專利名稱：光刻裝置及器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻裝置和一種器件制造方法。
背景技術(shù)：
光刻裝置是一種將所需圖案應(yīng)用于基底的目標(biāo)部分的機(jī)器。光刻裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造，平板顯示器以及包括精細(xì)結(jié)構(gòu)的其他器件。在常規(guī)的光刻裝置中，構(gòu)圖裝置，也可稱為掩?；蛑虚g掩模版，可用于產(chǎn)生對應(yīng)于IC(或其他器件)一個單獨層的電路圖案，該圖案可以成像在已涂敷輻射敏感材料(抗蝕劑)層的基底(例如硅晶片或玻璃板)的目標(biāo)部分上(例如包括部分，一個或者多個管芯(die))。代替掩模，該構(gòu)圖裝置可以包括用于產(chǎn)生電路圖案的可單獨控制的元件陣列。
一般地，單一的基底將包含依次曝光的相鄰目標(biāo)部分的整個網(wǎng)格。已知的光刻裝置包括所謂的步進(jìn)器，其中通過將全部圖案一次曝光在目標(biāo)部分上而輻射每一目標(biāo)部分，還包括所謂的掃描器，其中通過投影光束沿給定方向(“掃描”方向)掃描圖案、并同時沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描基底來輻射每一目標(biāo)部分。
當(dāng)利用具有可單獨控制元件陣列的裝置進(jìn)行光刻時，即所謂的無掩模光刻時，確保輻射系統(tǒng)產(chǎn)生的輻射的強(qiáng)度在連續(xù)曝光過程中沒有明顯變化是非常重要的。例如，所需的脈沖對脈沖劑量的再現(xiàn)性可以近似為1％。然而，目前用于光刻的激光器沒有達(dá)到脈沖對脈沖劑量再現(xiàn)性的程度。特別是，目前使用的受激準(zhǔn)分子激光器具有僅僅約為10％的脈沖對脈沖劑量的再現(xiàn)性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是提供一種用于無掩模光刻，且具有改進(jìn)的脈沖對脈沖劑量的再現(xiàn)性的輻射源。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面提供一種光刻裝置，包括-用于提供輻射投影光束的輻射系統(tǒng)；-用于賦予投影光束帶圖案的橫截面的可單獨控制的元件陣列；-用于支撐基底的基底臺；
-用于將帶圖案的光束投影到基底的目標(biāo)部分上的投影系統(tǒng)，其中所述輻射系統(tǒng)包括多個輻射產(chǎn)生單元和混合單元，每個輻射產(chǎn)生單元都產(chǎn)生輻射的子投影光束；混合單元混合每個子投影光束，以形成所述輻射投影光束；以及多個所述的輻射產(chǎn)生單元是容納于單個殼體中的激光器，它們共用一個公共的產(chǎn)生激光的媒體因此，即使每個輻射產(chǎn)生單元的脈沖對脈沖劑量的再現(xiàn)性對于在無掩模光刻中使用是不夠的，變化最終夠達(dá)到平衡，并且整個輻射系統(tǒng)的輸出是具有足夠的無掩模光刻中使用的脈沖對脈沖劑量再現(xiàn)性的輻射投影光束。此外，雖然殼體中的每個輻射產(chǎn)生單元獨立地產(chǎn)生激光脈沖，但是輻射系統(tǒng)整體的復(fù)雜性達(dá)到最小。
優(yōu)選地，為了產(chǎn)生具有窄譜的輻射投影光束，每個輻射產(chǎn)生單元產(chǎn)生基本上相同波長的輻射。
殼體內(nèi)輻射產(chǎn)生單元中的每一個都可以包括一對獨立的放電電極。另外，這些輻射產(chǎn)生單元可以共用一個公共的放電電極，并且每一個單元還可以具有一個獨立的放電電極。
為方便起見，包含幾個輻射產(chǎn)生單元的殼體還可以包括用于混合殼體內(nèi)的激光器氣體的鼓風(fēng)機(jī)和/或用于調(diào)節(jié)激光器氣體溫度的溫度控制器。通過共用這些公共裝置，輻射系統(tǒng)的復(fù)雜性進(jìn)一步減小。
