專利名稱：有源矩陣電致發(fā)光器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件，尤其是涉及一種有源矩陣電致發(fā)光器件及其制造方法。雖然本發(fā)明適合于很多應(yīng)用，但是其尤其適合于增強(qiáng)該器件的發(fā)射區(qū)域外面的接線的電氣特性。
背景技術(shù)：
電致發(fā)光器件因為其寬視角、高孔徑比和高色度正在被看作是下一代平板顯示器件。更具體地說，在有機(jī)電致發(fā)光(EL)器件中，當(dāng)電荷被注入進(jìn)在空穴注入電極和電子注入電極之間形成的有機(jī)發(fā)光層時，該電子和該空穴彼此配對產(chǎn)生一個激子，其激發(fā)態(tài)下降至基態(tài)，從而發(fā)射光。因此，與其他顯示器件相比較，該有機(jī)電致發(fā)光器件(ELD)可以在較低的電壓上工作。
根據(jù)該激勵方法，有機(jī)ELD可以被劃分為鈍化ELD和有源矩陣ELD。該鈍化ELD是由在透明襯底上的透明電極、該透明電極上的有機(jī)電發(fā)光層和該有機(jī)電發(fā)光層上的負(fù)電極形成的。有源矩陣ELD是由在襯底上確定像素區(qū)域的多個掃描線和數(shù)據(jù)線、電連接掃描線和數(shù)據(jù)線以及控制該電致發(fā)光器件的開關(guān)器件、電連接到該開關(guān)器件和在該襯底上的像素區(qū)域中形成的透明電極(即，陽極)、在該透明電極上的有機(jī)電致發(fā)光層和在該有機(jī)電致發(fā)光層上的金屬電極(即，陰極)形成的。與該鈍化ELD不同，該有源矩陣ELD進(jìn)一步包括開關(guān)器件，其是一個薄膜晶體管(TFT)。
在相關(guān)領(lǐng)域的有源矩陣電致發(fā)光器件中，在發(fā)射區(qū)域外面的接線和電極沒有保護(hù)層覆蓋，而是主要由一個氧化銦錫(ITO)層覆蓋。例如，一個ITO層在該接線上形成，使得與該共用電極(即，陰極)接觸，該ITO層是一個像素電極。隨后，該共用電極形成在該ITO層上。
在該發(fā)射層中，由于有機(jī)電發(fā)光的層形成在該像素電極和該共用電極之間，所以在像素電極和共用電極之間的界面特性沒有改變。但是，由于在接線上形成的該像素電極和該共用電極是互相直接接觸的，所以在該二個電極之間的界面特性改變了。因此，在接線和共用電極之間的電流流動降低了，從而降低了產(chǎn)品可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明提出了一種有源矩陣電致發(fā)光器件及其制造方法，即基本上消除了一個或多個由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺點而導(dǎo)致的問題。
本發(fā)明的一個目的是提供一種有源矩陣電致發(fā)光器件及其制造方法，其可以增強(qiáng)在發(fā)射區(qū)域外面的接線的電氣特性。
在下面的描述中將部分地闡述本發(fā)明的其他優(yōu)點、目的和特點，在參閱以下內(nèi)容時或者可以從本發(fā)明的實踐中學(xué)習(xí)，本發(fā)明的其他優(yōu)點、目的和特點對于那些本領(lǐng)域普通的技術(shù)人員將變得顯而易見。通過尤其在著述的說明書和此處的權(quán)利要求以及所附的附圖中指出的結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其他的優(yōu)點。
為了實現(xiàn)這些目的和其他的優(yōu)點，和與本發(fā)明的目的一致，如在此處實施和廣泛地描述的，一種有源矩陣電致發(fā)光器件包括在襯底的發(fā)射區(qū)域上形成的晶體管，在襯底的非發(fā)射區(qū)域上形成的接線，在襯底上和晶體管上形成并且露出該接線的一部分的絕緣層，在發(fā)射區(qū)域中的絕緣層上形成的第一電極，在第一電極上形成的電致發(fā)光層，和在該電致發(fā)光層和該接線上形成的第二電極。
