專利名稱：晶圓基座的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，更具體地說，涉及一種用于等離子體反應(yīng)室中，承載晶圓的晶圓基座(pedestal)。
背景技術(shù)：
如圖1所示，該圖示出了一傳統(tǒng)晶圓基座100在一等離子體反應(yīng)室200內(nèi)動作的情形。圖1中所示的動作情形是以氬氣作為惰性氣體等離子體42的來源，以清除半導(dǎo)體晶圓10上的硅氧化物或金屬氧化物，特別是半導(dǎo)體晶圓10在金屬化工藝中，用于清除介層窗(via)(圖中未示出)所曝露的金屬層(圖中未示出)的氧化物步驟。
在圖1中的晶圓基座100包含有絕緣本體110與埋設(shè)于絕緣本體110內(nèi)的導(dǎo)體層120。絕緣本體110又可細分為頂蓋層112與基底層114。其中，基底層114的材質(zhì)通常為二氧化硅，且通常具有一凹槽115，導(dǎo)體層120鑲嵌于凹槽115的寬度或直徑范圍內(nèi)。而頂蓋層112的材質(zhì)通常為石英，且通常為一可替換的消耗性零件(consumable parts)，覆蓋于導(dǎo)體層120與基底層114之上，用于承載半導(dǎo)體晶圓10。另外，晶圓基座100的俯視圖如圖2所示，其中，頂針孔102中內(nèi)含有頂針(圖中未示出)，用于半導(dǎo)體晶圓10的收料(load)與退料(unload)。另外，圖2中虛線117所示的范圍表示圖1中埋設(shè)于絕緣本體110內(nèi)的導(dǎo)體層120的位置。而圖2中沿AA線的剖面圖，即為圖1中所示的晶圓基座100。
圖1中所示的等離子體反應(yīng)室200包含有一石英鐘罩220，作為等離子體反應(yīng)室200的外壁；以及位于石英鐘罩220外側(cè)的線圈240，其中線圈240與一射頻電源232電性連接，且導(dǎo)體層120也與一射頻電源234電性連接，可使石英鐘罩220內(nèi)的氬氣(圖中未示出)離子化形成惰性氣體等離子體42，并驅(qū)動惰性氣體等離子體42轟擊到半導(dǎo)體晶圓10上而清除半導(dǎo)體晶圓10上一預(yù)定厚度的氧化物層。另外，石英為二氧化硅的一種結(jié)晶型態(tài)，因此石英鐘罩220有助于吸附上述等離子體工藝中所產(chǎn)生的氧化物粒子(圖中未示出)，避免上述氧化物粒子落于半導(dǎo)體晶圓10表面，造成污染。
當(dāng)半導(dǎo)體晶圓10為一8英寸的晶圓時，晶圓基座100的寬度或直徑通常為約9英寸，而導(dǎo)體層120的寬度或直徑通常為約190mm，小于半導(dǎo)體晶圓10的直徑。而如圖1所示，在上述等離子體工藝中，等離子體42通常以垂直的方向、均勻的密度入射于半導(dǎo)體晶圓10的表面上。然而，上述傳統(tǒng)的晶圓基座100中，因?qū)w層120的寬度或直徑小于半導(dǎo)體晶圓10的直徑，導(dǎo)致在半導(dǎo)體晶圓10的邊緣附近，吸引了密度較大的惰性氣體等離子體42以非垂直的角度入射，導(dǎo)致下列問題發(fā)生1.如圖3所示，半導(dǎo)體晶圓10的邊緣被惰性氣體等離子體42蝕刻掉的厚度遠超過上述預(yù)定厚度值；其中，上述預(yù)定的蝕刻厚度為約180埃，而在半導(dǎo)體晶圓10邊緣被蝕刻掉的厚度卻超過300埃，造成了半導(dǎo)體晶圓10的外觀尺寸不均勻，增加后續(xù)工藝的困難度，而間接地降低了半導(dǎo)體工藝的合格率，并增加半導(dǎo)體工藝的成本；2.