專利名稱:隔離溝槽的結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體組件,且特別有關(guān)于一種以含氮內(nèi)襯層來(lái)改善隔離結(jié)構(gòu)的方法。
背景技術(shù):
對(duì)于集成電路,尤其是線寬0.25微米以下的集成電路,對(duì)作為與有源區(qū)隔絕的隔離技術(shù)而言,一般皆使用淺溝槽隔離(STI)制程。一現(xiàn)有的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)如圖1所示,其中一晶片100含有一基底110,其上有一隔離溝槽112形成于該基底110,該基底110一般是一硅基底。該隔離溝槽112一般是填入一介電材料,例如一氧化硅或其它氧化物,而將相鄰的二個(gè)有源區(qū)116隔離之。
在形成隔離溝槽的過(guò)程中,隔離溝槽的側(cè)壁114是可能因后續(xù)的制程步驟而發(fā)生氧化(oxidation),其結(jié)果造成隔離溝槽硅基底的體積膨脹,因而引發(fā)相鄰的二個(gè)有源區(qū)116上產(chǎn)生壓縮應(yīng)力(compressive stress)。造成壓縮應(yīng)力的原因?yàn)樵谝痪窒薜目臻g內(nèi)產(chǎn)生了體積膨脹。
為解決上述問(wèn)題,許多于溝槽隔離結(jié)構(gòu)中形成氮化物內(nèi)襯層的方法已被提出。一般而言,這些方法是利用一氮化物內(nèi)襯層以阻止或降低溝槽因后續(xù)充填介電材料,產(chǎn)生氧化并引發(fā)應(yīng)力。例如美國(guó)專利號(hào)5447884 Fahey et al已描述了一淺隔離溝槽使用一薄氮化物內(nèi)襯層;美國(guó)專利號(hào)6461937 Kim et al亦描述了形成一氮化硅層于溝槽隔離結(jié)構(gòu)以解除應(yīng)力;美國(guó)專利號(hào)6251746Hong et al敘述了于溝槽隔離區(qū)形成消除應(yīng)力的氮化層;以及美國(guó)專利號(hào)6461937,6251746敘述了沉積氮化層于一典型的升溫加熱所形成的氧化硅層上。
當(dāng)?shù)飪?nèi)襯層阻止了后續(xù)溝槽側(cè)壁的氧化,其結(jié)果是降低了壓縮應(yīng)力。然而,一般形成的氮化物內(nèi)襯層帶有內(nèi)應(yīng)力;而且,由于此內(nèi)應(yīng)力而導(dǎo)致有源區(qū)于脆弱處形成缺陷(defects)甚或裂縫(cracks),該脆弱處例如隔離溝槽頂部的一尖角處(sharp corners)。
此外,形成一氧化物內(nèi)襯層于氮化物內(nèi)襯層下面,以降低氮化物內(nèi)襯層對(duì)于有源區(qū)的影響的諸多方法亦被提出,但使用了上述的氧化物內(nèi)襯層卻會(huì)有引發(fā)高熱預(yù)算(thermal budget)的問(wèn)題。
因此,業(yè)者需要一種隔離溝槽的改良方法,來(lái)阻止或降低此隔離溝槽側(cè)壁的氧化效應(yīng)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于解決隔離溝槽的側(cè)壁因后續(xù)的制程步驟而發(fā)生氧化(oxidation),造成隔離溝槽硅基底的體積膨脹,引發(fā)相鄰的二個(gè)有源區(qū)產(chǎn)生壓縮應(yīng)力(compressive stress)的問(wèn)題。
本發(fā)明的另一目的在于解決因現(xiàn)有的氮化物內(nèi)襯層本身帶有內(nèi)應(yīng)力,而導(dǎo)致有源區(qū)易于脆弱處形成缺陷(defects)甚或裂縫(cracks)的問(wèn)題。
為達(dá)上述目的,本發(fā)明提供一含氮內(nèi)襯層的隔離溝槽結(jié)構(gòu),藉由一含氮內(nèi)襯層及一介電材料填入該溝槽,以使該含氮內(nèi)襯層以接觸或近接(closeproximity)的方式于該鄰接隔離溝槽的有源區(qū)上形成,輔以在隔離溝槽頂部及底部處提供一圓角(round corner)以解決隔離溝槽的尖角處(sharpcorners)由于應(yīng)力而形成一脆弱點(diǎn)。
