專利名稱：一種有機薄膜晶體管的多重保護層方法及裝置的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種晶體管的多重保護層的制造方法及裝置，該方法以旋涂法(Spin Coating)、噴墨印刷法(Inject Printing)、網(wǎng)印(Screen Printing)或微接觸(Micro Contact)等方法制作多層薄膜于有機晶體管上，特別是涉及形成一種具有保護晶體管保護層的方法及裝置。
背景技術(shù)：
有機薄膜晶體管(OTFT)已應用于主動式液晶顯示器的驅(qū)動上。液晶顯示器具輕薄、省能源、低輻射、可全彩化等特色，現(xiàn)已成為市場的主流，應用領域廣泛應用于各種電子產(chǎn)品界面。如便攜式個人計算機、電視、電子游樂器、電子辭典、計算器等，及汽車衛(wèi)星導航儀與行動電話的屏幕顯示或元件。有機薄膜晶體管(OTFT)是利用有機分子材料以開發(fā)適合應用于電子產(chǎn)品的薄膜晶體管，這種應用將可加速輕便可攜式電子產(chǎn)品如電子卷標、智能卡的實現(xiàn)。
有機薄膜晶體管運用于可撓式基板、顯示器、電子紙有廣泛的應用，特別是制造過程簡易、成本低廉的優(yōu)點，只要在元件壽命上能有明顯突破，商業(yè)用途具有不可限量的潛力。傳統(tǒng)上有機薄膜晶體管因缺乏良好的保護層，因此技術(shù)雖發(fā)展已久，其電氣特性也早已追上無機晶體管而始終無法量產(chǎn)。在良好的保護層建立后，有機元件的應用為低成本、大面積電子產(chǎn)品的機會也會大大提高。
本發(fā)明就基于此項技術(shù)即是利用以旋涂法(Spin Coating)、噴墨印刷法(Inject Printing)、網(wǎng)印(Screen Printing)或微接觸(Micro Contact)等方式將有機或無機或兩者混合的分子材料制作成薄膜晶體管的多重保護層。據(jù)目前的技術(shù)來說，以單純一保護層作為有機晶體管的保護層，可能僅僅是使有機元件在空氣中的壽命延長，并無法有效地阻止在元件搭配液晶制程后液晶對元件的傷害，但是在元件上披覆本發(fā)明的多層膜后，可使元件受到充分的保護，對于搭配液晶的元件性能也能維持原來的水準。
Pennsylvania州立大學，infineon公司提出在OTFT上以PVA做成保護層而Philips研究單位提出以PVP做在半導體PTV(Poly thienylenevinylene)上，做為保護層搭配PDLC(polymer Dispersed Liquid Crystal，高分子分散型液晶)。而于臺灣工業(yè)技術(shù)研究院提出在并五苯(pentacene，俗稱五環(huán)素)上制作保護層搭配TNLC(Twisted Nematic Liquid Crystal，扭曲向列型液晶)面板。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種有機薄膜晶體管的多重保護層方法及裝置，提高晶體管對于環(huán)境的適應能力，形成具有保護晶體管的多重保護層。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種有機薄膜晶體管的多重保護層制造方法，其特點在于，包括形成一柵極層于一基板上；形成一絕緣層于該基板上；形成一電極層于該絕緣層上；蒸鍍一半導體層于該絕緣層及電極間；及涂布一保護層于該半導體層上。
上述有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法，其特點在于，該保護層以旋涂、噴墨印刷法、網(wǎng)印或微接觸的方式形成。
上述有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法，其特點在于，該保護層可為一有機溶劑薄膜、一無機溶劑薄膜或有機及無機溶劑薄膜的結(jié)合。
上述有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法，其特點在于，該有機薄膜晶體管的多重保護層是以PVA、PVP與PI所形成。
上述有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法，其特點在于，該有機薄膜晶體管的多重保護層是以PVA與PVP所形成。
上述有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法，其特點在于，該多重保護層可為并五苯晶體管元件的保護層。
上述有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法，其特點在于，該多重保護層可為并五苯晶體管元件的保護層。
上述有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法，其特點在于，該多重保護的組成為水相溶劑薄膜。
上述有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法，其特點在于，該多重保護的組成為油相溶劑薄膜。
上述有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法，其特點在于，該多重保護的組成為水相溶劑薄膜和油相溶劑薄膜兩者結(jié)合。
本發(fā)明還提供一種有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特點在于，包括一基板；一柵極層，形成于該基板上；一絕緣層，形成于該基板上；一電極層，形成于該絕緣層上；一半導體層，以蒸鍍方式設置于該電極之間；及一保護層，以涂布方式設置于該半導體層上；從而，可制作出有機薄膜晶體管的多重保護層的結(jié)構(gòu)。
上述有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特點在于，該保護層以旋涂、噴墨印刷法、網(wǎng)印或微接觸的方式形成。
上述有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特點在于，該保護層可為一有機溶劑薄膜、一無機溶劑薄膜或有機及無機溶劑薄膜的結(jié)合。
