專利名稱：在源漏區(qū)域形成兩種厚度硅化物的工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于集成電路制造工藝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及在晶體管有源區(qū)的源漏極區(qū)域形成兩種厚度的硅化物的工藝。
背景技術(shù)：
隨著集成電路的不斷發(fā)展，晶體管的最小線寬不斷縮小。目前主流工藝0.18μm技術(shù)就是指柵極的長度為0.18微米。在線寬不斷縮小的同時，為了提高晶體管的性能，源/漏結(jié)的深度也在不斷減小，在0.18微米工藝下結(jié)的深度只有數(shù)十~一百幾十納米。相應(yīng)的，在0.18um工藝下，硅化物的厚度一般在55nm左右；在0.13um工藝下，硅化物厚度一般在40nm左右；而在90nm工藝下，硅化物厚度一般在28nm左右。
目前的集成電路制造工藝中都使用硅化物工藝技術(shù)來減少源漏區(qū)域和多晶電極的電阻。無論是0.35/0.25微米技術(shù)的鈦硅化物(TiSi2)還是0.18/0.13微米技術(shù)的鈷硅化物(CoSi2)都用到了兩步硅化物形成工藝。在首先PVD淀積形成硅化物所需的金屬后，通過第一次較低溫度的快速熱退火(RTP1)處理淀積的金屬形成高電阻的硅化物。然后通過化學(xué)溶劑APM(氨水和雙氧水混合)/SPM(硫酸和雙氧水混合)去除在場氧化層和柵極側(cè)壁邊墻(spacer)上殘留的或未反應(yīng)的金屬(即多余金屬)，并留下產(chǎn)生的硅化物(這一步稱為選擇性腐蝕)。最后通過第二次較高溫度的快速熱退火(RTP2)處理以形成低電阻的硅化物。而對于鎳硅化物(NiSi)來說，通常在PVD淀積形成硅化物所需的金屬后，只用一步RTP工藝，形成低電阻的NiSi，隨后通過選擇性濕法工藝將殘余或未反應(yīng)的金屬給腐蝕掉。
但是隨著結(jié)深的不斷變淺，如果晶體管源漏區(qū)域硅化物的厚度太大，會造成結(jié)漏電增大，從而影響器件的工作。而如果厚度減薄則會造成接觸電阻變大，同樣不利于獲得好性能的器件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提出一種在晶體管源漏區(qū)域使用兩種厚度硅化物的工藝，以保證器件對淺結(jié)深的要求，并保證對接觸電阻的要求以及結(jié)漏電的要求。
本發(fā)明提出的在晶體管源漏區(qū)域使用兩種厚度硅化物的工藝，是在源漏區(qū)域其它部分使用較薄的硅化物，以減少結(jié)深并保證漏電，滿足器件淺結(jié)的要求，而在源漏接觸孔的區(qū)域和柵極區(qū)域使用相對較厚的硅化物以保證低電阻的要求，與此相對應(yīng)需要在源漏區(qū)域形成兩個結(jié)深不同的區(qū)域。結(jié)深較淺的區(qū)域與薄硅化物對應(yīng)，結(jié)深較深的區(qū)域與厚硅化物對應(yīng)。通過調(diào)節(jié)這兩個區(qū)域的硅化物厚度和結(jié)深，來控制漏電和電阻。這樣有助于提高器件的性能。
上述工藝中，所述其源漏區(qū)域它部分是指除了接觸孔以外的源漏區(qū)域，該區(qū)域的寬度大致可為30-120nm。本發(fā)明中，柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域的硅化物厚度與源漏區(qū)域其它部分的硅化物厚度之比大于1。
為了能夠在源漏區(qū)域形成不同厚度的硅化物，需要分兩次形成硅化物。方法之一是，通過淀積介質(zhì)膜作為掩膜，首先擋住有源區(qū)域中柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域，通過金屬濺射和退火使源漏其它區(qū)域形成硅化物，然后淀積介質(zhì)膜擋住已形成硅化物的源漏其它區(qū)域；經(jīng)刻蝕暴露出柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域后，再進行金屬濺射和退火，使柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域形成比源漏其它區(qū)域厚的另一厚度硅化物；方法之二是通過淀積介質(zhì)膜作為掩膜，首先擋住源漏其它區(qū)域，通過金屬濺射和退火，使柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域形成硅化物，然后淀積介質(zhì)膜擋住已形成硅化物的柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域，經(jīng)刻蝕暴露出源漏其它區(qū)域后，再通過金屬濺射和退火使源漏其它區(qū)域形成比柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域薄的另一厚度硅化物。
