專利名稱：半導體晶片的運輸方法和運輸裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于半導體晶片(為扼要起見，下文中也稱之為“晶片”)的運輸方法和運輸裝置。
背景技術(shù)：
一般來說，下列程序已經(jīng)被采納。在已經(jīng)完成圖形形成處理的晶片的背表面進行研磨的過程中(背研磨)，一保護的粘貼帶預先已粘貼在晶片的前表面上，還有，從晶片周緣伸出的保護粘貼帶的部分也被切去。此外，晶片的前表面全部用保護粘貼帶保護起來的晶片，在其前表面處被吸盤抽吸保持住，從而經(jīng)受研磨，其后，其背表面在其部分上被抽吸-保持，以改變晶片的地方并傳送到各種處理臺。
近年來，有一種趨勢，晶片的厚度在晶片背表面研磨之后變得越來越薄。由于這種趨勢，所以，由此研磨得越來越薄的晶片本身的剛度降低，由此，即使在其表面內(nèi)產(chǎn)生微小的應力在晶片內(nèi)也會產(chǎn)生翹曲。
當具有這樣翹曲的晶片被傳輸時，同時，晶片的前表面或背表面的部分被抽吸保持住，一具有這樣翹曲的晶片在真空抽吸中遭受到不足之處，并在傳輸過程中移動其位置，導致傳輸不能具有一穩(wěn)定的高準確性的麻煩。因此，當用一諸如對齊平臺或一晶片卡盤臺的晶片保持裝置來保持晶片時，晶片的前或后表面使用幾乎與全部晶片的前或后表面一樣大的面積，用真空抽吸來保持。
然而，近年來，晶片的前或后表面在晶片的幾乎全部的表面面積上已經(jīng)接觸諸如對齊平臺或一晶片卡盤臺的晶片保持裝置；因此，由接觸產(chǎn)生的灰塵(異物)顯著地積累在晶片保持裝置上，附連在晶片上的灰塵隨著處理其它晶片的數(shù)量的上升而增加，這已導致出現(xiàn)有缺陷的產(chǎn)品，并又降低產(chǎn)量。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)這樣的情況，提出了本發(fā)明。本發(fā)明的一個目的是提供一能夠避免因附著在晶片保持裝置上的灰塵引起產(chǎn)量下降的半導體晶片運輸方法，還有，本發(fā)明的另一個目的是提供一能夠合適地實施半導體晶片運輸方法的半導體晶片運輸裝置。
為了達到這樣的目的，本發(fā)明采納下列的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明涉及一半導體晶片運輸方法，其運輸一半導體晶片以進行各種類型的處理步驟，該方法包括下列步驟在一部分與半導體晶片接觸之前，去除附著在該部分上的灰塵的步驟，通過保持該半導體晶片，該半導體晶片將與其接觸。
根據(jù)本發(fā)明的一半導體晶片運輸方法，可在晶片接觸該部分之前，去除附著在半導體晶片將與其接觸的該部分上的灰塵。
因此，可防止由于保持半導體晶片而由此污染半導體晶片的結(jié)果，附著在晶片保持裝置上的灰塵遷移到半導體晶片上，并且可避免因灰塵附著在半導體保持裝置上引起的產(chǎn)量的降低。
在本發(fā)明中，接觸部分較佳地是半導體的背表面?zhèn)扰c其接觸的一部分。
根據(jù)該方法，半導體晶片的背表面?zhèn)扰c其接觸的該部分上附著的灰塵可在半導體晶片接觸該部分之前去除。
因此，可防止由于保持半導體晶片而由此污染半導體晶片的結(jié)果，附著在晶片保持裝置上的灰塵遷移到半導體晶片的背表面上，并且可避免因灰塵附著在半導體保持裝置上引起的產(chǎn)量的降低。
在本發(fā)明中，接觸部分較佳地是半導體的前表面?zhèn)扰c其接觸的一部分。
根據(jù)該方法，半導體晶片的前表面?zhèn)扰c其接觸的該部分上附著的灰塵可在半導體晶片接觸該部分之前去除。
因此，可防止由于保持半導體晶片而由此污染半導體晶片的結(jié)果，附著在晶片保持裝置上的灰塵遷移到半導體晶片上，并且可避免因灰塵附著在半導體保持裝置上引起的產(chǎn)量的降低。
在一表面保護粘結(jié)帶粘貼到半導體晶片的表面上的情形中，即使在帶研磨中產(chǎn)生的異物附著到粘結(jié)帶上，由于與晶片保持裝置接觸的結(jié)果，灰塵遷移到晶片保持裝置上，該異物可被去除，并且可避免由異物附著在晶片保持裝置上引起的產(chǎn)量的降低。
為了達到這樣的目的，本發(fā)明還采納下列的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明涉及一半導體晶片運輸方法，其運輸一半導體晶片以進行各種類型的處理步驟，該方法包括下列步驟在半導體晶片處于保持狀態(tài)下，一去除附著在半導體晶片上的灰塵的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的一半導體晶片運輸方法，可去除附著在半導體晶片上的灰塵，且半導體晶片可防止受到污染。
因此，可避免因灰塵附著在半導體晶片上引起的產(chǎn)量的降低。
在本發(fā)明中，較佳地是去除附著在半導體晶片的背表面?zhèn)鹊幕覊m。
根據(jù)該方法，可去除附著在半導體晶片的背表面?zhèn)壬系幕覊m，且半導體晶片可防止受到污染。
因此，可避免因灰塵附著在半導體晶片背表面?zhèn)壬弦鸬漠a(chǎn)量的降低。
在本發(fā)明中，較佳地是去除附著在半導體晶片的前表面?zhèn)鹊幕覊m。
根據(jù)該方法，可去除附著在半導體晶片的背表面?zhèn)壬系幕覊m，且半導體晶片可防止受到污染。
因此，可避免因灰塵附著在半導體晶片前表面?zhèn)壬弦鸬漠a(chǎn)量的降低。
在本發(fā)明中，較佳地是去除附著在粘貼在半導體晶片的前表面的粘結(jié)帶的前表面?zhèn)鹊幕覊m。
根據(jù)該方法，在粘結(jié)帶(如表面保護帶)粘貼到半導體晶片的一表面上的情形中，可去除諸如研磨的異物的灰塵附著到粘結(jié)帶的前表面?zhèn)?，由此，當粘結(jié)帶在后處理中被分離時，能防止灰塵附連到半導體晶片上。