本發(fā)明亦提供一種隔離溝槽的制法,包括下列步驟提供一基底包含有一溝槽,形成一含氮內(nèi)襯層填入該含溝槽的基底,并形成一溝槽填充材料于該含氮內(nèi)襯層上,且填滿該溝槽。去除溝槽及周?chē)酝獾暮獌?nèi)襯層。去除溝槽及周?chē)酝獾臏喜厶畛洳牧稀W詈?,于鄰接隔離溝槽的有源區(qū)上形成一晶體管。
本發(fā)明更提供另一種隔離溝槽的制法,包括下列步驟應(yīng)用一掩膜層以形成溝槽于基底中。形成一含氮內(nèi)襯層填入該含溝槽的基底,并形成一溝槽填充材料于該含氮內(nèi)襯層上,且填滿該溝槽。去除溝槽以外的含氮內(nèi)襯層及溝槽填充材料,且露出基底上表面。最后,于鄰接隔離溝槽的有源區(qū)上形成一晶體管。
圖1為一現(xiàn)有的隔離溝槽剖面圖。
圖2a~圖2m為用于本發(fā)明的第一實(shí)施例中,形成隔離溝槽制程的一系列剖面圖。
圖3a~圖3g為用于本發(fā)明的第二實(shí)施例中,形成隔離溝槽制程的一系列剖面圖。
圖4a~圖4d為用于本發(fā)明的第三實(shí)施例中,形成隔離溝槽制程的一系列剖面圖。
符號(hào)說(shuō)明晶片~100、200、300、400;基底~110、210、310、410;隔離溝渠~112;隔離溝渠的側(cè)壁~114;有源區(qū)~116;硬掩膜層~212層;掩膜層~312層;氧化層~214;二氧化硅層~414;氮化層~216;掩膜圖案~218;暴露的基底表面~219;隔離溝渠~220、314、412;含氮內(nèi)襯層~222、316、416;溝渠填充材料~224、318、418;柵極電極~226、320、420;柵極介電層~228、322、422;源極~230、324、424;漏極~232、326、426;圓角徑度~R;內(nèi)層介電層(ILD)~234、328、428;金屬聯(lián)機(jī)~236、330、430。
具體實(shí)施例方式
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉出較佳實(shí)施例,并配合所附圖式,作詳細(xì)說(shuō)明如下第一實(shí)施例首先,請(qǐng)參閱圖2a,提供一晶片200具有一基底210,其上形成一硬掩膜212。該基底210可以是一硅或玻璃基底,較佳為硅基底。
該硬掩膜212較佳形成方式,由下而上是由一氧化層214及一氮化層216所組成。該氧化層214較佳為例如一二氧化硅層(SiO2)以例如氧化加熱法(thermal oxidation)或化學(xué)氣相沉積法(CVD)形成,該CVD法是藉由一四乙氧基硅烷(TEOS)及O2當(dāng)先驅(qū)物質(zhì)(precursor)以進(jìn)行沉積。而沉積于該氧化層214上的氮化層216較佳為一氮化硅層(Si3N4),該氮化硅層(Si3N4)是以例如化學(xué)氣相沉積法(CVD),利用硅烷(silane)及氨氣當(dāng)作先驅(qū)物質(zhì)以進(jìn)行沉積,沉積溫度介于約550℃至900℃之間。一圖案掩膜218,例如一光阻層掩膜,是以微影的方式形成于該硬掩膜212層上,用以定義欲去除的硬掩膜部分。
接下來(lái),請(qǐng)參閱圖2b,以該光阻層圖案為掩膜,將未覆蓋光阻層的硬掩膜212層部分蝕刻去除,而形成一暴露的基底表面219,以備后續(xù)的隔離溝槽制程。該蝕刻制程較佳為例如一非等向性干蝕刻,亦可以是一濕式等向性蝕刻制程。之后再將該圖案掩膜218去除。
請(qǐng)參閱圖2c,以硬掩膜212層作為一蝕刻掩膜,蝕刻該基底210以形成一溝槽,該溝槽的較佳深度約介于2000至6000埃之間,但其深度不在此限,可依不同的應(yīng)用而變換深淺度。
