專利名稱：陽極電極層作為電源層的平板顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種平板顯示器，尤其是一種有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示裝置，通過同時(shí)形成的電源層和陽極電極層能夠防止電源層上的連線短路和電壓降，并在不同于形成數(shù)據(jù)線和柵線的層上形成電源層，能夠防止該電源層上的連線短路和電壓降。
背景技術(shù)：
通常，有源矩陣有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示裝置的每個(gè)像素包括開關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、電容器、EL(或場(chǎng)致發(fā)光)裝置和電源線。電源線輸送公共電源(Vdd)給驅(qū)動(dòng)晶體管和電容器。優(yōu)選地，公共電源應(yīng)該均勻地為矩陣中的每個(gè)和各個(gè)像素供電，使每個(gè)像素得到均勻亮度。電源線的設(shè)計(jì)在控制通過各個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管流向矩陣中每個(gè)EL器件的電流中起到作用。
EL器件由陽極(或像素)電極、陰極電極和EL(發(fā)光)層構(gòu)成。EL層是有機(jī)合成物，當(dāng)提供電流時(shí)它發(fā)光。開關(guān)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管是薄膜晶體管(或TFT)。
在有源矩陣有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示裝置中使用多個(gè)導(dǎo)電層，來形成柵線、柵極、數(shù)據(jù)線、TFT的源極/漏極、電源層、陽極電極等，其中將絕緣層如柵極絕緣膜、層間絕緣膜和鈍化膜插在導(dǎo)電層之間，以便導(dǎo)電層彼此電絕緣。
在場(chǎng)致發(fā)光顯示裝置中，優(yōu)選地形成多個(gè)導(dǎo)電層并使得所有導(dǎo)電層之間相互保持電絕緣，而彼此不會(huì)意外出現(xiàn)短路。同樣，最好以這種方式構(gòu)造電源線使矩陣中所有像素在相同電壓下接收相同量的功率，由此沿電源線不存在電壓降。換句話說，電源線在導(dǎo)電電源線內(nèi)必須無電壓降。此外，最好使形成的電源線與數(shù)據(jù)線、柵線和其它導(dǎo)線充分隔離，以防止可能出現(xiàn)的意外連線短路。另外，最好有效地生產(chǎn)場(chǎng)致發(fā)光顯示器的結(jié)構(gòu)，使需要的工藝步驟減少，降低制造成本。因此，在可能的情況下，希望將工藝步驟進(jìn)行組合。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的目的是提供一種場(chǎng)致發(fā)光平板顯示裝置的改良結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的目的還提供一種制造場(chǎng)致發(fā)光平板顯示裝置的改良方法。
本發(fā)明的目的還提供一種制造場(chǎng)致發(fā)光平板顯示器的工藝，該工藝具有較少工藝步驟，因此減少了生產(chǎn)成本。
本發(fā)明的再一目的是提供一種場(chǎng)致發(fā)光平板顯示裝置的結(jié)構(gòu)，其消除了電源線和裝置內(nèi)其它導(dǎo)線，例如柵線和數(shù)據(jù)線間形成連線短路的可能性。
本發(fā)明的又一目的是提供一種制造場(chǎng)致發(fā)光平板顯示裝置的方法，其消除了電源線和裝置內(nèi)其它導(dǎo)線，例如柵線和數(shù)據(jù)線間形成連線短路的可能性。
本發(fā)明的目的還在于提供一種場(chǎng)致發(fā)光平板顯示裝置的結(jié)構(gòu)和制造這種結(jié)構(gòu)的方法，其中在相同電壓下給矩陣的每個(gè)像素提供電源，由此在像素之間提供均勻亮度。
本發(fā)明的又一目的是提供一種能夠提高EL器件發(fā)射效率的平板顯示器及其制造方法。
通過場(chǎng)致發(fā)光裝置和制造方法可以實(shí)現(xiàn)這些和其它目的，其中電源線布置在與布置其它導(dǎo)線，例如柵線(gate line)和數(shù)據(jù)線的層隔離的層上，其中，同時(shí)在相同層上用與EL器件陽極電極相同的材料形成電源線，其中精心選擇電源線和EL器件電極的材料。