上述有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特點在于，該有機薄膜晶體管的多重保護層以PVA、PVP與PI所形成。
上述有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特點在于，該有機薄膜晶體管的多重保護層以PVA與PVP所形成。
上述有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特點在于，該多重保護層可為并五苯晶體管元件的保護層。
上述有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特點在于，該多重保護層可為并五苯晶體管元件的保護層。
上述有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特點在于，該多重保護的組成為水相溶劑薄膜。
上述有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特點在于，該多重保護的組成為油相溶劑薄膜。
上述有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特點在于，該多重保護的組成為水相溶劑薄膜和油相溶劑薄膜兩者結(jié)合。
本發(fā)明還提供一種有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特點在于，包括一基板；一柵極層，形成于該基板上；一絕緣層，形成于該基板上；一半導體層，形成于該絕緣層上；一電極層，以蒸鍍方式或網(wǎng)印方式形成于該半導體層上；及一保護層，以涂布或蒸鍍方式形成于該半導體層及電極層上；從而，可制作出有機薄膜晶體管的多重保護層結(jié)構(gòu)。
上述有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特點在于，該保護層以旋涂、噴墨印刷法、網(wǎng)印或微接觸的方式形成。
上述有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特點在于，該保護層的可為一有機溶劑薄膜、一無機溶劑薄膜或有機及無機溶劑薄膜的結(jié)合。
上述有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特點在于，該有機薄膜晶體管的多重保護層以PVA、PVP與PI所形成。
上述有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特點在于，該有機薄膜晶體管的多重保護層以PVA與PVP所形成。
上述有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特點在于，該多重保護層可為并五苯晶體管元件的保護層。
上述有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特點在于，該多重保護層可為并五苯晶體管元件的保護層。
上述有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特點在于，該多重保護的組成為水相溶劑薄膜。
上述有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特點在于，該多重保護的組成為油相溶劑薄膜。
上述有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特點在于，該多重保護的組成為水相溶劑薄膜和油相溶劑薄膜兩者結(jié)合。
本發(fā)明的功效，在于可有效提高晶體管對于環(huán)境的適應能力，并可制作出有機薄膜晶體管的多重保護層。
以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細描述，但不作為對本發(fā)明的限定。


圖1A為本發(fā)明有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法的第一步驟；圖1B為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法的第二步驟；圖1C為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法的第三步驟；圖1D為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法的第四步驟；圖1E為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法的第五步驟；圖1F為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法的第六步驟；
圖1G為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層之制造方法之第七步驟；圖1H為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層完成后的面板材料測試；圖1I為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層完成后的面板材料測試；圖1J為本發(fā)明的有機薄膜晶體管的多重保護層的結(jié)構(gòu)裝置示意圖；圖2A為發(fā)明有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法的第一步驟；圖2B為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法的第二步驟；圖2C為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法的第三步驟；圖2D為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法的第四步驟；圖2E為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法的第五步驟；圖2F為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法的第六步驟；圖2G為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法的第七步驟；圖2H為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層完成后的面板材料測試；圖2I為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層完成后的面板材料測試；圖2J為本發(fā)明的有機薄膜晶體管的多重保護層的結(jié)構(gòu)裝置示意圖；其中，附圖標記10-基板12-柵極層14-絕緣層16-電極層18-半導體層20-聚乙烯醇層(PVA)22-聚乙烯苯酚層(PVP)24-聚醯亞銨層(PI)26-TNLC(Twisted