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半導體晶片的制造方法

文檔序號:6829866閱讀:173來源:國知局
專利名稱:半導體晶片的制造方法
技術領域
本發(fā)明涉及在表面上形成有突點的半導體晶片的制造方法。
背景技術
形成有多個IC和LSI等集成電路的半導體晶片被劃片裝置等分割成各個半導體芯片且在封裝后用于各種電子設備中,但為了謀求電子設備的小型化和輕量化,也開發(fā)了將半導體芯片封裝于稱為CSP的芯片尺寸封裝中的技術,并已實用化。
在分割半導體晶片前,在各集成電路中形成的鍵合焊盤上,通過使用例如稱為接線柱突點鍵合的細絲鍵合的方法形成由50μm~100μm左右高度的金、銀、銅等金屬組成的突起(突點)(例如參照專利文獻1),在用環(huán)氧樹脂等樹脂被覆電路面進行保護后,用劃片裝置等分割為電路的各個半導體芯片(例如參照專利文獻2),由此形成CSP。而后,通過用焊錫等連接印刷基板上的端子和突點,CSP被安裝在印刷基板上。
特開2000-332048號公報[專利文獻2]特開2000-173954號公報但是,突點的直徑是50μm~100μm左右,在接線柱突點鍵合中,在突點的頭部形成胡須狀的突起,存在頭部的高度不齊的問題。
而后,為了使突點頭部的高度一致,需要用CMP(化學機械拋光)花費相當長的時間研磨突點頭部,還存在生產(chǎn)性下降的問題。
因而,在制造由細絲鍵合形成有突點的半導體晶片的情況下,存在容易把突點形成在鍵合焊盤上的同時,以高效率的方法把突點頭部的高度設置為均一這樣的課題。
作為用于解決上述課題的具體的方法,本發(fā)明提供由通過細絲鍵合在形成于半導體晶片的表面上的鍵合焊盤上形成突點的突點形成工序;如埋入突點那樣在表面上被覆樹脂形成樹脂層的樹脂被覆工序;磨削樹脂層使突點露出的磨削工序組成的半導體晶片的制造方法。
在這樣構成的半導體晶片的制造方法中,在由細絲鍵合形成突點后,形成樹脂層掩埋突點,因為通過磨削樹脂層使突點露出,所以在可以以短時間形成突點的同時,可以高效率地使突點頭部的高度一致。


圖1是展示形成有鍵合焊盤的半導體晶片的平面圖。
圖2是展示通過細絲鍵合形成突點的狀態(tài)的斷面圖。
圖3是展示突點形成工序結束后的半導體晶片的斷面圖。
圖4是展示樹脂被覆工序結束后的半導體晶片的斷面圖。
圖5是在磨削工序中使用的磨削裝置一例的斜視圖。
圖6是展示磨削工序結束后的半導體晶片的斷面圖。
具體實施例方式
參照圖1~圖6說明本發(fā)明的實施方式的一例。在圖1所示的半導體晶片10的表面上,在由縱橫路S劃分的區(qū)域上分別形成有電路C,在各電路C中,如圖1中放大所示,形成有多個鍵合焊盤11。該鍵合焊盤11,是采用被形成在半導體晶片10的表面上的金屬被膜的電極。
在各鍵合焊盤11上,例如使用圖2所示的細絲鍵合裝置20形成突點,當使用細絲鍵合裝置20的情況下,如圖2(A)所示,從毛細管21中形成的細孔,例如使用金屬形成的細絲12向下方突出,通過在電吹管22和細絲12之間放電,如圖2(B)所示,在細絲12的前端形成球13。
而后,如圖2(C)所示,使毛細管21下降,在按壓于鍵合焊盤11的狀態(tài)下,通過從毛細管21施加超聲波振動,或者進行熱壓接,如圖2(D)所示,使毛細管21上升拉下細絲12,由此形成由細絲形成的突點14(突點形成工序)。如果這樣進行突點形成工序,則通過電鍍等可以短時間形成突點。進而,在突點14的上端,形成因斷裂產(chǎn)生的斷端的突起部14a。該突起部14a在每個突點上其高度不同。