輻射系統(tǒng)可以包括多個殼體，每個殼體都包含多個輻射產(chǎn)生單元，它們共用一些或全部公共裝置。這允許大量的輻射產(chǎn)生單元在輻射系統(tǒng)中結(jié)合，而每個殼體的復(fù)雜性不會變得太大。
此外，輻射系統(tǒng)可以包括多個輻射產(chǎn)生單元，它們是獨立的激光器?？刂篇毩⒌募す馄鞯亩〞r更加復(fù)雜。但是，由于激光器完全獨立，因此每個激光器的輻射強(qiáng)度也是完全獨立的，從而提高輻射系統(tǒng)整體的脈沖對脈沖劑量的再現(xiàn)性。
為了降低輻射系統(tǒng)的復(fù)雜性，一些或者全部輻射產(chǎn)生單元可以共用一個公共的控制系統(tǒng)。
可以利用衍射元件或者微透鏡陣列將每個輻射產(chǎn)生單元產(chǎn)生的子投影光束進(jìn)行混合，從而形成輻射投影光束。
一般地，使用的輻射產(chǎn)生單元的數(shù)量越多，脈沖對脈沖劑量的再現(xiàn)性的改進(jìn)就越大。利用常規(guī)的受激準(zhǔn)分子激光器，優(yōu)選使用100個或更多輻射產(chǎn)生單元。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種輻射源，該輻射源用于為光刻裝置提供輻射投影光束，所述輻射源包括多個輻射產(chǎn)生單元，每個輻射產(chǎn)生單元產(chǎn)生輻射的子投影光束；以及一個混合單元，該混合單元將每個子投影光束混合，以形成輻射投影光束；其中多個所述輻射產(chǎn)生單元是包含在單個殼體內(nèi)的激光器，它們共用一個公共的產(chǎn)生激光的媒體。
根據(jù)本發(fā)明的再一個方面，提供一種器件制造方法，包括-提供一基底；-利用輻射系統(tǒng)提供輻射投影光束；-利用可單獨控制的元件陣列賦予投影光束帶圖案的橫截面；-將帶圖案的輻射光束投影到基底的目標(biāo)部分上，其中所述輻射系統(tǒng)包括多個輻射產(chǎn)生單元，所述方法包括利用所述輻射產(chǎn)生單元提供輻射的多個子投影光束，并且將其混合以提供所述輻射投影光束；多個所述輻射產(chǎn)生單元是包含在單個殼體中的激光器，它們共用一個公共的產(chǎn)生激光的媒體。
這里使用的術(shù)語“可單獨控制的元件陣列”應(yīng)廣義地解釋為能夠給入射的輻射光束賦予帶圖案的截面的裝置，從而將所需圖案形成在基底的目標(biāo)部分上；本文中也使用術(shù)語“光閥”和“空間光調(diào)制器”(SLM)。這種構(gòu)圖裝置的示例包括-可編程反射鏡陣列。可以包括具有一粘彈性控制層和一反射表面的矩陣可尋址表面。這種裝置的基本原理是(例如)反射表面的已尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇檠苌涔?，而未尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇榉茄苌涔?。用一個適當(dāng)?shù)目臻g濾光器，從反射的光束中濾除所述非衍射光，只保留衍射光到達(dá)基底；按照這種方式，光束根據(jù)矩陣可尋址表面的定址圖案而產(chǎn)生圖案。應(yīng)該理解，可選地，濾光器可以濾除衍射光，保留非衍射光到達(dá)基底。衍射光學(xué)MEMS器件陣列也可以按照相應(yīng)的方式使用。每個衍射光學(xué)MEMS器件由多個反射帶組成，這些反射帶可以相對于彼此發(fā)生變形，以形成將入射光反射為衍射光的光柵?？删幊谭瓷溏R陣列的另一實施例利用微小反射鏡的矩陣排列，通過使用適當(dāng)?shù)木植侩妶?，或者通過使用壓電致動器裝置，使得每個反射鏡能夠獨立地關(guān)于一軸傾斜。再者，反射鏡是矩陣可尋址的，由此已尋址反射鏡以與未尋址反射鏡不同的方向?qū)⑷肷涞妮椛涔馐瓷?；按照這種方式，根據(jù)矩陣可尋址反射鏡的定址圖案對反射光束進(jìn)行構(gòu)圖?？梢杂眠m當(dāng)?shù)碾娮友b置進(jìn)行該所需的矩陣定址。在上述兩種情況中，可單獨控制的元件陣列可包括一個或者多個可編程反射鏡陣列。關(guān)于如這里提到的反射鏡陣列的更多信息可以從例如美國專利US5,296,891，US5,523,193、PCT專利申請WO 98/38597和WO 98/33096中獲得，這些文獻(xiàn)在這里引入作為參照。
