專利名稱：低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種片式多層壓敏電阻器，特別是涉及一種低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器；本發(fā)明還涉及這種低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器的制造方法。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的技術(shù)中，壓敏電阻器按燒結(jié)溫度可分為高溫?zé)珊偷蜏責(zé)筛邷責(zé)蔀?150℃～1250℃；低溫?zé)蔀?00℃左右的低溫段。高溫?zé)Y(jié)所用的內(nèi)電極是70％銀-30％鈀內(nèi)電極，甚至用純鈀或者純鉑內(nèi)電極，貴金屬的含量比較高，內(nèi)電極的成本高，因而生產(chǎn)成本高。低溫?zé)墒褂眉冦y內(nèi)電極，成本比較低，但瓷體的致密性較差及純銀內(nèi)電極的銀離子容易遷移等會造成壓敏電阻器的可靠性較差。而且大多低溫?zé)傻拇闪现芯枰砑右欢康挠卸驹劂U，來達(dá)到降溫?zé)傻哪康摹獗容^多專利報道高溫?zé)傻膲好綦娮杵?。日本專?特開平9-320814)報道的是低溫與純銀電極共燒。該“氧化鋅壓敏電阻器的制造”專利提出把三氧化二鉍與三氧化二銻等微量添加劑預(yù)先在350℃～730℃預(yù)燒，可實現(xiàn)與純銀內(nèi)電極共燒。
國內(nèi)尚未發(fā)現(xiàn)有關(guān)多層氧化鋅壓敏電阻器的專利報道。傳統(tǒng)的ZnO片式多層壓敏電阻器瓷料的燒成溫度超過1150℃，因此必須用銀鈀、銀鉑等貴金屬含量較高的昂貴電極漿料，成本較高。采用純銀內(nèi)電極的低溫?zé)Y(jié)片式多層壓敏電阻器成本低但其可靠性差。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種生產(chǎn)成本低，且可靠性高的低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種上述低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器的制造方法。
本發(fā)明的第一個目的通過以下技術(shù)方案予以實現(xiàn)。
本發(fā)明的一種低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器，它是由ZnO瓷料和內(nèi)電極層交錯排布燒結(jié)而成，其特征在于所述的ZnO瓷料的主要原料為平均粒徑為0.10～0.99μm的ZnO亞微米粉體，所述的內(nèi)電極層是鈀-銀內(nèi)電極層，其中鈀的比例占鈀-銀內(nèi)電極重量的3～10％，銀的比例占鈀-銀內(nèi)電極重量的90～97％，該ZnO瓷料和鈀-銀內(nèi)電極層交錯排布，并在920～960℃的溫度范圍內(nèi)燒結(jié)而成。由于采用了ZnO亞微米粉體(本專利申請中所提及的亞微米是指一種長度介于納米與1微米之間的尺寸，通常認(rèn)為納米是指三維中任意一維的長度小于0.1μm。)，使產(chǎn)品的微觀結(jié)構(gòu)均勻性大大改善，對提高壓敏電阻器通流容量重要指標(biāo)特別有利；由于在鈀-銀內(nèi)電極中大大降低了的貴重金屬鈀的使用量，使得本發(fā)明可以在實現(xiàn)低溫?zé)Y(jié)，降低成本的同時，并且克服了因純銀內(nèi)電極中的銀離子容易遷移而造成壓敏電阻器可靠性較差的缺陷。較好地兼容解決了瓷料與電極的低溫共燒以及提高產(chǎn)品性能兩個相互制約的問題。并且在瓷料中不添加任何形式的有毒元素——鉛。
為進(jìn)一步提高本發(fā)明的性能，可在上述ZnO瓷料中添加3～10％(摩爾百分比)的改性添加劑，所述的改性添加劑由非線性形成劑、低溫?zé)Y(jié)添加劑和非線性增強(qiáng)劑及大電流性能改進(jìn)劑組成，其中的非線性形成劑及低溫?zé)Y(jié)添加劑占改性添加劑的20～90％(摩爾百分比)，非線性增強(qiáng)劑及大電流性能改進(jìn)劑占改性添加劑的10～80％(摩爾百分比)。
所述的非線性形成劑及低溫?zé)Y(jié)添加劑主要由Bi2O3、Sb2O3、B2O3、TiO2-組成，它們占非線性形成劑及低溫?zé)Y(jié)添加劑的摩爾百分比分別為Bi2O36～60％，Sb2O36～60％，B2O36～60％，TiO26～60％；所述的非線性增強(qiáng)劑及大電流性能改進(jìn)劑主要由BaCO3、Ni2O3、MnCO3、SiO2、Co3O4、Al2O3、Y2O3、La2O3、Cr2O3中的任意兩種或兩種以上組合而成，其中的每一組份分別占非線性增強(qiáng)劑及大電流性能改進(jìn)的摩爾百分比0.5～50％。