使得半導(dǎo)體晶圓10的側(cè)緣受到不正常的蝕刻，而使半導(dǎo)體晶圓10中的硅逸出產(chǎn)生一些富硅粒子(silicon-rich particle)，如圖4所示，上述富硅粒子1不容易被石英鐘罩220所吸附，造成半導(dǎo)體晶圓10的表面發(fā)生粒子污染，從而降低半導(dǎo)體工藝的合格率、降低產(chǎn)品的可靠度，或必須再增加另一道清洗工藝，以去除上述富硅粒子，如此一來便會增加半導(dǎo)體工藝的成本與復(fù)雜度；以及3.使得與緊鄰半導(dǎo)體晶圓10的頂蓋層112受到不正常的蝕刻，而圖1與圖2中所示蝕刻凹槽116的形成就是因緊鄰半導(dǎo)體晶圓10的頂蓋層112受到不正常蝕刻的結(jié)果，導(dǎo)致頂蓋層112的使用壽命減少，平均約生產(chǎn)9,000片半導(dǎo)體晶圓之后就必須更換，增加半導(dǎo)體工藝的成本。
圖4為一示意圖，是依照上述2中所述富硅粒子的電子顯微鏡照片所描繪的示意圖，其中圖4的上緣，箭頭所指示的為半導(dǎo)體晶圓10的介層窗。相對于上述介層窗2的尺寸，圖4中的富硅粒子1的尺寸顯得相當(dāng)巨大，如不加以避免或清除，會對后續(xù)半導(dǎo)體工藝的合格率造成相當(dāng)不利的影響。
另外，用能量分散光譜儀(EDS)來分析圖4中所示富硅粒子成份中所含的組成元素，其結(jié)果如圖5所示，其中圖5中的橫坐標為能量，每一種元素都會有一特定的能量值；而縱坐標為各個元素的原子數(shù)量計數(shù)值。圖5中的結(jié)果顯示圖4中的富硅粒子中的硅原子的數(shù)量，遠超過一般二氧化硅中硅原子應(yīng)有的數(shù)量，因此證明圖4中所顯示的為一富硅粒子。
在傳統(tǒng)技術(shù)中，針對圖1中所示的等離子體工藝，為了改善半導(dǎo)體晶圓10上落塵粒子的污染問題，而提出了一些解決方案例如美國專利第5,410,122號提出的等離子體工藝中，在反應(yīng)結(jié)束時，射頻電源232、234會立刻切斷電源供應(yīng)，使半導(dǎo)體晶圓10上的電荷迅速恢復(fù)為中性，而使上述等離子體工藝中所產(chǎn)生的粒子迅速落在半導(dǎo)體晶圓10的表面上。因此，美國專利第5,410,122號所揭露的技術(shù)內(nèi)容中，在上述等離子體工藝結(jié)束時，半導(dǎo)體晶圓10上仍帶有正電荷、負電荷、或正負交錯的電荷，使粒子懸浮于半導(dǎo)體晶圓10的上方而不落在半導(dǎo)體晶圓10的表面上；并加上高速氣流或磁場等水平作用力，將上述懸浮于半導(dǎo)體晶圓10上方的粒子去除。
再如美國專利第6,270,621號所揭露的技術(shù)內(nèi)容中，是使晶圓基座100的接口設(shè)備(圖中未示出)帶電，有利于捕集圖1中示的等離子體工藝中所產(chǎn)生的粒子(圖中未示出)，再使用一抽氣系統(tǒng)將上述粒子抽離等離子體反應(yīng)室。
又如美國專利第6,423,175號所揭露的技術(shù)內(nèi)容中，是使圖1中所示晶圓基座100的接口設(shè)備施以噴砂處理，以加強其表面粗糙度，有利于捕集圖1中所示等離子體工藝中所產(chǎn)生的粒子，并減少上述粒子的剝落而掉落在半導(dǎo)體晶圓10的表面上。
又如美國專利第6,482,331號提出的等離子體工藝中，當(dāng)石英鐘罩220的溫度降至100℃以下時，附著于其上的粒子會因為收縮而剝離，因而掉落在半導(dǎo)體晶圓10的表面上；因此，在美國專利第6,482,331號所揭露的技術(shù)內(nèi)容中，是在石英鐘罩220上加上一加熱裝置，以維持石英鐘罩220的溫度，防止附著于其上的粒子因為收縮而剝離，從而掉落在半導(dǎo)體晶圓10的表面上。