該接線被連接到一個焊盤部分，和該接線是由鉬(Mo)、鋁(Al)和釹(Nd)中的至少一種形成的。
該絕緣層包括一個用于露出在非發(fā)射區(qū)域上的該接線的一部分的溝槽。
該第一電極經(jīng)由穿透該絕緣層的接觸孔被連接到發(fā)射區(qū)域的晶體管，并且是由氧化銦錫(ITO)形成的。該第二電極是由鋁(Al)或鋁合金形成的。
此外，該有源矩陣電致發(fā)光器件進(jìn)一步包括在該接線上形成的金屬層。在此處，該金屬層是由鉻(Cr)、銅(Cu)、鎢(W)、金(Au)、鎳(Ni)、銀(Ag)、鈦(Ti)和鉭(Ta)中的至少一種形成的。
在本發(fā)明的另一個方面中，一種用于制造有源矩陣電致發(fā)光器件的方法包括在襯底的非發(fā)射區(qū)域上形成接線，和在襯底的發(fā)射區(qū)域上形成晶體管，在襯底、接線和晶體管上形成絕緣層，和有選擇地除去該絕緣層，以便露出該接線，在發(fā)射區(qū)域中的絕緣層上形成第一電極，在第一電極上形成一個電致發(fā)光層，和在該電致發(fā)光層和該接線上形成第二電極。
在此處，該接線和該晶體管的源極和漏極被同時形成。
以及，當(dāng)有選擇地除去該絕緣層使得露出該接線的一部分的時候，露出該晶體管的一部分的接觸孔被形成。
用于制造該有源矩陣電致發(fā)光器件的方法進(jìn)一步包括在有選擇地除去該絕緣層使得露出該接線之后，在該接線上形成金屬層。
以及，在發(fā)射區(qū)域中的絕緣層上形成第一電極包括在該絕緣層的整個表面上淀積氧化銦錫(ITO)層，和通過使用不腐蝕該接線的腐蝕劑有選擇地除去在非發(fā)射區(qū)域中的該氧化銦錫層。
在本發(fā)明的另一個方面中，一種用于制造有源矩陣電致發(fā)光器件的方法包括在襯底的非發(fā)射區(qū)域上形成接線，和在襯底的發(fā)射區(qū)域上形成晶體管，在襯底、接線和晶體管上形成絕緣層，并且有選擇地除去該絕緣層，以便露出該接線和該晶體管的源極和漏極，在該接線上形成金屬層，和形成連接到每個源極和漏極的電極導(dǎo)線，在該絕緣層和該電極導(dǎo)線的整個表面上形成保護(hù)層，并且有選擇地除去該保護(hù)層，使得露出該金屬層和該電極導(dǎo)線，在發(fā)射區(qū)域中的絕緣層上形成第一電極，在第一電極上形成一個電致發(fā)光層，和在該電致發(fā)光層和該接線上形成第二電極。
在此處，該接線和該晶體管的源極和漏極被同時形成。
以及，該金屬層和該電極導(dǎo)線是由相同的材料形成的。
應(yīng)該明白，本發(fā)明的上面的概述和下面的詳細(xì)說明是示范性和說明性的，并且用于對所要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的說明。


所包括的附圖用于對本發(fā)明提供進(jìn)一步的理解，該附圖被合并和構(gòu)成本說明書的組成部分，用于示出本發(fā)明的實施例，并結(jié)合說明用來解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1舉例說明按照本發(fā)明的有源矩陣電致發(fā)光器件的平面圖；圖2A至2E舉例說明按照本發(fā)明的第一個實施例的示出了用于制造該有源矩陣電致發(fā)光器件的方法的處理步驟的橫剖面圖；和圖3A至3E舉例說明按照本發(fā)明的第二個實施例的示出了用于制造該有源矩陣電致發(fā)光器件的方法的處理步驟的橫剖面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)地介紹本發(fā)明的優(yōu)選實施例，其例子被在伴隨的附圖中舉例說明。只要可能，貫穿該附圖相同的參考數(shù)字將用于表示相同的或者類似的部分。
圖1舉例說明按照本發(fā)明的有源矩陣電致發(fā)光器件的平面圖。