-可編程LCD陣列。例如由美國專利US 5,229,872給出的這種結(jié)構(gòu)，它在這里引入作為參照。
應(yīng)該理解，例如在使用預(yù)偏置特性，光學(xué)接近修正特性，位相變化技術(shù)以及多次曝光技術(shù)的情況下，可單獨控制的元件陣列上“顯示”的圖案可以與最終傳遞到基底層或基底上的圖案有很大不同。類似地，最終在基底上產(chǎn)生的圖案可以不與可單獨控制的元件陣列上任何一個瞬間所形成的圖案一致。這可能是在某種布置下出現(xiàn)的情況，其中基底每一部分上形成的最終圖案在給定的時間段或者給定次數(shù)的曝光中形成，在這一過程中可單獨控制的元件陣列上的圖案和/或基底的相對位置會發(fā)生變化。
在本申請中，本發(fā)明的裝置具體用于制造IC，但是應(yīng)該理解這里描述的光刻裝置可能具有其它應(yīng)用，例如，它可用于制造集成光學(xué)系統(tǒng)、用于磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、平板顯示器、薄膜磁頭等等。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，在這種可替換的用途范圍中，這里任何術(shù)語“晶片”或者“管芯(die)”的使用可以認(rèn)為分別與更普通的術(shù)語“基底”或者“目標(biāo)部分”同義。在曝光之前或之后，可以利用例如軌跡(通常將抗蝕劑層作用于基底并將已曝光的抗蝕劑顯影的一種工具)或者計量工具或檢驗工具對這里提到的基底進(jìn)行各種處理。在可應(yīng)用的情況下，這里的公開可應(yīng)用于這種和其他基底處理工具。另外，例如為了形成多層IC，可以對基底進(jìn)行多次處理，因此這里所用的術(shù)語基底也可以指的是已經(jīng)包含多個已處理層的基底。
這里使用的術(shù)語“輻射”和“光束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有408，355，365，248，193，157或者126nm的波長)和遠(yuǎn)紫外(EUV)輻射(例如具有5-20nm的波長)，以及粒子束，如離子束或者電子束。
這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應(yīng)廣義地解釋為包含各種類型的投影系統(tǒng)，包括折射光學(xué)裝置，反射光學(xué)裝置，和反折射系統(tǒng)，如適合于所用的曝光輻射，或者適合于其他方面，如使用浸液或使用真空。這里任何術(shù)語“鏡頭”的使用可以認(rèn)為與更普通的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。
輻射系統(tǒng)還可以包括各種類型的光學(xué)部件，包括用于引導(dǎo)、整形或者控制輻射投影光束的折射，反射和反折射光學(xué)部件，這些部件在下文還可共同地或者單獨地稱作“鏡頭”。
光刻裝置可以具有兩個(二級)或者多個基底臺。在這種“多級式”器件中，可以并行使用這些附加臺，或者可以在一個或者多個臺上進(jìn)行準(zhǔn)備步驟，而一個或者多個其它臺用于曝光。
