專利名稱：測量激光器芯片用的夾具及制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于光電子器件領(lǐng)域，更具體說是一種測量激光器芯片用的夾具及制作方法。
背景技術(shù)：
在光電集成電路和光纖通信系統(tǒng)的設(shè)計(jì)過程中，往往需要建立準(zhǔn)確的光電子器件(激光器、探測器和調(diào)制器等)的模型，其中模型參數(shù)的取值需由器件的測量來確定，模型的準(zhǔn)確性取決于測量的精度。
在光電子器件芯片的高頻特性的測量中，為了保證測量結(jié)果的準(zhǔn)確性，通常需要借助商業(yè)化的共面微波探針來完成。在測試前，首先用探針的校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)對探針進(jìn)行校準(zhǔn)，然后再把探針的影響從測量結(jié)果中扣除，這樣就可以得到準(zhǔn)確的光電器件的本征特性。
但是，在大多數(shù)情況下，半導(dǎo)體激光器的P區(qū)電極和N區(qū)電極在不同的水平面上，不能用常規(guī)的共面微波探針來測量激光器芯片。在測量激光器芯片過程中，人們通常是把激光器管芯安裝在一個熱沉上。熱沉上有一對共面電極，其中一個電極和芯片的N區(qū)電極通過金錫焊料焊接在一起，另一電極則通過金絲和芯片的P區(qū)電極相連，最后再用微波探針進(jìn)行測量。由于壓焊的金絲對的激光器芯片的高頻特性有著很大的影響。因此，還需要經(jīng)過一系列的校準(zhǔn)以從測量結(jié)果扣除金絲的影響。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決以上問題，本發(fā)明的目的在于提供一種激光器芯片測量用的夾具及制作方法，使用該夾具可以直接用共面微波探針對激光器芯片進(jìn)行測量，從而省去了壓焊金絲和從測量結(jié)果扣除金絲影響的復(fù)雜性。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題的技術(shù)方案是本發(fā)明一種測量激光器芯片用的夾具，其特征在于，其中包括一基板，該硅基板的上表面開有一V型溝槽，該V型溝槽的底部為一平面形的低臺面；一金電極，該金電極3制作在硅基板和V型溝槽的上表面上；一鍍錫電極，該鍍錫電極制作在V型溝槽的低臺面上。
其中該基板為硅材料。
本發(fā)明一種測量激光器芯片用的夾具的制作方法，其特征在于，包括如下步驟在基板1的上表面開有一V型溝槽，該V型溝槽的底部為一平面形的低臺面；在基板和V型溝槽的上表面上制作一層金電極；在V型溝槽的低臺面上制作一層鍍錫電極。
其中該基板為硅材料。
其中基板上的V型溝槽2是采用干法刻蝕和濕法刻蝕結(jié)合的微機(jī)械加工技術(shù)制作而成。
其中基板和V型溝槽的上表面上的金電極是采用光刻和蒸發(fā)的方法制作的。
其中V型溝槽的低臺面上鍍錫電極是采用光刻和電鍍的方法制作的。
本發(fā)明的有益效果是在激光器芯片的測量中，能夠避免用金絲將激光器芯片的P區(qū)電極和熱沉上的電極相連，取而代之是通過焊錫把激光器芯片安裝在測試夾具上，同時調(diào)整焊錫的多少以保證激光器芯片的P電極和硅基片上面的電極在同一水平面上，從而可以用共面微波探針進(jìn)行直接測量，用這種夾具對激光器芯片進(jìn)行測量，不再需要壓焊金絲，同時也省去了為了扣除金絲的影響而進(jìn)行的復(fù)雜校準(zhǔn)和計(jì)算。