如圖3所示,如果在全部鍵合焊盤11上形成突點14,則以下如圖4所示,被覆環(huán)氧樹脂等樹脂形成樹脂層15(樹脂被覆工序),掩埋全部突點14。在樹脂層15的形成中,例如可以使用旋轉涂布機。
在形成樹脂層15后,例如通過使用圖5所示的磨削裝置30磨削樹脂層15使突點14露出。在該磨削裝置30中的構成是,從基臺31的端部矗立起壁部分32,在該壁部分32的內(nèi)側面上在垂直方向上配設一對導軌33,由導軌33引導支撐板34升降,由此被安裝在支撐板34上的磨削裝置35升降。另外,在基臺31上,配設轉盤36可以轉動,進而轉盤36可以旋轉支撐保持半導體晶片10的多個卡盤臺37。
在磨削裝置35中,其構成是,在具有垂直方向的軸心的主軸38的前端上安裝著夾套39,進而在其下部固定著磨削輪40。在磨削輪40的下面固定著磨削砂輪41,隨著主軸38的旋轉磨削砂輪41旋轉。進而,磨削裝置,也可以在磨削輪40的下面固定刀具。
在使用該磨削裝置30磨削被覆在半導體晶片10的表面上的樹脂層15時,使樹脂層15朝上把半導體晶片10保持在卡盤臺37上位于磨削裝置35的正下方,在使主軸38旋轉的同時,使磨削裝置35下降。而后,隨著主軸38的轉動在磨削砂輪41轉動的同時,旋轉的磨削砂輪41與被形成在半導體晶片表面上的樹脂層15接觸施加按壓力,該樹脂層15由磨削砂輪41磨削。這樣通過進行規(guī)定量磨削,如圖6所示,突點14露出(磨削工序)。這時,即使突點14的突起部分14a的高度不一致,也可以通過磨削使頭部高度均一,同時,突點14的頭部的面和樹脂層15的上面變?yōu)橥幻?。因而,可以圓滑地和印刷基板的端子連接。另外,因為可以不采用CMP而通過磨削使突點14露出從而使頭部一致,所以是高效率的,可以提高生產(chǎn)性。
如上所述,形成有突點的半導體晶片10,通過縱橫切割圖1所示的縱橫路S而成為每個電路構成的半導體芯片。而后被形成在各個半導體晶片上的突點,通過和被搭載在各種電子設備內(nèi)部的印刷基板的端子連接可以起到該芯片的功能。而后,由于突點的高度一致,因而可以可靠地進行和端子的連接,因為不引起接觸不良等,所以還可以提高設備整體的可靠性。
如上所述,如果采用本發(fā)明的半導體晶片的制造方法,則在用細絲鍵合形成突點后,如掩埋突點那樣形成樹脂,因為磨削樹脂層使突點露出使頭部一致,所以在可以短時間形成突點的同時,因為可以用高效率的方法使突點的頭部高度一致,所以可以高效率地制作高品質的半導體晶片。
權利要求
1.一種半導體晶片的制造方法,包括用細絲鍵合在半導體晶片表面上形成的鍵合焊盤上形成突點的突點形成工序;在該表面上被覆樹脂來形成樹脂層,從而掩埋該突點的樹脂被覆工序;以及磨削該樹脂層使該突點露出的磨削工序。
全文摘要
在制造由細絲鍵合形成突點的半導體晶片的情況下,在容易在鍵合焊盤上形成突點的同時,使突點的頭部高度均一。提供一種半導體晶片的制造方法,其構成包含用細絲鍵合在被形成于半導體晶片10表面上的鍵合焊盤11上形成突點14的工序;如埋入該突點14那樣在該表面上被覆樹脂形成樹脂層15的樹脂被覆工序;磨削該樹脂層15使該突點14露出,使突點14的高度一致的磨削工序。
文檔編號H01L21/56GK1536634SQ200410032519
公開日2004年10月13日 申請日期2004年4月8日 優(yōu)先權日2003年4月8日
發(fā)明者關家一馬, 尚, 荒井一尚 申請人:株式會社迪思科
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