上述源漏其它區(qū)域形成的硅化物的厚度可控制在10~70nm；上述柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域形成的硅化物的厚度可控制在12~100nm。上述形成的硅化物可為多種金屬硅化物，如Ti硅化物、Co硅化物和Ni硅化物以用于不同等級的工藝。實現(xiàn)上述要求的主要工藝步驟可以有多種選擇對形成不同厚度Ti、Co硅化物的工藝，主要步驟是(A)柵極側(cè)墻(Spacer)形成后，用介質(zhì)覆蓋整個硅片；(B)通過光刻、刻蝕，令介質(zhì)覆蓋住柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域，打開源漏其它區(qū)域；(C)經(jīng)過HF漂洗后，低溫濺射所需金屬；(D)通過低溫快速熱退火形成硅化物，并將不需要的金屬給腐蝕掉；(E)再次在硅片表面淀積介質(zhì)；(F)通過刻蝕打開柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域；(G)再次經(jīng)過HF漂洗后，低溫濺射所需金屬；(H)通過低溫快速熱退火形成硅化物，并將不需要的金屬給腐蝕掉；(I)通過刻蝕再次打開源漏其它區(qū)域，然后通過高溫快速熱退火，實現(xiàn)需要的低電阻硅化物；
或者，上述步驟B也可以通過光刻、刻蝕令介質(zhì)覆蓋住源漏其它區(qū)域，寬度可為30-120nm，打開柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域；上述步驟F通過刻蝕打開柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域，此時相應(yīng)改為通過刻蝕打開源漏其它區(qū)域，寬度可為30-120nm。上述步驟I)相應(yīng)改為通過刻蝕再次打開柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域。
上述過程中之步驟A、E所用介質(zhì)為SiO2、SiN或者SiON，厚度在10-30nm之間；步驟C、G所用濺射的金屬厚度在6-40nm之間；步驟D、H所用低溫?zé)嵬嘶饘τ赥i在600-800℃之間、對于Co在400-600℃之間；步驟I所用高溫?zé)嵬嘶饘τ赥i在700-900℃之間、對于Co在650-850℃之間。
或者(A)柵極側(cè)墻形成后，用介質(zhì)覆蓋整個硅片；(B)通過光刻、刻蝕，令介質(zhì)覆蓋住柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域，打開源漏其它區(qū)域；(C)經(jīng)過HF漂洗后，低溫濺射所需金屬；(D)通過低溫快速熱退火形成硅化物，并將不需要的金屬給腐蝕掉；(E)通過高溫快速熱退火，在源漏其它區(qū)域?qū)崿F(xiàn)需要的低電阻硅化物；(F)再次在硅片表面淀積介質(zhì)；(G)通過刻蝕打開柵極區(qū)域和源漏接觸孔部分；(H)再次經(jīng)過HF漂洗后，低溫濺射所需金屬；(I)通過低溫快速熱退火形成硅化物，并將不需要的金屬給腐蝕掉；(J)通過高溫快速熱退火，在柵極區(qū)域和源漏接觸孔部分實現(xiàn)需要的低電阻硅化物；(K)通過刻蝕再次打開源漏其它區(qū)域；或者，上述步驟B也可以通過光刻、刻蝕令介質(zhì)覆蓋住源漏其它區(qū)域，寬度可為30-120nm，打開柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域；上述步驟G通過刻蝕打開柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域，此時相應(yīng)改為通過刻蝕打開源漏其它區(qū)域，寬度可為30-120nm。上述步驟K)相應(yīng)改為通過刻蝕打開柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域。