因此，可避免因灰塵附著在粘貼在半導體晶片一表面上的粘結(jié)帶的前表面?zhèn)壬弦鸬漠a(chǎn)量的降低。
為了達到這樣的目的，本發(fā)明還采納下列的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明涉及一裝備有一晶片保持裝置的半導體晶片運輸裝置，在半導體晶片的運輸中，其放置-保持或/和抽吸-保持一半導體晶片，該裝置包括一設(shè)置在晶片保持裝置上的灰塵去除裝置，用來去除附著在半導體晶片將與其接觸的一部分上的灰塵。
根據(jù)本發(fā)明的一半導體晶片運輸裝置，在半導體晶片保持在一晶片保持裝置中并由此與一部分接觸之前，用灰塵去除裝置可去除附著在半導體晶片與其接觸的一部分上的灰塵。
因此，在半導體晶片的運輸過程中，可防止由于保持半導體晶片的結(jié)果，附著在晶片保持裝置上的灰塵遷移到半導體晶片側(cè)上。此外，可避免因灰塵附著在晶片保持裝置上引起的產(chǎn)量的降低。其結(jié)果，可有效地實施半導體晶片的運輸和在半導體晶片與其接觸的晶片保持裝置的一部分上的灰塵的去除，由此，能使運輸裝置能合適地實施被提供的半導體晶片運輸方法。
在本發(fā)明中，較佳地是，晶片保持裝置是一對齊工作臺，半導體晶片不僅放置在臺上，而且被抽吸一保持和對齊，而灰塵去除裝置去除附著在對齊工作臺的晶片放置表面上的灰塵。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在半導體晶片保持和對齊在對齊工作臺上之前，可用灰塵去除裝置去除附著在半導體晶片與其接觸的對齊工作臺的晶片放置表面上的灰塵。
因此，可防止由于保持半導體晶片的結(jié)果，通過對齊工作臺的晶片放置表面與半導體晶片的接觸而附著在對齊工作臺的晶片放置表面上的灰塵，遷移到半導體晶片側(cè)上，并可避免因附著在對齊工作臺的晶片放置表面上的灰塵引起的產(chǎn)量的降低。其結(jié)果，可有效地實施半導體晶片的運輸和在半導體晶片與其接觸的對齊工作臺的晶片放置表面上的灰塵的去除，由此，能使半導體晶片運輸方法合適地應用于裝備有對齊工作臺的運輸裝置。
在本發(fā)明中，灰塵去除裝置是一具有刷鬃毛的臂，鬃毛植入在其與晶片保持裝置相對的表面上。
此外，較佳的是，構(gòu)造一臂在對齊工作臺的晶片放置表面上往復運動，將臂定位在對齊工作臺的附近，以使其一端圍繞沿垂直方向的一軸線樞轉(zhuǎn)，并轉(zhuǎn)動對齊工作臺的一晶片抽吸臺。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，一半導體晶片運輸方法可合適地應用于裝備有一對齊工作臺的運輸裝置。
在本發(fā)明中，晶片保持裝置是一抽吸-保持一半導體晶片的晶片卡盤臺。
此外，較佳的是，灰塵去除裝置去除附著在晶片卡盤臺的晶片抽吸表面上的灰塵。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在半導體晶片被抽吸-保持在晶片卡盤臺上之前，可用灰塵去除裝置去除附著在半導體晶片與其接觸的晶片卡盤臺的晶片抽吸表面上的灰塵。
因此，可防止由于抽吸-保持半導體晶片的結(jié)果，一晶片卡盤臺的晶片抽吸表面和半導體晶片彼此接觸，由此，造成附著在晶片卡盤臺的晶片抽吸表面上的灰塵遷移到半導體晶片側(cè)上，并避免因附著在晶片卡盤臺的晶片抽吸表面上的灰塵引起的產(chǎn)量的降低。并可有效地實施半導體晶片的運輸和在半導體晶片與其接觸的晶片卡盤臺的晶片抽吸表面上的灰塵的去除，由此，能使半導體運輸方法合適地應用于裝備有晶片卡盤臺的運輸裝置。
為了達到這樣的目的，本發(fā)明還采納下列的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明涉及一裝備有一晶片保持裝置的半導體晶片運輸裝置，在半導體晶片的運輸中，其放置-保持或/和抽吸-保持一半導體晶片，該裝置包括
一灰塵去除裝置，其用來去除附著在保持在晶片保持裝置內(nèi)的半導體晶片上，或附著在粘貼在半導體晶片上的保護粘結(jié)帶表面上的灰塵。
根據(jù)本發(fā)明的半導體晶片運輸裝置，可用灰塵去除裝置去除附著在半導體晶片或粘貼在半導體晶片上的保護粘結(jié)帶的表面上的灰塵；因此，可防止灰塵附著在半導體晶片上，并且可避免灰塵停留和積累在裝置內(nèi)。
因此，可避免因灰塵附著在半導體晶片或粘貼到半導體晶片上的保護粘結(jié)帶表面上引起的產(chǎn)量的降低，由此，能使裝置能夠合適地實施半導體晶片運輸方法。
在本發(fā)明中，晶片保持裝置是一對齊工作臺，不僅放置半導體晶片，而且抽吸-保持半導體晶片和對齊晶片。
此外，較佳的是，灰塵去除裝置去除附著在保持在對齊工作臺上的半導體晶片的表面上的灰塵。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，可用灰塵去除裝置去除附著在半導體晶片處于保持在對齊工作臺上的狀態(tài)下的半導體晶片的表面上的灰塵。
因此，可避免因灰塵附著在運輸?shù)綄R工作臺上的半導體晶片的表面上引起的產(chǎn)量的降低，并可有效地實施運輸半導體晶片和去除放置-保持在對齊工作臺上的半導體的表面上的灰塵，由此，能使一半導體運輸方法合適地應用于裝備有對齊工作臺的運輸裝置。
在本發(fā)明中，灰塵去除裝置是一具有刷鬃毛的臂，鬃毛植入在其與晶片保持裝置相對的表面上。
