專利名稱：氮化鎵系發(fā)光組件及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光組件及其制造方法，特別是涉及一種具有金屬微結構的光取出層的氮化鎵系發(fā)光組件及其制造方法。
背景技術：
半導體發(fā)光二極管(LED)的發(fā)展已有數(shù)十年歷史，其發(fā)光效率的改善一直為LED能否進一步用于民生光源的關鍵；因此，多年來LED的發(fā)展方向大致皆在于發(fā)光效率的提升上。發(fā)光效率的影響因素一般包括選用的半導體材料、組件結構的設計、透明度及全反射現(xiàn)象等。
氮化鎵系材料為半導體發(fā)光二極管的最常用的材料。為使氮化鎵系材料發(fā)出光，一電壓或電流通常必須送入該二極管中；為使電壓或電流送入其中，一對正負電極通常設在該二極管組件上。
正電極即一般所稱的p型電極，負電極則為一般所稱的n型電極，因為p型電極的電先流進p型半導體層、而n型電極的電先流進n型半導體層的原因。P型電極為正電流入之處，其導電所依賴的移動載子為電洞；n型電極為負電流入之處，其導電所賴的移動載子則為電子。一般皆知，電洞的移動牽移率遠低于電子，因此p型電極處的導電效率遠差于n型電極處。
有鑒于此，一般皆在p型電極的下方設一電流散布層，用以將進入p型電極的正電荷導引成均勻散布在p型半導體層上，從而使p型電極與n型電極間的電力線能夠均勻分布，并因此有效提高光的被激發(fā)出效率。
上述電流散布層的材料可為任意適用的材料，其中鎳/金(Ni/Au)雙層結構為其中最常見的，其整個LED結構如圖1所示的發(fā)光二極管結構10，其中包括有基材11、緩沖層12、n型氮化鎵系層13、半導體主動層14、p型氮化鎵系層15、p型半導體層16、電流散布層17與p型電極18，其制程步驟可參閱臺灣專利558848、4198 37等。在該圖中，電流散布層17設在p型半導體層16及p型電極18間，用以將p型電極18的正電荷均勻分布在電流散布層17上，以均勻進入p型半導體層16中。
然而，這種電流散布層的設計的全反射問題嚴重，因其表面平坦而使光全反射折回結構中而阻礙輸出。其后，將該電流散布層上方再加以一些粗糙化設計的發(fā)光組件被提出，例如將發(fā)光組件上方光出射處加以粗糙結構，以使多數(shù)光出射時的出射角小于臨界角(斯奈爾定律(Snell’s Law)定義)，該種粗糙結構通常為半圓形或經(jīng)截角的金字塔形。然而，該種粗糙形狀的形成工作相當煩雜，且其成本也很高。
另外，也有其它粗糙化方式被提出，如利用蝕刻方式破壞組件結構上的平面部份，以使該平面部份具有許多非平坦的小切面，并使多數(shù)出射光的出射角小于臨界角而光不至于全反射回組件結構中。這種粗糙化方法包括一平面的隨機蝕刻步驟，如先沉積粒子于該平面之上，接著再以該等粒子作為隨機蝕刻罩幕，但如此形成的平面圖案至少有以下二大缺點1、p型電極中可能存有一些小島狀結構，這些島狀結構下方的部份未觸及p型電極接觸，因此該部份無法貢獻發(fā)光，總體輸出光亦隨之下降。
2、由于該組件結構上平面與下方發(fā)光區(qū)相當靠近，蝕刻方式的使用極可能破壞發(fā)光區(qū)，如此又增添了導致另一發(fā)光量下降的因素。
由此可見，上述現(xiàn)有的發(fā)光組件及其制造方法仍存在有缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決發(fā)光組件及其制造方法存在的問題，相關廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設計被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結構能夠解決上述問題，此顯然是相關業(yè)者急欲解決的問題。
有鑒于上述現(xiàn)有的氮化鎵系發(fā)光二極管(LED)結構存在的缺陷，確有必要提出一種具有高光取出效率的氮化鎵系發(fā)光二極管(LED)結構。本發(fā)明人基于豐富的實務經(jīng)驗及其專業(yè)知識，積極加以研究創(chuàng)新，經(jīng)過不斷研究、設計，并經(jīng)反復試作樣品及改進后，終于創(chuàng)設出確具實用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服上述現(xiàn)有的發(fā)光組件存在的缺陷，而提出一種新型結構的氮化鎵系發(fā)光二極管組件，所要解決的技術問題是使其具有較高的光取出效率，從而更加適于實用。
本發(fā)明的另一目的在于，克服上述現(xiàn)有的發(fā)光組件的制造方法存在的缺陷，而提供一種新的氮化鎵系發(fā)光組件的制造方法，使得制造該氮化鎵系發(fā)光二極管組件(LED)的方法其制造步驟不復雜煩冗。