Nematic Liquid Crystal，高分子分散型液晶)28-PDMLC(Polymer dispersed matrix liquid crystal，扭曲向列型液晶)30-多重保護層具體實施方式
參閱圖1A至圖1I，主要為本發(fā)明有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法各步驟流程示意圖，及同時可顯示出其多重保護層結(jié)構(gòu)之裝置示意圖，每一圖標代表一步驟，其包括下列步驟首先，煩請參閱圖1A，圖1A所示為發(fā)明有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法的第一步驟，主要在一基板10上形成一柵極(Gate)層12。其中本發(fā)明所述的基板10并不限定為硅基板或玻璃基板，而該柵極(Gate)層12則是為有機薄膜晶體管元件中的柵極。
圖1B為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法的第二步驟，主要是在基板10與柵極層12上形成一絕緣層14，此絕緣層14于實際制作運用實施時，可以沉積(Deposition)的方式實現(xiàn)，也可使用印刷(Printing)方式實現(xiàn)，此絕緣層14材料為一有機高分子聚合物或無機材料。
圖1C為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法的第三步驟，主要是在該絕緣層14上形成一電極層16。該電極層16的形態(tài)可為漿料或墨水其成份可為有機、無機或有機與無機混合的導電材料。
圖1D為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法的第四步驟，主要是在該電極層16上形成一半導體層18，此半導體層18在實際制作運用實施時，可以旋涂(Spin coating)方式或蒸鍍達成。該半導體層18型態(tài)可為有機小分子或有機高分子聚合物的半導體有機材料。
圖1E為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法的第五步驟，主要是在該電極層18上形成保護層20。此保護層20在實際制作運用實施時，可以先將重鉻酸銨加入聚乙烯醇配成混合溶液后，以旋涂法在已驗證電氣特性的有機晶體管測試元件上，先在真空下使大部份的水份離開元件，然后再進行曝光，可在此步驟建立圖案并產(chǎn)生交聯(lián)使薄膜結(jié)構(gòu)更為致密，之后再將元件置于烤箱烤一個小時，使元件的電氣特性回復到原本的水準。
圖1F為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層之制造方法的第六步驟，主要是在該保護層20上形成第二層保護層(Pass ivation Layer)22，此保護層20在實際制作運用實施時，可以將聚乙烯苯酚溶液旋涂在聚乙烯醇薄膜上形成第二層薄膜，真空下使大部份的溶劑離開元件，然后在真空下去除大部份溶劑后，再將元件置于烤箱烤一個小時，使元件的電氣特性恢復到原來的水準。
圖1G為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法的第七步驟，主要是在該保護層22之上形成第三層保護層(Passivation Layer)24。此保護層24于實際制作運用實施時，將聚醯亞銨溶液旋涂在聚乙苯酚薄膜上形成第三層薄膜。真空下使大部份的溶劑離開元件，再將元件置于烤箱烤一個小時，使元件的電氣特性回復到原本的水準。
圖1H為本發(fā)明中完成有機薄膜晶體管的多重保護層后的面板材料測試，主要是在該保護層(Passivation Layer)30上滴上TNLC在元件信道上，經(jīng)測試元件電氣性能并無衰退。
圖1I為本發(fā)明中完成有機薄膜晶體管的多重保護層的不同面板材料測試，主要是在該保護層(Passivation Layer)30上滴上PDMLC之后置于烤箱加熱二十分鐘，元件的電氣性能并無衰退。
參閱圖1為本發(fā)明的有機薄膜晶體管的多重保護層結(jié)構(gòu)裝置示意圖，該裝置包括一基板10；一柵極層12，形成于該基板10上；一絕緣層14，形成于該基板10上；一電極層16，形成于該一絕緣層14上；一半導體層18，以蒸鍍方式于該一電極層16上；及一保護層30，以涂布方式于該電極層16與半導體層18上；從而，可制作出有機薄膜晶體管的多重保護層的有機薄膜晶體管。
參閱圖2A至圖2I，主要為本發(fā)明有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法各步驟流程示意圖，及同時可顯示出其多重保護層結(jié)構(gòu)的裝置示意圖，每一圖標代表一步驟，其包括下列步驟首先，煩請參閱圖2A，圖2A所示，為發(fā)明有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法的第一步驟，主要在一基板10上形成一柵極(Gate)層12。其中本發(fā)明所述的基板10并不限定為硅基板或玻璃基板，而該柵極(Gate)層12則是為有機薄膜晶體管元件中的柵極。
圖2B所示為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法的第二步驟，主要在基板10與柵極層12上形成一絕緣層14，此絕緣層14于實際制作運用實施時，可以沉積(Deposition)的方式達成，亦可使用印刷(Printing)方式達成者，此絕緣層14材料為一有機高分子聚合物或無機材料。