之后,請(qǐng)參閱圖2d,以一回縮制程(pull back)將一部分硬掩膜層212,包含氮化硅層(Si3N4)以及二氧化硅層(SiO2)蝕刻去除,而形成硬掩膜212層由隔離溝槽220邊緣往后縮(retreat)些,該后縮量較佳為介于約10至50nm之間,但其后縮量不在此限,可依不同集成電路的設(shè)計(jì)而增減。此回縮制程(pullback)可例如為一濕式等向性蝕刻制程,于介于約100℃至180℃之間的溫度,30至2000秒之間的蝕刻時(shí)間以熱磷酸將氮化層216(Si3N4)蝕刻去除;之后再以另一種等向性濕蝕刻法,以例如稀釋的氫氟酸于約介于10℃至40℃之間,約2至200秒間的蝕刻時(shí)間將氧化層214(SiO2)蝕刻去除。上述該回縮制程(pull back)亦可變換為先以非等向性干蝕刻方式進(jìn)行,例如藉以一氟化學(xué)氣體來(lái)蝕刻氮化層216,接著以一等向性濕蝕刻法,例如以稀釋的氫氟酸于約10℃至40℃之間,約2至200秒間的蝕刻時(shí)間將氧化層214(SiO2)蝕刻去除。
后續(xù),請(qǐng)參閱圖2e,將該隔離溝槽施行一圓角化制程(corner roundingprocess),較佳為一退火制程,其溫度約介于700℃至1000℃之間,以促使溝槽尖角處的硅原子產(chǎn)生遷移(silicon atom migration)。該退火制程可藉由置于一例如含氫、氮、氦、氖、氬、氙,及其組合氣體所組成的族群的環(huán)境下,以約1至1000Torr之間的壓力施行;該退火環(huán)境較佳為一含氫,于約1至1000Torr間的壓力以及約700至950℃間的退火溫度。一般而言,一高溫低壓的環(huán)境較可促使硅原子產(chǎn)生遷移而形成圓角(round corners)。俟圓角化制程一完成,圓角徑度(如圖2e示的“R”)較佳為介于約5至50nm之間。
接著,請(qǐng)參閱圖2f,于隔離溝槽220及硬掩膜212層上形成一含氮內(nèi)襯層222(nitrogen-containing liner),較佳的形成方式為例如一熟知的化學(xué)氣相沉積法(CVD)技藝。該含氮內(nèi)襯層222例如為一氮化硅層、一氮氧化硅層(SiOxNy)或一氮摻雜(nitrogen-doped)的氧化硅材料,該含氮內(nèi)襯層的氮原子百分比約為百分之5至百分之60間。
請(qǐng)參閱圖2g,該含氮內(nèi)襯層222的厚度(TN)較佳為介于約0.5至20nm之間,但并不在此限,其厚度可依照制程所需變薄或加厚。該含氮內(nèi)襯層222較佳為含約-1至+2GPa間的內(nèi)應(yīng)力(intrinsic stress),其中負(fù)值表示一壓縮應(yīng)力(compressive stress),正值表示一伸張應(yīng)力(tensile stress)。含氮內(nèi)襯層222較佳為一具高伸張應(yīng)力的順應(yīng)性沉積氮化層。
依照本實(shí)施例,該含氮內(nèi)襯層222的內(nèi)應(yīng)力對(duì)于有源區(qū)的硅晶格(siliconlattice)的影響是可藉由一含氮內(nèi)襯層222直接接觸該溝槽側(cè)壁而更加擴(kuò)大。該含氮內(nèi)襯層222并可避免溝槽側(cè)壁于后續(xù)制程步驟的氧化。如上所述,因?yàn)樵摵獌?nèi)襯層222為一具高伸張應(yīng)力的順應(yīng)性沉積氮化層,其施加了一顯著的反向應(yīng)力于該有源區(qū)的硅晶格上,而壓制了因氧化而造成隔離溝槽硅基底的體積膨脹,引發(fā)相鄰的二個(gè)有源區(qū)產(chǎn)生壓縮應(yīng)力的問(wèn)題。此外,利用本實(shí)施例,亦避免了脆弱區(qū)的發(fā)生而不會(huì)產(chǎn)生潛在性例如裂隙或差排(dislocation)等缺陷。尖角處即是脆弱區(qū)的一例,其中應(yīng)力會(huì)集中在該脆弱區(qū)而使該處產(chǎn)生缺陷。因此,較佳的方式為先形成圓角處于該溝槽的上部及底部,然后再形成含氮內(nèi)襯層222。
