專利名稱：半導(dǎo)體元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件，特別是涉及一種具有較高可靠度的半導(dǎo)體元件。
背景技術(shù)：
當(dāng)將一種半導(dǎo)體元件使用到一種可攜帶元件中時，半導(dǎo)體元件尺寸的縮小是有必要的，因此發(fā)展出一種稱為芯片尺寸封裝(以下簡稱CSP)的封裝，此CSP在尺寸上會與一個半導(dǎo)體芯片相近，一種CSP稱為晶圓級芯片尺寸封裝(Wafer Level Chip Size PackageWCSP)或是(Wafer Level ChipScale PackageWCSP)。
在WCSP中使用到的一種外部終端的結(jié)構(gòu)的說明可見參考資料1日本專利第3217046號以及參考資料2日本專利早期公開第2002-170427號。
在習(xí)知的WCSP中，一個柱狀電極的頂端表面會與一個封裝樹脂的表面等平面，而在柱狀電極的頂端表面上會形成一個外部終端，因此外部終端以一個小的面積與柱狀電極相連，連接的可靠度可能會降低。
由此可見，上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體元件仍存在有諸多的缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決現(xiàn)有的半導(dǎo)體元件的缺陷，相關(guān)廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計被發(fā)展完成，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。
有鑒于上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體元件存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實務(wù)經(jīng)驗及專業(yè)知識，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件，能夠改進現(xiàn)有的半導(dǎo)體元件，使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的半導(dǎo)體元件存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件，所要解決的技術(shù)問題是使其具有較高可靠度，此半導(dǎo)體元件包括一半導(dǎo)體芯片，具有一頂端表面，其中該頂端表面包括一電極墊；一導(dǎo)電物件，包括位于該電極墊上的一第一部分以及由該第一部分延伸的一第二部分；以及一封裝樹脂，會封住該半導(dǎo)體芯片的該頂端表面以及該導(dǎo)電物件。第二部分的頂端表面會被封裝樹脂暴露出來，此第二部分的頂端表面的一部分會由封裝樹脂的表面凹陷，一個外部終端會形成在第二部分的該頂端表面上，從而更加適于實用，且具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。
本發(fā)明的具體實施方式
由以下實施例及其附圖詳細給出。


圖1(A)是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的一種半導(dǎo)體封裝的剖面圖。
圖1(B)是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的一種半導(dǎo)體元件的剖面圖。
圖2(A)至2(C)是根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體封裝的制造步驟的剖面圖。
圖3(A)至3(C)是根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體封裝的制造步驟的剖面圖。
圖4(A)至4(C)是根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體封裝的制造步驟的剖面圖。
