專利名稱：傳輸承載晶片的高純碳化硅平板形部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種傳輸承載晶片的高純碳化硅平板形部件，屬于半導(dǎo)體器件制造過(guò)程氧化、擴(kuò)散、LPCVD工藝中晶片的傳輸承載部件。
背景技術(shù)：
目前，用于半導(dǎo)體器件制造過(guò)程氧化、擴(kuò)散、LPCVD工藝中晶片的傳輸承載部件的尺寸基本上均為六英寸以下，同時(shí)承載部件的壁比較厚。此種部件多以石英玻璃、單晶硅、多晶硅材料為主。其中石英玻璃軟化點(diǎn)低(1100℃)，易發(fā)生高溫蠕變?cè)斐删冃握辰Y(jié)。在1200℃以上的擴(kuò)散過(guò)程中，尤其是晶圓尺寸的變大，石英因高溫負(fù)重過(guò)大而產(chǎn)生變形，在晶圓自動(dòng)化輸送過(guò)程中無(wú)法對(duì)位，石英玻璃材料已遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足晶片制造工藝的需要。另外該特性限制了傳輸承載部件的形狀和尺寸，無(wú)法做到六英寸以上，且壁厚而笨拙。尺寸小影響傳輸承載能力，部件壁厚使得熱導(dǎo)率低，不利于溫度、氣流的均勻性。這些缺陷均影響晶片器件的質(zhì)量和生產(chǎn)成本的降低。
而如果采用單晶硅、多晶硅做出大尺寸的晶舟，則由于高溫強(qiáng)度低，易發(fā)生脆性斷裂，不耐化學(xué)腐蝕，加工難度大。
盡管如此，由于大直徑晶片每片可分割成幾百個(gè)芯片，為提高生產(chǎn)效率和節(jié)約成本，傳輸承載晶片的部件向大直徑發(fā)展是近年的趨勢(shì)。由于近年來(lái)，晶片尺寸從4吋(105mm)發(fā)展至12吋(達(dá)到300mm以上)，線寬從2微米發(fā)展到90納米，對(duì)于制造過(guò)程中的氣氛均勻性和純凈度的要求更趨嚴(yán)格。對(duì)每一種直徑的晶片都需要想對(duì)應(yīng)的尺寸的傳輸承載部件。所以用碳化硅大口徑薄壁異型部件替代傳統(tǒng)部件已成半導(dǎo)體器件發(fā)展的必然趨勢(shì)。

發(fā)明內(nèi)容
要解決的技術(shù)問(wèn)題為了避免現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，本實(shí)用新型提供了一種傳輸承載晶片的高純碳化硅平板形部件，采用碳化硅材料制成、平板形主體，因碳化硅無(wú)高溫蠕變，提高傳輸承載能力。結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可簡(jiǎn)化，部件自重可降低。熱導(dǎo)率高，利于溫度、氣流的均勻性。穩(wěn)定晶片工藝參數(shù)。提高工藝溫度，縮短工藝時(shí)間，提高了使用壽命，降低器件的生產(chǎn)成本。
技術(shù)方案本實(shí)用新型的技術(shù)特征在于在平板形主體1的上面呈弧形下凹，形成弧形凹面2；在弧形凹面2內(nèi)刻有若干個(gè)弧形槽4，晶片放置在弧形槽4上。
在平板形主體1的中部可掏空，形成掏空槽4。
在平板形主體1的兩端可以設(shè)計(jì)孔5，用于傳輸承載過(guò)程中方便勾取部件。
弧形下凹形成的弧形凹面2的弧度小于π。
有益效果本實(shí)用新型的有益效果是增加了部件單位長(zhǎng)度內(nèi)晶片的承載量，晶片可以緊密地排列在部件內(nèi)，而在高溫?zé)o變形粘結(jié)現(xiàn)象。晶片與晶舟內(nèi)弧配合緊密利于傳輸中穩(wěn)定。晶片取放容易。晶舟傳輸方便。材料耐化學(xué)腐蝕，使用壽命與石英玻璃、單晶硅、多晶硅提高了50-100倍。降低了半導(dǎo)體器件制造成本。


圖1結(jié)構(gòu)示意圖圖2A-A剖視示意圖1-平板形主體2-弧形凹面3-弧形槽4-掏空槽5-孔具體實(shí)施方式
現(xiàn)結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述用于半導(dǎo)體功率器件制造工藝中3英寸晶片擴(kuò)散部件(高純碳化硅平板形晶舟)的設(shè)計(jì)如下平板長(zhǎng)度＝335mm 平板寬度＝56mm 平板高度＝12mm下凹弧的直徑＝70mm 弧形槽的直徑＝76mm 槽寬＝0.5mm槽間隔＝1mm 下凹弧形面長(zhǎng)度＝300mm 下凹弧形面內(nèi)刻槽數(shù)量＝200個(gè)端部孔直徑＝12mm 端部與孔中心距＝12mm中部掏兩個(gè)空槽，每個(gè)尺寸長(zhǎng)度＝130mm 寬度＝13mm。
權(quán)利要求1.一種傳輸承載晶片的高純碳化硅平板形部件，其特征在于在平板形主體(1)的上面呈弧形下凹，形成弧形凹面(2)；在弧形凹面(2)內(nèi)刻有若干個(gè)弧形槽(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳輸承載晶片的高純碳化硅平板形部件，其特征在于在平板形主體(1)的中部可掏空，形成掏空槽(4)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的傳輸承載晶片的高純碳化硅平板形部件，其特征在于在平板形主體(1)的兩端可以設(shè)計(jì)孔(5)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳輸承載晶片的高純碳化硅平板形部件，其特征在于弧形下凹形成的弧形凹面(2)的弧度小于π。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種傳輸承載晶片的高純碳化硅平板形部件，屬于半導(dǎo)體器件制造過(guò)程氧化、擴(kuò)散、LPCVD工藝中晶片的傳輸承載部件。技術(shù)特征在于在平板形主體的上面呈弧形下凹，形成弧形凹面，在弧形凹面內(nèi)刻有若干個(gè)弧形槽。在平板形主體的中部可掏空，形成掏空槽。在平板形主體的兩端可以設(shè)計(jì)孔，用于傳輸承載過(guò)程中方便勾取部件。本實(shí)用新型的有益效果是增加了部件單位長(zhǎng)度內(nèi)晶片的承載量，晶片可以緊密地排列在部件內(nèi)，而在高溫?zé)o變形粘結(jié)現(xiàn)象。晶片與晶舟內(nèi)弧配合緊密利于傳輸中穩(wěn)定。晶片取放容易。晶舟傳輸方便。材料耐化學(xué)腐蝕，使用壽命與石英玻璃、單晶硅、多晶硅提高了50－100倍。降低了半導(dǎo)體器件制造成本。
文檔編號(hào)H01L21/68GK2743968SQ20042004217
公開(kāi)日2005年11月30日 申請(qǐng)日期2004年7月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月12日
發(fā)明者陳剛, 劉定冕, 劉磊磊 申請(qǐng)人:西安希朗材料科技有限公司