參考圖1，發(fā)射區(qū)域和非發(fā)射區(qū)域被在襯底1上限定。多個發(fā)射像素被在該發(fā)射區(qū)域中形成。焊盤部分2、連接到該焊盤部分2的共用電極接觸線4d和諸如門驅(qū)動器和數(shù)據(jù)驅(qū)動器的電路被在該非發(fā)射區(qū)域中形成。在本發(fā)明中，當(dāng)在該非發(fā)射區(qū)域中的接線或者電極上形成時，該像素電極(即，該ITO層)和該共用電極(即，陰極)16不是形成為互相直接接觸的。
第一個實施例圖2A至2E舉例說明按照本發(fā)明的第一個實施例的示出了用于制造該有源矩陣電致發(fā)光器件的方法的處理步驟的橫剖面圖。
參考圖2A，為了在該發(fā)射區(qū)域中形成源極和漏極4a和4b和在該非發(fā)射區(qū)域中形成電連接該焊盤部分2和該共用電極的接線4d，在玻璃襯底1上形成金屬材料層，然后其被有選擇地除去。該金屬材料層是由鉬(Mo)、鋁(Al)和釹(Nd)中的任何一種或者其合金形成的。
隨后，柵絕緣層5被在整個表面上形成。更具體地說，該柵絕緣層5被在該襯底1、該源極和漏極4a和4b、溝道4c和該接線4d上形成，然后，柵電極6被形成在與溝道4c對齊的該柵絕緣層5的預(yù)先確定的區(qū)域上。該源極和漏極4a和4b、該溝道4c和該柵電極6在該發(fā)射區(qū)域中形成切換每一個像素的薄膜晶體管。
中間層電介質(zhì)7被在該柵絕緣層5和該柵電極6上形成。然后，該柵絕緣層5和該柵電極6被有選擇地除去，使得形成多個露出該源極和漏極4a和4b的一部分表面的接觸孔。此時，一個溝槽被在該非發(fā)射區(qū)域中的該柵絕緣層5和該中間層電介質(zhì)7上形成，使得露出該接線4d。爾后，該接觸孔充滿金屬，從而形成多個電極導(dǎo)線8，每個電連接到該源極和漏極4a和4b。
隨后，諸如SiNx類材料或者SiOx類材料的絕緣材料被淀積在該中間層電介質(zhì)7和該電極導(dǎo)線8的整個表面上，以便形成保護(hù)層9。然后，該保護(hù)層9被有選擇地除去，從而露出在發(fā)射區(qū)域中連接到該漏極4b的該電極導(dǎo)線8。此時，在接線4d上形成的保護(hù)層9也被除去。
在該非發(fā)射區(qū)域中的柵絕緣層5、中間層電介質(zhì)7和保護(hù)層9還可以被同時蝕刻，以便形成露出接線4d的該溝槽。
參考圖2B，為了在該發(fā)射區(qū)域中形成像素電極10，金屬材料被淀積在該保護(hù)層9上，其然后被有選擇地除去。在底部發(fā)射ELD中，該像素電極10是由透明材料形成的，諸如氧化銦錫(ITO)。相反地，在上部發(fā)射ELD中，該像素電極是由具有高反射率和功函數(shù)的金屬形成的。由于在本發(fā)明中該底部發(fā)射ELD被作為一個例子給出，該像素電極10是由ITO層形成的。該ITO層10僅在發(fā)射區(qū)域內(nèi)的像素區(qū)域中形成，但是該ITO層10不在該非發(fā)射區(qū)域的接線4d上形成。該腐蝕劑用于除去淀積在非發(fā)射區(qū)域的接線4d上的該ITO層10。但是，在此處使用的腐蝕劑不應(yīng)該腐蝕接線4d的實體。
其后，如圖2C所示，絕緣層13被淀積在保護(hù)層9和像素電極10的整個表面上。然后，該絕緣層13被有選擇地除去，以便露出該像素電極10和該接線4d的一部分。在此處，該絕緣層13在發(fā)射區(qū)域中的像素區(qū)域之間的邊界區(qū)域。
參考圖2D，陰影掩模(shadow mask)(未示出)被用于在該像素電極10上淀積一個有機(jī)電致發(fā)光層15。此時，該有機(jī)電致發(fā)光層15不形成在該非發(fā)射層上。該有機(jī)電致發(fā)光層15根據(jù)發(fā)出的顏色被劃分為紅色(R)有機(jī)電致發(fā)光層、綠色(G)有機(jī)電致發(fā)光層和藍(lán)色(B)有機(jī)電致發(fā)光層。并且，R、G和B有機(jī)電致發(fā)光層被順序地形成在相應(yīng)的像素區(qū)域中。在此處，該有機(jī)電致發(fā)光層包括有機(jī)層(未示出)、用于分別地把從該像素電極10提供的空穴注入和傳送入該有機(jī)層的空穴注入層(未示出)和空穴傳輸層(未示出)和用于分別地把從該共用電極提供的電子注入和傳送入該有機(jī)層的電子注入層(未示出)和電子傳輸層(未示出)。