上述過程中之步驟A、F所用介質(zhì)為SiO2、SiN或者SiON，厚度在10-30nm之間；步驟C、H所用濺射的金屬厚度在6-40nm之間；步驟D、I所用低溫?zé)嵬嘶饘τ赥i在600-800C之間、對于Co在400-600C之間；步驟E、J所用高溫?zé)嵬嘶饘τ赥i在700-900C之間、對于Co在650-850C之間。
對形成不同厚度Ni硅化物的工藝技術(shù)，實現(xiàn)上述要求的主要工藝步驟是(A)柵極側(cè)墻形成后，用介質(zhì)覆蓋整個硅片；(B)通過光刻、刻蝕，令介質(zhì)覆蓋住柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域，打開源漏其它區(qū)域；
(C)經(jīng)過HF漂洗后，低溫濺射所需金屬；(D)通過低溫快速熱退火形成硅化物，并將不需要的金屬給腐蝕掉；(E)再次在硅片表面淀積介質(zhì)；(F)通過刻蝕打開柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域；(G)再次經(jīng)過HF漂洗后，低溫濺射所需金屬；(H)通過低溫快速熱退火形成硅化物，并將不需要的金屬給腐蝕掉；(I)通過刻蝕再次打開源漏其它區(qū)域；或者，上述步驟B通過光刻、刻蝕令介質(zhì)覆蓋住柵極區(qū)域和源漏區(qū)域接觸孔區(qū)域，打開源漏其它區(qū)域，寬度可為30-120nm；可改為通過光刻、刻蝕令介質(zhì)覆蓋住源漏其它區(qū)域，寬度可為30-120nm，打開柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域。上述步驟F通過刻蝕打開柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域，此時相應(yīng)改為通過刻蝕打開源漏其它區(qū)域，寬度可為30-120nm。上述步驟I相應(yīng)改為柵極區(qū)域和源漏區(qū)域接觸孔區(qū)域。
上述過程中步驟A、E所用介質(zhì)為SiO2、SiN或者SiON，厚度在10-30nm之間；步驟3、7所用濺射的金屬厚度在6-40nm之間；步驟D、H所用低溫?zé)嵬嘶饘τ贜i在400-700℃之間；本發(fā)明提供了多種途徑實現(xiàn)硅化物工藝，同時可以對晶體管不同有源區(qū)區(qū)域的硅化物厚度進行控制，有利于優(yōu)化晶體管性能。


圖1所示為柵極spacer形成后，用介質(zhì)覆蓋整個硅片的示意圖；圖2所示為通過光刻、刻蝕令介質(zhì)覆蓋住柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域，打開源漏其它區(qū)域，寬度可為30-120nm的示意圖；圖3所示為經(jīng)過HF漂洗后，低溫濺射所需金屬后的示意圖；圖4所示為通過低溫快速熱退火形成硅化物，并將不需要的金屬給腐蝕掉后的示意圖；圖5所示為再次在硅片表面淀積介質(zhì)后的示意圖；圖6所示為通過刻蝕打開柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域后的示意圖；圖7所示為再次經(jīng)過HF漂洗后，低溫濺射所需金屬后的示意圖；圖8所示為通過低溫快速熱退火形成硅化物，并將不需要的金屬給腐蝕掉后的示意圖；圖9所示為通過刻蝕再次打開源漏其它區(qū)域，然后通過高溫快速熱退火，實現(xiàn)需要的低電阻硅化物的示意圖；
附圖標(biāo)號1為晶體管源極、2為晶體管柵極、3為晶體管漏極、4為介質(zhì)一、5為金屬一、6為硅化物、7為介質(zhì)二、8為金屬二、9有兩個不同深度的源漏結(jié)、10為柵極側(cè)墻。
具體實施例方式
實施例1以通過光刻、刻蝕，令介質(zhì)覆蓋住柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域，打開源漏其它區(qū)域，形成不同厚度Ti、Co硅化物的工藝為例，描述本發(fā)明的具體實施過程，具體步驟為1、在柵極spacer形成后，用20nmSiO2、SiN或者SiON介質(zhì)覆蓋整個硅片，如圖1所示；2、隨后通過光刻、刻蝕，令介質(zhì)覆蓋住柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域，打開源漏其它區(qū)域，寬度為60nm，如圖2所示；3、經(jīng)過HF漂洗后，濺射所需金屬，如10nmCo/8nmTiN，如圖3所示；4、然后通過RTP1，如500℃，30s形成硅化物，再將不需要的金屬給腐蝕掉，如圖4所示；5、再次在硅片表面淀積如20nmSiO2、SiN或者SiON介質(zhì)，如圖5所示；6、然后通過(干法或者濕法)刻蝕打開柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域，如圖6所示；7、經(jīng)過HF漂洗后，濺射所需金屬，如15nmCo/8nmTiN，以形成較厚的硅化物，如圖7所示；8、然后通過RTP1(低溫快速退火)，如500℃，30s形成硅化物，再將不需要的金屬給腐蝕掉，如圖8所示；9、通過(干法或者濕法)再次打開源漏其它區(qū)域，然后通過RTP2(高溫快速退火)，如850℃，30s實現(xiàn)需要的低電阻硅化物，如圖9所示。
