專利名稱：高效晶體管結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及晶體管結構，尤其涉及縮減芯片面積的晶體管結構。
背景技術：
集成電路或芯片會包含大量互連的晶體管。這些晶體管與其它電路元件以各種方式互連，以提供所需的電路功能。在單一一個晶片上制作多重集成電路通常是最有效的。在加工處理后，制作在晶片上的集成電路被分割，然后再組裝。對于給定的集成電路尺寸，晶片能夠提供確定數(shù)量的集成電路。減小集成電路中各個晶體管的尺寸將有助于降低集成電路的整體尺寸。而這又使更多數(shù)量的集成電路或芯片得以被制作在每個晶片上，從而降低集成電路的成本。
現(xiàn)在參照圖1和2，其中展示了一個示例性的晶體管10，其包括漏極12、柵極14、源極16以及管體18或襯底。圖1中的晶體管10舉例來說是一個NMOS晶體管，在某些情況下，管體18與源極16相連，如圖2所示。
現(xiàn)在參照圖3，管體18包含一個p+區(qū)，也可包含一個壓點30。源極16包含一個n+區(qū)，也可包含一個壓點(contact tap)32。漏極12包含一個n+區(qū)，也可包含一個壓點34?？稍诰w管10的一側(cè)或多側(cè)上制成更多的晶體管，這圖3中以“...”表示。
現(xiàn)在參照圖4，在相鄰晶體管的源極16之間可以重復設置管體18，管體18占據(jù)著寶貴的芯片面積，增大了晶體管以及集成電路的尺寸，更多的晶體管可被設置在晶體管10的一側(cè)或多側(cè)，這在圖4中以“...”表示。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種集成電路，其由第一源極和第一漏極組成。在上述第一源極和第一漏極之間設置第一柵極，將第一管體置于第一源極內(nèi)部并使其被第一源極包圍。
本發(fā)明的其它特點是，將第二柵極設置在第一源極和第一漏極之間。第一柵極與第二柵極相連接。第一管體包含一個管體壓點。第一和第二柵極被設置成在靠近管體壓點的區(qū)域比不靠近管體壓點的區(qū)域分開得更遠。
本發(fā)明的其它特點是，第一源極包含一個源極壓點，第一和第二柵極在靠近該源極壓點的區(qū)域比不靠近源極壓點的區(qū)域被設置得分得更遠。第一源極和第一漏極包含n+區(qū)而第一管體包含p+區(qū)。隨著第一管體的中間部分與第一柵極之間的距離減小，第一管體逐漸變小。
本發(fā)明還具有其它特點，即第一管體至少具有下列一種形狀菱形、圓形、橢圓形、六邊形、八邊形和橄欖球形，第一管體和第一柵極相接觸，第一管體與第一柵極隔開。
本發(fā)明還提供了一種集成電路，其包括第一源極和第一漏極，第一柵極被置于第一源極和第一漏極之間，第一管體被置于第一源極內(nèi)部并被其包圍。第二柵極被置于第一源極和第二漏極之間。第一源極包含源極壓點。第一和第二柵極被設置成在靠近該源極壓點的區(qū)域比不靠近源極壓點的區(qū)域分開得更遠些。
上述集成電路的其它特點是，第一源極、第一漏極和第二漏極包含n+區(qū)而第一管體包含p+區(qū)。第一管體隨著第一管體中間部分與第一柵極之間的距離減小而逐漸變小。
上述集成電路還具有其它特點，亦即第一管體至少具有下列一種形狀菱形、圓形、橢圓形、六邊形、八邊形及橄欖球形。第一管體與第一柵極相接觸或與第一柵極隔開。第一和第二柵極相連接。
根據(jù)下文所提供的詳細描述，本發(fā)明更進一步的應用范圍將變得顯而易見。應認識到在闡述本發(fā)明的優(yōu)選實施例時，詳細的描述和特定的示例僅供說明之用，而不是用來限制本發(fā)明的應用范圍。


