專利名稱：具高效率散熱及亮度的晶片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提供一種具高效率散熱及亮度的晶片，主要為制成晶片的蝕刻時(shí)可減少蝕刻發(fā)光層，并在P、N極處可以鋪設(shè)大面積的導(dǎo)電層，由此設(shè)置使其發(fā)光面積增加、增加導(dǎo)電面積、增加發(fā)光面及發(fā)光面，提高散熱效率，無須封裝就具有SMD跟覆晶LED的功效。
背景技術(shù)：
如圖1所示，習(xí)用的晶片制成時(shí)，N極1或P極2有一端(極)一定有蝕刻3，該蝕刻3有破壞發(fā)光層4的動(dòng)作，造成真正發(fā)光層4的面積減少，也就會(huì)有亮度減低的問題。
另外，如圖2、3所示，該晶片5已相當(dāng)微小，在現(xiàn)有晶片的N極6、P極7提供打線8處的電極面積A皆較大幾倍，會(huì)有明顯減少發(fā)光面積的問題，其為習(xí)知產(chǎn)品(晶片)問題，一般打線面積為100μ左右。
如圖2所示，為一種SMD制法制作的LED晶片焊接技術(shù)，其晶片5必須預(yù)留打線位置，并通過打線將晶片5導(dǎo)通基板，并再通過基板導(dǎo)通線路焊接至PCB線路板。
如圖3所示，習(xí)用的晶片散熱差，原因在于傳統(tǒng)散熱由于路徑長L，散熱導(dǎo)熱面積S小，所以導(dǎo)熱不易，有高溫問題。
如圖4所示，其次習(xí)用晶片的P、N極面積相當(dāng)小，僅能打線或預(yù)植錫球9。
如圖4為覆晶LED制作技術(shù)，其晶片預(yù)植錫球9，再將其晶片焊接至基板上，隨后基板即可采用一般的錫膏焊接至PCB線路板。
本發(fā)明的設(shè)計(jì)人從事LED晶片及其相關(guān)產(chǎn)品制造業(yè)多年，深知LED晶片的制造方法及其優(yōu)缺點(diǎn)，于是致力于改進(jìn)其缺點(diǎn)，以期使之更為實(shí)用，經(jīng)過多年的努力研究并屢為試作，終于設(shè)計(jì)出本發(fā)明具高效率散熱及亮度的晶片。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的，即在于消除上述各缺點(diǎn)，提供一種具高效率散熱及亮度的晶片。
本發(fā)明所述的LED晶片在制成晶片的蝕刻時(shí)，可以減少蝕刻發(fā)光層，增加亮度，保留大面積發(fā)光層發(fā)光，而其P、N電極處鋪設(shè)一層與其連接的大面積的導(dǎo)電(導(dǎo)熱)層，達(dá)到增加發(fā)光面及反光面，提高散熱效率，無須封裝就具有SMD跟覆晶LED的功能，并可以直接以一般焊接方式的錫膏焊接，焊接成本可以降低，從而減少封裝成本。
本發(fā)明的導(dǎo)電導(dǎo)熱層可為金、銀、銅、鋁、錫、合金。


圖1為一習(xí)用晶片的剖示圖；圖2為另一習(xí)用SMD晶片焊于基板再通過基板焊于PCB線路板的剖示圖；圖3為另一習(xí)用晶片的底視圖；圖4為又一習(xí)用覆晶晶片利用錫球焊于基板并基板焊于PCB線路板的剖示圖；圖5為本發(fā)明具高效率散熱及亮度的晶片的剖示圖；圖6為本發(fā)明具高效率散熱及亮度的晶片的底透視圖；圖7為本發(fā)明具高效率散熱及亮度的晶片的焊接于PCB線路板示意圖。
圖號(hào)說明習(xí)用部分1.N極 2.P極3.蝕刻4.發(fā)光層5.晶片6.N極
7.P極 8.打線9.錫球本發(fā)明部分10.晶片 20.P極30.N極40.導(dǎo)電材50.導(dǎo)電材 60.PCB線路板70.錫膏具體實(shí)施方式
本發(fā)明提供一種具高效率散熱及亮度的晶片設(shè)計(jì)。
為使能進(jìn)一步了解本發(fā)明的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及技術(shù)，僅配合附圖詳細(xì)說明如下如圖5所示，本發(fā)明LED晶片的結(jié)構(gòu)為其晶片10的一面經(jīng)由蝕刻而具P極20與N極30，隨后于P極20與N極30處鋪設(shè)二大面積的導(dǎo)電材40、50，該二大面積導(dǎo)電材40、50分別導(dǎo)通P極20與N極30，由此達(dá)到放大電極，大面積導(dǎo)熱，所以具高效率散熱，另一用途在于大面積則具有增加反光面，無須封裝就具有SMD跟覆晶LED的功能，減少封裝成本。
