專利名稱：一種改進器件漏電表現(xiàn)的硅化物形成方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種硅化物形成方法，尤其有關一種改進器件漏電表現(xiàn)的硅化物形成方法。
背景技術：
某些器件對漏電有很高的要求，結漏電和淺溝道隔離(STI)的漏電是器件的比較常見的情形。一般地，在器件制造的過程中，需要在器件單晶硅及多晶硅上進行金屬硅化物的淀積。請參閱圖1所示，目前常用的硅化物工藝主要有Co硅化物和Ti硅化物，其具體地工藝步驟包括第一步進行HF刻蝕，去除在單晶硅及多晶硅上形成的氧化硅，第二步進行Co及Ti的濺射淀積，以在單晶硅及多晶硅上形成金屬硅化物，然后，進行第一次的燈退火處理，在退火后進行選擇性刻蝕，最后再進行一次燈退火。
因為Co硅化物工藝的結深要比Ti硅化物要相對淺一些，這對獲得較小結漏電性能是有幫助的。但是Co硅化物工藝對單晶硅和多晶硅上的氧化硅比較敏感，要求單晶硅和多晶硅上的氧化硅能夠完全去盡，或者量很少，而由于多晶硅上的氧化硅的厚度通常都要厚于單晶硅的氧化硅的厚度，所以要求對硅化物形成前HF刻蝕氧化硅要盡量地多，以此來去除多晶硅上的氧化硅。由此造成的結果是，隨著HF刻蝕量的增加，STI的邊緣凹坑也會增大，最終的結果是使得STI的漏電性能下降。Ti硅化物相對與Co硅化物工藝，由于Ti硅化物對單晶硅和多晶硅上的氧化硅相對較不敏感，所以對硅化物形成前HF刻蝕氧化硅的量相對比Co硅化物要少一些，這對STI的邊緣凹坑的增加有抑制作用，最終的結果可使得STI的漏電減小。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種改進器件漏電表現(xiàn)的硅化物形成方法，其器件的結漏電及STI漏電均較小。
為完成以上技術問題，本發(fā)明采用以下技術方案，一種改進器件漏電表現(xiàn)的硅化物形成方法，需要在器件的單晶硅及多晶硅均淀積硅化物，其特征在于在單晶硅及多晶硅上的硅化物濺射淀積分別進行。
與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果是單晶硅上及多晶硅上的硅化物分別淀積，能夠分別考慮到結漏電及STI漏電，使結漏電及STI漏電都能達到較小的水平。


圖1為現(xiàn)有技術器件硅化物形成方法的流程圖。
圖2是本發(fā)明一種改進器件漏電表現(xiàn)的硅化物形成方法的流程圖。
具體實施例方式
下面結合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步描述。
請參閱圖2所示，本發(fā)明一種改進器件漏電表現(xiàn)的硅化物形成方法，需要在器件的單晶硅及多晶硅均淀積硅化物，而且在單晶硅及多晶硅上的硅化物濺射淀積分別進行。本發(fā)明的方法的具體步驟為第一步進行第一次HF刻蝕，去除單晶硅上的氧化硅；第二步進行測射淀積金屬Co，從而在單晶硅上形成金屬硅化物。之后，再通過第一次燈退火、選擇性刻蝕，然后是第二次燈退火后。接著進行第二次HF刻蝕，之后，通過第三次燈退火、第二次選擇性刻蝕，然后是第四次燈退火。