參考圖2E，鋁(Al)層或者鋁合金層被淀積在該有機(jī)電致發(fā)光層15的整個表面上，以便形成該共用電極16。該共用電極16被形成在發(fā)射區(qū)域中的有機(jī)電致發(fā)光層15上，和被形成在非發(fā)射區(qū)域中的接線4d和絕緣層13上。因此，該共用電極16是與該接線4d直接接觸。
雖然未在附圖中示出，在后續(xù)的工藝中，保護(hù)層(未示出)被形成，以便防止該有機(jī)電致發(fā)光層15被氧化和潮濕。然后，密封層(未示出)和透明襯底被用于形成一個保護(hù)帽。
第二個實施例圖3A至3E舉例說明按照本發(fā)明的第二個實施例的用于制造該有源矩陣電致發(fā)光器件的方法的處理步驟的橫剖面圖。
參考圖3A，為了在該發(fā)射區(qū)域中形成源極和漏極24a和24b，和在該非發(fā)射區(qū)域中形成電連接到該共用電極的接線24d，在玻璃襯底21上形成金屬材料層，然后其被有選擇地除去。該金屬材料層是由鉬(Mo)、鋁(Al)和釹(Nd)的任何一個或者合金來形成的。
隨后，柵絕緣層25被在整個表面上形成。更具體地說，該柵絕緣層25被在該襯底21、該源極和漏極24a和24b、溝道24c和該接線24d上形成。然后，柵電極26被形成在與溝道24c對齊的該柵絕緣層25的預(yù)先確定的區(qū)域上。該源極和漏極24a和24b、該溝道24c和該柵電極26在該發(fā)射區(qū)域中形成開關(guān)每一個像素的薄膜晶體管。
中間層電介質(zhì)27被形成在該柵絕緣層25和該柵電極26上。然后，該柵絕緣層25和該柵電極26被有選擇地除去，使得形成露出該源極和漏極24a和24b的一部分表面的多個接觸孔。此時，一個溝槽被形成在該非發(fā)射區(qū)域中的該中間層電介質(zhì)27和該柵絕緣層25上，使得露出該接線24d。
爾后，該接觸孔充滿金屬，從而形成多個電極導(dǎo)線28，每個電連接到該源極和漏極24a和24b。此外，緩沖金屬層31被形成在非發(fā)射區(qū)域中的接線24d上。該緩沖金屬層31被或者在形成電極導(dǎo)線28和保護(hù)層29之后形成，或者該電極導(dǎo)線28被形成的同時而形成。當(dāng)該緩沖電極層31和該電極導(dǎo)線28被同時形成的時候，該緩沖金屬層31是由與該電極導(dǎo)線28相同的材料形成的。在此處，該緩沖電極層31是由不被ITO腐蝕劑腐蝕的金屬形成的，諸如鉻(Cr)、銅(Cu)、鎢(W)、金(Au)、鎳(Ni)、銀(Ag)、鈦(Ti)和鉭(Ta)的任何一個或者其任何一種的合金。
隨后，諸如SiNx類材料或者SiOx類材料的絕緣材料被淀積在該柵電極26、該中間層電介質(zhì)27和該電極導(dǎo)線28的整個表面上，以便形成保護(hù)層29。然后，該保護(hù)層29被有選擇地除去，從而露出連接到發(fā)射區(qū)域中的該漏極24b的該電極導(dǎo)線28。此時，當(dāng)該保護(hù)層29被在形成該緩沖金屬層31之后形成的時候，形成在該緩沖金屬層31上的該保護(hù)層29也被除去。
參考圖3B，ITO層被形成在該保護(hù)層29上，以便在該發(fā)射區(qū)域中形成該像素電極30，然后，該ITO層被有選擇地除去。用于除去該ITO層30的腐蝕劑對于接線24d的材料可以是腐蝕性的，該ITO層30其被淀積在該非發(fā)射區(qū)域中。由于該緩沖金屬層31被形成在接線24d上，該緩沖金屬層31可以防止接線24d被腐蝕。該ITO層30僅被形成在發(fā)射區(qū)域內(nèi)的像素區(qū)域中，且不形成在該非發(fā)射區(qū)域中。
此外，如圖3C所示，在該保護(hù)層29和像素電極30的整個表面上淀積該絕緣層33之后，該絕緣層33被有選擇地除去，以便露出該像素電極30和該緩沖金屬層31的一部分。該絕緣層33在發(fā)射區(qū)域中的像素區(qū)域之間形成邊界區(qū)域。
