專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制造方法和電子設(shè)備的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法和電子設(shè)備的制造方法，尤其適用于半導(dǎo)體封裝的層疊結(jié)構(gòu)的制造方法。
背景技術(shù)：
以往的半導(dǎo)體封裝中，例如像專利文獻(xiàn)1所公開的那樣，通過隔著焊錫球?qū)盈B半導(dǎo)體封裝，實(shí)現(xiàn)空間節(jié)省。這里，在層疊的半導(dǎo)體封裝之間填充樹脂。
專利文獻(xiàn)1特開2002-170906號(hào)公報(bào)但是以往的半導(dǎo)體封裝中，隔著焊錫球?qū)盈B的半導(dǎo)體封裝之間的整個(gè)空隙中填充樹脂。因此，固化半導(dǎo)體封裝之間填充的樹脂時(shí)，樹脂中包含的水分不能充分去除，半導(dǎo)體封裝之間填充的樹脂中仍殘留水分。這樣，存在層疊的半導(dǎo)體封裝二次安裝時(shí)的回流時(shí)，半導(dǎo)體封裝之間填充的樹脂中包含的水分氣化而膨脹，半導(dǎo)體封裝之間產(chǎn)生剝離的問題。
以往的半導(dǎo)體封裝中，隔著焊錫球固定半導(dǎo)體封裝后，半導(dǎo)體封裝之間填充樹脂。因此，存在半導(dǎo)體封裝之間的間隙狹窄的情況下，難以限定在半導(dǎo)體封裝之間的特定位置上填充樹脂，樹脂與焊錫球接觸，對(duì)樹脂產(chǎn)生熱損壞，或不能考慮對(duì)半導(dǎo)體封裝之間施加的應(yīng)力來配置樹脂。
另一方面，隔著焊錫球固定半導(dǎo)體封裝之前用樹脂固定半導(dǎo)體封裝之間時(shí)，焊錫球的回流時(shí)半導(dǎo)體封裝變得不能動(dòng)彈。因此，存在由于焊錫球熔融時(shí)的表面張力引起的半導(dǎo)體封裝的自對(duì)齊被阻礙，惡化半導(dǎo)體封裝的配置精度。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種不惡化半導(dǎo)體封裝的配置精度，能夠容易調(diào)整半導(dǎo)體封裝之間的樹脂的配置位置的半導(dǎo)體裝置的制造方法和電子設(shè)備的制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)形式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括 向第一半導(dǎo)體封裝上的至少一部分區(qū)域供給樹脂的工序；上述樹脂維持流動(dòng)性的狀態(tài)下，將第二半導(dǎo)體封裝電連接在上述第一半導(dǎo)體封裝上的工序。
由此，在第一半導(dǎo)體封裝上配置樹脂后，能夠在第一半導(dǎo)體封裝上配置第二半導(dǎo)體封裝，并能夠容易調(diào)整第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間的樹脂的配置位置。這樣，第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間的間隙狹窄的情況下，也能夠避開焊錫材料在第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間配置樹脂，或確保用于使樹脂中包含的水分逃離的路徑，并且在第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間設(shè)置樹脂。其結(jié)果，抑制樹脂的熱損壞，并且抑制第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間的剝離，同時(shí)能夠用樹脂固定第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝，二次安裝時(shí)進(jìn)行回流處理的情況下也能夠防止第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間的位置偏離。
另外，即使在第一半導(dǎo)體封裝上配置第二半導(dǎo)體封裝之前，將樹脂配置在第一半導(dǎo)體封裝上的情況下，在第一半導(dǎo)體封裝上電連接第二半導(dǎo)體封裝時(shí)，也能夠維持第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間設(shè)置的樹脂的流動(dòng)性。因此，在第一半導(dǎo)體封裝上電連接第二半導(dǎo)體封裝時(shí)使用焊錫材料的情況下，也能夠靈活運(yùn)用焊錫熔融時(shí)的表面張力引起的自對(duì)齊，能夠在第一半導(dǎo)體封裝上精確配置第二半導(dǎo)體封裝。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)形式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括向裝載在第一半導(dǎo)體封裝上的第一半導(dǎo)體芯片的至少一部分區(qū)域供給樹脂的工序；上述樹脂維持流動(dòng)性的狀態(tài)下，將裝載第二半導(dǎo)體芯片的第二半導(dǎo)體封裝電連接在上述第一半導(dǎo)體封裝上的工序。