為了減少電源線與數(shù)據(jù)線或柵線意外短路的概率，在與形成數(shù)據(jù)線和柵線的層不同的層上形成電源線，并用與形成數(shù)據(jù)線和柵線的層不同的工藝步驟制造電源線。為了提供高效率生產(chǎn)工藝，使用盡可能少的步驟，同時(shí)用相同材料在相同絕緣層上使用單沉積步驟、單構(gòu)圖步驟和蝕刻步驟形成電源線和EL器件陽極電極，生產(chǎn)電源線和EL器件陽極電極。
類似地，同時(shí)在相同層上形成數(shù)據(jù)線和電容器上電極。另外，同時(shí)在相同層上用單沉積、構(gòu)圖和蝕刻步驟形成柵線和電容器下電極。
在電源線和EL器件陽極電極的同時(shí)形成中，使用具有低電阻率和高反射率的材料。這種材料可以是金、鉑、鎳、鉻或疊層膜如鎳/鋁/鎳、銀/ITO或鋁/ITO，其中ITO是氧化錫銦。使用的材料的選出功最好至少為4.5eV。通過在電源線中使用這種低電阻率材料，可以更好地確保由電源線供電的每個(gè)像素或EL器件接收到與所有其它像素相同的電壓，并且沿電源線存在很少電源或電壓損耗。由于陽極電極不是由透明材料形成，所以EL器件的陰極電極(或上電極)而不是陽極電極最好由透明材料如ITO或IZO形成，由此產(chǎn)生前發(fā)射結(jié)構(gòu)，其中IZO是氧化鋅銦。作為替代，陰極電極可以由半透射導(dǎo)電材料制成。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，電源層具有格柵狀，其中像素電極排列成網(wǎng)狀線或格柵狀結(jié)構(gòu)，或者電源線形成為線狀，其中電源線布置在以行或列排列的像素電極之間，或者電源層具有表面電極狀，其中電源層形成在襯底的整個(gè)表面上，以便與像素電極電隔離。這些設(shè)計(jì)進(jìn)一步減少了電源線上的電源或電壓損耗，并進(jìn)一步確保每個(gè)像素接收到相同電壓。
此外，本發(fā)明提供一種制造方法，其中電源線和EL器件的陽極電極同時(shí)形成，優(yōu)選地，數(shù)據(jù)線和電容器的上電極同時(shí)形成，柵線和電容器的下電極最好同時(shí)形成。


通過下面結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)的說明，將會(huì)更容易地全面理解本發(fā)明及其許多附帶的優(yōu)點(diǎn)，在附圖中，相同附圖標(biāo)記表示相同或相似部件，其中圖1A是有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示裝置的平面圖；圖1B是圖1A有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示裝置沿圖1A中IB-IB線的橫斷面圖；圖2A是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示裝置的平面圖；圖2B是有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示裝置沿圖2A中IIB-IIB線的橫斷面圖；圖3A和圖3B是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示裝置的電源線和陽極電極矩陣的平面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在轉(zhuǎn)到附圖，圖1A表示有源矩陣有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示裝置的平面圖。參考圖1A，有源矩陣有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示裝置由多個(gè)柵線110、多個(gè)數(shù)據(jù)線120、多個(gè)電源線130以及多個(gè)像素構(gòu)成，多個(gè)像素連接到柵線110、數(shù)據(jù)線120和電源線130。