圖5是根據(jù)第一實施例的半導(dǎo)體封裝的制造步驟的剖面圖。
圖6(A)與6(B)是根據(jù)第一實施例的另外實施例的半導(dǎo)體封裝的制造步驟的剖面圖。
圖7(A)是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的一種半導(dǎo)體封裝的剖面圖。
圖7(B)是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的一種半導(dǎo)體元件的剖面圖。
圖8(A)至8(C)是根據(jù)第二實施例的半導(dǎo)體封裝的制造步驟的剖面圖。
圖9(A)至9(C)是根據(jù)第二實施例的半導(dǎo)體封裝的制造步驟的剖面圖。
圖10(A)是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的一種半導(dǎo)體封裝的剖面圖。
第10(B)圖是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的一種半導(dǎo)體元件的剖面圖。
圖11(A)至11(C)是根據(jù)第三實施例的半導(dǎo)體封裝的制造步驟的剖面圖。
圖12(A)至12(C)是根據(jù)第三實施例的半導(dǎo)體封裝的制造步驟的剖面圖。
圖13(A)至13(C)是根據(jù)第三實施例的半導(dǎo)體封裝的制造步驟的剖面圖。
圖14是第三實施例的半導(dǎo)體封裝的制作步驟剖面圖。
圖15是第三實施例的另一種實施例的半導(dǎo)體封裝剖面圖。
圖16是本發(fā)明的另一種實施例的半導(dǎo)體封裝剖面圖。
圖17是本發(fā)明的另一種實施例的半導(dǎo)體封裝剖面圖。
10、200、400、600、800半導(dǎo)體封裝(WCSP)12半導(dǎo)體芯片 12a半導(dǎo)體芯片的頂端表面14、53電極墊 14a電極墊的頂端表面
15保護層 16絕緣層17導(dǎo)電物件 18第一部分18a第一表面 24、44、84外部終端20、201、70、701、80、801 柱狀部分20a、201a、701a、801a、80a柱狀部分的頂端表面242、442、842核心部分244、444、844金屬層246、2461、446、4461、8461焊層30、301封裝樹脂 30a封裝樹脂的表面35凹室75、85、90凹陷部分35b、85b凹室的側(cè)邊表面50主機板100、700、900半導(dǎo)體元件 18、91重新分配部分18a重新分配部分的表面 40半導(dǎo)體晶圓241、840、841焊球 37、77、89助焊劑42、72、83罩幕圖案351、352凹陷部分441焊料柱 87焊料86上蓋部分95樹脂柱85a凹陷部分85的底部表面92重新分配部分91的第一部分93重新分配部分91的第二部分96柱狀部分97第一柱狀部分98第二柱狀部分具體實施方式
以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的半導(dǎo)體元件其具體結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細說明如后。
請參閱圖1(A)和圖1(B)所示，是本發(fā)明第一實施例的一種半導(dǎo)體封裝的剖面圖和本發(fā)明第一實施例的一種半導(dǎo)體元件的剖面圖。半導(dǎo)體封裝10在一個半導(dǎo)體芯片12的頂端表面12a上會有復(fù)數(shù)個電極墊14，在本實施例中，半導(dǎo)體封裝10為WCSP型，像是鋁的電極墊14會電性連接到形成在半導(dǎo)體芯片12的頂端表面中的一個電路元件，一層像是二氧化硅或是氮化硅的保護層15以及一層像是聚亞醯胺(polyimide)的絕緣層16會形成在半導(dǎo)體芯片12的頂端表面12a上，電極墊14的頂端表面14a會被保護層15與絕緣層16暴露出來，絕緣層16具有一個吸收熱應(yīng)力的功能，電極墊14會電性連接到一個導(dǎo)電物件17，此導(dǎo)電物件17包括一個第一部分18與一個第二部分20，第一部分18會設(shè)置在電極墊14上，第一部分18包