光刻裝置也可以是這樣一種類型，其中基底浸入具有相對較高折射率的液體中，如水中，從而填充投影系統(tǒng)的最后一個元件與基底之間的空間。浸液也可以應(yīng)用于光刻裝置中的其他空間，例如，可單獨控制的元件陣列與投影系統(tǒng)的第一個元件之間。浸沒法在本領(lǐng)域是公知的，用于提高投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。


現(xiàn)在僅通過舉例的方式，參照附圖描述本發(fā)明的各個實施方案，在圖中相應(yīng)的參考標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，其中-圖1表示根據(jù)本發(fā)明一具體實施方式
的光刻裝置；-圖2表示常規(guī)受激準(zhǔn)分子激光器的橫截面；-圖3表示常規(guī)受激準(zhǔn)分子激光器的側(cè)視圖；-圖4表示根據(jù)本發(fā)明的多激光器單元的橫截面；-圖5表示圖4中所示多激光器單元的一種變形的橫截面；-圖6表示可以在本發(fā)明中使用的光束混合單元。
具體實施例方式
圖1示意性地表示了本發(fā)明一具體實施方案的一光刻投影裝置。該裝置包括-照明系統(tǒng)(照明器)IL，用于提供輻射投影光束PB(例如UV輻射)；-可單獨控制的元件陣列PPM(例如可編程反射鏡陣列)，用于將圖案應(yīng)用于投影光束；一般來說可單獨控制的元件陣列的位置相對于物體PL固定；但是它也可以改為連接到用于使其相對于物體PL精確定位的定位裝置上；-基底臺(例如晶片臺)WT，用于支撐基底(例如涂敷抗蝕劑的晶片)W，并與用于將基底相對于物體PL精確定位的定位裝置PW連接；
-投影系統(tǒng)(“鏡頭”)PL，用于將通過可單獨控制的元件陣列賦予投影光束PB的圖案成像在基底W的目標(biāo)部分C(例如包括一個或多個管芯(die))上；投影系統(tǒng)可以將可單獨控制的元件陣列成像到基底上；另外，投影系統(tǒng)可以使二次光源成像，可單獨控制的元件陣列為二次光源充當(dāng)快門；投影系統(tǒng)還可以包括如微透鏡陣列(稱為MLA)或菲涅耳透鏡陣列的聚焦元件陣列，例如用以形成二次光源并將微斑點(microspot)成像到基底上。
如這里指出的，該裝置屬于反射型(即具有可單獨控制的元件的反射陣列)?？墒?，一般來說，它還可以是例如透射型(即具有可單獨控制的元件的透射陣列)。
照明器IL接收來自輻射源SO的輻射光束。輻射源和光刻裝置可以是獨立的機(jī)構(gòu)，例如當(dāng)輻射源是受激準(zhǔn)分子激光器時。在這種情況下，不會認(rèn)為輻射源是構(gòu)成光刻裝置的一部分，輻射光束借助于輸送系統(tǒng)BD從源SO傳輸?shù)秸彰髌鱅L，所述輸送系統(tǒng)包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器。在其它情況下，輻射源可以是裝置的組成部分，例如當(dāng)源是汞燈時。源SO和照明器IL，如果需要的話連同光束輸送系統(tǒng)BD可被稱作輻射系統(tǒng)。
照明器IL包括調(diào)節(jié)裝置AM，用于設(shè)定光束的角強(qiáng)度分布。通常至少可以設(shè)定照明器光瞳面中強(qiáng)度分布的外和/或內(nèi)徑向量(通常分別稱為σ-外和σ-內(nèi))。另外，照明器IL一般包括各種其它部件，如積分器IN和聚光器CO。照明器提供輻射的調(diào)節(jié)光束，稱為投影光束PB，該光束在其橫截面具有所需的均勻度和強(qiáng)度分布。