又如美國專利第6,551,520號所揭露的技術(shù)內(nèi)容中，是加強等離子體反應(yīng)室的抽氣系統(tǒng)，在半導(dǎo)體晶圓10下的晶圓基座100中增設(shè)一抽氣孔，使得等離子體工藝中所產(chǎn)生的粒子隨著抽氣的氣流排出等離子體反應(yīng)室之外，以減少上述粒子掉落在半導(dǎo)體晶圓10表面上的數(shù)量。
在上述傳統(tǒng)技術(shù)中，雖然都能有效地減少掉落在半導(dǎo)體晶圓10表面上的粒子數(shù)量，但未針對圖1中所示的等離子體工藝中所產(chǎn)生的粒子的來源作改善，而減少粒子的發(fā)生。上述傳統(tǒng)技術(shù)也未針對圖1中因晶圓基座導(dǎo)體層120導(dǎo)致惰性氣體等離子體42對晶圓基座的頂蓋層113與半導(dǎo)體晶圓10邊緣所造成的不正常侵蝕現(xiàn)象加以改善。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本實用新型的主要目的在于提供一種晶圓基座，以適用于一等離子體反應(yīng)室中承載一半導(dǎo)體晶圓，可以降低等離子體工藝中微細粒子的產(chǎn)生，以提升工藝的合格率、降低工藝成本、提升產(chǎn)品的可靠度。
本實用新型的另一目的在于提供一種晶圓基座，以適用于一等離子體反應(yīng)室中承載一半導(dǎo)體晶圓，可以避免在等離子體工藝中，半導(dǎo)體晶圓的邊緣受到過度蝕刻，使半導(dǎo)體晶圓得以維持均勻的外觀尺寸，以降低后續(xù)工藝的困難度，因而提升工藝的合格率、降低工藝成本。
本實用新型的又一目的在于提供一種晶圓基座，以適用于一等離子體反應(yīng)室中承載一半導(dǎo)體晶圓，可以避免等離子體工藝中，晶圓基座的頂蓋層受到不正常的蝕刻而加速耗損，因而延長頂蓋層的使用壽命、降低頂蓋層的更換頻率，以更進一步降低工藝成本。
本實用新型中的晶圓基座適用于一等離子體反應(yīng)室中承載一晶圓，包含一絕緣本體，具有一第一寬度；以及一導(dǎo)體層，具有不大于上述第一寬度的一第二寬度，且第二寬度不小于晶圓的直徑，而導(dǎo)體層埋設(shè)于所述絕緣本體中。
較佳地，所述絕緣本體更包含一頂蓋層與一基底層。


下面將結(jié)合附圖對本實用新型中的具體實施例作進一步詳細說明。
圖1為一剖面示意圖，該圖示出了一傳統(tǒng)晶圓基座在一等離子體反應(yīng)室內(nèi)的動作情形；圖2為傳統(tǒng)晶圓基座的俯視圖；圖3為一示意圖，該圖示出了傳統(tǒng)半導(dǎo)體晶圓在圖1中所示的等離子體工藝，其邊緣被蝕刻掉的厚度遠超過預(yù)定蝕刻厚度值的問題；圖4為由電子顯微鏡照片所描繪的示意圖，該圖示出了圖1中所示等離子體工藝中半導(dǎo)體晶圓的側(cè)緣受到不正常的蝕刻，而使半導(dǎo)體晶圓中的硅逸出產(chǎn)生的富硅粒子；圖5為一示意圖，該圖示出了用能量分散光譜儀(EDS)分析圖4中所示富硅粒子成份中所含元素組成的結(jié)果；圖6為一剖面示意圖，該圖示出了本實用新型晶圓基座在一等離子體反應(yīng)室內(nèi)的動作情形；圖7A和圖7B為一系列的計數(shù)管制圖，該圖示出了實施圖1中傳統(tǒng)技術(shù)以及本實用新型晶圓基座及使用該晶圓基座的等離子體工藝之后，分別對半導(dǎo)體晶圓與半導(dǎo)體晶圓檢測其落塵量的結(jié)果；圖8為一示意圖，該圖顯出了使用本實用新型的晶圓基座的等離子體工藝對半導(dǎo)體晶圓的蝕刻厚度。
具體實施方式