本發(fā)明的第二個目的通過以下技術(shù)方案予以實現(xiàn)一種上述低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器的制造方法，它包括以下步驟(1)備料；(2)將配好的物料球磨成亞微米粉體；(3)對研磨好的亞微米粉體物料進(jìn)行烘干；(4)在烘干后的物料中添加黏合劑；(5)進(jìn)一步球磨添加了黏合劑的物料，使其成為為流延漿料；(6)將流延漿料流延制得膜帶；(7)對膜帶稍稍施壓，制成膜帶保護(hù)層；
(8)在膜帶保護(hù)層的內(nèi)端面上印刷內(nèi)電極；(9)在內(nèi)電極上再覆蓋一層膜帶形成有效層；(10)在有效層上印刷與前次印刷的內(nèi)電極錯位的內(nèi)電極；(11)重復(fù)步驟(9)和步驟(10)，直到有效層的數(shù)目達(dá)到設(shè)計的要求；(12)切割完成疊層的膜帶為生坯；(13)將生坯加溫排膠；(14)將排膠后的生坯在900～980℃的溫度范圍內(nèi)燒成。
所述的步驟(1)配料，是在90～97％(摩爾百分比)的ZnO粉體中添加3～10％(摩爾百分比)的其它由金屬氧化物組成的改性添加劑，所述的改性添加劑由非線性形成劑、低溫?zé)Y(jié)添加劑和非線性增強(qiáng)劑及大電流性能改進(jìn)劑組成，其中的非線性形成劑及低溫?zé)Y(jié)添加劑占改性添加劑的20～90％(摩爾百分比)，非線性增強(qiáng)劑及大電流性能改進(jìn)劑占改性添加劑的10～80％(摩爾百分比)。
所述的非線性形成劑及低溫?zé)Y(jié)添加劑主要由Bi2O3、Sb2O3、B2O3、TiO2-組成，它們占非線性形成劑及低溫?zé)Y(jié)添加劑的摩爾百分比分別為Bi2O36～60％，Sb2O36～60％，B2O36～60％，TiO26～60％；所述的非線性增強(qiáng)劑及大電流性能改進(jìn)劑主要由BaCO3、Ni2O3、MnCO3、SiO2、Co3O4、Al2O3、Y2O3、La2O3、Cr2O3中的任意兩種或兩種以上組合而成，其中的每一組份分別占非線性增強(qiáng)劑及大電流性能改進(jìn)的摩爾百分比0.5～50％。
所述的步驟(2)是將上述ZnO粉體和改性添加劑按配比稱重后，送進(jìn)高效砂磨機(jī)內(nèi)，并加入適量去離子水和鋯球進(jìn)行球磨，磨細(xì)至平均粒徑為0.10～0.99μm的ZnO亞微米復(fù)合粉體，優(yōu)選研磨成平均粒徑為0.2～0.6μm的ZnO亞微米復(fù)合粉體。
所述的步驟(6)是除泡流延出15～70μm的厚度均勻的膜帶。
所述的步驟(7)是將步驟(6)中的部分膜帶預(yù)壓成3～20倍單層膜帶厚度的保護(hù)層。
所述的步驟(8)其中的內(nèi)電極是鈀-銀內(nèi)電極，當(dāng)中鈀的比例占鈀-銀內(nèi)電極重量的3～10％，銀的比例占鈀-銀內(nèi)電極重量的90～97％。
所述的步驟(9)是在步驟(8)中的鈀-銀內(nèi)電極上覆蓋一層膜帶，并稍微加壓而形成。
所述的步驟(14)優(yōu)選在920～960℃的溫度范圍內(nèi)燒結(jié)而成。
所述的步驟(14)其后還可增加步驟加上端電極，引出內(nèi)電極步騾。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是(1)由于采用了ZnO亞微米粉體，使產(chǎn)品的微結(jié)構(gòu)均勻性大大改善，對提高壓敏電阻器通流容量重要指標(biāo)特別有利。(2)由于在鈀-銀內(nèi)電極中大大降低了的貴重金屬鈀的使用量，使得本發(fā)明可以在實現(xiàn)低溫?zé)Y(jié)，降低成本的同時，并且克服了因純銀內(nèi)電極中的銀離子容易遷移而造成壓敏電阻器可靠性較差的缺陷，較好地兼容解決了瓷料與電極的低溫共燒以及提高產(chǎn)品性能兩個相互制約的問題。(3)在制造過程中，ZnO瓷料不需經(jīng)過預(yù)燒處理，節(jié)省了生產(chǎn)步驟，提高了效率，最重要的是確保配比的準(zhǔn)確性。(4)通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)整Bi2O3、Sb2O3、B2O3、TiO2的摻量，并且采用顆粒粒徑較小的粉體，從而實現(xiàn)不添加有毒元素鉛而達(dá)到低溫?zé)Y(jié)。(5)制成的壓敏電阻器的壓敏電壓在4～68V之間可任意調(diào)整，非線性系數(shù)大于30，漏電流小于10微安。該壓敏電阻器具有體積小，溫度特性好，非線性好，成本低，適于表面安裝技術(shù)等優(yōu)點(diǎn)。
