專利名稱：傳輸承載晶片的高純碳化硅卡座式部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種傳輸承載晶片的高純碳化硅卡座式部件，屬于半導(dǎo)體器件制造過程氧化、擴(kuò)散、LPCVD工藝中晶片的傳輸承載部件。
背景技術(shù)：
目前，用于半導(dǎo)體器件制造過程氧化、擴(kuò)散、LPCVD工藝中晶片的傳輸承載部件的尺寸基本上均為六英寸以下，同時(shí)承載部件的壁比較厚。此種部件多以石英玻璃、單晶硅、多晶硅材料為主。其中石英玻璃軟化點(diǎn)低(1100℃)，易發(fā)生高溫蠕變?cè)斐删冃握辰Y(jié)。在1200℃以上的擴(kuò)散過程中，尤其是晶圓尺寸的變大，石英因高溫負(fù)重過大而產(chǎn)生變形，在晶圓自動(dòng)化輸送過程中無法對(duì)位，石英玻璃材料已遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足晶片制造工藝的需要。另外該特性限制了傳輸承載部件的形狀和尺寸，無法做到六英寸以上，且壁厚而笨拙。尺寸小影響傳輸承載能力，部件壁厚使得熱導(dǎo)率低，不利于溫度、氣流的均勻性。這些缺陷均影響晶片器件的質(zhì)量和生產(chǎn)成本的降低。
而如果采用單晶硅、多晶硅做出大尺寸的晶舟，則由于高溫強(qiáng)度低，易發(fā)生脆性斷裂，不耐化學(xué)腐蝕，加工難度大。
盡管如此，由于大直徑晶片每片可分割成幾百個(gè)芯片，為提高生產(chǎn)效率和節(jié)約成本，傳輸承載晶片的部件向大直徑發(fā)展是近年的趨勢(shì)。由于近年來，晶片尺寸從4吋(105mm)發(fā)展至12吋(達(dá)到300mm以上)，線寬從2微米發(fā)展到90納米，對(duì)于制造過程中的氣氛均勻性和純凈度的要求更趨嚴(yán)格。對(duì)每一種直徑的晶片都需要想對(duì)應(yīng)的尺寸的傳輸承載部件。所以用碳化硅大口徑薄壁異型部件替代傳統(tǒng)部件已成半導(dǎo)體器件發(fā)展的必然趨勢(shì)。

發(fā)明內(nèi)容
要解決的技術(shù)問題為了避免現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，本實(shí)用新型提供了一種傳輸承載晶片的高純碳化硅卡座式部件，采用碳化硅材料制成、卡座式主體，因碳化硅無高溫蠕變，提高傳輸承載能力。
技術(shù)方案本實(shí)用新型的技術(shù)特征在于在卡座主體1上設(shè)計(jì)四條內(nèi)凸棱3、4、5、6，在四條內(nèi)凸棱上刻卡槽7，在垂直于卡座主體1的平面上的、位于四條內(nèi)凸棱3、4、5、6上的點(diǎn)位A、B、C、D在同一圓周上。圓形晶片0被在四條內(nèi)凸棱3、4、5、6的卡槽7上的點(diǎn)位A、B、C、D卡住，并垂直于卡座主體1的底部平面。
所述的卡槽7形狀似梳篦，卡槽7的前端帶倒角。
卡座主體1的底部可以為平面。
在不影響主體內(nèi)的四條內(nèi)凸棱的前提下，卡座主體1的內(nèi)部或邊緣可以掏空形成掏空部分2。
有益效果本實(shí)用新型的有益效果是增加了部件單位長(zhǎng)度內(nèi)晶片的承載量。晶片可以緊密地排列在部件內(nèi)，而在高溫?zé)o變形粘結(jié)現(xiàn)象。晶片與晶舟內(nèi)弧配合緊密利于傳輸中穩(wěn)定。晶片取放容易。晶舟傳輸方便。材料耐化學(xué)腐蝕，使用壽命與石英玻璃、單晶硅、多晶硅提高了50-100倍。降低了半導(dǎo)體器件制造成本。
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說明。


圖1結(jié)構(gòu)示意圖1-卡座主體2-掏空部分3-內(nèi)凸棱4-內(nèi)凸棱5-內(nèi)凸棱6-內(nèi)凸棱7-卡槽具體實(shí)施方式
現(xiàn)結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述用于半導(dǎo)體功率器件制造工藝中3英寸晶片擴(kuò)散部件(高純碳化硅平板形晶舟)的設(shè)計(jì)如下卡座主體1的長(zhǎng)度＝145mm、寬度＝88mm、高度＝32mm四卡點(diǎn)A、B、C、D所組成圓的直徑＝76mm卡槽7的槽寬＝0.7mm 槽間隔＝0.9mm卡座主體1的下平面寬度＝53mm 刻槽數(shù)量＝78個(gè)底部、側(cè)部掏空。
權(quán)利要求1.一種傳輸承載晶片的高純碳化硅卡座式部件，其特征在于在卡座主體(1)上設(shè)計(jì)四條內(nèi)凸棱(3)、(4)、(5)、(6)，在四條內(nèi)凸棱上刻卡槽(7)，在垂直于卡座主體(1)的平面上的、位于四條內(nèi)凸棱(3)、(4)、(5)、(6)上的點(diǎn)位A、B、C、D在同一圓周上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳輸承載晶片的高純碳化硅卡座式部件，其特征在于所述的卡槽(7)形狀似梳篦，卡槽(7)的前端帶倒角。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳輸承載晶片的高純碳化硅卡座式部件，其特征在于卡座主體(1)的底部可以為平面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳輸承載晶片的高純碳化硅卡座式部件，其特征在于卡座主體(1)的內(nèi)部或邊緣可以掏空形成掏空部分(2)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種傳輸承載晶片的高純碳化硅卡座式部件，屬于半導(dǎo)體器件制造過程氧化、擴(kuò)散、LPCVD工藝中晶片的傳輸承載部件。在卡座主體上設(shè)計(jì)四條內(nèi)凸棱，在四條內(nèi)凸棱上刻卡槽，在垂直于卡座主體的平面上的、位于四條內(nèi)凸棱上的點(diǎn)位A、B、C、D在同一圓周上。圓形晶片被在四條內(nèi)凸棱的卡槽上的點(diǎn)位A、B、C、D卡住，并垂直于卡座主體1的底部平面。有益效果是增加了部件單位長(zhǎng)度內(nèi)品片的承載量。晶片可以緊密地排列在部件內(nèi)，而在高溫?zé)o變形粘結(jié)現(xiàn)象。晶片與晶舟內(nèi)弧配合緊密利于傳輸中穩(wěn)定。晶片取放容易。晶舟傳輸方便。材料耐化學(xué)腐蝕，使用壽命與石英玻璃、單品硅、多晶硅提高了50－100倍。降低了半導(dǎo)體器件制造成本。
文檔編號(hào)H01L21/67GK2713631SQ20042004217
公開日2005年7月27日 申請(qǐng)日期2004年7月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月12日
發(fā)明者陳剛, 劉定冕, 劉磊磊 申請(qǐng)人:西安希朗材料科技有限公司