圖6中所示的是以半導(dǎo)體晶圓20的金屬化工藝中，用于清除介層窗(via)(圖中未示出)所曝露的金屬層(圖中未示出)的氧化物的步驟為例。在上述步驟中，以氬氣(也可以其他氣體)作為惰性氣體等離子體44的來源，來清除半導(dǎo)體晶圓20上的硅的氧化物或金屬氧化物。在其它工藝步驟中，例如反應(yīng)離子蝕刻或其它會用到等離子體的半導(dǎo)體工藝，熟悉此項技術(shù)的人員可將本實用新型的晶圓基座應(yīng)用于其中，達到后續(xù)所揭露的本實用新型晶圓基座所能達到的功效。
在圖6中所示的晶圓基座600包含大體呈圓柱形的絕緣本體610與埋設(shè)于絕緣本體610內(nèi)的導(dǎo)體層620。絕緣本體610又可細分為頂蓋層612與基底層614。其中，基底層614的材質(zhì)較好為二氧化硅，且通常具有一凹槽615，而將導(dǎo)體層620鑲嵌于凹槽615的寬度或直徑范圍內(nèi)。而頂蓋層612的材質(zhì)較好為石英，且通常為一可替換的消耗性零件(consumable parts)，覆蓋于導(dǎo)體層620與基底層614之上，用于承載半導(dǎo)體晶圓20。另外，導(dǎo)體層620的材質(zhì)較好為鈦，與一射頻電源234電性連接而產(chǎn)生電場，吸引惰性氣體等離子體44擊到半導(dǎo)體晶圓20上。
圖6中的等離子體反應(yīng)室尚包含有一石英鐘罩220，作為等離子體反應(yīng)室的外壁；以及位于石英鐘罩220外側(cè)的線圈240，其中線圈240與一射頻電源232電性連接，且導(dǎo)體層620也與射頻電源234電性連接，可使石英鐘罩220內(nèi)的氬氣離子化而形成惰性氣體等離子體44，并驅(qū)動惰性氣體等離子體44轟擊到半導(dǎo)體晶圓20上而清除半導(dǎo)體晶圓20上一預(yù)定厚度的氧化物層。另外，石英為二氧化硅的一種結(jié)晶型態(tài)，因此石英鐘罩220有助于吸附上述等離子體工藝中所產(chǎn)生的氧化物粒子，避免上述氧化物粒子落于半導(dǎo)體晶圓20的表面上，造成污染。
本實用新型的晶圓基座600中，絕緣本體610的寬度或直徑大于半導(dǎo)體晶圓20的直徑，而導(dǎo)體層620的寬度或直徑不小于半導(dǎo)體晶圓20的直徑、且不大于絕緣本體610的寬度或直徑而埋設(shè)于絕緣本體610中；導(dǎo)體層620的寬度或直徑較好為大于半導(dǎo)體晶圓20的直徑，以使半導(dǎo)體晶圓20入料并放置在晶圓基座600上時，方便半導(dǎo)體晶圓20的對準，而使半導(dǎo)體晶圓20能完全重合于導(dǎo)體層620的正上方。如果置于晶圓基座600上的半導(dǎo)體晶圓20有任何一部分超出導(dǎo)體層620的正上方區(qū)域時，該部分就會如同圖1中所示傳統(tǒng)技術(shù)一樣，吸引密度較大的惰性氣體等離子體44以非垂直角度入射，導(dǎo)致半導(dǎo)體晶圓20被蝕刻的厚度不均、頂蓋層612受到不正常蝕刻、半導(dǎo)體晶圓20的側(cè)緣受到不正常蝕刻而產(chǎn)生富硅粒子污染半導(dǎo)體晶圓20的表面等傳統(tǒng)技術(shù)中遭遇到的問題。另外，導(dǎo)體層620的寬度或直徑，更好為小于絕緣本體610的寬度或直徑；如果導(dǎo)體層620的寬度或直徑大于絕緣本體610的寬度或直徑、或是導(dǎo)體層620未埋設(shè)于絕緣本體610中，而使部分的導(dǎo)體層620曝露于絕緣本體610之外，上述導(dǎo)體層620曝露的部分就會受到惰性氣體等離子體44的侵蝕，而又會產(chǎn)生額外的粒子，污染半導(dǎo)體晶圓20的表面。
當(dāng)半導(dǎo)體晶圓20為一8英寸晶圓時，絕緣本體610的寬度或直徑通常為約9英寸，而導(dǎo)體層620的寬度或直徑通常為8英寸～9英寸，而圖6中所示的導(dǎo)體層620的寬度或直徑為約210mm。