此外，較佳的是，構(gòu)造一臂在對齊工作臺的晶片放置表面上往復運動，將臂定位在對齊工作臺的附近，以使其一端圍繞沿垂直方向的一軸線樞轉(zhuǎn)，并轉(zhuǎn)動對齊工作臺的一晶片抽吸臺。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，一半導體晶片運輸方法可合適地應用于裝備有一對齊工作臺的運輸裝置。
在本發(fā)明中，晶片保持裝置是一抽吸-保持一半導體晶片的晶片卡盤臺。
此外，較佳的是，灰塵去除裝置去除附著在抽吸-保持在晶片卡盤臺上的半導體晶片的背表面上的灰塵。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在半導體晶片被抽吸-保持在晶片卡盤臺上的狀態(tài)下，可用灰塵去除裝置去除附著在半導體晶片的表面上的灰塵。
因此，可避免因附著在運輸在晶片卡盤臺上的半導體晶片的背表面上的灰塵引起的產(chǎn)量的降低，并可有效地實施半導體晶片的運輸和抽吸-保持在晶片卡盤臺上的半導體晶片的表面上的灰塵的去除，由此，能使半導體運輸方法合適地應用于裝備有晶片卡盤臺的運輸裝置。
附圖的簡要說明為了說明本發(fā)明，在諸附圖中示出本發(fā)明的目前優(yōu)選的若干種形式，然而，應該理解到，本發(fā)明不局限于所示的精確的結(jié)構(gòu)和方法。


圖1是裝備有根據(jù)本發(fā)明的一半導體晶片運輸裝置的半導體晶片安裝裝置的第一實施例的全部結(jié)構(gòu)的局剖的立體圖；圖2是示出一對齊工作臺的清潔機構(gòu)的主要部分的側(cè)視圖；圖3是示出一對齊工作臺的清潔機構(gòu)的主要部分的俯視平面圖；圖4是示出一晶片卡盤臺的清潔機構(gòu)的主要部分的側(cè)視圖；圖5是示出一晶片卡盤臺的清潔機構(gòu)的主要部分的仰視平面圖；圖6是描述半導體晶片運輸裝置的運輸操作的流程圖；圖7是裝備有根據(jù)本發(fā)明的一半導體晶片運輸裝置的半導體晶片安裝裝置的第二實施例的全部結(jié)構(gòu)的局剖的立體圖；圖8是示出第一晶片清潔機構(gòu)的主要部分的側(cè)視圖；圖9是示出第一晶片清潔機構(gòu)的主要部分的俯視平面圖；圖10是示出第二晶片清潔機構(gòu)的主要部分的側(cè)視圖；圖11是示出第二晶片清潔機構(gòu)的主要部分的仰視平面圖；圖12是描述半導體晶片運輸裝置的運輸操作的流程圖；圖13是示出第一晶片清潔機構(gòu)的修改的實施例的主要部分的側(cè)視圖；圖14是示出第二晶片清潔機構(gòu)的修改的實施例的主要部分的側(cè)視圖；以及圖15是描述修改的實施例的半導體晶片運輸裝置的運輸操作的流程圖。
具體實施例方式
下面將參照諸附圖描述本發(fā)明的若干個實施例。
第一實施例圖1是裝備有根據(jù)本發(fā)明的半導體晶片運輸裝置的一半導體晶片安裝裝置的實施例的全部結(jié)構(gòu)的局剖的立體圖。注意到該實施例中，一作為表面保護帶的紫外線固化粘結(jié)帶粘貼到半導體晶片W(下文中也簡稱為“晶片W”)的圖形表面(前表面)上。
一半導體晶片安裝裝置包括一晶片供應工位1，其中加載一容納晶片W的盒C，晶片上的背表面的掩模(背掩模)已經(jīng)完成，諸晶片堆疊成多層；一晶片運輸機構(gòu)3，其具有一在彎曲的同時樞轉(zhuǎn)的機械臂2；一用來將翹曲的晶片W糾平的晶片加壓機構(gòu)4；一用作晶片保持裝置的對齊工作臺5，在該臺上晶片W被放置-保持和對齊；一用紫外線照明放置在對齊工作臺5上的晶片W的紫外線照明單元6；以及一用作抽吸-保持晶片W的晶片保持裝置的晶片卡盤臺7。
半導體晶片安裝裝置還包括一環(huán)框架供應單元8，其中，呈環(huán)形的環(huán)框架f堆疊成多層；一將環(huán)框架f傳輸?shù)揭磺懈顜T的環(huán)框架運輸機構(gòu)9；一供應切割帶DT的切割帶服務器10；一將切割帶DT粘貼到環(huán)形框架f的背表面的切割帶粘貼單元11；一切割切割帶DT的切割帶切割單元12；一在切割后收集切割帶DT的切割帶收集器13；一上下移動已粘貼切割帶DT的環(huán)形框架f的環(huán)框架提升機構(gòu)14；一將晶片W粘貼到已經(jīng)粘貼切割帶DT的環(huán)框架f上的晶片安裝機構(gòu)15；以及一傳輸晶片安裝框架MF的晶片安裝框架運輸機構(gòu)16，其中，晶片W已經(jīng)一體地粘結(jié)成一單一片。
半導體晶片安裝裝置還包括一分離器臺17，其用來分離已經(jīng)粘貼到晶片W上的表面保護帶PT，同時，晶片安裝框架MF被抽吸-保持；一分離器帶服務器18，其用來供應一分離器帶ST；一帶分離器單元19，其用來將分離器帶ST粘貼到在分離器臺17上的晶片W，以分離表面保護帶PT；一帶收集器20，其用來將分離的表面保護帶PT粘貼到分離器帶ST，由此，收集表面保護帶PT；一晶片安裝框架容納機構(gòu)21，其用來容納已經(jīng)處理過的晶片安裝框架MF；一晶片安裝框架收集器22，其中，裝載一容納已經(jīng)處理過的晶片安裝框架MF的盒C1，晶片安裝框架堆疊成多層；以及一晶片安裝框架運輸機構(gòu)23，其用來將已經(jīng)處理過的晶片安裝框架MF從晶片安裝框架容納機構(gòu)21運輸?shù)骄惭b框架收集器22。
晶片供應工位1構(gòu)造有放置在盒臺24上的盒C，而盒C容納放成水平姿勢的晶片W，使粘貼表面保護帶PT的各前表面面向上，以沿垂直方向的合適的間距插入在盒C內(nèi)。晶片安裝框架收集器22還構(gòu)造有放置在盒臺24上的盒C1，而盒C1容納晶片安裝框架MF，在每個晶片安裝框架中安裝有表面保護帶PT已經(jīng)從中分離的晶片W，以沿垂直方向的合適的間距插入在盒C1內(nèi)。