每個(gè)像素包括兩個(gè)晶體管(驅(qū)動(dòng)TFT150和開關(guān)TFT170)、一個(gè)電容器140和一個(gè)EL器件160。EL器件160具有一個(gè)陽極電極(或像素電極)161、一個(gè)陰極電極164和一個(gè)有機(jī)發(fā)射層163，發(fā)射層163夾在陽極電極161和陰極電極162之間。每個(gè)像素包括一個(gè)開關(guān)薄膜晶體管170、一個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管150和一個(gè)電容器140，開關(guān)薄膜晶體管170與多個(gè)柵線110中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)和多個(gè)數(shù)據(jù)線120中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)相連，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管150用于驅(qū)動(dòng)連接到多個(gè)電源線130中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)上的EL器件160，電容器140用于維持驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管150的柵極和源極間的電壓。
圖1B為沿圖1A中IB-IB線的橫斷面圖。圖1B是一個(gè)像素的橫斷面圖，并且只限于圖解驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管150、電容器140和EL器件。參考圖1B，緩沖層151形成在絕緣襯底100上，電容器140、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管150和EL器件160形成在緩沖層151上。電容器140包括一形成在柵極絕緣膜153上的下電極144和一形成在層間絕緣膜155上的上電極146。
驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管150包括一形成在緩沖層151上的半導(dǎo)體層152、一形成在柵極絕緣膜153上的柵極154、形成在層間絕緣膜155上的源極156a和漏極156b，半導(dǎo)體層152包括源極區(qū)/漏極區(qū)152a和152b、形成在源極區(qū)152a和漏極區(qū)152b之間的通道形成區(qū)152c。源極/和漏極156a和156b分別通過接觸孔155a和155b電連接到源極區(qū)/漏極區(qū)152a和152b。
EL器件160由形成在鈍化膜157上的陽極電極161、形成在陽極電極161上并位于開口部分165內(nèi)的有機(jī)發(fā)射層163、以及形成在有機(jī)發(fā)射層163和像素定義層162上的陰極電極164構(gòu)成。像素定義層162用來形成開口部分165。將像素定義層162穿孔而形成開口165，在開口165處形成EL器件160。
在有源矩陣有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示裝置中，電源線130連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管150的源極/漏極156a和156b之一上，(在圖1B中，電源線130連接到源極156a上)。電源線130還電連接到電容器140的上電極146上，以起到控制電流的作用，其通過驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管150和通孔158流到EL器件160的陽極電極161上，其中電源線130通常給矩陣中多個(gè)像素的每個(gè)像素提供電源電壓(Vdd)。
然而，經(jīng)常以這種方式設(shè)計(jì)電源線130在電源輸送給每個(gè)像素之前，電源線130中經(jīng)常存在實(shí)際的電位降。這可能導(dǎo)致整個(gè)矩陣的亮度不均勻性。另外，電源線的位置、電源線的線寬、連接到外部電源的焊點(diǎn)位置和數(shù)量對(duì)薄膜晶體管的設(shè)計(jì)和制造工藝有影響。
而且，如圖1A所示，電源線130和數(shù)據(jù)線120一起形成在層間絕緣膜155上，以便電源線130與數(shù)據(jù)線120電隔離，或者電源線130和數(shù)據(jù)線120一起形成在柵極絕緣膜153上，以便電源線130與柵線110分離。對(duì)于圖1A和1B的設(shè)計(jì)，由于電源線130形成在要么與數(shù)據(jù)線120相同要么與柵線110相同的層上，所以存在風(fēng)險(xiǎn)，即連線短路180可能發(fā)生在電源線130和數(shù)據(jù)線120或柵線110之間。