實施例2以形成不同厚度Ti、Co硅化物的工藝技術(shù)為例，描述本發(fā)明的具體實施過程。先通過光刻、刻蝕，令介質(zhì)覆蓋住柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域，打開源漏其它區(qū)域，形成低電阻硅化物后，再打開柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域形成低電阻硅化物。具體步驟為1、在柵極spacer形成后，用20nmSiO2、SiN或者SiON介質(zhì)覆蓋整個硅片；2、通過光刻、刻蝕令介質(zhì)覆蓋住柵極區(qū)域和源漏接觸孔部分，打開源漏其它區(qū)域，寬度為60nm；3、經(jīng)過HF漂洗后，低溫濺射所需金屬，如10nmCo/8nmTiN；4、然后通過RTP1，如500℃，30s形成硅化物，再將不需要的金屬給腐蝕掉；
5、通過高溫快速熱退火如850℃，30s實現(xiàn)需要的低電阻硅化物，在源漏其它區(qū)域?qū)崿F(xiàn)需要的低電阻硅化物；6、再次在硅片表面淀積如20nmSiO2、SiN或者SiON介質(zhì)；7、通過刻蝕打開柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域；8、再次經(jīng)過HF漂洗后，低溫濺射所需金屬如15nmCo/8nmTiN，以形成較厚的硅化物；9、通過低溫快速熱退火RTP1，如500℃，30s形成硅化物，并將不需要的金屬給腐蝕掉；10、通過高溫快速熱退火如850℃，30s，在柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域?qū)崿F(xiàn)需要的低電阻硅化物；11、通過刻蝕再次打開源漏其它區(qū)域。
實施例3以通過光刻、刻蝕，令介質(zhì)覆蓋住柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域，打開源漏其它區(qū)域，形成不同厚度Ni硅化物的工藝為例，描述本發(fā)明的具體實施過程，具體步驟為1、在柵極spacer形成后，用20nmSiO2、SiN或者SiON介質(zhì)覆蓋整個硅片；2、通過光刻、刻蝕，令介質(zhì)覆蓋住柵極區(qū)域和源漏區(qū)域接觸孔區(qū)域，打開源漏其它區(qū)域，寬度為60nm；3、經(jīng)過HF漂洗后，低溫濺射所需金屬如10nmNi/8nmTiN；4、通過低溫快速熱退火如400℃，30s形成硅化物，并將不需要的金屬給腐蝕掉；5、再次在硅片表面用20nmSiO2、SiN或者SiON介質(zhì)覆蓋整個硅片；6、通過刻蝕打開柵極區(qū)域和源漏區(qū)域接觸孔區(qū)域；7、再次經(jīng)過HF漂洗后，低溫濺射所需金屬如15nmNi/8nmTiN；8、通過低溫快速熱退火，如400℃，30s形成硅化物，并將不需要的金屬給腐蝕掉；9、通過刻蝕再次打開源漏其它區(qū)域。
權(quán)利要求
1.在晶體管的有源區(qū)形成不同厚度硅化物的工藝，其特征在于柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域的硅化物厚度與源漏區(qū)域其它部分的硅化物厚度之比大于1，所述源漏區(qū)域其它部分是指源漏區(qū)域除了接觸孔區(qū)域外的其它部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成不同厚度硅化物的工藝，其特征在于通過淀積介質(zhì)膜作為掩膜，首先擋住有源區(qū)域中柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域，通過金屬濺射和退火使源漏其它區(qū)域形成硅化物，然后淀積介質(zhì)膜擋住已形成硅化物的源漏其它區(qū)域，經(jīng)刻蝕暴露出柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