參考圖3D，陰影掩模(未示出)被用于在該像素電極30上淀積一個有機(jī)電致發(fā)光層35。此時，該有機(jī)電致發(fā)光層35不形成在該非發(fā)射層上。
參考圖3E，共用電極36被形成在該有機(jī)電致發(fā)光層35的整個表面上。該共用電極36被形成在發(fā)射區(qū)域中的有機(jī)電致發(fā)光層35上，和被形成在非發(fā)射區(qū)域中的該緩沖金屬層31和絕緣層33上。因此，該共用電極36不與該接線24d直接接觸。相反，該共用電極36被經(jīng)由緩沖金屬層31電連接到接線24d。
雖然未在附圖中示出，在后續(xù)的工藝中，保護(hù)層(未示出)被形成，以便保護(hù)該有機(jī)電致發(fā)光層35被氧化和潮濕。然后，密封層(未示出)和透明襯底被用于形成一個保護(hù)帽。
如上所述，在活性基質(zhì)有源矩陣電致發(fā)光器件及其制造方法中，或者該ITO層沒有形成在該接線或者電極上，其接觸來自該發(fā)射層的外面的共用電極，或者做為選擇，形成另一個金屬層，而不是該ITO層，從而防止在由該ITO層所引起的界面特性上的變化。
對于那些本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見，在不脫離本發(fā)明的精神或者范圍的情況下，可以對本發(fā)明進(jìn)行各種修改和變化。因此，本發(fā)明意欲覆蓋所附權(quán)利要求和其等同范圍之內(nèi)所提供的本發(fā)明的修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種有源矩陣電致發(fā)光器件，包括在襯底的發(fā)射區(qū)域上形成的晶體管；在襯底的非發(fā)射區(qū)域上形成的接線；在襯底和晶體管上形成并且露出該接線的一部分的絕緣層；在發(fā)射區(qū)域中的絕緣層上形成的第一電極；在第一電極上形成的電致發(fā)光層；和在該電致發(fā)光層和該接線上形成的第二電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中該絕緣層包括一個用于露出在非發(fā)射區(qū)域上的該接線的一部分的溝槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，進(jìn)一步包括在該接線上形成的金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的器件，其中該金屬層是由鉻(Cr)、銅(Cu)、鎢(W)、金(Au)、鎳(Ni)、銀(Ag)、鈦(Ti)和鉭(Ta)中的至少一個形成的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中該接線是由鉬(Mo)、鋁(Al)和釹(Nd)中的至少一個形成的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中該接線被連接到一個焊盤部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中該第一電極是由氧化銦錫(ITO)形成的。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中該第一電極經(jīng)由穿透該絕緣層的接觸孔被連接到該發(fā)射區(qū)域的晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中該第二電極是由鋁(Al)和鋁合金中的一種形成的。
10.一種用于制造有源矩陣電致發(fā)光器件的方法，其包括在襯底的非發(fā)射區(qū)域上形成接線，和在該襯底的發(fā)射區(qū)域上形成晶體管；在襯底、接線和晶體管上形成一個絕緣層，和有選擇地除去該絕緣層，以便露出該接線；在發(fā)射區(qū)域中的絕緣層上形成第一電極；在第一電極上形成一個電致發(fā)光層；和在該電致發(fā)光層和該接線上形成第二電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中該接線和該晶體管的源極和漏極同時形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中該接線和該源極和漏極是由鉬(Mo)、鋁(Al)和釹(Nd)中的至少一個形成的。