括一個與電極墊14的頂端表面14a接觸的第一表面18a，以及一個設(shè)置在絕緣層16上并沿著半導(dǎo)體芯片12的頂端表面12a延伸的延伸部分，第一部分一般稱為重新分配部分，第二部分20會形成在第一部分18上并有一個頂端表面20a，此第二部分20也稱為柱狀部分20，重新分配部分18與柱狀部分20由銅構(gòu)成，半球形的外部終端24會形成在柱狀部分20的頂端表面20a上，外部終端24的位置可以被重新分配部分18平移，外部終端24包括一個核心部分242、一個形成在核心部分242上的金屬層244、以及一層形成在金屬層244上的焊層246，像是環(huán)氧基樹脂的封裝樹脂30會形成在半導(dǎo)體芯片12的頂端表面12a上。
在實施例中，柱狀部分20的頂端表面20a的一部分會自封裝樹脂30的一個表面30a凹陷，在圖1所示的半導(dǎo)體封裝中，柱狀部分的頂端表面20a的整個表面會由封裝樹脂30的表面30a凹陷，一個凹陷的凹室部分35會形成在封裝樹脂30中，也就是說外部終端24可能會與封裝樹脂30的一個側(cè)邊表面35b以及柱狀部分20的頂端表面20a接觸，結(jié)果外部終端24會牢牢的黏附住柱狀部分20。
接著，說明包括一個主機板50的半導(dǎo)體元件100。
主機板50具有電極墊53如圖1(B)所示，通過將外部終端24連接到電極墊53會將半導(dǎo)體封裝10裝設(shè)在主機板50上。
在本實施例中，外部終端24會準(zhǔn)確的與柱狀部分20接觸，因此半導(dǎo)體封裝10可以準(zhǔn)確的與主機板50接觸，結(jié)果半導(dǎo)體封裝可以以較高的可靠度與主機板50連接。
請參閱圖2(A)至圖5說明一種半導(dǎo)體封裝10的制造方法。
首先，提供一個包括半導(dǎo)體芯片12的半導(dǎo)體晶圓40，每一個半導(dǎo)體芯片12在其頂端表面12a上都有電極墊14。
接著，在晶圓40的整個表面上形成一層像是二氧化硅的保護層15以及一層像是聚亞醯胺的絕緣層16，如圖2(A)所示。移除在電極墊14上的一部分保護層15以及絕緣層16。
接著，在絕緣層16以及暴露出來的電極墊14上用濺鍍的方法形成一層銅層；然后通過圖案化銅層來得到重新分配部分18，如圖2(B)所示，重新分配部分18的表面18a會與電極墊14接觸；之后在重新分配部分18上形成柱狀部分201，如圖2(C)所示，此柱狀部分201有一個400μm的直徑以及100μm的高度。
接著，通過涂布一層環(huán)氧樹脂在晶圓40上形成一層封裝樹脂層301，如圖3(A)所示，涂布是通過旋涂法來達成，接著研磨封裝樹脂層301暴露出柱狀部分201的頂端表面201a，如圖3(B)所示。
之后，在晶圓30上形成一個罩幕圖案42，如圖3(C)所示，柱狀部分201的頂端表面201a會被罩幕圖案42暴露出來，接著通過蝕刻一部分的柱狀部分201會在封裝樹脂30的頂端表面中30a形成凹陷部分35對應(yīng)于柱狀部分201，如圖4(A)所示，此蝕刻可以是一道使用像是氫氯酸或氫氟酸等高度酸性溶液的一道濕蝕刻方法。
凹陷凹室35的深度約為柱狀部分201直徑的2％至10％，在本實施例中，凹陷凹室35的深度為20μm。
之后，在凹陷部分35中填入助焊劑37，如圖4(B)所示，此助焊劑37的功能就是會移除形成在柱狀部分201上的氧化層并改善焊料對柱狀部分201的附著力，此助焊劑37是通過頂針傳遞(pin transfer)法來進行。
接著，焊球241會通過助熔劑37被放置在凹陷部分35上，焊球241的直徑為500μm，此焊球241包括塑料的核心部分242、形成在核心部分242上的金屬層244、以及形成在金屬層244上的焊層2461，這個多層的焊球241可以通過核心部分242吸收熱應(yīng)力，因此產(chǎn)生在焊層2461中的撞擊聲(clack)可以被抑制下來。
金屬層244的材料是選自熔點在攝氏900度以上的材料，金屬層244的材料可以選自金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鈷(Co)、鎳(Ni)、以及鐵(Fe)。