由此，第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間的間隙狹窄的情況下，也能夠避開焊錫材料，在第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間配置樹脂，同時(shí)確保用于使樹脂中包含的水分逃離的路徑，并且在第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間設(shè)置樹脂。其結(jié)果是抑制樹脂的熱損壞，并且抑制第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間的剝離，同時(shí)能夠用樹脂固定第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝，二次安裝時(shí)進(jìn)行回流處理的情況下，也能夠防止第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間的位置偏離。
在第一半導(dǎo)體封裝上電連接第二半導(dǎo)體封裝時(shí)使用焊錫材料的情況下，也能夠在第一半導(dǎo)體封裝上移動(dòng)第二半導(dǎo)體封裝，靈活運(yùn)用焊錫熔融時(shí)的表面張力引起的自對(duì)齊。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)形式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括向裝載第一半導(dǎo)體芯片的第一半導(dǎo)體封裝上的至少一部分區(qū)域供給樹脂的工序；維持上述樹脂的流動(dòng)性，并配置在上述第一半導(dǎo)體芯片上的形態(tài)，將裝載了第二半導(dǎo)體芯片的第二半導(dǎo)體封裝電連接在上述第一半導(dǎo)體封裝上的工序。
由此，第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝種類不同的情況下，也能夠防止層疊的半導(dǎo)體封裝的二次安裝時(shí)的位置偏離，并且，能夠抑制第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間的剝離，同時(shí)在第一半導(dǎo)體封裝上高精度地配置第二半導(dǎo)體封裝，能夠節(jié)省空間，并且能夠提高第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間的連接可靠性。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)形式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括向裝載第一半導(dǎo)體芯片的第一半導(dǎo)體封裝上的至少一部分區(qū)域供給樹脂的工序；維持上述樹脂的流動(dòng)性并使端部配置在上述第一半導(dǎo)體芯片上的形態(tài)，將裝載了第二半導(dǎo)體芯片的第二半導(dǎo)體封裝電連接在上述第一半導(dǎo)體封裝上的工序。
由此能夠在同一的第一半導(dǎo)體芯片上配置多個(gè)半導(dǎo)體封裝，并且在第一半導(dǎo)體封裝上高精度地配置第二半導(dǎo)體封裝，同時(shí)防止層疊的半導(dǎo)體封裝的二次安裝時(shí)的位置偏離，并且能夠抑制第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間的剝離，進(jìn)一步縮小安裝面積，而且提高第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝之間的連接可靠性。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)形式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于上述第一半導(dǎo)體封裝和上述第二半導(dǎo)體封裝隔著焊錫球電連接。
由此，通過進(jìn)行回流處理，能夠電連接第一半導(dǎo)體封裝和第二半導(dǎo)體封裝，在第一半導(dǎo)體封裝上有效地安裝第二半導(dǎo)體封裝。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)形式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于上述樹脂維持流動(dòng)性的狀態(tài)是A階段狀態(tài)或B階段狀態(tài)。
由此，能夠在常溫下維持樹脂的流動(dòng)性、或通過加熱向樹脂附加流動(dòng)性，不損壞焊錫熔融時(shí)的表面張力引起的自對(duì)齊，能夠在第一半導(dǎo)體封裝上電連接第二半導(dǎo)體封裝。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)形式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于還包括上述第二半導(dǎo)體封裝電連接于上述第一半導(dǎo)體封裝上后，將上述樹脂移動(dòng)到C階段狀態(tài)的工序。
由此，第二半導(dǎo)體封裝電連接于第一半導(dǎo)體封裝上后使樹脂固化，不損壞焊錫熔融時(shí)的表面張力引起的自對(duì)齊，能夠用樹脂將第二半導(dǎo)體封裝固定在第一半導(dǎo)體封裝上。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)形式的電子設(shè)備的制造方法，其特征在于包括向裝載第一電子零件的第一封裝上的至少一部分區(qū)域上供給樹脂的工序；在上述樹脂維持流動(dòng)性的狀態(tài)下，將裝載了第二電子零件的第二封裝電連接于上述第一封裝上的工序。