晶片運輸機構(gòu)3的機械臂2設(shè)置成沿水平方向前后地移動，并通過一驅(qū)動機構(gòu)(未示出)繞一沿垂直方向的軸線樞轉(zhuǎn)，且構(gòu)造成能從晶片供應工位1的盒C中個別地取出晶片W并個別地將晶片W供應到對齊工作臺5。
晶片加壓機構(gòu)4設(shè)置有一加壓在晶片上表面上的加壓板25，在晶片W因翹曲而使晶片W不能被真空抽吸到對齊工作臺5上的情形中，晶片W被加壓板25加壓，由此，能使晶片W糾正為平面。
對齊工作臺5構(gòu)造成根據(jù)探測到的晶片W定向的平的、槽的或諸如此類的形狀，實施晶片W的對齊。
對齊工作臺5還構(gòu)造成晶片W可從一初始位置傳輸?shù)揭粋溆梦恢茫诔跏嘉恢?，晶片W放置和對齊在其上，而備用位置位于晶片卡盤臺7和環(huán)框架提升機構(gòu)14之間，同時，晶片W被抽吸-保持在其上。
紫外線照明單元6構(gòu)造成在粘貼到晶片W的表面上的表面保護帶PT是紫外線固化粘結(jié)帶的情形中，通過紫外線的照射減緩表面保護帶PT粘貼到晶片W的表面上的粘結(jié)強度。
晶片卡盤臺7是幾乎與晶片W相同的圓形，以使臺7覆蓋晶片W的表面，而真空抽吸可施加到晶片W的表面上，還構(gòu)造成在對齊臺5上的晶片W可垂直地從備用位置移動到一位置，晶片W在該位置通過一驅(qū)動機構(gòu)(未示出)粘貼到環(huán)框架f上。
晶片卡盤臺7構(gòu)造成臺7可配裝到抽吸-保持環(huán)框架f的環(huán)框架提升機構(gòu)14的開口內(nèi)，切割帶DT粘貼在環(huán)框架f上，并向下移動到一位置，其中，晶片W接近位于環(huán)框架f中間的切割帶DT。
環(huán)框架供應單元8是一小車，其底部的下側(cè)上設(shè)置有腳輪26，其中，環(huán)框架f堆疊地容納在其中，沿一給定的方向定位在各自預定的位置。環(huán)框架運輸機構(gòu)9構(gòu)造成容納在環(huán)框架供應單元8內(nèi)的環(huán)框架f從最上的環(huán)框架f開始，相繼地每次一個地被真空抽吸而保持，并運輸?shù)揭磺懈顜T粘結(jié)到其上的位置。
切割帶服務器10構(gòu)造成從主輥28上纏開的切割帶DT通過環(huán)框架F的下方，并導向到切割帶粘貼單元11和切割帶收集器13。使用中的切割帶DT的寬度大于環(huán)框架f的直徑。
切割帶粘貼單元11將切割帶DT粘貼到環(huán)框架f上，然后，用切割帶切割單元12將切割帶DT切割在環(huán)框架f上。切割之后，切割帶DT的其余部分收集在切割帶收集器13內(nèi)。
環(huán)框架提升機構(gòu)14垂直地移動粘貼有切割帶DT的環(huán)框架f。
晶片安裝機構(gòu)15將切割帶DT粘貼在其上的晶片W疊置至環(huán)框架f上。
晶片安裝框架運輸機構(gòu)16，在通過真空抽吸保持已經(jīng)處理過的晶片安裝框架MF的同時，將晶片安裝框架MF從晶片安裝框架容納機構(gòu)21運輸?shù)骄惭b框架收集器22。
分離器臺17構(gòu)造成晶片安裝框架MF可通過真空抽吸被保持。
帶分離器單元19將分離器帶ST粘貼到在晶片W上的表面保護帶PT，以將分離器帶ST和表面保護帶PT分離成一單一的片。使用中的分離器帶ST的寬度小于晶片W的直徑。
帶收集器20收集已經(jīng)分離和處理過的分離器帶ST。
晶片安裝框架容納機構(gòu)21傳輸晶片安裝框架MF，同時，通過真空抽吸保持到晶片安裝框架運輸機構(gòu)16。
如圖2的主要部分的側(cè)視圖和圖3的主要部分的俯視平面圖所示，對齊工作臺清潔機構(gòu)29作為一灰塵去除裝置設(shè)置在對齊工作臺5的附近。
對齊工作臺清潔機構(gòu)29構(gòu)造成植入第一刷鬃毛30的第一刷臂31安裝在一可轉(zhuǎn)動的支承柱33上，利用一沿正向或反向轉(zhuǎn)動的電動機32，該支承柱圍繞沿垂直方向延伸的軸線轉(zhuǎn)動。
第一刷臂31還構(gòu)造成在一遠離對齊工作臺5的轉(zhuǎn)動中心的工作位置與一臂31不重疊對齊工作臺5的位置之間移動。
此外，第一通風路徑34形成在第一刷臂31內(nèi)，第一通風路徑34在第一刷臂31的下表面上敞開，而第一真空泵37通過一第一抽吸管36與第一刷臂31的樞轉(zhuǎn)中心側(cè)上的第一通風路徑34連通地連接，在第一抽吸管36內(nèi)，串聯(lián)地插入一第一過濾器35。
采用上述的結(jié)構(gòu)，第一刷鬃毛30變換到一位置，其中，在晶片W運輸?shù)綄R工作臺5上之前，第一刷鬃毛30作為在對齊工作臺5上的一接觸部分，在晶片抽吸臺38上工作，在此狀態(tài)下，晶片抽吸臺38轉(zhuǎn)動，由此，能去除附著在晶片抽吸臺38上的灰塵，并被抽吸掉。
如圖4的主要部分的側(cè)視圖和圖5的主要部分的仰視平面圖所示，晶片卡盤臺清潔機構(gòu)39作為一灰塵去除裝置設(shè)置在晶片卡盤臺7的附近。
晶片卡盤臺清潔機構(gòu)39是這樣一機構(gòu)，其中，第二刷鬃毛40植入在其上以便向上延伸的一第二刷臂41附著在一氣缸桿43上，利用一氣缸該桿能沿水平方向前后地移動。
第二刷臂41構(gòu)造成可前后地移動到一位置，該位置遠離俯視平面圖中的晶片卡盤臺7的最遠端。
此外，第二通風路徑44形成在第二刷臂41內(nèi)，第二通風路徑44在第二刷臂41的下表面上敞開，而第二真空泵47通過一第二抽吸管46沿長度的方向，與第二刷臂41的中點處的第二通風路徑44連通地連接，在第二抽吸管46內(nèi)，串聯(lián)地插入一第二過濾器45。
采用上述的結(jié)構(gòu)，第二刷鬃毛40變換到一位置，其中，在晶片W運輸?shù)骄ūP臺7上并抽吸-保持在其上之前，第二刷鬃毛40作為在晶片卡盤臺7上的一接觸部分，在面向下的表面上工作，在此狀態(tài)下，能去除附著在作為晶片卡盤臺7的一接觸部分的面向下表面上的灰塵，并被抽吸掉。