在本實施例中，焊層2461的熔點為攝氏350度，焊球241的材料可以是一種由錫(Sn)與鉛(Pb)組成的合金構(gòu)成，或是由一種由銦(In)、錫(Sn)與鉛(Pb)組成的合金構(gòu)成。
接著，外部終端24的形成是通過加熱焊球241，如圖5所示，在熔化以后，將剩余的助焊劑移除，用一個介于焊層2461與金屬層244的熔點之間的一溫度來加熱焊球241。
在本實施例中，助焊劑37會在焊球241加熱之前抓住焊球241，因此外部終端24可以很準(zhǔn)確的放置在設(shè)定位置上。
因此，外部終端的一部分焊料會埋入凹陷凹室35中，外部終端24與柱狀部分20之間的附著力可以得到改善。
在形成外部終端24以后，通過裁切成菱形片可以得到個別的WCSP 10，如圖1所示。
接著，將說明把WCSP 10安置到主機板50上的方法。首先，讓外部終端24與電極墊53接觸藉以把WCSP 10放置在主機板50上。
然后，用一個介于焊層246與金屬層244的熔點之間的一溫度來加熱焊球241，結(jié)果WCSP 10會通過填滿柱狀部分20與電極墊53之間的焊層246與主機板50電性相接，如圖1(B)所示。
在本實施例中，柱狀部分20的整個頂端表面20a會被移除以形成凹陷凹室35，在柱狀部分20的頂端表面20a中會形成一個凹陷區(qū)域351，如圖6(A)所示，抑或者在柱狀部分20的一部分頂端表面20a內(nèi)形成一個凹陷區(qū)域352，如圖6(B)所示。
接著，參照圖7(A)至圖9(C)說明第二實施例的半導(dǎo)體封裝200。
在本實施例中，外部終端44會形成在一個柱狀部分70上，如圖7(A)所示，此外部節(jié)電44具有一個柱狀輪廓排列在柱狀部分70延伸的方向中，一部分的外部終端44會埋入到形成在柱狀部分70內(nèi)的凹陷部分75中，外部終端44包括一個像是塑料的核心部分442、形成在核心部分442上的一層金屬層444、以及形成在金屬層444上的一層焊層446，此外部終端44是沙鐘狀，也就是說外部終端44的中間部分會比外部終端44的兩端窄，沙鐘狀的外部終端44會減少在外部終端44中的應(yīng)力。
在圖8(A)至圖9(C)中說明一種半導(dǎo)體封裝200的制造方法。
半導(dǎo)體晶圓的提供步驟到樹脂封裝步驟的進行會與第一實施例相同，在封裝步驟以后的半導(dǎo)體晶圓之處理如圖8(A)所示，在此實施例中，柱狀部分701的直徑為500μm，而柱狀部分701的高度為100μm。
接著，在封裝樹脂上形成一個罩幕圖案72，如圖8(B)所示，此罩幕圖案72在柱狀部分701上具有開口。
之后，在用濕蝕刻法在柱狀部分701的頂端表面701a中形成凹陷部分75，如圖8(C)所示，在此實施例中，凹陷部分75的深度為25μm。
凹陷部分75的功能有存貯助焊劑、支撐外部終端44以及改善柱狀部分70與外部終端44之間的附著力，因此凹陷部分75的深度范圍為柱狀部分701的直徑的2％至10％。
接著，將助焊劑77放到凹陷部分75，如圖9(A)所示。
之后，焊料柱441會插入到凹陷部分75中，如圖9(B)所示，焊料柱441的直徑為400μm，而此焊料柱441的燒度為500μm。
此焊料柱441包括像是塑料的核心部分442、形成在核心部分442上的金屬層444、以及形成在金屬層444上的焊層4461。
接著，通過加熱焊料柱441還形成外部終端44，將剩余的助焊劑37移除，如圖9(C)所示，此加熱步驟會在介于焊層4461的熔點以及金屬層44的熔點之間的一溫度下進行。
因此，在加熱之前焊料柱441會被助焊劑37支撐住，外部終端44可以準(zhǔn)確的形成，因此一部分的外部終端44會埋入凹陷部分75中，外部終端44與柱狀部分70的連接是很堅固的。
在形成外部終端44以后，通過裁切成菱形片就可以得到個別的WCSP200，如圖7(A)所示。
接著，會說明一種將WCSP 200裝置到主機板50上的方法，首先讓外部終端44與電極墊53接觸藉以把WCSP 200放置在主機板50上。
然后，用一個介于焊層446與金屬層444的熔點之間的一溫度來加熱外部終端44，結(jié)果WCSP 200會通過填滿柱狀部分70與電極墊53之間的焊層446與主機板50電性相接，如圖7(B)所示。
接著，參考圖10(A)至圖15說明第三實施例的一種半導(dǎo)體封裝400。
