(yīng)晶體管。
專利摘要本實用新型是關(guān)于一種半導(dǎo)體組件，其結(jié)構(gòu)包括一累積模式(accumulation mode)多重閘晶體管，其中上述累積模式多重閘晶體管包括至少一半導(dǎo)體鰭部，位于一絕緣層上，其中該半導(dǎo)體鰭部分別含有具有第一摻雜類型之一源極、一汲極以及一溝道區(qū)；一閘介電層，位于上述溝道區(qū)上；以及一多重閘電極，于上述閘介電層上。
文檔編號H01L27/12GK2718786SQ20042005074
公開日2005年8月17日 申請日期2004年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月9日
發(fā)明者楊育佳, 楊富量, 胡正明 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司