為進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作一詳細(xì)的描述，其中圖1是本發(fā)明測量激光器芯片用的夾具的剖面?zhèn)纫晥D；圖2是圖1的俯視圖；圖3是激光器芯片安裝在測試夾具上的剖面?zhèn)纫晥D。
具體實(shí)施例方式
請參閱圖1、圖2，一種測量激光器芯片用的夾具，其中包括
一基板1，該硅基板1的上表面開有一V型溝槽2，該V型溝槽2的底部為一平面形的低臺面4，該基板1是硅材料；一金電極3，該金電極3制作在硅基板1和V型溝槽2的上表面上；一鍍錫電極5，該鍍錫電極5制作在V型溝槽2的低臺面4上。
本發(fā)明一種測量激光器芯片用的夾具的制作方法，包括如下步驟在基板1的上表面開有一V型溝槽2，該V型溝槽2的底部為一平面形的低臺面4；其中V型溝槽2是采用干法刻蝕和濕法刻蝕結(jié)合的微機(jī)械加工技術(shù)制作而成，該基板1是硅材料；在硅基板1和V型溝槽2的上表面上制作一層金電極3；其中硅基板1和V型溝槽2的上表面上的金電極3是采用光刻和蒸發(fā)的方法制作的；在V型溝槽2的低臺面4上制作一層鍍錫電極5；其中鍍錫電極5是采用光刻和電鍍的方法制作的。
本發(fā)明的工作過程為請參閱圖3所示，把激光器芯片6水平地放置在夾具的鍍錫電極5上，讓芯片的N極7與鍍錫電極5接觸；把激光器芯片6和夾具一起放入有氮?dú)獗Ｗo(hù)的加熱裝置上，設(shè)定加熱溫度和時間，使芯片的N極7與鍍錫電極5燒焊在一起，冷卻后取出；把微波探針的兩個針(圖中未示)分別壓在夾具的金電極3和激光器P電極8上對激光器芯片6進(jìn)行測量。
權(quán)利要求
1.一種測量激光器芯片用的夾具，其特征在于，其中包括一基板，該硅基板的上表面開有一V型溝槽，該V型溝槽的底部為一平面形的低臺面；一金電極，該金電極制作在硅基板和V型溝槽的上表面上；一鍍錫電極，該鍍錫電極制作在V型溝槽的低臺面上。
2.如權(quán)利要求1所述的一種測量激光器芯片用的夾具，其特征在于，其中該基板為硅材料。
3.一種測量激光器芯片用的夾具的制作方法，其特征在于，包括如下步驟在基板1的上表面開有一V型溝槽，該V型溝槽的底部為一平面形的低臺面；在基板和V型溝槽的上表面上制作一層金電極；在V型溝槽的低臺面上制作一層鍍錫電極。
4.如權(quán)利要求3所述的一種測量激光器芯片用的夾具的制作方法，其特征在于，其中該基板為硅材料。
5.如權(quán)利要求3所述的一種測量激光器芯片用的夾具的制作方法，其特征在于，其中基板上的V型溝槽2是采用干法刻蝕和濕法刻蝕結(jié)合的微機(jī)械加工技術(shù)制作而成。
6.如權(quán)利要求3所述的一種測量激光器芯片用的夾具的制作方法，其特征在于，其中基板和V型溝槽的上表面上的金電極是采用光刻和蒸發(fā)的方法制作的。
7.如權(quán)利要求3所述的一種測量激光器芯片用的夾具的制作方法，其特征在于，其中V型溝槽的低臺面上鍍錫電極是采用光刻和電鍍的方法制作的。
全文摘要
一種測量激光器芯片用的夾具，其特征在于，其中包括一基板，該硅基板的上表面開有一V型溝槽，該V型溝槽的底部為一平面形的低臺面；一金電極，該金電極制作在硅基板和V型溝槽的上表面上；一鍍錫電極，該鍍錫電極制作在V型溝槽的低臺面上。
文檔編號H01S5/00GK1677773SQ200410033308
公開日2005年10月5日 申請日期2004年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月2日
發(fā)明者張勝利, 孫建華, 祝寧華 申請人:中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所