然后，將參照圖6的流程圖來描述上述半導體晶片運輸裝置的運輸操作。
首先，機械臂2不僅樞轉(zhuǎn)，而且伸展或收縮和上下地移動，由此，從晶片供應工位1的盒C中取出一晶片W，同時，被抽吸-保持(S1)。在運輸?shù)綄R工作臺5之前，然后，第一刷鬃毛30向下推到對齊工作臺5的晶片抽吸臺38，在此狀態(tài)下，晶片抽吸臺38轉(zhuǎn)動，而驅(qū)動第一真空泵37來去除附著在晶片抽吸臺(S2)上的灰塵。
在去除灰塵之后，機械臂2不僅樞轉(zhuǎn)，而且伸展或收縮和上下地移動，由此，將晶片W運輸和傳輸?shù)綄R工作臺5(S3)，而加壓板25通過晶片加壓機構(gòu)4伸展或收縮和上下移動，由此，加壓和糾正晶片W成平面，在此狀態(tài)下，晶片W被抽吸-保持(S4)。
在保持的狀態(tài)中，晶片抽吸臺38轉(zhuǎn)動，由此，根據(jù)檢測到的定向平的、一槽的或諸如此類形狀對齊晶片W(S5)。
其后，當粘貼到晶片W上的表面保護帶PT是紫外線固化型的時，用對齊工作臺5上的紫外線照明單元6的紫外線照射表面保護帶PT(S6)。
然后，第二刷鬃毛40變換到晶片卡盤臺7的面向下的表面上，同時，驅(qū)動第二真空泵47，由此，去除附著在晶片卡盤臺7的面向下的表面上的灰塵(S7)。
此后，對齊工作臺5移動到晶片卡盤臺7下方的一位置。晶片卡盤臺垂直地移動，同時，晶片W保持在平面的狀態(tài)。已經(jīng)受過一對齊操作的晶片W被晶片卡盤臺7接納(S8)。已釋放晶片W的對齊工作臺5返回到原始的位置。
另一方面，環(huán)框架運輸機構(gòu)9通過真空抽吸和取出最上面的環(huán)框架，然后，是儲存在小車27內(nèi)的下一個環(huán)框架f，各取出的環(huán)框架在對齊工作臺上(未示出)對齊，然后，運輸?shù)皆谇懈顜T上方的位置，以供應切割帶DT(S9)。
然后，用切割帶粘貼單元11將切割帶DT粘貼到環(huán)框架f(S10)，其后，切割環(huán)框架f上的切割帶DT(S11)。
切去的切割帶DT的不要的部分從環(huán)框架f中分離，并收集在切割帶收集器13上(S12)，切割帶DT已粘貼在其上的環(huán)框架f作準備，而帶有切割帶DT的環(huán)框架f用環(huán)框架提升機構(gòu)14進行提升，致使其接近抽吸-保持在晶片卡盤臺7上的晶片W(S13)。
然后，垂直地上或下移動一安裝滾子(未示出)，然后，從環(huán)框架f的下端開始側(cè)向地移動，以便用插在其間的切割帶DT將環(huán)框架f施加到晶片W上，由此，準備一晶片安裝框架MF(S14)。
其后，由此準備好的晶片安裝框架MF，用晶片安裝框架運輸機構(gòu)16運輸?shù)椒蛛x器臺17上以便在那里被抽吸-保持(S15)。
放置安裝框架MF的分離器臺17移動到帶分離器單元19的下方，而從分離器帶服務器18供應的分離器帶ST被加壓和施加到晶片W上的表面保護帶PT，然后，施加的分離器帶ST連同表面保護帶PT從晶片W的表面上分離(S16)。
其后，表面保護帶PT已從其中分離的晶片安裝框架MF，從帶分離器單元19排出，用晶片安裝框架容納機構(gòu)21，根據(jù)晶片W的定向平的、槽或諸如此類的形狀定位，以調(diào)節(jié)容納的方向，并使用安裝框架運輸機構(gòu)23，容納到晶片安裝框架收集器22的盒C1內(nèi)，以此方式，其后的晶片安裝框架MF一次處理一個(S17)。
盡管在上述的實施例中，對齊工作臺清潔機構(gòu)29構(gòu)造成第一刷鬃毛30接觸晶片抽吸臺38，且晶片抽吸臺38轉(zhuǎn)動，由此，去除灰塵，但也可采納其它的結(jié)構(gòu)，其中，第一刷臂31的長度大于晶片抽吸臺38的直徑，并用一氣缸或諸如此類的部件，在晶片抽吸臺38上作往復運動，其中，沿第一刷臂31的長度方向的一端，在晶片抽吸臺38的附近圍繞一沿垂直方向的軸線樞轉(zhuǎn)，由此，致使第一刷鬃毛30在晶片抽吸臺38的所有表面上作用，從而去除其上的灰塵。
盡管在上述的實施例中，晶片卡盤臺清潔機構(gòu)39構(gòu)造成第二刷鬃毛40接觸晶片卡盤臺7的面向下的表面，且沿水平方向作往復運動，由此，去除其上的灰塵，但也可采納其它的結(jié)構(gòu)，其中，第二刷臂41的一端在晶片卡盤臺7的附近圍繞沿垂直方向的一軸線樞轉(zhuǎn)，由此，致使第二刷鬃毛40在晶片卡盤臺7的所有表面上作用，從而去除其上的灰塵。
盡管在上述的實施例中，除去的灰塵用第一和第二真空泵37和47抽去，但也可采納其它的結(jié)構(gòu)，其中，不使用上述的結(jié)構(gòu)，在清潔時，使用分別設(shè)置在對齊工作臺5和晶片卡盤臺7的晶片抽吸臺38上的真空抽吸機構(gòu)，由第一和第二刷鬃毛30和40去除的灰塵被抽吸掉。
盡管灰塵去除裝置構(gòu)造成第一和第二刷鬃毛30和40來去除灰塵，但也可使用各種類型的結(jié)構(gòu)和方法作為本發(fā)明中的灰塵去除裝置，只要能夠去除灰塵和達到清潔例如，用抽吸除塵，吹氣除塵，粘結(jié)帶或它們的組合等。
可采納一種結(jié)構(gòu)，其中，已提出灰塵收集粘結(jié)帶作為去除灰塵和清潔的裝置在加工的流程中布置在各晶片W的前面和背表面上，由此施加灰塵到粘結(jié)帶上并將其除去。
盡管在上述的實施例中，示出準備晶片安裝框架MF的情形，但本發(fā)明也可應用于所有存在有半導體晶片接觸的一部分以及半導體晶片被處理的情形中。
第二實施例在第二實施例中，采納一種結(jié)構(gòu)，其中，設(shè)置一第一晶片清潔機構(gòu)290代替對齊工作臺清潔機構(gòu)29作為第一實施例的灰塵去除裝置。