域，再通過金屬濺射和退火使柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域形成比源漏其它區(qū)域的部分厚的另一厚度硅化物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成不同厚度硅化物的工藝，其特征在于通過淀積介質(zhì)膜作為掩膜，首先擋住有源區(qū)域中源漏其它區(qū)域，通過金屬濺射和退火使柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域形成了硅化物后，再淀積介質(zhì)膜擋住已形成硅化物的柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域，經(jīng)刻蝕暴露出源漏其它區(qū)域后，再通過金屬濺射和退火使源漏其它區(qū)域形成比柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域薄的另一厚度硅化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的形成不同厚度硅化物的工藝，其特征在于所述源漏其它區(qū)域形成的硅化物的厚度控制在10~70nm；所述柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域形成的硅化物的厚度控制在12~100nm；所述形成的硅化物為Ti硅化物、Co硅化物或Ni硅化物，以用于不同等級的工藝。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的形成不同厚度硅化物的工藝，其特征在于對Ti、Co硅化物工藝技術(shù)的主要步驟是(A)柵極側(cè)墻形成后，用介質(zhì)覆蓋整個硅片；(B)通過光刻、刻蝕，令介質(zhì)覆蓋住柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域，打開源漏其它區(qū)域；(C)經(jīng)過HF漂洗后，低溫濺射所需金屬；(D)通過低溫快速熱退火形成硅化物，并將不需要的金屬給腐蝕掉；(E)再次在硅片表面淀積介質(zhì)；(F)通過刻蝕打開柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域；(G)再次經(jīng)過HF漂洗后，低溫濺射所需金屬；(H)通過低溫快速熱退火形成硅化物，并將不需要的金屬給腐蝕掉；(I)通過刻蝕再次打開源漏其它區(qū)域，然后通過高溫快速熱退火，實現(xiàn)需要的低電阻硅化物；上述過程中，步驟A、E所用介質(zhì)為SiO2、SiN或者SiON，厚度在10-30nm之間；步驟C、G所用濺射的金屬厚度在6-40nm之間；步驟D、H所用低溫?zé)嵬嘶饘τ赥i在600-800C之間，對于Co在400-600C之間；步驟I所用高溫?zé)嵬嘶饘τ赥i在700-900C之間，對于Co在650-850C之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的形成不同厚度硅化物的工藝，其特征在于上述的步驟(B)通過通過光刻、刻蝕令介質(zhì)覆蓋住柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域，打開源漏其它區(qū)域，改為通過光刻、刻蝕令介質(zhì)覆蓋住源漏其它區(qū)域，打開柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域。上述步驟(F)通過刻蝕打開柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域，此時相應(yīng)改為通過刻蝕打開源漏其它區(qū)域；上述步驟(I)相應(yīng)改為通過刻蝕再次打開柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的形成不同厚度硅化物的工藝，其特征在于對Ti、Co硅化物工藝的主要步驟是(A)柵極側(cè)墻形成后，用介質(zhì)覆蓋整個硅片；(B)通過光刻、刻蝕，令介質(zhì)覆蓋住柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域，打開源漏其它區(qū)域；(C)經(jīng)過HF漂洗后，低溫濺射所需金屬；(