另外，當(dāng)半導(dǎo)體晶圓20為一12英寸晶圓時，絕緣本體610的寬度或直徑通常為約13英寸，而導(dǎo)體層620的寬度或直徑通常為12英寸～13英寸，較好為約310mm。
接下來描述圖6中所示使用本實用新型晶圓基座600的等離子體工藝。
首先，將半導(dǎo)體晶圓20入料，置于等離子體反應(yīng)室內(nèi)的晶圓基座600的頂蓋層612上，此時要注意半導(dǎo)體晶圓20置放于頂蓋層612上的位置，必須使半導(dǎo)體晶圓20完全包含于導(dǎo)體層610正上方的區(qū)域。接下來，將氬氣輸入等離子體反應(yīng)室中，并開啟射頻電源232、234，以產(chǎn)生惰性氣體等離子體44，轟擊半導(dǎo)體晶圓20的表面。反應(yīng)完成后，切斷氬氣的供應(yīng)并關(guān)閉射頻電源232、234。最后，將已完成等離子體工藝的半導(dǎo)體晶圓20退出等離子體反應(yīng)室之外，或是使用同樣的等離子體反應(yīng)室，執(zhí)行下一階段的等離子體工藝。另外，熟悉此項技術(shù)的人員也可將上述氬氣與惰性氣體等離子體44置換為一反應(yīng)氣體與一反應(yīng)離子等離子體，以執(zhí)行一反應(yīng)離子蝕刻的工藝。
如圖6所示，導(dǎo)體層620的寬度或直徑不小于晶圓基座600所承載的半導(dǎo)體晶圓20的直徑，使得半導(dǎo)體晶圓20邊緣附近的惰性氣體等離子體44的密度與入射方向，與半導(dǎo)體晶圓20的其它區(qū)域中惰性氣體等離子體44的密度與入射方向無明顯的改變。因此，半導(dǎo)體晶圓20的邊緣與頂蓋層613未受到不正常的蝕刻。
如圖7A和圖7B所示，比較實施圖1所示傳統(tǒng)技術(shù)與本實用新型后，分別對半導(dǎo)體晶圓10與半導(dǎo)體晶圓20的落塵量進行檢測，其中圖7A與圖7B中所示的縱坐標表示每片晶圓上的粒子數(shù)量，橫坐標表示受檢的晶圓。由圖7A與圖7B可看出，分隔線700的左側(cè)為實施傳統(tǒng)技術(shù)的半導(dǎo)體晶圓10的檢測數(shù)據(jù)，分隔線700的右側(cè)為實施本實用新型晶圓基座及使用晶圓基座的等離子體工藝的半導(dǎo)體晶圓20的檢測數(shù)據(jù)。而圖7A示出了受檢的晶圓上粒子的總量；而圖7B示出了上述受檢晶圓上粒子中直徑大于2μm的粒子的數(shù)量。
在圖7A中，比較分隔線700左側(cè)實施圖1中傳統(tǒng)技術(shù)的半導(dǎo)體晶圓10的檢測數(shù)據(jù)、與分隔線700右側(cè)實施本實用新型晶圓基座及使用該晶圓基座的等離子體工藝的半導(dǎo)體晶圓20的檢測數(shù)據(jù)可知實施圖1中所示傳統(tǒng)技術(shù)的半導(dǎo)體晶圓10上的粒子數(shù)量較多，且分布型式較不穩(wěn)定，常有逼近圖中管制上限的情形發(fā)生；而實施本實用新型的晶圓基座及使用該晶圓基座的等離子體工藝的半導(dǎo)體晶圓20上的粒子數(shù)量則有明顯減少。而以平均值觀之，實施圖1中所示傳統(tǒng)技術(shù)的半導(dǎo)體晶圓10上的粒子數(shù)量平均值為約5.2，而實施本實用新型晶圓基座及使用該晶圓基座的等離子體工藝的半導(dǎo)體晶圓20上的粒子數(shù)量平均值約為2.9，較傳統(tǒng)技術(shù)有明顯改善。
在圖7B中，顯示直徑大于2μm的粒子的數(shù)量方面，傳統(tǒng)技術(shù)與本實用新型的結(jié)果無明顯差異。以平均值觀之在實施圖1中所示傳統(tǒng)技術(shù)的半導(dǎo)體晶圓10上，直徑大于2μm的粒子數(shù)量平均值為約1.0；而在實施本實用新型晶圓基座及使用該晶圓基座的等離子體工藝的半導(dǎo)體晶圓20上，直徑大于2μm的粒子數(shù)量平均值約為0.8，由此可知，本實用新型的實施對產(chǎn)品的品質(zhì)并無不良影響。