后續(xù),請(qǐng)參閱圖2h,沉積一溝槽填充材料224填入該溝槽,該溝槽填充材料224為一介電材料,較佳為例如一氧化硅。該溝槽填充材料亦可以是一溝槽填充組合材料,例如以CVD法沉積的氧化硅及以CVD法沉積的多晶硅的組合材料。沉積之后,該溝槽填充材料可以藉由一于約800℃的氫氧燃燒氧化熱退火(pyrogenic oxidation anneal)方式或現(xiàn)有的1000℃熱退火制程以使該溝槽填充材料更致密化。
之后,施行一平坦化步驟于該溝槽填充材料表面,以使該溝槽填充材料的表面平坦之。該平坦化步驟例如是一現(xiàn)有的化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)制程,該溝槽填充材料可因研磨而停留在含氮內(nèi)襯層222或氮化硅層216的表面。
接下來(lái),請(qǐng)參閱圖2i,以一蝕刻制程將氮化硅層216上的含氮內(nèi)襯層222及氮化硅層216去除,該蝕刻法例如先以一熱磷酸,之后再以一稀釋氫氟酸的等向性濕式蝕刻法。
之后,于圖2j及圖2k所示,再以一蝕刻制程將二氧化硅層214去除,該去除二氧化硅層214的方式較佳為以稀釋的氫氟酸等向性濕式蝕刻法。
請(qǐng)參閱圖2l,于有源區(qū)上形成一晶體管。該晶體管包含一柵極電極226,一柵極介電層228,一源極230及一漏極232。當(dāng)完成該晶體管后,沉積一內(nèi)層介電層(ILD)234于該晶體管上。該有一平坦表面的內(nèi)層介電層(ILD)234是包括一氧化硅層,以例如CVD法沉積形成。之后,形成一金屬聯(lián)機(jī)236于該平坦的內(nèi)層介電層(ILD)234上。該金屬聯(lián)機(jī)236包含高導(dǎo)電金屬例如鋁、銅及鎢。
之后,通常形成一接觸插塞(contact plug)(未顯示),是至少與一源極230、漏極232與柵極電極226與金屬聯(lián)機(jī)236之間連接。例如可藉由沉積鎢金屬層并經(jīng)回蝕(etch back)或化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)制程以形成一鎢金屬接觸插塞。
第二實(shí)施例首先,請(qǐng)參閱圖3a,提供一晶片300具有一基底310,其上形成一掩膜312圖案。該基底310例如是一硅或玻璃基底,但較佳為一硅基底。該掩膜312可包括一般的掩膜材料,例如二氧化硅,氮化硅,一氮化硅于一二氧化硅上的迭層、或光阻層,較佳為一光阻層。
接著,請(qǐng)參閱圖3b,蝕刻該硅基底以形成一溝槽314,較佳為例如一非等向性干蝕刻方式,較佳的溝槽蝕刻深度約2000至6000埃。
后續(xù),請(qǐng)參閱圖3c,將該掩膜312去除以暴露出該有源區(qū)。去除該掩膜312可例如先以一熱磷酸,之后再以一稀釋氫氟酸的等向性濕式蝕刻法施行。
然后,請(qǐng)參閱圖3d,如前述第一實(shí)施例所述(請(qǐng)參閱圖2e),將該隔離溝槽上部及底部的尖角施行一圓角化制程(corner rounding process)。
接著,于圖3e中,將一含氮內(nèi)襯層316及一溝槽填充材料318先后填入該溝槽。該含氮內(nèi)襯層316例如是一氮化硅層、一氮氧化硅層(Si3N4)或一氮摻雜(nitrogen-doped)的氧化硅材料,該含氮內(nèi)襯層的氮原子百分比較佳約介于百分之5至百分之60之間。形成方式為例如一化學(xué)氣相沉積法(CVD)法、熱氧化法(thermal oxidation)加上氮化(nitridation)法、或一氮化法。氮化法是藉由將溝槽暴露于一含氮的環(huán)境中,例如一含氮電漿(nitrogen-containing plasma)以引進(jìn)氮原子而進(jìn)行氮化制程。
請(qǐng)參閱圖3f,藉由一高選擇比的平坦化制程,一部分的溝槽填充材料318被去除而停留在有源區(qū)上的含氮內(nèi)襯層表面。該高選擇比的平坦化制程例如一CMP制程,其藉由一包括氧化鈰(CeO2)的研磨漿(slurry)以施行研磨。之后,該有源區(qū)上的含氮內(nèi)襯層藉由一蝕刻制程而去除,該蝕刻制程例如為一含氟酸溶液的等向性濕蝕刻制程,或?yàn)橐划a(chǎn)生電漿蝕刻的非等向性干蝕刻制程。