因此，具有與第一實施例相同結(jié)構(gòu)的構(gòu)件附有相同的標號，只對與其不同結(jié)構(gòu)的構(gòu)件才給予詳細的描述。
圖7是裝備有根據(jù)本發(fā)明的半導體晶片運輸裝置的一半導體晶片安裝裝置的一實施例的全部結(jié)構(gòu)的局剖的立體圖。
如晶片清潔機構(gòu)290(圖8)的主要部分的側(cè)視圖和俯視平面圖(圖9)所示，作為一灰塵去除裝置的第一晶片清潔機構(gòu)290設(shè)置在對齊工作臺5的附近。
第一晶片清潔機構(gòu)290構(gòu)造成植入有第一刷鬃毛300的第一刷臂310安裝在一轉(zhuǎn)動的支承柱330上，利用一沿正向或反向轉(zhuǎn)動的電動機32，支承柱330圍繞沿垂直方向延伸的軸線轉(zhuǎn)動。
第一刷臂310還構(gòu)造成在遠離對齊工作臺5的轉(zhuǎn)動中心的工作位置和臂310不重疊對齊工作臺5的一位置之間移動。
此外，第一通風路徑340形成在第一刷臂310上，而且，第一通風路徑340在第一刷臂310的下表面上敞開，而第一真空泵370通過一第一抽吸管360與第一刷臂310的樞轉(zhuǎn)中心側(cè)上的第一通風路徑340連通地連接，在第一抽吸管360內(nèi)，串聯(lián)地插入一第一過濾器350。
采用上述的結(jié)構(gòu)，第一刷鬃毛300變換到一位置，其中，第一刷鬃毛300作為在對齊工作臺5上的一接觸部分，在放置-保持和抽吸-保持在晶片抽吸臺380上的晶片W的晶片前表面?zhèn)壬瞎ぷ?，在此狀態(tài)下，晶片抽吸臺380轉(zhuǎn)動，由此，能去除附著在粘貼在晶片W的晶片前表面?zhèn)壬系谋砻姹Ｗo帶PT上的灰塵，并被抽吸掉。
如圖10的主要部分的側(cè)視圖和圖11的主要部分的仰視平面圖所示，一第二晶片清潔機構(gòu)390作為一灰塵去除裝置設(shè)置在晶片卡盤臺7的附近。
第二晶片清潔機構(gòu)390是這樣一機構(gòu)，其中，第二刷鬃毛400植入在其上以便向上延伸的一第二刷臂410附著在一氣缸桿430上，利用一氣缸420該桿能沿水平方向前后地移動。
第二刷臂410構(gòu)造成可前后地移動到一位置，該位置遠離俯視平面圖中的晶片卡盤臺7的最遠端。
此外，第二通風路徑440形成在第二刷臂410內(nèi)，第二通風路徑440在第二刷臂410的上表面上敞開，而第二真空泵470通過一第二抽吸管460沿長度的方向與第二刷臂410的中點處的第二通風路徑440連通地連接，在第二抽吸管460內(nèi)，串聯(lián)地插入一第二過濾器450。
采用上述的結(jié)構(gòu)，第二刷鬃毛400變換，同時，致使在已經(jīng)運輸?shù)骄ūP臺7上的一晶片W的背表面上工作，在此狀態(tài)下，能去除附著在晶片W的背表面上的灰塵，并被抽吸掉。
然后，將參照圖12的流程圖來描述上述半導體晶片運輸裝置的運輸操作。
首先，機械臂2不僅樞轉(zhuǎn)，而且伸展或收縮和上下地移動，由此，從晶片供應工位1的盒C中取出一晶片W，同時，被抽吸-保持(S1)。機械臂2不僅樞轉(zhuǎn)，而且伸展或收縮和上下地移動，由此，將一個晶片W運輸?shù)綄R工作臺5上方，并將晶片W放置在其上(S2)，而加壓板2通過晶片加壓機構(gòu)4伸展或收縮和上下地移動，以加壓和糾平一晶片W，在此狀態(tài)下，一晶片W被抽吸-保持(S3)。
然后，第一刷鬃毛300被推壓在粘貼在晶片W的表面保護帶PT表面上，而晶片W已抽吸-保持在對齊工作臺5的晶片抽吸臺380上，在此情況下，晶片抽吸臺380轉(zhuǎn)動，同時，驅(qū)動第一真空泵370，由此去除附連在表面保護帶PT上的灰塵(S4)。
在保持的狀態(tài)中，晶片抽吸臺380轉(zhuǎn)動，由此，根據(jù)檢測到的定向平的、一槽的或諸如此類形狀對齊晶片W(S5)。
其后，當粘貼到晶片W上的表面保護帶PT是紫外線固化型的時，用對齊工作臺5上的紫外線照明單元6的紫外線照射表面保護帶PT(S6)。
然后，對齊工作臺5移動到對齊工作臺5的晶片卡盤臺7的下面，晶片卡盤臺7垂直地移動，同時，將晶片W保持在一平面的狀態(tài)，以傳輸已對齊在晶片卡盤臺7上的晶片W(S7)。其后，已傳輸晶片W的對齊工作臺5返回到初始位置。
其后，第二刷鬃毛400朝向抽吸-保持在晶片卡盤臺7上的晶片W的背表面移動，同時，驅(qū)動第二真空泵470，由此，去除附著在晶片背表面上的灰塵(S8)。
另一方面，環(huán)框架運輸機構(gòu)9通過真空抽吸和取出最上面的環(huán)框架，然后，是儲存在小車27內(nèi)的下一個環(huán)框架f，各取出的環(huán)框架f在對齊工作臺上(未示出)對齊，然后，運輸?shù)皆谇懈顜T上方的位置，以供應切割帶DT(S9)。
然后，用切割帶粘貼單元11將切割帶DT粘貼到環(huán)框架f(S10)，其后，切割環(huán)框架f上的切割帶DT(S11)。
切去的切割帶DT的不要的部分從環(huán)框架f中分離，并收集在切割帶收集器13上(S12)，切割帶DT已粘貼在其上的環(huán)框架f作準備，而帶有切割帶DT的環(huán)框架f用環(huán)框架提升機構(gòu)14進行提升，致使其接近抽吸-保持在晶片卡盤臺7上的晶片W(S13)。
一安裝滾子(未示出)上或下地移動，并致使從環(huán)框架f的下端開始遷移，由此，將粘貼在環(huán)框架f上的切割帶DT施加到晶片W上，由此，準備一晶片安裝框架MF(S14)。
其后，準備好的晶片安裝框架MF，用晶片安裝框架運輸機構(gòu)16運輸?shù)椒蛛x器臺17上并抽吸-保持在那里(S15)。