然而，在圖7A與圖7B的管制圖中，將受檢晶圓上的所有粒子都列入計算，因此這些粒子除了包含在傳統(tǒng)技術(shù)或本實用新型的等離子體工藝中所產(chǎn)生的粒子數(shù)量之外，尚包含在前工藝時，就已經(jīng)落在受檢晶圓的粒子數(shù)量。因此，本實用新型中的創(chuàng)作人準備了圖1中所示的等離子體反應(yīng)室與圖6中所示的等離子體反應(yīng)室各一組，取半導(dǎo)體晶圓9,000片中的各一半(4,500片)分別實施圖1中所示傳統(tǒng)技術(shù)、以及圖6中所示的本實用新型晶圓基座及使用該晶圓基座的等離子體工藝，特別檢測上述9,000片的晶圓，看是否有來自圖1中所示等離子體反應(yīng)室或圖6中等離子體反應(yīng)室的粒子污染。其中，在實施圖1中所示傳統(tǒng)技術(shù)的4,500片半導(dǎo)體晶圓中，檢查其中20批(共60片)，共有24片的半導(dǎo)體晶圓受到來自實施圖1中所不傳統(tǒng)技術(shù)時所產(chǎn)生的粒子污染；而在實施圖6中所示本實用新型晶圓基座及使用該晶圓基座的等離子體工藝的4,500片的半導(dǎo)體晶圓中，檢查其中18批(共54片)，均未發(fā)現(xiàn)有新的粒子污染情形。
綜上所述，本實用新型的晶圓基座及使用該晶圓基座的等離子體工藝，可以有效地降低在等離子體工藝中微細粒子的產(chǎn)生，提升工藝的合格率、降低工藝成本、并提升產(chǎn)品的可靠度，達到上述本實用新型的主要目的。
如圖8所示，在該圖中示出了使用本實用新型中晶圓基座600及等離子體工藝后半導(dǎo)體晶圓20的蝕刻厚度情況。在圖8中，半導(dǎo)體晶圓20的預(yù)定蝕刻厚度約為180埃，而在半導(dǎo)體晶圓20邊緣以外的區(qū)域，被蝕刻厚度的變化不大，均維持在約180埃上下，而在半導(dǎo)體晶圓20的邊緣，被蝕刻厚度微幅提高到約為210～220埃。與圖3中所示傳統(tǒng)技術(shù)的結(jié)果比較，本實用新型的晶圓基座及使用該晶圓基座的等離子體工藝，可以有效避免在等離子體工藝中，半導(dǎo)體晶圓20的邊緣受到過度蝕刻，使半導(dǎo)體晶圓20得以維持均勻的外觀尺寸，以降低后續(xù)工藝中的工藝困難度，提升工藝的合格率、降低工藝成本，達到上述本實用新型的另一目的。
另外，如圖6所示，本實用新型中的晶圓基座600，具有一導(dǎo)體層620，其中導(dǎo)體層620的寬度或直徑不小于晶圓基座600所承載的半導(dǎo)體晶圓20的直徑，從而可以避免在等離子體工藝中，晶圓基座600的頂蓋層612受到不正常的蝕刻而加速耗損，因而延長頂蓋層612的使用壽命(如可延長到13000～30000片)、降低上述頂蓋層的更換頻率，以更進一步降低工藝成本。實現(xiàn)本實用新型的另一目的。
另外，以上雖然對本實用新型中的較佳實施例作了說明，但并不能作為本實用新型的保護范圍，即對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說應(yīng)該明白，在不脫離本實用新型的設(shè)計精神下可以對其作出等效的變化與修飾，因此，凡是在不脫離本實用新型的設(shè)計精神下所作出的等效變化與修飾，均應(yīng)認為落入本實用新型的保護范圍。