后續(xù),請(qǐng)參閱圖3g,于有源區(qū)上形成一晶體管。該晶體管包含一柵極電極320,一柵極介電層322,一源極324及一漏極326。當(dāng)完成該晶體管后,沉積一內(nèi)層介電層(ILD)328于該晶體管上。該有一平坦表面的內(nèi)層介電層(ILD)328是包括一氧化硅層,以例如CVD法沉積形成。之后,形成一金屬聯(lián)機(jī)330于該平坦的內(nèi)層介電層(ILD)328上。該金屬聯(lián)機(jī)330包含高導(dǎo)電金屬例如鋁、銅及鎢。
第三實(shí)施例首先,請(qǐng)參閱圖4a,提供一晶片400具有一基底410,其中形成一溝槽412。該形成溝槽的制程請(qǐng)參考如圖3a至圖3c所示。該基底410例如是一硅或玻璃基底,但較佳為一硅基底。此外,該溝槽412邊角(corner)較佳是一圓角,例如圖3d所示,或亦可為一非圓角,即使初始的材料即為圓角,最好之后仍進(jìn)一步圓角化。之后,依序沉積一二氧化硅內(nèi)襯層414、一含氮內(nèi)襯層416及一溝渠填充材料418于該溝槽410上。形成一二氧化物內(nèi)襯層414于氮化物內(nèi)襯層416下面,其用意在于降低氮化物內(nèi)襯層的內(nèi)應(yīng)力對(duì)于有源區(qū)的影響。形成該二氧化硅內(nèi)襯層414可藉由例如一濕式或干式氧化法于約500℃至1000℃間的溫度范圍。之后,形成一含氮內(nèi)襯層416于該二氧化硅內(nèi)襯層414上,可藉由例如一CVD法或氮化法(nitridation)。當(dāng)施行氮化法時(shí),氮?dú)鈱?huì)被引入下面的氧化硅層。之后,再沉積溝槽填充材料418。
接著,請(qǐng)參閱圖4b,施行一高選擇比的平坦化制程以去除一部分的含氮內(nèi)襯層416及溝槽填充材料418,而停留在該有源區(qū)上的含氮內(nèi)襯層416上。該高選擇比的平坦化制程例如一CMP制程,其藉由一包括氧化鈰(CeO2)的研磨漿(slurry)以施行研磨。之后,該有源區(qū)上的含氮內(nèi)襯層藉由一蝕刻制程而去除,該蝕刻制程例如為一含氟酸溶液的等向性濕蝕刻制程,或?yàn)橐浑姖{蝕刻的非等向性干蝕刻制程。
后續(xù),請(qǐng)參閱圖4c,部分覆蓋住有源區(qū)上的二氧化硅內(nèi)襯層414是藉由一蝕刻制程予以去除,例如一稀釋的氫氟酸等向性濕式蝕刻法。
然后,請(qǐng)參閱圖4d,于有源區(qū)上形成一晶體管。該晶體管包含一柵極電極420,一柵極介電層422,一源極424及一漏極426。當(dāng)完成該晶體管后,沉積一內(nèi)層介電層(ILD)428于該晶體管上。該有一平坦表面的內(nèi)層介電層(ILD)428是包括一氧化硅層,以例如CVD法沉積形成。之后,形成一金屬聯(lián)機(jī)430于該平坦的內(nèi)層介電層(ILD)428上。該金屬聯(lián)機(jī)430是包含高導(dǎo)電金屬例如鋁、銅及鎢。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上,然其并非用以限定本發(fā)明,任何熟習(xí)此技藝者,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種隔離溝槽的制造方法包括提供一含有一溝槽的基底,該溝槽含有至少一圓角;形成一含氮內(nèi)襯層于該基底;去除一部分含氮內(nèi)襯層,使部分的含氮內(nèi)襯層存留于形成有圓角的溝槽內(nèi);以及沉積一溝槽填充材料填滿該溝槽,以形成一隔離溝槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隔離溝槽的制造方法,其中提供一基底的步驟包括形成一掩膜層于該基底;圖案化該掩膜層,以定義溝槽的區(qū)域;蝕刻該掩膜層及該基底,使該溝槽形成于該基底中;以及去除該掩膜層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的隔離溝槽的制造方法,更包括于蝕刻制程后,于溝槽邊角處形成圓角。