圖1是本發(fā)明的低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明的制造方法的流程圖。
具體實施例方式
下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。
實施例一如圖1所示結(jié)構(gòu)、圖2所示的制造方法流程，以及按照配方表一，準(zhǔn)確稱取各種物料，將稱好的物料放入高效球磨機(jī)里，加入適量的去離子水和鋯球，球磨12個小時得到平均粒徑為0.4微米的物料。將球磨好的物料放在不銹鋼盤里于120℃左右烘干10個小時后，加入適量已經(jīng)配好的黏合劑，再球磨24個小時制得均勻穩(wěn)定的流延漿料，然后流延出膜帶，并對膜帶稍微加壓制得厚度為45微米的膜帶保護(hù)層a，在膜帶保護(hù)層a上印刷重量比為95％銀、5％鈀的合金內(nèi)電極b，疊層后再錯位印刷另一層內(nèi)電極，直至有效層c為6層，經(jīng)過靜水壓后切割出尺寸為04×02(英寸)的生坯，把這些生坯放在專用的承燒板上放入爐內(nèi)，緩慢升溫(100℃/hr)至350℃保溫3個小時，后再緩慢升溫至600℃保溫5個小時，排完膠后在920℃保溫5個小時，然后加上上端電極d，得到壓敏電壓為18V，非線性系數(shù)為35，漏電流為1.4微安(80％壓敏電壓)的低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器。如排完膠后在950℃保溫5個小時，則得到壓敏電壓為8V，非線性系數(shù)為32，漏電流為1.7微安(在80％壓敏電壓下測量)的低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器。
表一、實例一配方表
實施例二按照配方表二，準(zhǔn)確稱取各種物料。將稱好的物料放入高效球磨機(jī)里，加入適量的去離子水和鋯球，球磨12個小時得到平均粒徑為0.2微米的物料。將球磨好的物料放在不銹鋼盤里于120℃左右烘干10個小時后，加入適量已經(jīng)配好黏合劑，再球磨24個小時制得均勻穩(wěn)定的流延漿料。流延出膜帶，并對膜帶稍微加壓制得厚度為15微米的膜帶保護(hù)層。在膜帶保護(hù)層上印刷重量比為90％銀、10％鈀的合金內(nèi)電極，疊層后再錯位印刷另一層內(nèi)電極，直至有效層為6層。經(jīng)過靜水壓后切割出尺寸為04×02(英寸)的生坯，把這些生坯放在專用的承燒板上放入爐內(nèi)，緩慢升溫(100℃/hr)至350℃保溫3個小時，后再緩慢升溫至600℃保溫5個小時。排完膠后，在930℃保溫5個小時，再加上上端電極，則得到壓敏電壓為22V，非線性系數(shù)為37，漏電流為1.2微安(80％壓敏電壓)的低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器。如排完膠后在950℃保溫5個小時，得到壓敏電壓為12V，非線性系數(shù)為34，漏電流為1.5微安(在80％壓敏電壓下測量)的低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器。
表二、實例二配方表
實施例三按照配方表三，準(zhǔn)確稱取各種物料。將稱好的物料放入高效球磨機(jī)里，加入適量的去離子水和鋯球，球磨12個小時得到平均粒徑為0.10微米的物料。將球磨好的物料放在不銹鋼盤里于120℃左右烘干10個小時后，加入適量已經(jīng)配好黏合劑，再球磨24個小時制得均勻穩(wěn)定的流延漿料。流延出膜帶，并對膜帶稍微加壓制得厚度為55微米的膜帶保護(hù)層。在膜帶保護(hù)層上印刷重量比為96％銀、4％鈀的合金內(nèi)電極，疊層后在錯位印刷另一層內(nèi)電極，直至有效層為6層。經(jīng)過靜水壓后切割出尺寸為04×02(英寸)的生坯，把這些生坯放在專用的承燒板上放入爐內(nèi)，緩慢升溫(100℃/hr)至350℃保溫3個小時，后再緩慢升溫至600℃保溫5個小時。排完膠后，在940℃保溫5個小時，然后加上上端電極，則得到壓敏電壓為16V，非線性系數(shù)為33，漏電流為1.6微安(80％壓敏電壓)的低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器。如排完膠后在930℃保溫5個小時，得到壓敏電壓為10V，非線性系數(shù)為32，漏電流為1.8微安(在80％壓敏電壓下測量)的低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器。
表三、實例三配方表