D)通過低溫快速熱退火形成硅化物，并將不需要的金屬給腐蝕掉；(E)通過高溫快速熱退火，在源漏其它區(qū)域?qū)崿F(xiàn)需要的低電阻硅化物；(F)再次在硅片表面淀積介質(zhì)；(G)通過刻蝕打開柵極區(qū)域和源漏接觸孔部分；(H)再次經(jīng)過HF漂洗后，低溫濺射所需金屬；(I)通過低溫快速熱退火形成硅化物，并將不需要的金屬給腐蝕掉；(J)通過高溫快速熱退火，在柵極區(qū)域和源漏接觸孔部分實現(xiàn)需要的低電阻硅化物；(K)通過刻蝕再次打開源漏其它區(qū)域；上述過程中，步驟A、F所用介質(zhì)為SiO2、SiN或者SiON，厚度在10-30nm之間；步驟C、H所用濺射的金屬厚度在6-40nm之間；步驟D、I所用低溫?zé)嵬嘶饘τ赥i在600-800C之間，對于Co在400-600C之間；步驟E、J所用高溫?zé)嵬嘶饘τ赥i在700-900C之間，對于Co在650-850C之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的形成不同厚度硅化物的工藝技術(shù)，其特征在于上述的步驟B)通過光刻、刻蝕令介質(zhì)覆蓋住柵極區(qū)域和源漏接觸孔部分，打開源漏其它區(qū)域，改為通過光刻、刻蝕令介質(zhì)覆蓋住源漏其它區(qū)域，打開柵極區(qū)域和源漏接觸孔部分；上述步驟(G)通過刻蝕打開柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域，相應(yīng)改為通過刻蝕打開源漏其它區(qū)域；上述步驟(K)相應(yīng)改為通過刻蝕打開柵極區(qū)域和源漏接觸孔部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的形成不同厚度硅化物的工藝，其特征在于對Ni工藝的主要步驟是(A)柵極側(cè)墻形成后，用介質(zhì)覆蓋整個硅片；(B)通過光刻、刻蝕，令介質(zhì)覆蓋住柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域，打開源漏其它區(qū)域；(C)經(jīng)過HF漂洗后，低溫濺射所需金屬；(D)通過低溫快速熱退火形成硅化物，并將不需要的金屬給腐蝕掉；(E)再次在硅片表面淀積介質(zhì)；(F)通過刻蝕打開柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域；(G)再次經(jīng)過HF漂洗后，低溫濺射所需金屬；(H)通過低溫快速熱退火形成硅化物，并將不需要的金屬給腐蝕掉；(I)通過刻蝕再次打開源漏其它區(qū)域；上述過程中步驟A、E所用介質(zhì)為SiO2、SiN或者SiON，厚度在10-30nm之間；步驟C、G所用濺射的金屬厚度在6-40nm之間；步驟D、H所用低溫?zé)嵬嘶饘τ贜i在400-700C之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的形成不同厚度硅化物的工藝技術(shù)，其特征在于上述的步驟(B)通過光刻、刻蝕令介質(zhì)覆蓋住柵極區(qū)域和源漏區(qū)域接觸孔部分，打開源漏其它區(qū)域，改為通過光刻、刻蝕令介質(zhì)覆蓋住源漏其它區(qū)域，打開柵極區(qū)域和源漏接觸孔部分，上述步驟(F)通過刻蝕打開柵極區(qū)域和源漏接觸孔區(qū)域，相應(yīng)改為通過刻蝕打開源漏其它區(qū)域；上述步驟I)相應(yīng)改為柵極區(qū)域和源漏區(qū)域接觸孔部分。
全文摘要
本發(fā)明屬集成電路制造工藝技術(shù)領(lǐng)域。為了優(yōu)化硅化物模塊工藝，在源漏極區(qū)域生長不同厚度硅化物，在源漏除了接觸孔區(qū)域以外的其它區(qū)域的硅化物厚度較薄以滿足晶體管淺結(jié)的要求。而在柵極和源漏形成接觸孔的區(qū)域的硅化物厚度較厚以滿足低電阻的要求。為此用介質(zhì)膜在生長某一種厚度硅化物的時候覆蓋住需要保護的有源區(qū)區(qū)域，同時在源漏區(qū)域有兩種不同的結(jié)深。有不同的途徑可以實現(xiàn)這一目的，根據(jù)需要加以選擇。
文檔編號H01L21/8234GK1645594SQ20041009345
公開日2005年7月27日 申請日期2004年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月23日
發(fā)明者胡恒升 申請人:上海華虹(集團)有限公司, 上海集成電路研發(fā)中心有限公司