放置安裝框架MF的分離器臺17移動到帶分離器單元19的下方，而從分離器帶服務器18供應的分離器帶ST被加壓和施加到晶片W的表面上的表面保護帶PT，然后，施加的分離器帶ST連同表面保護帶PT從晶片W的表面上分離(S16)。
其后，表面保護帶PT已從其中分離的晶片安裝框架MF，從帶分離器單元19排出，用晶片安裝框架容納機構(gòu)21，根據(jù)晶片W的定向平的、槽或諸如此類的形狀進行對齊，由此，調(diào)節(jié)容納的方向，并使用晶片安裝框架運輸機構(gòu)23，容納到晶片安裝框架收集器22的盒C1內(nèi)，以此方式，一次處理一個(S17)。
圖13是一側(cè)視圖，示出第一晶片清潔機構(gòu)290的一修改的實施例，以及一不同于上述實施例的結(jié)構(gòu)，其示于如下。
即，一電動機320支承在一垂直移動臺510上，該垂直移動臺510還支承成通過一對第一垂直運動的氣缸520而作垂直地移動。第一垂直運動氣缸520設(shè)定成當氣缸處于向上行程的末端時，氣缸使第一刷鬃毛300到達一位置(見圖8)，那里，第一刷鬃毛300作用在晶片W上的表面保護帶PT上，另一方面，當氣缸處于向下行程的末端時，氣缸使第一刷鬃毛300到達一位置，那里，第一刷鬃毛300作用在對齊工作臺5的表面上。結(jié)構(gòu)的其它構(gòu)件與上述實施例的相同，因此，相同的標號附在相同的構(gòu)件上，不再給出對其的描述。
圖14是一側(cè)視圖，示出第二晶片清潔機構(gòu)390的一修改的實施例，以及一不同于上述實施例的結(jié)構(gòu)，其示于如下。
即，一氣缸420支承成通過一對第二垂直運動的氣缸530而作垂直地移動。第二垂直運動氣缸530設(shè)定成當氣缸處于向上行程的末端時，氣缸使第二刷鬃毛400到達一位置，那里，第二刷鬃毛400作用在晶片卡盤臺7的面向下的表面上(見圖10)，另一方面，當氣缸處于向下行程的末端時，氣缸使第二刷鬃毛400到達一位置，那里，第二刷鬃毛400作用在晶片W的背表面上。結(jié)構(gòu)的其它構(gòu)件與上述實施例的相同，因此，相同的標號附在相同的構(gòu)件上，不再給出對其的描述。
然后，將使用圖15的流程圖來描述采納修改的實施例的半導體晶片運輸裝置的運輸操作。
在圖12所示的上述實施例的操作中，在步驟S1取出晶片W之后，在晶片W運輸?shù)綄R工作臺5之前，第一刷鬃毛300壓到對齊工作臺5的晶片抽吸臺380上(見圖13)，在此狀態(tài)下，晶片抽吸臺380轉(zhuǎn)動，同時，驅(qū)動第一真空泵370，由此，去除附著在晶片抽吸臺380上的灰塵(N1)。
其后，從步驟S2到步驟S3，以與上述實施例相同的方式進行操作，在步驟S4中，第一垂直運動氣缸520朝向向上行程末端操作，以將第一刷鬃毛300壓到晶片W表面上的表面保護帶PT，所述晶片W放置-保持和抽吸-保持在對齊工作臺5的晶片抽吸臺380上(見圖8)，在此狀態(tài)下，晶片抽吸臺380轉(zhuǎn)動，同時，驅(qū)動第一真空泵370，由此，去除附著在表面保護帶PT上的灰塵。
此外，從步驟S5到步驟S6，以與上述實施例相同的方式進行操作，在步驟S6中的紫外線照射后，第二刷鬃毛400移動，并沿晶片卡盤臺7的面向下的表面，同時，驅(qū)動第二真空泵470，由此，去除附著在面向下的表面上的灰塵(N2)。
其后，在步驟S7中晶片W傳輸?shù)骄ūP臺7之后，第二垂直運動氣缸530朝向下行程末端操作，以移動第二刷鬃毛400，并沿抽吸-保持在晶片卡盤臺7上的晶片W的背表面，同時，驅(qū)動第二真空泵470，由此，去除附著在背表面上的灰塵(S8)。
從步驟S9到步驟S17的操作與上述實施例相同，不再給出對其的描述。
根據(jù)上述修改的實施例中的運輸操作，在與晶片W接觸之前，去除附著在與晶片W接觸的對齊工作臺5的晶片抽吸臺380的晶片放置表面上的灰塵，以及附著在晶片卡盤臺7的面向下的表面上的灰塵，導致有這樣的優(yōu)點它可防止產(chǎn)量因附著在晶片W上的灰塵而大大地下降。
在上述修改的實施例中，去除附著在晶片W表面上的灰塵的第一刷鬃毛520用作第二應用，用來去除附著在對齊工作臺5的晶片抽吸臺380的晶片放置表面上的灰塵，除了第一刷鬃毛520之外，不同的特殊的刷鬃毛也可用作一單一的應用。
在上述修改的實施例中，去除附著在晶片W背表面上的灰塵的第二刷鬃毛530用作第二應用，用來去除附著在晶片卡盤臺7的面向下的表面上的灰塵，除了第二刷鬃毛530之外，不同的特殊的刷鬃毛也可用作一單一的應用。
在上述實施例中，第一晶片清潔機構(gòu)290使第一刷鬃毛300與抽吸-保持在晶片抽吸臺380上的晶片W的一表面接觸，通過轉(zhuǎn)動晶片抽吸臺380去除灰塵，而也可采納其它的結(jié)構(gòu)，其中，第一刷臂310長于晶片抽吸臺380的直徑，而第一刷臂310隨氣缸或諸如此類的部件作往復運動，其中，第一刷臂310的長度方向的一端位子晶片抽吸臺380的附近，該晶片抽吸臺380圍繞一沿垂直方向的軸線樞轉(zhuǎn)，通過這兩種方式，致使第一刷鬃毛300作用在抽吸-保持在晶片抽吸臺380上的晶片W的所有表面，并去除掉灰塵。
在上述實施例中，第二晶片清潔機構(gòu)390使第二刷鬃毛400與抽吸-保持在晶片卡盤臺7上的晶片W的背表面接觸，在此狀態(tài)中，第二刷鬃毛400沿水平方向作往復運動，由此，去除灰塵，而也可采納其它的結(jié)構(gòu)，其中，第二刷臂410的一端位于晶片卡盤臺7的附近，并圍繞一沿垂直方向的軸線樞轉(zhuǎn)，由此，致使第二刷鬃毛400作用在抽吸-保持在晶片卡盤臺7上的晶片W的所有背表面，并去除掉灰塵。