權(quán)利要求1.一種晶圓基座，其特征在于包含一絕緣本體，具有一第一寬度；以及一導(dǎo)體層，具有不大于該第一寬度的一第二寬度，且該第二寬度不小于半導(dǎo)體晶圓的直徑，而該導(dǎo)體層埋設(shè)于所述絕緣本體中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的晶圓基座，其特征在于所述絕緣本體包含一頂蓋層與一基底層，其中所述導(dǎo)體層位于頂蓋層與基底層之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2中所述的晶圓基座，其特征在于所述基底層包含一凹槽，該凹槽具有所述第二寬度，且所述導(dǎo)體層位于凹槽的寬度范圍內(nèi)，而所述頂蓋層覆蓋于所述導(dǎo)體層與基底層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的晶圓基座，其特征在于所述絕緣本體的材料為二氧化硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的晶圓基座，其特征在于所述絕緣本體大體為圓柱形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的晶圓基座，其特征在于所述導(dǎo)體層的材料為鈦。
7.根據(jù)權(quán)利要求2中所述的晶圓基座，其特征在于所述頂蓋層的材料為石英。
8.根據(jù)權(quán)利要求2中所述的晶圓基座，其特征在于所述基底層的材料為二氧化硅。
9.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的晶圓基座，其特征在于所述半導(dǎo)體晶圓的直徑大體為8英寸。
10.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的晶圓基座，其特征在于所述第一寬度大體為9英寸。
11.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的晶圓基座，其特征在于所述第二寬度為8英寸～9英寸。
12.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的晶圓基座，其特征在于所述第二寬度大體為210mm。
13.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的晶圓基座，其特征在于所述半導(dǎo)體晶圓的直徑大體為12英寸。
14.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的晶圓基座，其特征在于所述第一寬度大體為13英寸。
15.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的晶圓基座，其特征在于所述第二寬度為12英寸～13英寸。
16.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的晶圓基座，其特征在于所述第二寬度大體為310mm。
專利摘要本實用新型公開了一種晶圓基座，用于一等離子體反應(yīng)室中承載一晶圓，包含一具有一第一寬度的絕緣本體以及一具有不大于第一寬度的一第二寬度的導(dǎo)體層，且第二寬度不小于晶圓的直徑，而導(dǎo)體層埋設(shè)于絕緣本體中。
文檔編號H01L21/00GK2765322SQ20042004992
公開日2006年3月15日 申請日期2004年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月29日
發(fā)明者宋享金 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司