由此在第一封裝上配置樹脂后，能夠?qū)⒌诙庋b配置在第一封裝上，容易調(diào)整第一封裝和第二封裝之間的樹脂的配置位置。因此，第一封裝和第二封裝之間的間隙狹窄的情況下，也能夠以避開焊錫材料，在第一封裝和第二封裝之間配置樹脂，或確保用于使樹脂中包含的水分逃離的路徑，并且能夠在第一封裝和第二封裝之間設(shè)置樹脂。其結(jié)果，能夠抑制樹脂的熱損壞，并且能夠抑制第一封裝和第二封裝之間的剝離，同時(shí)能夠用樹脂固定第一封裝和第二封裝，即使二次安裝時(shí)進(jìn)行回流處理的情況下也能夠防止第一封裝和第二封裝之間的位置偏離。
另外，在第一封裝上配置第二封裝之前，即使將樹脂配置在第一封裝上的情況下，在第一封裝上電連接第二封裝時(shí)，也能夠維持第一封裝和第二封裝之間設(shè)置的樹脂的流動(dòng)性。因此，在第一封裝上電連接第二封裝時(shí)使用焊錫材料的情況下，也能夠靈活運(yùn)用焊錫熔融時(shí)的表面張力引起的自對(duì)齊，能夠在第一封裝上精確配置第二封裝。


圖1是表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意結(jié)構(gòu)的截面圖；
圖2是表示圖1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的一例的截面圖；圖3是表示第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意結(jié)構(gòu)的截面圖；圖4是表示第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意結(jié)構(gòu)的截面圖；圖5是表示第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意結(jié)構(gòu)的截面圖；圖6是表示第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖中，PK1、PK2、PK11、PK12、PK21、PK22、PK31、PK32、PK41、PK42—半導(dǎo)體封裝，1、11、21、31、41、61、71、81、91、101、201—載體基板，2a、2b、9、12、22a、22c、32a、32c、42a、42c、62a、62b、72、82、92a、92c、102a、102c、202a、202c—岸面，3、23、33a、33b、43、51、63、93、103a、103b、103c、203a、203b、203c—半導(dǎo)體芯片，4、13、24、26、36、44、46、58、64、66、73、83、94、96、106、206—突出電極，5、25、45、65、95—各向異性導(dǎo)電片，7—焊劑，14、37、74、84、107、207—密封樹脂，15、38、59、67、97—樹脂，22b、32b、42b、92b、102b、202b—內(nèi)部配線，34a、34b、104a、104b、104c、204a、204b、204c—粘接層，35a、35b、105a、105b、105c、205a、205b、205c—導(dǎo)電性線，52—電極墊，53—絕緣膜，54—應(yīng)力緩和層，55—再配置配線，56—焊劑抗蝕層，57—開口部。
具體實(shí)施例方式
下面參考

本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意結(jié)構(gòu)的截面圖。圖1中，半導(dǎo)體封裝PK1上設(shè)置載體基板1，載體基板1的兩面上分別形成有岸面2a，2b。并且，載體基板1上倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片3，半導(dǎo)體芯片3上設(shè)有用于倒裝片安裝的突出電極4。并且，半導(dǎo)體芯片3上設(shè)置的突出電極4隔著各向異性導(dǎo)電片5，ACF(各向異性導(dǎo)電膜)接合于岸面2b上。
另一方面，半導(dǎo)體封裝PK2上設(shè)置載體基板11，載體基板11的背面上形成岸面12，岸面12上設(shè)有突出電極13。載體基板11上安裝半導(dǎo)體芯片，已安裝半導(dǎo)體芯片的載體基板11用密封樹脂14被密封。而且載體基板11上可以安裝成線焊接連接的半導(dǎo)體芯片，也可以倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片，也可以安裝成半導(dǎo)體芯片的層疊結(jié)構(gòu)。
并且，通過載體基板1上設(shè)置的岸面2b上接合突出電極13，使載體基板11配置在半導(dǎo)體芯片3上的形態(tài)，在半導(dǎo)體封裝PK1上安裝有半導(dǎo)體封裝PK2。
半導(dǎo)體芯片3上配置樹脂15，以使露出半導(dǎo)體芯片3的至少一部分，半導(dǎo)體封裝PK2隔著樹脂15固定在半導(dǎo)體芯片3上。這里，作為樹脂15，可以使用樹脂膏或樹脂片之任一種。