在上述的實施例中，除去灰塵用第一和第二真空泵370和470抽去，但也可采納其它的結(jié)構(gòu)，其中，在清潔、抽吸機構(gòu)中，真空抽吸或諸如此類的方法的使用，分別設(shè)置在對齊工作臺5和晶片卡盤臺7的晶片抽吸臺380的周緣處，由此，抽吸走由第一和第二刷鬃毛300和400的去除的灰塵。
在上述的實施例中，用第一和第二刷鬃毛300和400除去灰塵，但也可采納其它的結(jié)構(gòu)，其中，作為除塵裝置，可應用各種結(jié)構(gòu)和方法，只要可實現(xiàn)除塵和清潔，例如，抽吸除塵、吹氣除塵、粘結(jié)片除塵，或它們的組合等。
在上述的實施例中，示出準備晶片安裝框架MF的情形，但本發(fā)明可應用于存在有與半導體晶片接觸的一部分的所有的情形，在此狀態(tài)下，半導體晶片進行處理。
在不脫離本發(fā)明的精神或主要特征的前提下，本發(fā)明可實施為其它的特殊的形式，因此，應參照附后的權(quán)利要求書中，而不是參照上述的說明書來指明本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一半導體晶片運輸方法，其運輸一半導體晶片以進行各種類型的處理步驟，該方法包括下列步驟在一部分與半導體晶片接觸之前，去除附著在該部分上的灰塵，通過保持該半導體晶片，該半導體晶片與該部分接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的半導體晶片運輸方法，其特征在于，接觸部分是半導體的背表面?zhèn)扰c其接觸的一部分。
3.如權(quán)利要求1所述的半導體晶片運輸方法，其特征在于，接觸部分是半導體的前表面?zhèn)扰c其接觸的一部分。
4.一半導體晶片運輸方法，其運輸一半導體晶片以進行各種類型的處理步驟，該方法包括下列步驟在半導體晶片處于保持的狀態(tài)下，去除附著在半導體晶片上的灰塵。
5.如權(quán)利要求4所述的半導體晶片運輸方法，其特征在于，去除附著在半導體晶片的背表面?zhèn)鹊幕覊m。
6.如權(quán)利要求4所述的半導體晶片運輸方法，其特征在于，去除附著在半導體晶片的前表面?zhèn)鹊幕覊m。
7.如權(quán)利要求6所述的半導體晶片運輸方法，其特征在于，去除附著在粘貼到半導體晶片的一表面上的粘結(jié)帶的前表面?zhèn)壬系幕覊m。
8.一半導體晶片運輸裝置，其裝備有晶片保持裝置，在半導體晶片的運輸中，它用來放置-保持或/和抽吸-保持一半導體晶片，該裝置包括設(shè)置在晶片保持裝置上的去塵裝置，用來去除附著在半導體晶片將與其接觸的一部分上的灰塵。
9.如權(quán)利要求8所述的半導體晶片運輸裝置，其特征在于，晶片保持裝置是一對齊工作臺，半導體晶片不僅放置在臺上，而且被抽吸—保持和對齊，以及灰塵去除裝置去除附著在對齊工作臺的晶片放置表面上的灰塵。
10.如權(quán)利要求8所述的半導體晶片運輸裝置，其特征在于，灰塵去除裝置是一具有刷鬃毛的臂，鬃毛植入在其與晶片保持裝置相對的表面上，以及臂在對齊工作臺的晶片放置表面上作往復運動。
11.如權(quán)利要求8所述的半導體晶片運輸裝置，其特征在于，除塵裝置是一具有刷鬃毛的臂，所述鬃毛植入在與晶片保持裝置相對的表面上，以及該臂位于對齊工作臺的附近，以使其一端可圍繞沿垂直方向的一軸線樞轉(zhuǎn)。
12.如權(quán)利要求9所述的半導體晶片運輸裝置，其特征在于，對齊工作臺的晶片抽吸臺轉(zhuǎn)動。
13.如權(quán)利要求8所述的半導體晶片運輸裝置，其特征在于，晶片保持裝置是抽吸-保持一半導體晶片的晶片卡盤臺，以及除塵裝置去除附著在晶片卡盤臺的晶片抽吸表面上的灰塵。
14.一半導體晶片運輸裝置，其裝備有晶片保持裝置，在半導體晶片的運輸中，它用來放置-保持或/和抽吸-保持一半導體晶片，該裝置包括去塵裝置，其去除附著在保持在晶片保持裝置中的半導體晶片上的灰塵，或去除附著在粘貼到半導體晶片的表面保護粘結(jié)帶上的灰塵。
15.如權(quán)利要求14所述的半導體晶片運輸裝置，其特征在于，晶片保持裝置是一對齊工作臺，其不僅放置而且抽吸-保持半導體晶片，并對齊其上的晶片，以及去塵裝置去除附著在保持在對齊工作臺上的半導體晶片上的灰塵。
16.如權(quán)利要求14所述的半導體晶片運輸裝置，其特征在于，灰塵去除裝置是一具有刷鬃毛的臂，鬃毛植入在其與晶片保持裝置相對的表面上，以及該臂在對齊工作臺的晶片放置表面上作往復運動。
17.如權(quán)利要求14所述的半導體晶片運輸裝置，其特征在于，灰塵去除裝置是一具有刷鬃毛的臂，鬃毛植入在其與晶片保持裝置相對的表面上，以及該臂位于對齊工作臺的附近，以使其一端可圍繞沿垂直方向的一軸線樞轉(zhuǎn)。
18.如權(quán)利要求15所述的半導體晶片運輸裝置，其特征在于，對齊工作臺的晶片抽吸臺轉(zhuǎn)動。
19.如權(quán)利要求14所述的半導體晶片運輸裝置，其特征在于，晶片保持裝置是抽吸-保持半導體晶片的一晶片卡盤臺，以及除塵裝置去除附著在抽吸-保持在晶片卡盤臺上的半導體晶片的背表面上的灰塵。
全文摘要
半導體晶片運輸?shù)綄R工作臺上之前，對齊工作臺的清潔機構(gòu)的第一刷鬃毛壓在對齊工作臺的晶片抽吸臺上，在此狀態(tài)下，晶片抽吸臺轉(zhuǎn)動，以此，去除附著在晶片抽吸臺上的灰塵。此外，晶片卡盤臺的清潔機構(gòu)的第二刷鬃毛在晶片卡盤臺的面向下表面上并沿該表面移動，由此，去除附著在晶片卡盤臺的面向下的表面上的灰塵。
文檔編號H01L21/00GK1576203SQ20041006365
公開日2005年2月9日 申請日期2004年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月11日
發(fā)明者山本雅之 申請人:日東電工株式會社