實施例四按照配方表四，準(zhǔn)確稱取各種物料。將稱好的物料放入高效球磨機(jī)里，加入適量的去離子水和鋯球，球磨12個小時得到平均粒徑為0.6微米的物料。將球磨好的物料放在不銹鋼盤里于120℃左右烘干10個小時后，加入適量已經(jīng)配好黏合劑，再球磨24個小時制得均勻穩(wěn)定的流延漿料。流延出膜帶，并對膜帶稍微加壓制得厚度為75微米的膜帶保護(hù)層。在膜帶保護(hù)層上印刷重量比為97％銀、3％鈀的合金內(nèi)電極，疊層后在錯位印刷另一層內(nèi)電極，直至有效層為6層。經(jīng)過靜水壓后切割出尺寸為04×02(英寸)的生坯，把這些生坯放在專用的承燒板上放入爐內(nèi)，緩慢升溫(100℃/hr)至350℃保溫3個小時，后再緩慢升溫至600℃保溫5個小時。排完膠后在960℃保溫5個小時，然后加上上端電極，則得到壓敏電壓為24V，非線性系數(shù)為37，漏電流為1.2微安(80％壓敏電壓)的低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器。如排完膠后在930℃保溫5個小時，得到壓敏電壓為12V，非線性系數(shù)為33，漏電流為1.6微安(在80％壓敏電壓下測量)的低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器。
表四、實例四配方表
實施例五按照表五配方，準(zhǔn)確稱取各種物料。將稱好的物料放入高效球磨機(jī)里，加入適量的去離子水和鋯球，球磨12個小時得到平均粒徑為0.99微米的物料。將球磨好的物料放在不銹鋼盤里于120℃左右烘干10個小時后，加入適量已經(jīng)配好黏合劑，再球磨24個小時制得均勻穩(wěn)定的流延漿料。流延出膜帶，并對膜帶稍微加壓制得厚度為30微米的膜帶保護(hù)層。在膜帶保護(hù)層上印刷由重量比為94％的銀和6％的鈀構(gòu)成的合金內(nèi)電極，疊層后再錯位印刷另一層內(nèi)電極，直至有效層為6層。經(jīng)過靜水壓后切割出尺寸為04×02(英寸)的生坯，把這些生坯放在專用的承燒板上放入爐內(nèi)，緩慢升溫(100℃/hr)至350℃保溫3個小時，后再緩慢升溫至600℃保溫5個小時。排完膠后在950℃保溫5個小時，然后加上上端電極，則得到壓敏電壓為25V，非線性系數(shù)為36，漏電流為1.3微安(80％壓敏電壓)的低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器。如排完膠后在960℃保溫5個小時，得到壓敏電壓為13V，非線性系數(shù)為34，漏電流為1.5微安(在80％壓敏電壓下測量)的低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器。
表五、實例五配方表
權(quán)利要求
1.一種低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器，它是由ZnO瓷料和內(nèi)電極層交錯排布燒結(jié)而成，其特征在于所述的ZnO瓷料的主要原料為平均粒徑為0.10～0.99μm的ZnO亞微米粉體，所述的內(nèi)電極層是鈀-銀內(nèi)電極層，其中鈀的比例占鈀-銀內(nèi)電極重量的3～10％，銀的比例占鈀-銀內(nèi)電極重量的90～97％，該ZnO瓷料和鈀-銀內(nèi)電極層交錯排布，并在900～980℃的溫度范圍內(nèi)燒結(jié)而成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器，其特征在于所述的ZnO粉體的平均粒徑為0.2～0.6μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器，其特征在于上述ZnO瓷料中添加摩爾百分比為3～10％的改性添加劑，所述的改性添加劑由非線性形成劑、低溫?zé)Y(jié)添加劑和非線性增強(qiáng)劑及大電流性能改進(jìn)劑組成，其中的非線性形成劑及低溫?zé)Y(jié)添加劑占改性添加劑的20～90％(摩爾百分比)，非線性增強(qiáng)劑及大電流性能改進(jìn)劑占改性添加劑的10～80％(摩爾百分比)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器，其特征在于所述的非線性形成劑及低溫?zé)Y(jié)添加劑主要由Bi2O3、Sb2O3、B2O3、TiO2組成，它們占非線性形成劑及低溫?zé)Y(jié)添加劑的摩爾百分比分別為Bi2O36～60％，Sb2O36～60％，B2O36～60％，TiO26～60％；所述的非線性增強(qiáng)劑及大電流性能改進(jìn)劑主要由BaCO3、Ni2O3、MnCO3、SiO2、Co3O4、Al2O3、Y2O3、La2O3、Cr2O3中的任意兩種或兩種以上組合而成，其中的每一組份分別占非線性增強(qiáng)劑及大電流性能改進(jìn)的摩爾百分比0.5～50％。