由此，隔著半導(dǎo)體芯片3上設(shè)置的樹脂15能夠固定半導(dǎo)體封裝PK1和半導(dǎo)體封裝PK2，在半導(dǎo)體封裝PK1，PK2之間設(shè)置樹脂15的情況下，也能夠在半導(dǎo)體封裝PK1，PK2之間殘留間隙。這樣，能夠容易去除半導(dǎo)體封裝PK1，PK2之間的樹脂15中包含的水分，二次安裝時(shí)進(jìn)行突出電極6的回流處理時(shí)，也能夠抑制半導(dǎo)體封裝PK1，PK2之間的樹脂15膨脹。其結(jié)果，能夠抑制半導(dǎo)體封裝PK1，PK2之間的剝離，并且能夠用樹脂15固定半導(dǎo)體封裝PK1和半導(dǎo)體封裝PK2，能夠防止半導(dǎo)體封裝PK1，PK2之間的位置偏離。
使半導(dǎo)體芯片3的至少一部分露出的形態(tài)，在半導(dǎo)體芯片3上設(shè)置樹脂15的情況下，隔著突出電極13電連接半導(dǎo)體封裝PK1和半導(dǎo)體封裝PK2之前，可以將樹脂15配置在半導(dǎo)體芯片3上。并且隔著突出電極13電連接半導(dǎo)體封裝PK1和半導(dǎo)體封裝PK2的情況下，優(yōu)選將半導(dǎo)體芯片3上配置的樹脂15維持在A階段狀態(tài)(通過升溫樹脂軟化的狀態(tài))或B階段狀態(tài)(通過升溫樹脂粘度增高的狀態(tài))。
由此，即使在半導(dǎo)體封裝PK1上配置半導(dǎo)體封裝PK2之前在半導(dǎo)體芯片3上配置樹脂15的情況下，隔著突出電極13在半導(dǎo)體封裝PK1上電連接半導(dǎo)體封裝PK2時(shí)，能夠維持半導(dǎo)體封裝PK1，PK2之間設(shè)置的樹脂15的流動(dòng)性。這樣，將焊錫球用作突出電極13時(shí)，也能夠靈活運(yùn)用焊錫熔融時(shí)的表面張力引起的自對(duì)齊，能夠在半導(dǎo)體封裝PK1上精確配置半導(dǎo)體封裝PK2。
樹脂15也可以設(shè)置在半導(dǎo)體芯片15的中央部。由此，隔著突出電極13電連接半導(dǎo)體封裝PK1和半導(dǎo)體封裝PK2的情況下，也能夠在從突出電極13離開的位置上配置樹脂15。這樣，能夠抑制樹脂15的伸縮影響波及突出電極13，能夠提高溫度循環(huán)等的耐久性。
半導(dǎo)體芯片3和半導(dǎo)體封裝PK2之間設(shè)置的樹脂15，與半導(dǎo)體芯片3和載體基板1之間設(shè)置的各向異性導(dǎo)電片5相比，彈性系數(shù)低為好。由此，施加在半導(dǎo)體芯片3上的沖擊能夠被樹脂15有效吸收。這樣，能夠提高半導(dǎo)體芯片3的耐沖擊性，確保半導(dǎo)體芯片3的可靠性，并且能夠?qū)盈B半導(dǎo)體封裝PK1，PK2。
另外，樹脂15中也可以混入氧化硅、氧化鋁等的填充物。由此，能夠容易控制樹脂15的粘度，防止樹脂15的液態(tài)下垂，并能夠容易控制樹脂15的存在范圍。
半導(dǎo)體芯片3上的樹脂15可以僅配置在1個(gè)位置上，但也可以分散配置在半導(dǎo)體芯片3上。這里，通過將樹脂15分散配置到半導(dǎo)體芯片3上，能夠在半導(dǎo)體芯片3上確保用于樹脂15中包含的水分逃離的路徑，在半導(dǎo)體芯片3和半導(dǎo)體封裝PK2之間的間隙狹窄的情況下也能夠減少樹脂15中包含的水分。
作為載體基板1，11，例如可以使用兩面基板、多層配線基板、疊放基板、帶基板或膜基板等，作為載體基板1，11的材質(zhì)，能夠使用例如聚酰胺樹脂、玻璃環(huán)氧樹脂、BT樹脂、芳基酰胺和環(huán)氧樹脂的復(fù)合物或陶瓷等。作為突出電極4，6，13，可以使用例如由Au塊、焊錫材料等覆蓋的Cu塊，Ni塊或焊錫球等。
另外，在隔著突出電極13彼此接合半導(dǎo)體封裝PK1，PK2的情況下，可以使用焊接接合、合金接合等的金屬接合，或使用ACF接合、NCF(非導(dǎo)電膜)接合、ACP(各向異性導(dǎo)電膏)接合、NCP(非導(dǎo)電膏)接合等的壓接接合。另外，在上述實(shí)施方式中，說明了在隔著突出電極4在載體基板1上倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片3的情況下使用ACF接合的方法，但也可以使用NCF接合、ACP接合、NCP接合等的壓接接合，也可以使用焊錫接合、合金接合等的金屬接合。
圖2是表示圖1的半導(dǎo)體裝置的制造方法的一個(gè)例子的截面圖。圖2(a)中，半導(dǎo)體封裝PK1上層疊半導(dǎo)體封裝PK2的情況下，在半導(dǎo)體封裝PK2的岸面12上作為突出電極13形成焊接球，同時(shí)向載體基板1的岸面2b上供給焊劑7。通過使用分散器等將樹脂15供給半導(dǎo)體芯片3上。這里在半導(dǎo)體封裝PK1上層疊半導(dǎo)體封裝PK2之前，通過向半導(dǎo)體芯片3供給樹脂15，在層疊時(shí)的半導(dǎo)體封裝PK1，PK2之間的間隙狹窄的情況下也能夠僅在半導(dǎo)體芯片3上的特定區(qū)域容易地設(shè)置樹脂15。
接著如圖2(b)所示，在半導(dǎo)體封裝PK1上安裝半導(dǎo)體封裝PK2。并且，通過進(jìn)行突出電極13的回流處理使突出電極13熔融，將突出電極13接合在岸面2b上。
這里，將突出電極13接合在岸面2b上時(shí)，最好將樹脂15維持在A階段狀態(tài)或B階段狀態(tài)。由此，通過突出電極3熔融時(shí)的表面張力能夠?qū)⑼怀鲭姌O13自我匹配地配置在岸面2b上，能夠在半導(dǎo)體封裝PK1上精確配置半導(dǎo)體封裝PK2。并且，將突出電極13接合在岸面2b上時(shí)，在比突出電極13的回流時(shí)的溫度低的溫度下固化樹脂15，將樹脂15移動(dòng)到C階段狀態(tài)(固化狀態(tài))。