如圖6所示，一種具高效率散熱及亮度的晶片，主要習(xí)用晶片一般散熱差，所以晶片制作時(shí)減少蝕刻發(fā)光層，其差別由圖3標(biāo)號(hào)A與圖6標(biāo)號(hào)B處的差異可知，習(xí)用圖3標(biāo)號(hào)A的，即其位置供打線，所以蝕刻面積加大，而本發(fā)明無須打線，其蝕刻面積大量減少，增加發(fā)光面積，并于極性面鋪設(shè)大面積的導(dǎo)電材40、50，導(dǎo)電材可為金、銀、銅、鋁、錫、合金，該大面積的導(dǎo)電材40、50同時(shí)具有導(dǎo)熱及反射效果，增加正向光亮度及其大面積導(dǎo)電導(dǎo)熱材的導(dǎo)熱效果佳，得以有效散熱。
習(xí)用的晶片本身相當(dāng)微小，其P、N極更小，為了后續(xù)加工，均先行在P、N極植金、銀、錫球或焊線，而本發(fā)明具大面積導(dǎo)電材P、N極，可直接焊接，無須植金、銀、錫球，且無需再打線，節(jié)省相當(dāng)多的制造、封裝成本及焊接時(shí)間。
如圖5所示，晶片制作上為利用鋪設(shè)的方式多層制出其晶片基本形狀，再利用蝕刻的方式區(qū)分出P、N極性，其中圖示的P、N極側(cè)，在制作時(shí)可以再鋪設(shè)大面積的導(dǎo)電材40、50，如此在固定于PCB線路板60時(shí)(如圖7所示)，其大面積的導(dǎo)電材40、50可以通過一般焊接的錫膏70焊接固定于PCB線路板60，加速產(chǎn)能，大量節(jié)省焊接制造時(shí)間。
通過上述可知，本發(fā)明的具高效率散熱及亮度的晶片，具有如下所述的功效1.覆晶與SMD焊接晶片，均必須增加一基板焊接或打線的步驟，再以一般的焊接焊固于PCB線路板，而本發(fā)明無須基板及其相關(guān)的打線或焊接，即可略過而直接大面積導(dǎo)電材位置直接一般的焊接焊固于PCB線路板，無須封裝就具有SMD跟覆晶LED的功能，可以減少封裝成本。
2.蝕刻發(fā)光層的面積減少，使其發(fā)光層面積增加，增加其發(fā)光亮度。
3.大面積的導(dǎo)電導(dǎo)熱層，使其可以有效的傳導(dǎo)散熱及導(dǎo)電效果佳，焊接簡(jiǎn)易，可采用一般焊接外，其導(dǎo)電導(dǎo)熱層更可為反光面，增加其發(fā)光及反光的亮度功效。
綜上所述，本發(fā)明在同類產(chǎn)品中具有極佳的進(jìn)步實(shí)用性，同時(shí)遍查國內(nèi)外關(guān)于此類結(jié)構(gòu)的技術(shù)資料、文獻(xiàn)中也未發(fā)現(xiàn)有相同的構(gòu)造存在在先。
上述實(shí)施例，僅用以舉例說明本發(fā)明，由此在不離本發(fā)明精神范圍內(nèi)，熟知此項(xiàng)技術(shù)者根據(jù)本發(fā)明而作的各種變形、修飾與應(yīng)用，均應(yīng)屬于本發(fā)明的范疇。
權(quán)利要求
1.一種具高效率散熱及亮度的晶片，其特征在于該晶片P、N電極處各增設(shè)一層與其連結(jié)的大面積導(dǎo)電導(dǎo)熱層；
2.如權(quán)利要求1所述的具高效率散熱及亮度的晶片，其特征在于導(dǎo)電導(dǎo)熱層可為金、銀、銅、鋁、錫、合金。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具高效率散熱及亮度的晶片，在制成晶片的蝕刻時(shí)，可以減少蝕刻發(fā)光層面積，保留較大面積發(fā)光層發(fā)光，而其P、N電極處可再鋪設(shè)一層大面積的P、N電極導(dǎo)電層，達(dá)到增加發(fā)光面及反光面，提高散熱效率，無須封裝就具有SMD跟覆晶LED的功能，可以減少封裝成本。
文檔編號(hào)H01L23/34GK1790754SQ200410093248
公開日2006年6月21日 申請(qǐng)日期2004年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月17日
發(fā)明者楊秋忠 申請(qǐng)人:楊秋忠