5.一種權(quán)利要求1所述的低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器的制造方法，它包括以下步驟(1)備料；(2)將配好的物料球磨成亞微米粉體；(3)對研磨好的亞微米粉體物料進(jìn)行烘干；(4)在烘干后的物料中添加黏合劑；(5)進(jìn)一步球磨添加了黏合劑的物料，使其成為為流延漿料(6)將流延漿料流延制得膜帶；(7)對膜帶稍稍施壓，制成膜帶保護(hù)層；(8)在膜帶保護(hù)層的內(nèi)端面上印刷內(nèi)電極；(9)在內(nèi)電極上再覆蓋一層膜帶形成有效層；(10)在有效層上印刷與前次印刷的內(nèi)電極錯位的內(nèi)電極；(11)重復(fù)步驟(9)和步驟(10)，直到有效層的數(shù)目達(dá)到設(shè)計的要求；(12)切割完成疊層的膜帶為生坯；(13)將生坯加溫排膠；(14)將排膠后的生坯在900～980℃的溫度范圍內(nèi)燒成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的所述的低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器的制造方法，其特征在于所述的步驟(1)備料，是在90～97％(摩爾百分比)的ZnO粉體中添加3～10％(摩爾百分比)的其它由金屬氧化物組成的改性添加劑，所述的改性添加劑由非線性形成劑、低溫?zé)Y(jié)添加劑和非線性增強(qiáng)劑、大電流性能改進(jìn)劑組成，其中的非線性形成劑及低溫?zé)Y(jié)添加劑占改性添加劑的20～90％(摩爾百分比)，非線性增強(qiáng)劑及大電流性能改進(jìn)劑占改性添加劑的10～80％(摩爾百分比)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的所述的低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器的制造方法，其特征在于，所述的步驟(2)是將上述ZnO粉體和改性添加劑按配比稱重后，送進(jìn)高效砂磨機(jī)內(nèi)，并加入適量去離子水和鋯球進(jìn)行球磨，磨細(xì)至平均粒徑為0.1～0.99μm的ZnO亞微米復(fù)合粉體。
8.根據(jù)權(quán)利要求8所述的所述的低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器的制造方法，其特征在于所述的ZnO亞微米復(fù)合粉體的平均粒徑為0.2～0.6μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的所述的低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器的制造方法，其特征在于所述的步驟(8)其中的內(nèi)電極是鈀-銀內(nèi)電極，當(dāng)中鈀的比例占鈀-銀內(nèi)電極重量的3～10％，銀的比例占鈀-銀內(nèi)電極重量的90～97％。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的所述的低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器的制造方法，其特征在于所述的步驟(14)是在920～960℃的溫度范圍內(nèi)燒結(jié)而成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器，一種低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器，它是由ZnO瓷料和內(nèi)電極層交錯排布燒結(jié)而成，其特征在于所述的ZnO瓷料的主要原料為平均粒徑為0.10～0.99μm的ZnO亞微米粉體，所述的內(nèi)電極層是鈀－銀內(nèi)電極層，其中鈀的比例占鈀－銀內(nèi)電極重量的3～10％，銀的比例占鈀－銀內(nèi)電極重量的90～97％，該ZnO瓷料和鈀－銀內(nèi)電極層交錯排布，并在900～980℃的溫度范圍內(nèi)燒結(jié)而成。本發(fā)明還公開了一種上述低溫?zé)Y(jié)ZnO多層片式壓敏電阻器的制造方法。
文檔編號H01C17/30GK1564270SQ200410026750
公開日2005年1月12日 申請日期2004年4月5日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月5日
發(fā)明者鐘明峰 申請人:廣州新日電子有限公司