這里，通過在半導(dǎo)體芯片3上設(shè)置樹脂15，使得半導(dǎo)體芯片3的至少一部分露出，確保樹脂15中包含的水分逃離用的間隙，并且隔著半導(dǎo)體芯片3彼此固定半導(dǎo)體封裝PK1，PK2，同時(shí)減少樹脂15中包含的水分的殘留量。
接著如圖2(c)所示，在載體基板1的背面上設(shè)置的岸面2a上形成用于將載體基板1安裝在母基板8上的突出電極6。接著如圖2(d)所示，將形成突出電極6的載體基板1安裝在母基板8上。并且，通過進(jìn)行突出電極6的回流處理將突出電極6接合在母基板8的岸面9上。
這里，通過在半導(dǎo)體芯片3上設(shè)置樹脂15，使得半導(dǎo)體芯片3的至少一部分露出，在基本去除半導(dǎo)體封裝PK1，PK2之間的樹脂15中包含的水分的狀態(tài)下，可以進(jìn)行突出電極6的回流處理。這樣突出電極6回流時(shí)能夠抑制樹脂15膨脹，能夠防止半導(dǎo)體封裝PK1，PK2彼此剝離。在突出電極6回流時(shí)進(jìn)行突出電極13的再回流的情況下，也能夠維持用樹脂15彼此固定半導(dǎo)體封裝PK1，PK2的原樣狀態(tài)，防止半導(dǎo)體封裝PK1，PK2之間的位置偏離。
上述實(shí)施方式中，說明了為了將半導(dǎo)體封裝PK2安裝在半導(dǎo)體封裝PK1上，在載體基板1的岸面2b上設(shè)置突出電極13的同時(shí)，在載體基板11的岸面12上供給焊劑7的方法，但載體基板1的岸面2b上供給焊劑7的同時(shí)可以在載體基板11的岸面12上設(shè)置突出電極13。而且，上述實(shí)施方式中說明了通過使用分散器等向半導(dǎo)體芯片3上供給膏狀樹脂15的方法，但也可以向半導(dǎo)體芯片3上供給片狀樹脂15。也可以向載體基板1的岸面2b上供給焊錫膏。
圖3是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的簡要結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖3中，半導(dǎo)體封裝PK11上設(shè)置載體基板21，在載體基板21的兩面上分別形成岸面22a，22c，同時(shí)載體基板21內(nèi)形成內(nèi)部配線22b。并且，載體基板21上倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片23，半導(dǎo)體芯片23上設(shè)置用于倒裝片安裝的突出電極24。并且，在半導(dǎo)體芯片23上設(shè)置的突出電極24隔著各向異性導(dǎo)電片25，ACF接合在岸面22c上。載體基板21的背面設(shè)置的岸面22a上設(shè)有用于將載體基板21安裝在母基板上的突出電極26。
另一方面，半導(dǎo)體封裝PK12上設(shè)置載體基板31，載體基板31的兩面上分別形成岸面32a，32c，同時(shí)，載體基板31內(nèi)形成有內(nèi)部配線32b。并且，載體基板31上隔著粘接層34a正片安裝半導(dǎo)體芯片33a，半導(dǎo)體芯片33a隔著導(dǎo)電性線35a線焊接連接于岸面32c。另外，半導(dǎo)體芯片33a上避開導(dǎo)電性線35a正片安裝半導(dǎo)體芯片33b，半導(dǎo)體芯片33b隔著粘接層34b固定在安裝半導(dǎo)體芯片33a上，同時(shí)隔著導(dǎo)電性線35b線焊接連接于岸面32c。
載體基板31的背面上設(shè)置的岸面32a上，以使載體基板31保持在半導(dǎo)體芯片23上的形態(tài)、設(shè)有用于將載體基板31安裝在載體基板21上的突出電極36。這里，使突出電極36避開半導(dǎo)體芯片23的裝載區(qū)域地配置，例如可以在載體基板31的背面周圍配置突出電極36。并且載體基板21上設(shè)置的岸面22c上接合突出電極36，使得載體基板31安裝在載體基板21上。
在半導(dǎo)體芯片33a，33b的安裝面?zhèn)鹊妮d體基板31上設(shè)置密封樹脂37，通過該密封樹脂37密封了半導(dǎo)體芯片33a，33b。密封樹脂37密封半導(dǎo)體芯片33a，33b的情況下，通過使用例如環(huán)氧樹脂等的熱固化樹脂的模壓成型等進(jìn)行。
在半導(dǎo)體芯片23上配置樹脂38以露出半導(dǎo)體芯片23的至少一部分，半導(dǎo)體封裝PK12隔著樹脂38固定在半導(dǎo)體芯片23上。這里半導(dǎo)體芯片23的至少一部分露出地在半導(dǎo)體芯片23上設(shè)置樹脂38的情況下，隔著突出電極36電連接半導(dǎo)體封裝PK11和半導(dǎo)體封裝PK12之前，可以在半導(dǎo)體芯片23上配置樹脂38。并且隔著突出電極38電連接半導(dǎo)體封裝PK11和半導(dǎo)體封裝PK12的情況下將半導(dǎo)體芯片23上配置的樹脂38維持在A階段狀態(tài)或B階段狀態(tài)為好。
由此，半導(dǎo)體封裝PK11和半導(dǎo)體封裝PK12為不同種類或不同大小的情況下，也能夠防止層疊的半導(dǎo)體封裝PK11，PK12之間的二次安裝時(shí)的位置偏離，并且抑制半導(dǎo)體封裝PK11，PK12之間的剝離，同時(shí)靈活運(yùn)用自對(duì)齊，高精度地在半導(dǎo)體封裝PK11上配置半導(dǎo)體封裝PK12，可以節(jié)省空間，并且提高半導(dǎo)體封裝PK11，PK12之間的連接靠可靠性。