圖2A表示根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的有源矩陣有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示裝置的平面圖，圖2B表示有源矩陣有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示裝置沿圖2A中IIB-IIB線的橫斷面圖，并且只限于圖解像素中的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管250、EL器件260和電容器240。
參考圖2A和圖2B，有源矩陣有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示裝置由多個(gè)柵線210、多個(gè)數(shù)據(jù)線220、一根電源線230以及多個(gè)像素構(gòu)成，柵線210形成在絕緣襯底200上，數(shù)據(jù)線220形成在絕緣襯底200上，使數(shù)據(jù)線220和柵線210相互交叉，電源線230用于提供公共電源，像素連接到信號(hào)線210、220和電源層230上。
每個(gè)像素包括一開關(guān)薄膜晶體管270、一電容器240、一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管250和一EL器件260，開關(guān)薄膜晶體管270連接到柵線210中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)上和數(shù)據(jù)線220中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)上，電容器240通過一個(gè)通孔259連接到電源線230上，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管250通過通孔259連接到電源線230。
電容器240的上電極246和下電極244以島狀分別形成在層間絕緣膜255之上和之下。電容器240的下電極244連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管250的柵極254上。柵極254也電連接到開關(guān)薄膜晶體管270的源極/漏極之一上，例如通過接觸孔274連接到漏極。數(shù)據(jù)線220連接到開關(guān)薄膜晶體管270的源極/漏極的另一個(gè)上，例如連接到源極。柵線210連接到開關(guān)薄膜晶體管270的柵極。柵線210的另一端連接到像素陣列外面的掃描驅(qū)動(dòng)器上，數(shù)據(jù)線220的另一端連接到像素陣列外面的源極驅(qū)動(dòng)器。電容器240的上電極246通過通孔259電連接到電源線230。EL器件260的下電極261形成在與電源線230相同的層上，例如鈍化膜257，以便EL器件260的下電極261通過通孔258連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管250的源極/漏極256a和256b之一上(圖2B中下電極261連接到漏極256b上)。
另外，將絕緣層如層間絕緣膜255插在柵線210和數(shù)據(jù)線220之間，以便柵線210和數(shù)據(jù)線220彼此電隔離。將絕緣層如柵極絕緣膜253和鈍化膜257分別插在電源線230和柵線210、數(shù)據(jù)線220之間，以便電源線230與柵線210、數(shù)據(jù)線220分別保持電絕緣，減少或消除電源線230和柵線210或數(shù)據(jù)線220之間的連線短路概率。因此，電源線230形成在與下電極例如EL器件的陽極電極或像素電極261相同的層上。也就是說，電源線230和EL器件的陽極電極261都形成在鈍化膜257上。由于電源線230形成在與柵線210或數(shù)據(jù)線220不同的層上，所以防止了連線短路。