13.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中在發(fā)射區(qū)域中的絕緣層上形成第一電極包括在該絕緣層的整個表面上淀積一個氧化銦錫(ITO)層；和通過使用不腐蝕該接線的腐蝕劑有選擇地除去在非發(fā)射區(qū)域中的該氧化銦錫層。
14.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中當(dāng)有選擇地除去該絕緣層使得露出該接線的一部分的時候，形成了露出該晶體管的一部分的接觸孔。
15.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，進(jìn)一步包括在有選擇地除去該絕緣層使得露出該接線之后，在該接線上形成金屬層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中該金屬層是由鉻(Cr)、銅(Cu)、鎢(W)、金(Au)、鎳(Ni)、銀(Ag)、鈦(Ti)和鉭(Ta)中的至少一個形成的。
17.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中該第二電極是由鋁(Al)和鋁合金中的一種形成的。
18.一種用于制造有源矩陣電致發(fā)光器件的方法，其包括在襯底的非發(fā)射區(qū)域上形成接線，和在該襯底的發(fā)射區(qū)域上形成晶體管；在襯底、接線和晶體管上形成一個絕緣層，并且有選擇地除去該絕緣層，以便露出該接線和該晶體管的源極和漏極；在該接線上形成金屬層，和形成連接到每個源極和漏極的電極導(dǎo)線；在該絕緣層和該電極導(dǎo)線的整個表面上形成保護(hù)層，并且有選擇地除去該保護(hù)層，使得露出該金屬層和該電極導(dǎo)線；在發(fā)射區(qū)域中的絕緣層上形成第一電極；在第一電極上形成一個電致發(fā)光層；和在該電致發(fā)光層和該接線上形成第二電極。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中該接線和該晶體管的源極和漏極同時形成。
20.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中該金屬層和該電極導(dǎo)線同時形成。
21.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中該金屬層和該電極導(dǎo)線是由相同的材料形成的。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其中該金屬層和該電極導(dǎo)線是由鉻(Cr)、銅(Cu)、鎢(W)、金(Au)、鎳(Ni)、銀(Ag)、鈦(Ti)和鉭(Ta)中的至少一個形成的。
全文摘要
公開了一種用于增強(qiáng)接線的電氣特性的有源矩陣電致發(fā)光器件及其制造方法。該方法包括在襯底的非發(fā)射區(qū)域上形成接線和在襯底的發(fā)射區(qū)域上形成晶體管，在襯底、接線和晶體管上形成一個絕緣層，和有選擇地除去該絕緣層，以便露出該接線，在發(fā)射區(qū)域中的絕緣層上形成第一電極，在第一電極上形成一個電致發(fā)光層，和在該電致發(fā)光層和該接線上形成第二電極。
文檔編號H01L51/50GK1596039SQ20041006415
公開日2005年3月16日 申請日期2004年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月8日
發(fā)明者金昌男 申請人:Lg電子株式會社