光束PB然后與可單獨控制的元件陣列PPM相交。由可單獨控制的元件陣列PPM反射后，光束PB通過投影系統(tǒng)PL，該系統(tǒng)將光束PB聚焦在基底W的目標(biāo)部分C上。在定位裝置PW(和干涉測量裝置IF)的輔助下，基底臺WT可以精確地移動，例如在光束PB的光路中定位不同的目標(biāo)部分C。在使用時，可單獨控制的元件陣列的定位裝置例如在掃描期間可用于精確校正可單獨控制的元件陣列相對于光束PB的光路的位置。一般地，用圖1中未明確顯示的長行程模塊(粗略定位)和短行程模塊(精確定位)，可以實現(xiàn)目標(biāo)臺WT的移動。類似的系統(tǒng)也可以用于定位可單獨控制的元件陣列。應(yīng)該理解，可替換地/附加地，投影光束可以是可移動的，而目標(biāo)臺和/或可單獨控制的元件陣列可以具有固定的位置，從而提供所需的相對移動。另外，該系統(tǒng)特別適用于平板顯示器的制造中，基底臺的位置和投影系統(tǒng)可以是固定的，基底可以設(shè)置為相對基底臺移動。例如，基底臺可以設(shè)有以基本上恒定速度掃描基底的系統(tǒng)。
盡管根據(jù)這里描述的本發(fā)明的光刻裝置用于曝光基底上的抗蝕劑，但是應(yīng)該理解，本發(fā)明不限于這種用途，該裝置可以用于投影在無抗蝕劑光刻中所用的帶圖案的投影光束。
所示的裝置可以按照四種優(yōu)選模式使用1.步進(jìn)模式可單獨控制的元件陣列將整個圖案賦予投影光束，該圖案被一次投影(即單次靜態(tài)曝光)到目標(biāo)部分C上。然后基底臺WT沿X和/或Y方向移動，從而曝光不同的目標(biāo)部分C。在步進(jìn)模式中，曝光區(qū)(exposurefield)的最大尺寸限制了在單次靜態(tài)曝光中成像的目標(biāo)部分C的尺寸。
2.掃描模式可單獨控制的元件陣列沿給定的方向(所謂的“掃描方向”，例如Y方向)以速度v移動，以使投影光束PB在可單獨控制的元件陣列上掃描；同時，基底臺WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同時移動，其中M是鏡頭PL的放大率。在掃描方式中，曝光區(qū)的最大尺寸限制了在單次動態(tài)曝光中目標(biāo)部分的寬度(沿非掃描方向)，而掃描移動的長度確定目標(biāo)部分的高度(沿掃描方向)。
3.脈沖模式可單獨控制的元件陣列基本保持不動，利用脈沖輻射源將整個圖案投影到基底的目標(biāo)部分C上?；着_WT以基本上恒定的速度移動，以使投影光束PB掃描基底W上的一條線。根據(jù)需要在輻射系統(tǒng)的脈沖之間改變可單獨控制的元件陣列上的圖案，設(shè)定脈沖的時間，從而在基底的所需位置曝光連續(xù)的目標(biāo)部分C。因此，投影光束可以橫跨基底W掃描，從而為基底的一條曝光全部圖案。重復(fù)該過程，直到一條線一條線地曝光全部基底。
4.連續(xù)掃描模式與脈沖模式基本相同，除了使用基本上不變的輻射源，并且當(dāng)投影光束橫跨基底掃描并使其曝光時改變可單獨控制的元件陣列上的圖案。
可以使用上述模式的組合和/或變化，也可以使用與上述模式完全不同的模式。
圖2和3分別以橫截面視圖和側(cè)視圖示出氣體放電激光器1，例如受激準(zhǔn)分子激光器。氣體激光器1具有一殼體10，其中容納激光器氣體(laser gas)11(在受激準(zhǔn)分子激光器的殼中例如可以是XeF)。在激光器氣體中有一對放電電極12，13，用于使殼體10中的激光器氣體11混合以使其均勻分布的鼓風(fēng)機(jī)14，以及調(diào)節(jié)激光器氣體溫度的溫度控制器15。激光器的一端設(shè)有一反射鏡或線寬收縮單元16，另一端設(shè)有一半透射鏡17，激光輻射的光束18從該半透射鏡中投影。
在本發(fā)明的輻射系統(tǒng)中，提供多個輻射產(chǎn)生單元，每一個輻射產(chǎn)生單元都產(chǎn)生輻射的子投影光束(sub-projection beam)。然后使輻射的每個子投影光束混合，形成用于曝光基底的輻射投影光束。
一些輻射產(chǎn)生單元可以是獨立的常規(guī)的激光器。但是，在本發(fā)明的布置中，一些輻射產(chǎn)生單元共用一個公共的殼體和公共的產(chǎn)生激光的媒體(lasingmedium)。圖4和圖5以橫截面視圖說明這種布置的例子。