本發(fā)明具有前述結(jié)構(gòu)的有源矩陣有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示裝置的制造方法描述如下。緩沖層251形成在絕緣襯底200上。然后，在非晶硅膜沉積在緩沖層251上之后，通過執(zhí)行普通結(jié)晶工藝如受激準(zhǔn)分子激光器退火(ELA)工藝，使非晶硅膜結(jié)晶成多晶硅膜。通過對(duì)多晶硅膜構(gòu)圖，以島狀形成半導(dǎo)體層252。
柵極絕緣膜253形成在緩沖層251和之前形成的半導(dǎo)體層252上。然后，在柵極材料沉積在柵極絕緣膜253之后，通過構(gòu)圖沉積在柵極絕緣膜253上的柵極材料，形成柵極254。電容器240的柵線210和下電極244同時(shí)形成。形成柵極254之后，通過將預(yù)定導(dǎo)電型雜質(zhì)如p型雜質(zhì)離子注入半導(dǎo)體層252，形成驅(qū)動(dòng)TFT晶體管250的源極區(qū)/漏極區(qū)252a和252b。在源極區(qū)252a和漏極區(qū)252b之間是通道形成區(qū)252c。
將層間絕緣膜255沉積在下電極244、柵極254和柵極絕緣膜253上之后，通過對(duì)層間絕緣膜255構(gòu)圖，形成驅(qū)動(dòng)TFT250的接觸孔255a、255b，這些孔分別用于露出源極區(qū)252a和漏極區(qū)252b。接觸孔255a、255b穿孔于層間絕緣膜255。將源極/漏極材料沉積在由接觸孔255a、255b穿孔的層間絕緣膜255之后，通過構(gòu)圖源極/漏極材料，形成源極256a和漏極256b，其通過接觸孔255a、255b電連接到驅(qū)動(dòng)TFT250的源極區(qū)252a和漏極區(qū)252b。此時(shí)，數(shù)據(jù)線220和電容器240的上電極246形成，最好同時(shí)形成。將電容器240的上電極246布置在下電極244之上。上電極246電連接到驅(qū)動(dòng)TFT250的源極256b。盡管圖2B中未圖解，但用驅(qū)動(dòng)TFT250的制造工藝，可以同時(shí)形成開關(guān)晶體管270。
鈍化層257形成在上電極246、源極256a、漏極256b和層間絕緣膜255上。然后通孔258和通孔259同時(shí)穿過鈍化層257。通孔258露出源極256a和漏極256b之一(圖2B中圖解的是漏極256b)，通孔259露出源極256a和漏極256b的另一個(gè)(圖2B中圖解的是源極256a)。
然后，陽極電極261、電源線230的材料和導(dǎo)電材料為與驅(qū)動(dòng)TFT250的漏極252b和驅(qū)動(dòng)TFT250的源極252a建立電接觸而填充通孔258、259，這些材料分別在沉積穿孔的鈍化膜257上。然后構(gòu)圖和蝕刻該導(dǎo)電材料，以便形成陽極電極261和電源線230。
由導(dǎo)電材料形成陽極電極(或像素電極)261和電源線230，與隨后形成的陰極264的電極材料相比，該導(dǎo)電材料具有更大的逸出功。陽極電極261和電源線230的逸出功至少為4.5。由于陽極電極261和電源線230由相同材料構(gòu)成，所以最好用低電阻率的材料來使電源線230中的電壓降達(dá)到最小，并且使用具有較高反射率的材料來增加下一步驟中形成在陽極電極261上的EL發(fā)射層263的反射率。例如，陽極電極261和電源線230的導(dǎo)電材料可以是單層膜如金、鉑、鎳、鉻或疊層膜如鎳/鋁/鎳、銀/ITO或鋁/ITO。
如上所述，問題1)電源線230內(nèi)的電壓降和2)電源線230和柵線210或數(shù)據(jù)線220之一間的短路可以得到克服，而不需要下面的附加工藝步驟1)在與柵線和數(shù)據(jù)線不同的層上形成電源線230；2)給電源線230使用低電阻材料。
在列舉的結(jié)構(gòu)和工藝中，由于EL器件260的電源線230和陽極電極261同時(shí)形成，并且由于使用具有較高反射率特性的低電阻率材料，因此如在后面發(fā)射結(jié)構(gòu)中，陽極電極261不是由高透明材料構(gòu)成的。然而，陽極電極261可以由雙層膜構(gòu)成，其中一層是透射的而另一層是反射的。整個(gè)陰極264由透明材料如ITO或IZO或半透射導(dǎo)電材料構(gòu)成，以便EL器件260是前發(fā)射結(jié)構(gòu)而不是后發(fā)射結(jié)構(gòu)。與用于電源線230和陽極電極261的材料相比，ITO和IZO具有相對(duì)高的電阻。由于電源線230和陽極電極261同時(shí)由相同材料構(gòu)成，所以將高電阻透明材料用于EL器件260的陰極264，而不是陽極261。