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的隔離溝槽的制造方法,其中該溝槽邊角處形成圓角是藉由將基底置于一含氣體的環(huán)境中進(jìn)行退火制程以形成圓角。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的隔離溝槽的制造方法,其中該含氣體的環(huán)境包含氫、氮、氦、氖、氬、氙,及其組合氣體所組成的族群。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的隔離溝槽的制造方法,其中該退火制程是介于溫度范圍700℃~950℃之間施行。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的隔離溝槽的制造方法,其中該退火制程是于壓力范圍介于1~1000Torr之間施行。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的隔離溝槽的制造方法,其中該圓角的圓弧徑度范圍是介于5~50nm之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隔離溝槽的制造方法,其中該含氮內(nèi)襯層包括一氮化硅層或氮氧化硅層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隔離溝槽的制造方法,其中該含氮內(nèi)襯層的氮含量范圍為介于百分之5~60之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隔離溝槽的制造方法,其中該含氮內(nèi)襯層的厚度是介于5~200埃之間。
12.一種隔離溝槽的結(jié)構(gòu),包括一基底其上含有側(cè)壁表面的一溝槽,該溝槽至少含有一上部及一底部的圓角處;一含氮內(nèi)襯層與上述溝槽中至少一上部及一底部的圓角處形成接觸;以及一溝槽填充材料于該溝槽內(nèi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的隔離溝槽的結(jié)構(gòu),其中該圓角的圓弧徑度范圍是介于5~50nm之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的隔離溝槽的結(jié)構(gòu),其中該溝槽的深度范圍為介于2000~6000埃之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的隔離溝槽的結(jié)構(gòu),其中該含氮內(nèi)襯層的厚度是介于5~200埃之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的隔離溝槽的結(jié)構(gòu),其中該溝槽填充材料包括氧化硅或多晶硅。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的隔離溝槽的結(jié)構(gòu),其中該含氮內(nèi)襯層包括氮化硅層或氮氧化硅層。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的隔離溝槽的結(jié)構(gòu),其中該含氮內(nèi)襯層的氮含量范圍為介于百分之5~60之間。
全文摘要
一種半導(dǎo)體溝槽隔離結(jié)構(gòu)含有一基底以及一溝槽形成其中。此溝槽中內(nèi)襯有一含氮(nitrogen-containing)內(nèi)襯層并以一介電材料填入其中。該含氮內(nèi)襯層較佳與鄰接溝槽的有源區(qū)上的組件(例如晶體管)接觸。
文檔編號(hào)H01L21/762GK1591817SQ20041005518
公開(kāi)日2005年3月9日 申請(qǐng)日期2004年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月15日
發(fā)明者柯志欣, 楊育佳, 葛崇祜, 李文欽 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司