根據(jù)如下詳盡的描述及相關附圖，將會更充分地理解本發(fā)明。
圖1是一個晶體管的電學符號，該晶體管按照現(xiàn)有技術帶有漏極、源極、柵極和管體；圖2是一個晶體管的電學符號，該晶體管按照現(xiàn)有技術帶有漏極、源極、柵極和與該源極相連接的管體；圖3是按照現(xiàn)有技術的圖2所示晶體管的示意圖；圖4是按照現(xiàn)有技術排列成行的多重晶體管的示意圖；圖5是包含一個置于源極內(nèi)的管體的晶體管的第一示例圖；圖6是包含一個置于源極內(nèi)的管體的晶體管的第二示例圖；圖7是包含一個置于源極內(nèi)的管體的晶體管的第三示例圖；圖8是包含一個置于源極內(nèi)的管體的晶體管的第四示例圖；圖9是包含一個置于源極內(nèi)的管體的晶體管的第五示例圖；具體實施方式
優(yōu)選實施方式的下列描述實際上僅僅是示例性的，決不是用于限制本發(fā)明的應用或使用。為清楚起見，在各圖中將用同樣的參考編號來表示同樣的元件，更多的晶體管可被設置在圖中所示晶體管的一側(cè)或多側(cè)，圖中以“...”標明。
現(xiàn)在參照圖5，其中展示了一個根據(jù)本發(fā)明的晶體管50，其包括一個或多個源極54以及一個或多個漏極56。源極54和漏極56各自包含n+區(qū)。盡管展示的是一個NMOS晶體管，本領域技術人員應認識到本發(fā)明也適用于其它類型的晶體管，比如PMOS晶體管。柵極58被置于相鄰成對的源極54和漏極56之間。在一種實施方案中，位于源極54相對兩側(cè)的柵極58被連接在一起，如圖中在參考編號64的位置所示。不過在其它結構中，柵極58并非必須被連在一起。
管體66包含p+區(qū)，被置于源極54內(nèi)部并被其包圍，管體66優(yōu)選取這樣的形狀隨著管體66的中間部分與相鄰的柵極之間的距離減小，管體逐漸變小。管體66可接觸或不接觸柵極58，通過將源極54的某些區(qū)域供管體66使用，晶體管50的整體尺寸與傳統(tǒng)晶體管相比降低了。在圖5所示的示例性實施方案中，管體66呈菱形。
現(xiàn)在參照圖6和7，其中展示了管體66的其它示例性形狀。在圖6中，管體66呈六邊形，而在圖7中，管體66大致呈橄欖球形。本領域技術人員會認識到有許多各種其它適合的形狀，例如，圖8就展示了一個上面已經(jīng)描述過的圓形的管體。其它適合的形狀包括橢圓形、八邊形等。
現(xiàn)在參照圖8和9，可以這樣設置柵極58當不存在壓點時，它們彼此更為靠近，而當存在壓點時，它們彼此分開更遠。在圖8中，源極壓點70(其未被置于管體66中)被置于這樣的位置在該處，相鄰的柵極58被設置成分開得更遠。在圖9中，管體壓點80(其未被置于管體66中)被置于源極54中這樣的位置在該處，相鄰的柵極58被設置成分開得更遠。
根據(jù)以上描述，本領域技術人員現(xiàn)在會認識到本發(fā)明的概括性指導可以用各種方式實施。因而，盡管本發(fā)明僅以特定示例進行了描述，但本發(fā)明的真正范圍不應受此局限，因為在研究了本發(fā)明的附圖、說明書及所附權利要求的基礎之上，其它的修改對本領域技術人員來說將會是顯而易見的。
權利要求
1.一種集成電路，其特征在于包括第一源極；第一漏極；第一柵極，其被置于所述第一源極和所述第一漏極之間；以及第一管體，其被置于所述第一源極內(nèi)部并被所述第一源極包圍。
2.根據(jù)權利要求1所述的集成電路，其特征在于進一步包括第二漏極；以及第二柵極，其被置于所述第一源極和所述第二漏極之間。