在圖4示出的布置中，三個輻射產(chǎn)生單元封閉在單個公共殼體10中，該殼體容納有激光器氣體11，輻射產(chǎn)生單元共用它們之間的氣體。該殼體還包括鼓風(fēng)機(jī)14和溫度控制元件15。每個輻射產(chǎn)生單元都由一對放電電極21，22，23，24，25，26組成。每對放電電極都產(chǎn)生輻射激光束，所述激光束從殼體一端的半透射鏡射出。應(yīng)該理解，可以具有與每對放電電極(因此與輻射的每個次投影激光束)相聯(lián)系的多個獨立的半透射鏡，或者可選擇地，一些或所有放電電極對可以通過公共的半透射鏡來投影與它們相聯(lián)系的輻射激光束。
圖5示出的布置與圖4示出的一致，除了用公共的放電電極27來代替每個輻射產(chǎn)生單元中的一個放電電極。因此，每個輻射產(chǎn)生單元由一個獨立的放電電極21，23，25和一部分公共放電電極27組成。
圖4和5均示出了三個輻射產(chǎn)生單元容納于單個殼體10中的布置。但是應(yīng)該理解，殼體可以包含任何實際數(shù)量的輻射產(chǎn)生單元。此外，本發(fā)明的整個輻射系統(tǒng)可以由任何數(shù)量的這種殼體組成。一般地，輻射系統(tǒng)可以由一個或多個這種殼體組成，每個所述殼體可包含一個或多個輻射產(chǎn)生單元，因此整個輻射系統(tǒng)包含多個輻射產(chǎn)生單元。另外，應(yīng)該知道，對于單個殼體內(nèi)的輻射產(chǎn)生單元來說，具有公共的鼓風(fēng)機(jī)或者公共的溫度控制單元不是本發(fā)明的必要特征。
為了使輻射系統(tǒng)的復(fù)雜性減到最小，一些或所有輻射產(chǎn)生單元可以共用公共的控制電子裝置，所述裝置用于控制由輻射產(chǎn)生單元所產(chǎn)生的輻射脈沖的定時。
由每個輻射產(chǎn)生單元所產(chǎn)生的輻射的子投影光束在混合單元進(jìn)行混合，從而形成輻射投影光束。這通過利用衍射元件或者微透鏡陣列(也稱為光楔陣列)使光束靠攏然后使其混合而實現(xiàn)。這種布置的例子示于圖6中。
當(dāng)在光刻投影裝置中使用輻射的激光源時，因為斑點可能在其他方面影響場均勻性，因此必須降低激光束的相干性。因此通常通過積分器投影輻射的激光束，如上面關(guān)于圖1所描述的。在本發(fā)明中，混合的輻射投影束可以通過積分器投影?？商鎿Q地和/或附加地，由各個輻射產(chǎn)生單元所產(chǎn)生的輻射的至少一個子投影光束在混合單元中混合成輻射投影光束之前，可以通過積分器投影。另外，如果輻射系統(tǒng)包含足夠數(shù)量的輻射產(chǎn)生單元，那么通過混合來自每個輻射產(chǎn)生單元的子投影光束而產(chǎn)生的輻射投影光束的相干性可以是固有地足夠低，這時不需要積分器。
優(yōu)選地，使用至少100個輻射產(chǎn)生單元。利用這一數(shù)量的輻射產(chǎn)生單元，輻射投影光束中的結(jié)果的相干性足夠低，不需要積分器。此外，脈沖對脈沖劑量的再現(xiàn)性與所用的這種類型的單個輻射產(chǎn)生單元相比提高了10倍。這意味著，例如采用受激準(zhǔn)分子激光器的系統(tǒng)的脈沖對脈沖劑量的再現(xiàn)性適合用在無掩模光刻中。
為了避免脈沖定時誤差并防止輻射脈沖持續(xù)更長的持續(xù)時間，必須確保所有的輻射產(chǎn)生單元同時產(chǎn)生脈沖。為此，對于包含在單個殼體中的每個輻射產(chǎn)生單元或者至少每組輻射產(chǎn)生單元來說，必須配有其自己的定時電路，用以補(bǔ)償其特定的定時特性。這些電路需要進(jìn)行校準(zhǔn)，校準(zhǔn)需要周期性地重復(fù)。
盡管已經(jīng)在上面描述了本發(fā)明的具體實施方式