圖4是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的簡要結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖4中，半導(dǎo)體封裝PK21上設(shè)置載體基板41，載體基板41的兩面上分別形成岸面42a，42c，同時(shí)載體基板41內(nèi)形成內(nèi)部配線42b。并且，載體基板41上倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片43，半導(dǎo)體芯片43上設(shè)有用于倒裝片安裝的突出電極44。并且，半導(dǎo)體芯片43上設(shè)置的突出電極44隔著各向異性導(dǎo)電片45ACF接合在岸面42c上。載體基板41的背面設(shè)置的岸面42a上設(shè)有用于將載體基板41安裝在母基板上的突出電極46。另一方面，半導(dǎo)體封裝PK22上設(shè)置半導(dǎo)體芯片51，半導(dǎo)體芯片51上設(shè)置電極墊52的同時(shí)，使電極墊52露出的形態(tài)，設(shè)有絕緣膜53。并且在半導(dǎo)體芯片51上露出電極墊52的形態(tài)、形成應(yīng)力緩和層54，電極墊52上形成在應(yīng)力緩和層54上延伸的再配置配線55。
并且，再配置配線55上形成焊料抗蝕劑膜56，焊料抗蝕劑膜56上形成有在應(yīng)力緩和層54中露出再配置配線55的開口部57。并且隔著開口部57露出的再配置配線55上設(shè)置用于將半導(dǎo)體芯片51面朝下安裝在載體基板41上的突出電極58，以將半導(dǎo)體封裝PK32保持在半導(dǎo)體芯片53上。這里，突出電極58避開半導(dǎo)體芯片43的裝載區(qū)域配置，例如在半導(dǎo)體芯片51的周圍配置突出電極58。并且，在載體基板41上設(shè)置的岸面42c上接合突出電極58，將半導(dǎo)體芯片PK22安裝在載體基板41上。
另外，半導(dǎo)體芯片43上配置樹脂59以露出半導(dǎo)體芯片43的至少一部分，半導(dǎo)體芯片PK22隔著樹脂59固定在半導(dǎo)體芯片43上。這里使半導(dǎo)體芯片43的至少一部分露出地在半導(dǎo)體芯片43上設(shè)置樹脂59的情況下，隔著突出電極58電連接半導(dǎo)體封裝PK21和半導(dǎo)體封裝PK22之前，可以在半導(dǎo)體芯片53上配置樹脂59。并且隔著突出電極58電連接半導(dǎo)體封裝PK21和半導(dǎo)體封裝PK22的情況下，優(yōu)選將半導(dǎo)體芯片43上配置的樹脂59維持在A階段狀態(tài)或B階段狀態(tài)。
由此，在半導(dǎo)體封裝PK21上層疊W-CSP(晶片級(jí)—芯片大小封裝)時(shí)，防止層疊的半導(dǎo)體封裝PK21，PK22在2次安裝時(shí)位置偏離，并且能夠抑制半導(dǎo)體封裝PK21，PK22之間的剝離，同時(shí)靈活運(yùn)用自對(duì)齊將半導(dǎo)體封裝PK22高精度地配置在半導(dǎo)體封裝PK21上成為可能。因此，半導(dǎo)體芯片43，51的種類或大小不同的情況下，也不用在半導(dǎo)體芯片43，51之間插入載體基板，能夠在半導(dǎo)體芯片43上3維安裝半導(dǎo)體芯片51，并實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片43，51安裝時(shí)節(jié)省空間，提高3維安裝的半導(dǎo)體芯片43，51的可靠性成為可能。
圖5是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的簡要結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖5中，半導(dǎo)體封裝PK31上設(shè)置載體基板61，載體基板61的兩面上分別形成岸面62a，62b。并且，載體基板61上倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片63，半導(dǎo)體芯片63上設(shè)有用于倒裝片安裝的突出電極64。并且，半導(dǎo)體芯片63上設(shè)置的突出電極64隔著各向異性導(dǎo)電片65ACF接合在岸面62b上。另一方面，半導(dǎo)體封裝PK32，PK33上分別設(shè)置載體基板71，81，載體基板71，81的背面上分別形成岸面72，82，岸面72，82上分別設(shè)有焊錫球等的突出電極73，83。載體基板71，81上分別安裝半導(dǎo)體芯片，安裝半導(dǎo)體芯片的載體基板71，81分別用密封樹脂74，84被密封著。
并且，通過載體基板61上設(shè)置的岸面62b上分別接合突出電極73，83，以使載體基板71，81的端部分別配置在半導(dǎo)體芯片63上的形態(tài)，將多個(gè)半導(dǎo)體封裝PK32，PK33安裝在半導(dǎo)體封裝PK31上。
另外，半導(dǎo)體芯片63上配置樹脂67以露出半導(dǎo)體芯片63的至少一部分，半導(dǎo)體封裝PK32，PK33的端部隔著樹脂67固定在半導(dǎo)體芯片63上。這里半導(dǎo)體芯片63的至少一部分露出地在半導(dǎo)體芯片63上設(shè)置樹脂67的情況下，分別隔著突出電極73，83電連接半導(dǎo)體封裝PK31和半導(dǎo)體封裝K32，PK33之前，可以在半導(dǎo)體芯片63上配置樹脂67。并且分別隔著突出電極73，83電連接半導(dǎo)體封裝PK31和半導(dǎo)體封裝PK32，PK33的情況下，優(yōu)選將在半導(dǎo)體芯片63上配置的樹脂59維持在A階段狀態(tài)或B階段狀態(tài)。