在本實施例中，焊料87會填入凹陷部分85，然后焊球840與填入的焊料87相接，焊球與填入的焊料87會構(gòu)成外部終端84，如圖10(A)所示。
因此，外部終端84會埋入凹陷部分85中，此外部終端84會與凹陷部分85的一個側(cè)邊表面85b以及凹陷部分85的底部表面85a相接觸，結(jié)果外部終端84可以準(zhǔn)確的與柱狀部分80附著在一起。
接著，參照圖11(A)至圖15說明一種半導(dǎo)體封裝400的制造方法。
半導(dǎo)體晶圓的提供步驟到樹脂封裝步驟的進行會與第一實施例相同，在封裝步驟以后的半導(dǎo)體晶圓的處理如圖11(A)所示，在此實施例中，柱狀部分801的直徑為500μm，而柱狀部分801的高度為100μm。
接著，在封裝樹脂上形成一個罩幕圖案82，如圖11(B)所示，此罩幕圖案82在柱狀部分801的一部分頂端表面801a上具有開口。
之后，在用蝕刻柱狀部分801暴露出來的部分以在柱狀部分801的頂端表面801a中形成凹陷部分85，如圖11(C)所示，在此實施例中，凹陷部分85的直徑范圍為柱狀部分801的直徑的10％至50％，凹陷部分85的深度范圍為柱狀部分801高度的20％至70％。
接著，凹陷部分85會被焊料87填滿，如圖12(A)所示，此焊料填充步驟是用電鍍方法進行。
之后，利用電鍍方法在凹陷部分85上形成一個比如為銅的上蓋部分86，如圖12(B)所示，然后在半導(dǎo)體晶圓40的表面上形成一層封裝樹脂301，如圖12(C)所示。此封裝樹脂301會包覆上蓋86，焊料87會被上蓋部分86包覆，因此假如在封裝步驟期間焊料87被加熱的話，埋入的焊料87不會流出，之后通過研磨封裝樹脂301與上蓋部分86會形成一層暴露出埋入的焊料87的頂端表面87a的一層封裝層30，如圖13(A)所示。
接著助焊劑89會供應(yīng)到埋入的焊料87上，如圖13(B)所示，此助焊劑89是用頂針傳遞法提供。
之后將焊球841放到助焊劑89上，如圖13(C)所示，此焊球841包括核心部分842、形成在核心部分842上的金屬層844、以及形成在金屬層844上的焊層8461。焊球841的直徑為500μm。
接著，通過加熱焊球841還形成外部終端84，如圖14所示，此加熱步驟會在介于焊層8461的熔點以及金屬層84的熔點之間的一溫度下進行。在加熱步驟中，埋入的焊料87以及焊球841的焊層8461會被熔化并焊接起來，結(jié)果一部分的外部終端84會埋入凹陷部分85中，接著移除剩余的助焊劑。
在形成外部終端84以后，通過裁切成菱形片就可以得到個別的WCSP400，如圖10(A)所示。
WCSP 400會被裝置到主機板50上，而得到一個半導(dǎo)體元件500，如圖10(B)所示。
一個凹陷部分90會形成在埋入焊料87的周圍，如圖15所示，此凹陷部分90也會位在柱狀部分80的頂端表面80a上，因此此凹陷部分會抓住助焊劑89，焊球841移動的機會就比較小。
另外，在第一實施例中提到的半導(dǎo)體封裝10的重新分配部分18與柱狀部分20可以變成一種樹脂柱95與重新分配部分91的組合，如圖16(A)所示。此重新分配部分91包括一個第一部分92位于該半導(dǎo)體芯片12的頂端表面12a上，以及一個第二部分93由第一部分92往樹脂柱95的頂端表面延伸，再者當(dāng)半導(dǎo)體封裝600是被裝置在主機板50上時，可以得到半導(dǎo)體元件700，如圖16(B)所示。
此外，在第一實施例中提到的半導(dǎo)體封裝10的重新分配部分18與柱狀部分20可以變成一種柱狀部分96形成在電極墊14上，如圖17(A)所示。此柱狀部分96包括一個第一柱狀部分97以及一個形成在第一柱狀部分97上的第二柱狀部分98。再者，當(dāng)當(dāng)半導(dǎo)體封裝800是被裝置在主機板50上時，可以得到半導(dǎo)體元件900，如圖17(B)所示。