，但是應(yīng)該理解，本發(fā)明可以按照不同于所描述的方式實施，說明書不意味著限制本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種光刻裝置，包括-用于提供輻射投影光束的輻射系統(tǒng)；-用于賦予投影光束帶圖案的橫截面的可單獨控制的元件陣列；-用于支撐基底的基底臺；-用于將帶圖案的光束投影到基底的目標(biāo)部分上的投影系統(tǒng)，其中所述輻射系統(tǒng)包括多個輻射產(chǎn)生單元和混合單元，每個輻射產(chǎn)生單元都產(chǎn)生輻射的子投影光束；混合單元混合每個子投影光束，以形成所述輻射投影光束；以及多個所述的輻射產(chǎn)生單元是容納于單個殼體中的激光器，它們共用一個公共的產(chǎn)生激光的媒體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的光刻投影裝置，其中所述輻射產(chǎn)生單元都產(chǎn)生具有基本上相同波長的輻射。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的光刻投影裝置，其中包含在單個殼體中的每個所述輻射產(chǎn)生單元都包括與其他輻射產(chǎn)生單元的放電電極無關(guān)的一對放電電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2的光刻投影裝置，其中包含在所述殼體中的所述輻射產(chǎn)生單元共用一個公共的放電電極，每一個輻射產(chǎn)生單元還包括與其他輻射產(chǎn)生單元的放電電極無關(guān)的另一個放電電極。
5.根據(jù)前面任一項權(quán)利要求的光刻投影裝置，其中所述殼體進(jìn)一步包括用于混合殼體內(nèi)激光器氣體的鼓風(fēng)機(jī)和用于調(diào)節(jié)殼體內(nèi)激光器氣體溫度的溫度控制器中的至少一個。
6.根據(jù)前面任一項權(quán)利要求的光刻投影裝置，其中所述輻射系統(tǒng)包括多個殼體，每個殼體包含多個所述輻射產(chǎn)生單元，它們共用公共的激光器氣體。
7.根據(jù)前面任一項權(quán)利要求的光刻投影裝置，其中多個所述輻射產(chǎn)生單元是獨立的激光器。
8.根據(jù)前面任一項權(quán)利要求的光刻投影裝置，其中多個所述的輻射產(chǎn)生單元共用一個公共的控制系統(tǒng)。
9.根據(jù)前面任一項權(quán)利要求的光刻投影裝置，其中所述混合單元是衍射元件或微透鏡陣列。
10.根據(jù)前面任一項權(quán)利要求的光刻投影裝置，其中所述輻射系統(tǒng)包括至少100個輻射產(chǎn)生單元。
11.一種輻射源，該輻射源用于為光刻裝置提供輻射投影光束，所述輻射源包括多個輻射產(chǎn)生單元，每個輻射產(chǎn)生單元產(chǎn)生輻射的子投影光束；以及一個混合單元，該混合單元將每個子投影光束混合，以形成輻射投影光束；其中多個所述輻射產(chǎn)生單元是包含在單個殼體內(nèi)的激光器，它們共用一個公共的產(chǎn)生激光的媒體。
12.一種器件制造方法，包括-提供一基底；-利用輻射系統(tǒng)提供輻射投影光束；-利用可單獨控制的元件陣列賦予投影光束帶圖案的橫截面；-將帶圖案的輻射光束投影到基底的目標(biāo)部分上，其中所述輻射系統(tǒng)包括多個輻射產(chǎn)生單元，所述方法包括利用所述輻射產(chǎn)生單元提供多個輻射的子投影光束，并且將其混合以提供所述輻射投影光束；多個所述輻射產(chǎn)生單元是包含在單個殼體中的激光器，它們共用一個公共的產(chǎn)生激光的媒體。
全文摘要
通過提供多個激光器并使每個激光器產(chǎn)生的輻射光束混合以形成單獨的輻射投影光束，可以提高供無掩模光刻中使用的輻射系統(tǒng)的脈沖對脈沖劑量再現(xiàn)性。
文檔編號H01L21/027GK1577093SQ20041005451
公開日2005年2月9日 申請日期2004年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月23日
發(fā)明者A·J·布里克 申請人:Asml荷蘭有限公司