圖3A和圖3B描述了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的陽極電極261和電源線230的平面圖。在圖3A中，電源線230形成為格柵狀，而在電源線230的各個(gè)格柵內(nèi)陽極電極261形成為島狀，其中在電源線230形成為格柵狀的情況下，由于從四個(gè)方向(箭頭所示)提供電源電壓(Vdd)，因此可以進(jìn)一步減少整個(gè)電源線230的電壓降。換句話說，通過使格柵結(jié)構(gòu)的電源線230帶有附加多余線，進(jìn)一步減少了電源線230兩端的電壓降。通過將這種格柵形狀與低電阻率材料的使用結(jié)合生產(chǎn)出的電源線230具有很小的損耗，因此確保矩陣中每個(gè)像素從電源線230接收到相同功率和相同電壓，由此在像素之間提供均勻亮度。
圖3B描述了電源線230的另一種結(jié)構(gòu)。以列和行的矩陣形狀排列島狀陽極電極261，線狀電源線230排列在列布置的相鄰陽極電極261之間。電源線230不但可以如圖3A排列在列布置的相鄰陽極電極261之間，而且可以如圖3A排列在行布置的相鄰陽極電極261之間。
在某一范圍內(nèi)選擇任何結(jié)構(gòu)的電源線關(guān)系不大，在該范圍內(nèi)開口率不受影響，因?yàn)殡娫淳€230形成在與柵線210和數(shù)據(jù)線220不同的其它絕緣層上，例如鈍化膜257，以便在本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中消除電源線230和柵線210或數(shù)據(jù)線220之間的短路問題。因此，電源線230不但可以形成為圖3A的格柵狀和圖3B的線狀，而且可以形成為表面電極形狀，其中電源線230與陽極電極261電隔離，并且穿過通孔259連接到電容器240的上電極246和源極256a/漏極256b中的一個(gè)電極上，例如薄膜晶體管250的源極256a。
形成電源線230和陽極電極261之后，像素定義層262形成在鈍化膜257上，鈍化膜257包括陽極電極261和電源線230。通過蝕刻像素定義層262使開口部分265穿過像素定義層262，以便露出陽極電極261。接著，在開口部分265的陽極電極261上形成有機(jī)發(fā)射層263之后，陰極電極264形成在襯底上。
依照本發(fā)明的上述優(yōu)選實(shí)施例，通過使用具有低電阻率和高反射率的材料同時(shí)形成陽極電極261和電源線230，以便減少電源線230的電壓降，同時(shí)限制了工藝步驟數(shù)量。電源線230以這種方式形成，防止了數(shù)據(jù)線220或柵線210與電源線230之間的連線短路，同時(shí)提高了EL器件的發(fā)射效率。而且，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示裝置具有優(yōu)點(diǎn)，其中通過以如圖3A的格柵狀形成電源線230，并且通過給電源線230使用低電阻率材料，可以進(jìn)一步減少電源線230的電壓降。
雖然參考本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例已經(jīng)對(duì)其進(jìn)行了具體表示和說明，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，在那里可以對(duì)形式和細(xì)節(jié)方面進(jìn)行前述和其它修改，而不超出本發(fā)明的本質(zhì)和范圍。
權(quán)利要求
1.一種平板顯示器，包括形成在絕緣襯底上的柵線、數(shù)據(jù)線和電源線；由該柵線、該數(shù)據(jù)線和該電源線確定的像素區(qū)；和包括被布置在像素區(qū)中的像素電極的像素，該像素電極形成在與該電源線相同的層上。
2.如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，該電源線形成在與該柵線和該數(shù)據(jù)線不同的層上。
3.如權(quán)利要求1所述的平板顯示器，該電源線和該像素電極由相同材料形成。
4.如權(quán)利要求3所述的平板顯示器，該電源線和該像素電極由具有低電阻率和高反射率的材料形成。
5.如權(quán)利要求4所述的平板顯示器，該電源線和該像素電極由從金、鉑、鎳、鉻構(gòu)成的組中所選擇的材料單層膜、疊層的鎳/鋁/鎳膜、疊層的銀/ITO膜和疊層的鋁/ITO膜構(gòu)成。