由此，能夠防止半導(dǎo)體封裝PK31，PK32，PK33在二次安裝時(shí)的位置偏離，并且能夠抑制半導(dǎo)體封裝PK32，PK33和半導(dǎo)體封裝PK31之間的剝離，同時(shí)，在同一半導(dǎo)體芯片63上能夠配置多個(gè)半導(dǎo)體封裝PK32，PK33，并且靈活運(yùn)用自對(duì)齊將半導(dǎo)體封裝PK32，PK33高精度地配置在半導(dǎo)體封裝PK31上成為可能。因此，能夠節(jié)省空間，并且將半導(dǎo)體封裝PK32，PK33高精度地配置在半導(dǎo)體封裝Pk31上，同時(shí)能夠提高半導(dǎo)體封裝PK31，PK32，PK33的可靠性。
半導(dǎo)體芯片63和半導(dǎo)體封裝PK32，PK33之間分別設(shè)置樹脂67的情況下，可以在向半導(dǎo)體芯片63供給樹脂67后，向半導(dǎo)體芯片63上分別配置半導(dǎo)體封裝PK32，PK33。也可以在向半導(dǎo)體芯片63上分別配置半導(dǎo)體封裝PK32，PK33后隔著半導(dǎo)體封裝PK32，PK33之間的間隙向半導(dǎo)體芯片63上供給樹脂67。
圖6是表示本發(fā)明的第五實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的簡要結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖6中，半導(dǎo)體封裝PK41上設(shè)置載體基板91，載體基板91的兩面上分別形成岸面92a，92b，同時(shí)載體基板91內(nèi)形成內(nèi)部配線92b。并且，載體基板91上倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片93，半導(dǎo)體芯片93上設(shè)置用于倒裝片安裝的突出電極94。并且，半導(dǎo)體芯片93上設(shè)置的突出電極94隔著各向異性導(dǎo)電片95ACF接合在岸面92c。載體基板91的背面上設(shè)置的岸面92a上設(shè)有用于將載體基板91安裝到母基板的突出電極96。
另一方面，半導(dǎo)體封裝PK42，PK43上分別設(shè)有載體基板101，201。而且載體基板101，201的背面上分別形成岸面102a，202a的同時(shí)，載體基板101，201的表面分別形成岸面102c，202c，載體基板101，201內(nèi)分別形成內(nèi)部配線102b，202b。
并且，載體基板101，201上分別隔著粘接層104a，204a各自正片安裝半導(dǎo)體芯片103a，203a，半導(dǎo)體芯片103a，203a分別隔著導(dǎo)電線105a，205a各自線焊接連接在岸面102c，202c。
另外，半導(dǎo)體芯片103a，203a上，以避開導(dǎo)電線105a，205a分別正片安裝半導(dǎo)體芯片103b，203b，半導(dǎo)體芯片103b，203b分別隔著粘接層104b，204b各自固定于半導(dǎo)體芯片103a，203a上，同時(shí)分別隔著導(dǎo)電線105b，205b各自線焊接連接在岸面102c，202c。另外，半導(dǎo)體芯片103b，203b上，以避開導(dǎo)電線105b，205b的形態(tài)，分別正片安裝半導(dǎo)體芯片103c，203c，半導(dǎo)體芯片103c，203c分別隔著粘接層104c，204c各自固定于半導(dǎo)體芯片103b，203b上，同時(shí)分別隔著導(dǎo)電線105c，205c分別線焊接連接在岸面102c，202c。
另外，載體基板101，201的背面上分別設(shè)置的岸面102a，202a上，以將載體基板101，201分別支持在半導(dǎo)體芯片93上的形態(tài)，分別設(shè)有用于將載體基板101，201分別安裝在載體基板91上的突出電極106，206。這里突出電極106，206最好至少存在于載體基板101，201的4角上，例如可以按字狀排列突出電極106，206。
并且通過在設(shè)置于載體基板91上設(shè)置的岸面92c上分別接合突出電極106，206，使載體基板101，201的端部分別配置在半導(dǎo)體芯片93上的形態(tài)，可以將載體基板101，201分別安裝在載體基板91上。在半導(dǎo)體芯片103a～03c、203a～203c的安裝面?zhèn)鹊妮d體基板101，201上分別設(shè)置密封樹脂107，207，通過該密封樹脂107，207分別密封半導(dǎo)體芯片103a～103c、203a～203c。
另外，半導(dǎo)體芯片93上配置樹脂97以露出半導(dǎo)體芯片93的至少一部分，半導(dǎo)體封裝PK42，PK43的端部隔著樹脂97固定在半導(dǎo)體芯片93上。這里，以使半導(dǎo)體芯片93的至少一部分露出地在半導(dǎo)體芯片93上設(shè)置樹脂97的情況下，分別隔著突出電極106，206電連接半導(dǎo)體封裝PK41和半導(dǎo)體封裝PK42，PK43之前，可以在半導(dǎo)體芯片93上配置樹脂97。并且分別隔著突出電極106，206電連接半導(dǎo)體封裝PK41和半導(dǎo)體封裝PK42，43的情況下，優(yōu)選將半導(dǎo)體芯片93上配置的樹脂59維持在A階段狀態(tài)或B階段狀態(tài)。