圖2C所示為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法的第三步驟，主要是在該絕緣層14上形成一半導體層18。該半導體層18，此半導體層18于實際制作運用實施時，可以旋涂(Spin coating)方式或蒸鍍形成。該半導體層18型態(tài)可為有機小分子或有機高分子聚合物的半導體有機材料。
圖2D所示為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法的第四步驟，主要是在該半導體層18上形成一電極層16。該電極層16的形態(tài)可為漿料或墨水其成份可為有機、無機或有機與無機混合的導電材料。
圖2E為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法的第五步驟，主要是在該電極層16上形成保護層20。此保護層20于實際制作運用實施時，可以先將重鉻酸銨加入聚乙烯醇配成混合溶液后，以旋涂法在已驗證電氣特性的有機晶體管測試元件上，先于真空下使大部份的水份離開元件，然后在進行曝光，可在此步驟建立圖案并產(chǎn)生交聯(lián)使薄膜結(jié)構(gòu)更為致密，之后再將元件置于烤箱烤一個小時，使元件的電氣特性恢復到原來的水準。
圖2F所示為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法的第六步驟，主要是在該保護層20之上形成第二層保護層(Passivation Layer)22，此保護層20于實際制作運用實施時，可以將聚乙烯苯酚溶液旋涂在聚乙烯醇薄膜上形成第二層薄膜，真空下使大部份的溶劑離開元件，然后在真空下去除大部份溶劑后，再將元件置于烤箱烤一個小時，使元件的電氣特性回復到原本的水準。
圖2G為本發(fā)明中有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法的第七步驟，主要是在該保護層22之上形成第三層保護層(Passivation Layer)24。此保護層24于實際制作運用實施時，是將聚醯亞銨溶液旋涂在聚乙苯酚薄膜上形成第三層薄膜。真空下使大部份的溶劑離開元件，再將元件置于烤箱烤一個小時，使元件的電氣特性回復到原本的水準。
圖2H所示為本發(fā)明中完成有機薄膜晶體管的多重保護層后的面板材料測試，主要是在該保護層(Passivation Layer)30上滴上TNLC于元件信道上，經(jīng)測試元件電氣性能并無衰退。
圖2I為本發(fā)明中完成有機薄膜晶體管的多重保護層的不同面板材料測試，主要是在該保護層(Passivation Layer)30上滴上PDMLC之后置于烤箱加熱二十分鐘后，元件的電氣性能并無衰退。
參閱圖2為本發(fā)明的有機薄膜晶體管的多重保護層結(jié)構(gòu)裝置示意圖，該裝置包括一基板10；一柵極層12，形成于該基板10上；一絕緣層14，形成于該基板10上；一半導體層18，以蒸鍍方式于該半導體層14上；一電極層16，形成于該半導體層18上；及一保護層30，以涂布方式于該電極層16與半導體層18上；從而，可制作出有機薄膜晶體管的多重保護層的有機薄膜晶體管。
綜上所述，上述內(nèi)容已充分顯示了本發(fā)明有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法及裝置的目的及功效。但以上所述內(nèi)容，僅為本發(fā)明的較佳實施例，本發(fā)明還可有其他多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟悉本領域的技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應的改變和變形，但這些相應的改變和變形都應屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種有機薄膜晶體管的多重保護層制造方法，其特征在于，包括形成一柵極層于一基板上；形成一絕緣層于該基板上；形成一電極層于該絕緣層上；蒸鍍一半導體層于該絕緣層及電極間；及涂布一保護層于該半導體層上。
2.如根據(jù)要求1所述的有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法，其特征在于，該保護層以旋涂、噴墨印刷法、網(wǎng)印或微接觸的方式形成。
3.如權(quán)利要求1所述的有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法，其特征在于，該保護層可為一有機溶劑薄膜、一無機溶劑薄膜或有機及無機溶劑薄膜的結(jié)合。
4.如權(quán)利要求1所述的有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法，其特征在于，該有機薄膜晶體管的多重保護層是以PVA、PVP與PI所形成。
5.如權(quán)利要求1所述的有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法，其特征在于，該有機薄膜晶體管的多重保護層是以PVA與PVP所形成。
6.如權(quán)利要求4所述的有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法，其特征在于，該多重保護層可為并五苯晶體管元件的保護層。
7.如權(quán)利要求5所述的有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法，其特征在于，該多重保護層可為并五苯晶體管元件的保護層。
8.如權(quán)利要求4所述的有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法，其特征在于，該多重保護的組成為水相溶劑薄膜。
9.如權(quán)利要求4所述的有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法，其特征在于，該多重保護的組成為油相溶劑薄膜。
10.如權(quán)利要求4所述的有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法，其特征在于，該多重保護的組成為水相溶劑薄膜和油相溶劑薄膜兩者結(jié)合。