3.根據(jù)權利要求2所述的集成電路，其特征在于所述的第一和第二柵極是相連接的。
4.根據(jù)權利要求2所述的集成電路，其特征在于所述第一管體包含管體壓點，其中所述的第一和第二柵極被設置成在靠近所述管體壓點的區(qū)域比不靠近所述管體壓點的區(qū)域分開得更遠。
5.根據(jù)權利要求2所述的集成電路，其特征在于所述第一源極包含源極壓點，其中所述的第一和第二柵極被設置成在靠近所述源極壓點的區(qū)域比不靠近所述源極壓點的區(qū)域分開得更遠。
6.根據(jù)權利要求1或4所述的集成電路，其特征在于所述第一源極和所述第一漏極包含n+區(qū)，而所述第一管體包含p+區(qū)。
7.根據(jù)權利要求1或4所述的集成電路，其特征在于所述第一管體隨著所述第一管體的中間部分與所述第一柵極之間的距離減小而逐漸變小。
8.根據(jù)權利要求1或4所述的集成電路，其特征在于所述第一管體至少至少具有下列一種形狀菱形，圓形，橢圓形，六邊形，八邊形以及橄欖球形。
9.根據(jù)權利要求1或4所述的集成電路，其特征在于所述第一管體與所述第一柵極是相接觸的。
10.根據(jù)權利要求1或4所述的集成電路，其特征在于所述第一管體與所述第一柵極是分隔開的。
11.一種集成電路，其特征在于包括第一源極；第一漏極；第一柵極，其被置于所述第一源極和所述第一漏極之間；第一管體，其被置于所述第一源極內(nèi)部并被所述第一源極包圍；第二漏極；以及第二柵極，其被置于上述第一源極和上述第二漏極之間；其中所述第一源極包含源極壓點，其中所述的第一和第二柵極被設置成在靠近所述源極壓點的區(qū)域比不靠近所述源極壓點的區(qū)域分開得更遠。
12.根據(jù)權利要求11所述的集成電路，其特征在于所述第一源極、所述第一漏極及所述第二漏極包含n+區(qū)，而所述第一管體包含p+區(qū)。
13.根據(jù)權利要求11所述的集成電路，其特征在于所述第一管體隨著所述第一管體的中間部分與所述第一柵極之間的距離減小而逐漸變小。
14.根據(jù)權利要求11所述的集成電路，其特征在于所述第一管體至少具有下列一種形狀菱形，圓形，橢圓形，六邊形，八邊形以及橄欖球形。
15.根據(jù)權利要求11所述的集成電路，其特征在于所述第一管體與所述第一柵極是相接觸的。
16.根據(jù)權利要求11所述的集成電路，其特征在于所述第一管體與所述第一柵極是分隔開的。
17.根據(jù)權利要求11所述的集成電路，其特征在于所述的第一和第二柵極是相連接的。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種集成電路，其由第一源極、第一漏極、第一柵極和第一管體組成。第一柵極被置于第一源極和第一漏極之間，而第一管體被置于第一源極內(nèi)部并被其包圍。本發(fā)明還提供了一種集成電路，其由第一源極、第一漏極、第一柵極、第一管體、第二漏極和第二柵極組成。第一柵極被置于第一源極和第一漏極之間，第一管體被置于第一源極內(nèi)部并被其包圍，第二柵極被置于第一源極和第二漏極之間，第一源極包含源極壓點。第一和第二柵極被設置成在靠近源極壓點的區(qū)域比不靠近源極壓點的區(qū)域分開得更遠。
文檔編號H01L29/78GK1658399SQ20041008653
公開日2005年8月24日 申請日期2004年10月21日 優(yōu)先權日2003年10月22日
發(fā)明者S·蘇塔迪加 申請人:馬維爾國際貿(mào)易有限公司