由此，在同一半導(dǎo)體芯片93上能夠配置多個(gè)半導(dǎo)體封裝PK42，PK43，能夠縮小安裝面積，并且實(shí)現(xiàn)不同種類的半導(dǎo)體芯片93，103a～103c、203a～203c的三維安裝，同時(shí)抑制半導(dǎo)體封裝PK42，PK43和半導(dǎo)體封裝PK41之間的剝離，并且防止半導(dǎo)體封裝PK41，PK42，PK43在二維安裝時(shí)的位置偏離。即使將半導(dǎo)體封裝PK42，PK43配置在半導(dǎo)體封裝PK41之前，在半導(dǎo)體芯片93上配置樹脂97的情況下，在分別隔著突出電極106，206將半導(dǎo)體封裝PK42，PK43電連接在半導(dǎo)體封裝PK41上時(shí)，能夠維持半導(dǎo)體封裝PK41和半導(dǎo)體封裝PK42，PK43之間設(shè)置的樹脂97的流動(dòng)性。因此，在將焊錫球分別用作突出電極106，206時(shí)，能夠靈活運(yùn)用焊錫熔融時(shí)的表面張力而引起(帶來)的自對(duì)齊，能夠在半導(dǎo)體封裝PK41上高精度地分別配置半導(dǎo)體封裝PK42，PK43。
上述的半導(dǎo)體裝置可以適用于例如液晶顯示裝置、便攜電話、便攜信息終端、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、MD(Mini Disk)播放器等的電子儀器，能夠?qū)崿F(xiàn)電子儀器的小型化、輕量化，并且提高電子儀器的可靠性。
另外，在上述實(shí)施方式中，舉例說明了層疊半導(dǎo)體封裝的方法，但本發(fā)明不限定于層疊半導(dǎo)體封裝的方法，例如可以用于層疊彈性表面波(SAW)元件等的陶瓷元件、光調(diào)制器和光開關(guān)等的光學(xué)元件、磁傳感器和生物傳感器等的各種傳感器類等。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括向第一半導(dǎo)體封裝上的至少一部分區(qū)域供給樹脂的工序；和在上述樹脂維持流動(dòng)性的狀態(tài)下，將第二半導(dǎo)體封裝電連接在上述第一半導(dǎo)體封裝上的工序。
2.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括向裝載在第一半導(dǎo)體封裝上的第一半導(dǎo)體芯片的至少一部分區(qū)域供給樹脂的工序；和在上述樹脂維持流動(dòng)性的狀態(tài)下，將裝載第二半導(dǎo)體芯片的第二半導(dǎo)體封裝電連接在上述第一半導(dǎo)體封裝上的工序。
3.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括向裝載第一半導(dǎo)體芯片的第一半導(dǎo)體封裝上的至少一部分區(qū)域供給樹脂的工序；和維持上述樹脂的流動(dòng)性，并配置在上述第一半導(dǎo)體芯片上的形態(tài)，將裝載了第二半導(dǎo)體芯片的第二半導(dǎo)體封裝電連接在上述第一半導(dǎo)體封裝上的工序。
4.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括向裝載了第一半導(dǎo)體芯片的第一半導(dǎo)體封裝上的至少一部分區(qū)域供給樹脂的工序；和維持上述樹脂的流動(dòng)性并使端部配置在上述第一半導(dǎo)體芯片上的形態(tài)，將裝載了第二半導(dǎo)體芯片的第二半導(dǎo)體封裝電連接在上述第一半導(dǎo)體封裝上的工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于上述第一半導(dǎo)體封裝和上述第二半導(dǎo)體芯片隔著焊錫球電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于上述樹脂維持流動(dòng)性的狀態(tài)是A階段狀態(tài)或B階段狀態(tài)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于還包括上述第二半導(dǎo)體封裝電連接于上述第一半導(dǎo)體封裝上后，將上述樹脂移動(dòng)到C階段狀態(tài)的工序。
8.一種電子設(shè)備的制造方法，其特征在于包括向裝載第一電子零件的第一封裝的至少一部分區(qū)域上供給樹脂的工序；和在上述樹脂維持流動(dòng)性的狀態(tài)下，將裝載第二電子零件的第二封裝電連接于上述第一封裝上的工序。
全文摘要
不惡化半導(dǎo)體封裝的配置精度，容易調(diào)整半導(dǎo)體封裝之間的樹脂的配置位置。在隔著突出電極13電連接半導(dǎo)體封裝PK1和半導(dǎo)體封裝PK2之前，半導(dǎo)體芯片3的至少一部分露出，在半導(dǎo)體芯片3上配置樹脂15，在半導(dǎo)體芯片3上配置的樹脂15維持在A階段狀態(tài)或B階段狀態(tài)，并且隔著突出電極13電連接半導(dǎo)體封裝PK1和半導(dǎo)體封裝PK2。
文檔編號(hào)H01L25/18GK1542932SQ200410038630
公開日2004年11月3日 申請(qǐng)日期2004年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月2日
發(fā)明者青 哲理, 青栁哲理 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社