11.一種有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特征在于，包括一基板；一柵極層，形成于該基板上；一絕緣層，形成于該基板上；一電極層，形成于該絕緣層上；一半導體層，以蒸鍍方式設置于該電極之間；及一保護層，以涂布方式設置于該半導體層上；從而，可制作出有機薄膜晶體管的多重保護層的結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求11所述的有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特征在于，該保護層以旋涂、噴墨印刷法、網(wǎng)印或微接觸的方式形成。
13.如權(quán)利要求11所述的有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特征在于，該保護層可為一有機溶劑薄膜、一無機溶劑薄膜或有機及無機溶劑薄膜的結(jié)合。
14.如權(quán)利要求11所述的有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特征在于，該有機薄膜晶體管的多重保護層以PVA、PVP與PI所形成。
15.如權(quán)利要求11所述的有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特征在于，該有機薄膜晶體管的多重保護層以PVA與PVP所形成。
16.如權(quán)利要求14所述的有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特征在于，該多重保護層可為并五苯晶體管元件的保護層。
17.如權(quán)利要求15所述的有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特征在于，該多重保護層可為并五苯晶體管元件的保護層。
18.如權(quán)利要求11所述的有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特征在于，該多重保護的組成為水相溶劑薄膜。
19.如權(quán)利要求11所述的有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特征在于，該多重保護的組成為油相溶劑薄膜。
20.如權(quán)利要求11所述的有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特征在于，該多重保護的組成為水相溶劑薄膜和油相溶劑薄膜兩者結(jié)合。
21.一種有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特征在于，包括一基板；一柵極層，形成于該基板上；一絕緣層，形成于該基板上；一半導體層，形成于該絕緣層上；一電極層，以蒸鍍方式或網(wǎng)印方式形成于該半導體層上；及一保護層，以涂布或蒸鍍方式形成于該半導體層及電極層上；從而，可制作出有機薄膜晶體管的多重保護層結(jié)構(gòu)。
22.如權(quán)利要求21所述的有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特征在于，該保護層以旋涂、噴墨印刷法、網(wǎng)印或微接觸的方式形成。
23.如權(quán)利要求21所述的有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特征在于，該保護層的可為一有機溶劑薄膜、一無機溶劑薄膜或有機及無機溶劑薄膜的結(jié)合。
24.如權(quán)利要求21所述的有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特征在于，該有機薄膜晶體管的多重保護層以PVA、PVP與P工所形成。
25.如權(quán)利要求21所述的有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特征在于，該有機薄膜晶體管的多重保護層以PVA與PVP所形成。
26.如權(quán)利要求24所述的有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特征在于，該多重保護層可為并五苯晶體管元件的保護層。
27.如權(quán)利要求25所述的有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特征在于，該多重保護層可為并五苯晶體管元件的保護層。
28.如權(quán)利要求21所述的有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特征在于，該多重保護的組成為水相溶劑薄膜。
29.如權(quán)利要求21所述的有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特征在于，該多重保護的組成為油相溶劑薄膜。
30.如權(quán)利要求21所述的有機薄膜晶體管的多重保護層的裝置，其特征在于，該多重保護的組成為水相溶劑薄膜和油相溶劑薄膜兩者結(jié)合。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種有機薄膜晶體管的多重保護層的制造方法及裝置，該方法包括以旋涂、噴墨印刷法、網(wǎng)印或微接觸制作多重保護層，以形成一保護層于有機電晶極體上。此保護層的組成為水相溶劑薄膜或是油相溶劑薄膜及兩者混合的結(jié)合物。多重保護層的制造裝置，包括基板；柵極層，形成于該基板上；絕緣層，形成于該基板與門極上；電極層，形成于該絕緣層上；半導體層，形成于該絕緣層及電極層上；及保護層，以本發(fā)明方式形成于該半導體與電極層上。本發(fā)明可有效提高晶體管對于環(huán)境的適應能力，并可制作出有機薄膜晶體管的多重保護層。
文檔編號H01L29/66GK1743929SQ200410074040
公開日2006年3月8日 申請日期2004年9月1日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月1日
發(fā)明者謝丞忠, 何家充, 胡堂祥, 李正中, 黃良瑩, 林蔚伶, 黃文奎 申請人:財團法人工業(yè)技術(shù)研究院