本發(fā)明的工藝流程的第一次HF刻蝕與原工藝流程HF刻蝕的目的是去除所以多晶硅和單晶硅上的氧化硅，使得硅化物能夠在多晶硅和單晶硅上都得以形成不同。由于通常單晶硅上的氧化硅要比多晶硅上氧化硅要薄很多，所以第一次HF刻蝕的時間可以比較短。之后，再濺射金屬Co，通過第一次燈退火、選擇性刻蝕，然后是第二次燈退火后，Co硅化物就均勻地在單晶硅形成，同時還有一些零星Co硅化物會在多晶硅表面形成，但是它并不十分的均勻。
第一次硅化物工藝相對與Ti硅化物，它在單晶硅上結深要相對淺一些，這對獲得較小結漏電性能是有幫助的。相對與通常的Co硅化物工藝，由于HF刻蝕的時間相對較短，對STI的邊緣凹坑的增加有抑制作用，最終的結果可使得STI的漏電減小。
新工藝流程的第二次HF刻蝕的目的去除多晶硅上的氧化硅，使得Ti硅化物和第一次硅化物工藝在多晶硅表面形成的Co硅化物共同形成均勻的硅化物。由于在單晶硅上的硅化物已經(jīng)形成，所以第二次HF刻蝕對邊緣凹坑的影響不會涉及到STI的漏電增加。
因此，通過第二次硅化物工藝之后，在多晶硅和單晶硅表面都得以形成均勻的硅化物。相對與通常的Co硅化物工藝，它的STI的漏電較小，相對與通常Ti硅化物，它在單晶硅上結深要相對淺一些，有助于減小結漏電。
綜上所述，本發(fā)明完成了發(fā)明人的發(fā)明目的，通過二次硅化物工藝之后，在多晶硅和單晶硅表面都得以形成均勻的硅化物，從而使結漏電及STI漏電都能達到較小的水平。
權利要求
1.一種改進器件漏電表現(xiàn)的硅化物形成方法，需要在器件的單晶硅及多晶硅均淀積硅化物，其特征在于在單晶硅及多晶硅上的硅化物濺射淀積分別進行。
2.如權利要求1所述的改進器件漏電表現(xiàn)的硅化物形成方法，其特征在于在每一次的濺射淀積前需要進行HF刻蝕程序。
3.如權利要求2所述的改進器件漏電表現(xiàn)的硅化物形成方法，其特征在于在每一次的濺射淀積后均進行退火程序及選擇性刻蝕程序。
4.如權利要求3所述的改進器件漏電表現(xiàn)的硅化物形成方法，其特征在于在選擇性刻蝕程序前后各進行一次退火程序。
5.如權利要求3或4所述的改進器件漏電表現(xiàn)的硅化物形成方法，其特征在于所述退火程序為燈退火。
6.如權利要求1所述的改進器件漏電表現(xiàn)的硅化物形成方法，其特征在于在單晶硅及多晶硅上分別濺射淀積的金屬為Co和Ti。
7.如權利要求6所述的改進器件漏電表現(xiàn)的硅化物形成方法，其特征在于第一次濺射淀積的金屬為Co。
8.如權利要求6所述的改進器件漏電表現(xiàn)的硅化物形成方法，其特征在于第一次濺射淀積的金屬為Ti。
9.如權利要求6所述的改進器件漏電表現(xiàn)的硅化物形成方法，其特征在于在每一次濺射淀積均進行HF刻蝕，且在濺射淀積Co之前進行的HF刻蝕時間比濺射淀積Ti之前進行的HF刻蝕時間短。
全文摘要
本發(fā)明有關一種改進器件漏電表現(xiàn)的硅化物形成方法，需要在器件的單晶硅及多晶硅均淀積硅化物，在單晶硅及多晶硅上的硅化物濺射淀積分別為Co和Ti，且上述濺射淀積程序分別進行，在淀積上述金屬之前均需要進行一次HF刻蝕程序，且在淀積Co之前進行的HF刻蝕時間要比在淀積Ti之前進行的HF刻蝕時間短。通過上述方法，可以使器件的結漏電及淺溝道隔離漏電均較小。
文檔編號H01L21/203GK1779908SQ20041008426
公開日2006年5月31日 申請日期2004年11月17日 優(yōu)先權日2004年11月17日
發(fā)明者周貫宇 申請人:上海華虹Nec電子有限公司