6.一種平板顯示器，包括形成在絕緣襯底上的薄膜晶體管，其包括源極和漏極；形成在該絕緣襯底和該薄膜晶體管上的絕緣膜，該絕緣膜由分別暴露該源極和該漏極的第一和第二接觸孔穿孔；形成在該絕緣膜上并通過所述第一和第二接觸孔之一連接到所述源極和漏極之一上的像素電極；形成在該絕緣膜上并通過所述第一和第二接觸孔的另一個(gè)連接到所述源極和漏極的另一個(gè)的電源層。
7.如權(quán)利要求6所述的平板顯示器，該電源層和該像素電極由相同材料形成。
8.如權(quán)利要求6所述的平板顯示器，該電源層和該像素電極由具有低電阻率和高反射率的材料形成。
9.如權(quán)利要求7所述的平板顯示器，該像素電極和該電源層由從金、鉑、鎳、鉻構(gòu)成的組中所選擇的材料單層膜、疊層的鎳/鋁/鎳膜、疊層的銀/ITO膜和疊層的鋁/ITO膜構(gòu)成。
10.一種平板顯示器，包括被分割成多個(gè)像素區(qū)并包括多個(gè)薄膜晶體管的絕緣襯底，每個(gè)薄膜晶體管布置在所述多個(gè)像素區(qū)的相應(yīng)像素區(qū)中；形成在該襯底上的絕緣膜；多個(gè)像素電極，它們形成在該絕緣膜上，并在所述多個(gè)像素區(qū)的相應(yīng)像素區(qū)中，電連接到所述多個(gè)薄膜晶體管的相應(yīng)薄膜晶體管上。電源層，其形成在該絕緣膜上以便該電源層與所述多個(gè)像素電極電隔離，所述電源層與所述多個(gè)薄膜晶體管中的每個(gè)電連接，并給所述多個(gè)薄膜晶體管中的每個(gè)提供電源。
11.如權(quán)利要求10所述的平板顯示器，該電源層形成為格柵狀，其中所述多個(gè)像素電極的相應(yīng)像素電極布置在每個(gè)格柵中。
12.如權(quán)利要求10所述的平板顯示器，該電源層形成為線狀，其中所述電源層布置在所述多個(gè)像素電極的相應(yīng)像素電極之間，所述電源層布置成行或列之一。
13.如權(quán)利要求10所述的平板顯示器，該電源層具有表面電極形狀，其中所述電源層形成在所述襯底的整個(gè)表面上，并且與所述多個(gè)像素電極的每個(gè)電隔離。
14.一種制造平板顯示器的方法，包括以下步驟形成包括源極和漏極的薄膜晶體管，該薄膜晶體管形成在絕緣襯底上；在該襯底上形成絕緣膜；蝕刻該絕緣膜來形成穿透該絕緣膜的第一和第二接觸孔，所述第一和第二接觸孔分別暴露該薄膜晶體管的該源極和該漏極；在襯底上沉積像素電極材料；和通過沉積、構(gòu)圖和蝕刻所述像素電極材料，形成像素電極并且同時(shí)形成電源層，該像素電極通過所述第一和第二接觸孔之一電連接到所述源極和所述漏極之一，電源層通過所述第一和第二接觸孔的另一個(gè)連接到所述源極和所述漏極的另一個(gè)。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，該像素電極材料由選出功為4.5或更多的材料形成。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，該像素電極材料由具有低電阻率和高反射率的材料形成。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，該像素電極材料由從金、鉑、鎳、鉻構(gòu)成的組中所選擇的材料、疊層的鎳/鋁/鎳膜、疊層的銀/ITO膜和疊層的鋁/ITO膜形成。
全文摘要
一種平板顯示器及其制造方法，通過使用像素電極層作為電源層，其能夠防止相鄰布線之間的連線短路和電源線兩端的電壓降。本發(fā)明的平板顯示器由薄膜晶體管、絕緣膜、像素電極和電源層構(gòu)成，薄膜晶體管包括形成在絕緣襯底上的源極/漏極，絕緣膜形成在絕緣襯底上，絕緣襯底包括薄膜晶體管并包括第一、第二接觸孔，這些孔分別露出源極和漏極，像素電極形成在絕緣膜上并通過第一和第二接觸孔之一連接到源極/漏極之一上，電源層形成在絕緣膜上并通過第一和第二接觸孔的另一個(gè)連接到源極/漏極的另一個(gè)上。通過用低電阻率材料形成電源線和在格柵結(jié)構(gòu)中提供電源線，減少了電源線中的損耗。
文檔編號(hào)H01L51/50GK1541039SQ200410033069
公開日2004年10月27日 申請(qǐng)日期2004年2月5日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月5日
發(fā)明者具在本 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社