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體元件，其特征在于該半導(dǎo)體元件包括半導(dǎo)體芯片，具有頂端表面，其中所述頂端表面包括電極墊；導(dǎo)電物件，包括位于所述電極墊上的第一部分以及由所述第一部分延伸的第二部分；封裝樹脂，封住所述半導(dǎo)體芯片的所述頂端表面以及所述導(dǎo)電物件的一部分，其中所述導(dǎo)電物件的所述第二部分的頂端表面的至少一部分是暴露在位于所述封裝樹脂的上方表面中的凹室中；以及外部終端，位于所述導(dǎo)電物件的所述第二部分的所述頂端表面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的第二部分的所述頂端表面之全部系暴露在所述封裝樹脂的所述凹室中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的導(dǎo)電物件之所述第二部分的所述頂端表面包括凹陷部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的導(dǎo)電物件之所述第二部分包括柱狀電極部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的凹室中的所述第二部分的所述頂端表面之深度為所述柱狀電極部分之直徑的2％至10％。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的凹室的直徑為所述柱狀電極部分的直徑之10％至50％，而所述凹室之深度為所述柱狀電極部分之高度的20％至70％。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的外部終端為半球狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的外部終端為柱狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的柱狀外部終端包括沙鐘狀的部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的外部終端包括具有塑膠的核心部份，以及形成在所述核心部分上的焊層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的金屬層形成在所述核心部分與所述焊層之間，且其中所述金屬層的熔點會比所述焊層的熔點高。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的導(dǎo)電物件的所述第一部分包括在所述半導(dǎo)體晶片上延伸的導(dǎo)線部分以及形成在所述導(dǎo)線部分上的柱狀部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的第二部分包括突出部分以及由所述第一部分延伸往所述突出部分的頂端表面的延伸部分。
14.一種半導(dǎo)體元件，其特征在于該半導(dǎo)體元件包括半導(dǎo)體芯片，具有頂端表面，其中所述頂端表面包括電極墊；導(dǎo)電物件，包括位于所述電極墊上的第一部分以及由所述第一部分延伸的第二部分；封裝樹脂，封住所述半導(dǎo)體芯片的所述頂端表面以及所述導(dǎo)電物件的一部分，其中所述封裝樹脂包括凹室位于所述封裝樹脂的頂端表面中，且其中所述導(dǎo)電物件的所述第二部分的頂端表面的至少一部分會被所述封裝樹脂暴露出來并位于所述凹室的深度以定義凹陷區(qū)域；以及外部終端，位于所述第二部分的所述頂端表面上。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種半導(dǎo)體元件，其包括具有一個頂端表面的一個半導(dǎo)體芯片、包括位在電極墊上的第一部分以及由第一部分延伸出來的第二部分的一個導(dǎo)電物件、以及封住半導(dǎo)體芯片的頂端表面以及導(dǎo)電物件的一個封裝樹脂。第二部分的頂端表面會被封裝樹脂暴露出來，而一部分的第二部分的頂端表面會自封裝樹脂的表面凹陷，一個外部終端會形成在第二部分的頂端表面上。
文檔編號H01L23/48GK1670951SQ20041008414
公開日2005年9月21日 申請日期2004年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月19日
發(fā)明者山口忠士 申請人:沖電氣工業(yè)株式會社