本發(fā)明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種氮化鎵系發(fā)光組件，該氮化鎵系發(fā)光組件至少包括一發(fā)光體，為一能發(fā)光的氮化鎵系材料所組成一光取出層，其至少包括一電流散布層，位于該發(fā)光體上；以及一微結構層，位于該電流散布層之上，為一具納米網(wǎng)絡(nano-net)結構的氮化鈦層。
本發(fā)明的目的及解決其技術問題還可以采用以下的技術措施來進一步實現(xiàn)。
前述的氮化鎵系發(fā)光組件，其中所述的發(fā)光體為一n型氮化鎵系層、一半導體主動層及一p型氮化鎵系層構成，其中該半導體主動層位于該n型氮化鎵系層上，該p型氮化鎵系層則位于該主動層上。
前述的氮化鎵系發(fā)光組件，其中所述的發(fā)光組件具有一p型電極及一n型電極，且該p型電極是形成于該微結構層上或該微結構旁與該電流散布層旁。
前述的氮化鎵系發(fā)光組件，其中所述的氮化鈦納米網(wǎng)絡是由氮化一鈦層形成。
前述的氮化鎵系發(fā)光組件，其中所述的微結構層，可為一具金屬簇(metal clusters)結構的鉑層，而該鉑層金屬簇結構是由回火該鉑層而獲得。
前述的氮化鎵系發(fā)光組件，其中所述的微結構層，可為一含金屬簇層。
本發(fā)明的目的及解決其技術問題是還采用以下的技術方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種制造一氮化鎵系發(fā)光組件的方法，其至少包括下列步驟備制一基材；形成一n型氮化鎵系層于該基材上；形成一半導體主動層于該n型氮化鎵系層；形成一p型氮化鎵系層于該半導體主動層上；形成一電流散布層于該p型氮化鎵系層上；以及形成一微結構層于該電流散布層上。
本發(fā)明的目的及解決其技術問題還可以采用以下的技術措施來進一步實現(xiàn)。
前述的制造一氮化鎵系發(fā)光組件的方法，其中所述的形成一微結構層于該電流散布層上的步驟后還包括形成一p型電極及一n型電極于該發(fā)光組件上的步驟，且該p型電極是形成在該微結構層上或該微結構層與該電流散布層旁。
前述的制造一氮化鎵系發(fā)光組件的方法，其中所述的形成一微結構層于該電流散布層上的步驟中，是利用先形成一鈦層在該p型氮化鎵系層上、接著再對該鈦層用氮化的方式制成。
前述的制造一氮化鎵系發(fā)光組件的方法，其中所述的形成一微結構層于該電流散布層上的步驟中，是利用先形成一鉑層于該p型氮化鎵系層上、接著再對該鉑層用回火的方式制成。
本發(fā)明的目的及解決其技術問題是還采用以下的技術方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種氮化鎵系發(fā)光組件，其至少包括一基材；一金屬反射層，位于該基材之上；一p型氮化鎵系層，位于該金屬反射層之上；一半導體主動層，位于該p型氮化鎵系層上；一n型氮化鎵系層，位于該半導體主動層上；以及一微結構層，位于該n型氮化鎵系層之上，為一具納米網(wǎng)絡(nano-net)結構的氮化鈦層或一具金屬簇結構的鉑層。
本發(fā)明的目的及解決其技術問題還可以采用以下的技術措施來進一步實現(xiàn)。
前述的氮化鎵系發(fā)光組件，其中所述的發(fā)光組件的導電金屬基材下方具有一p型電極，并在該微結構層上具有一n型電極。
前述的氮化鎵系發(fā)光組件，其中所述的氮化鈦納米網(wǎng)絡是由氮化一鈦層形成的，該鉑層金屬簇結構則是由回火一鉑層所獲得。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上技術方案可知，為了達到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術內(nèi)容如下本發(fā)明在氮化鎵系LED結構的電流散布層上形成一微結構表面，借由該微結構降低該電流散布層的光全反射，并因此可達成上述提升發(fā)光效率的目的。
本發(fā)明具有微結構表面LED組件結構有二主要實施例。在本發(fā)明第一組件結構實施例中，一氮化鈦(TiN)層形成在該電流散布層上，并共同構成一光取出雙層結構，該雙層結構位于一發(fā)光體上。該氮化鈦層具有一微結構，該微結構實際上是一納米網(wǎng)絡(nano-net)結構；借由該微結構，該發(fā)光體中一半導體主動層所產(chǎn)生的光能夠比較有效的避免全反射的發(fā)生。
在本發(fā)明第二組件結構實施例中，一鉑(Pt)層形成在該電流散布層上，并共同構成一光取出雙層結構，該雙層結構位于一發(fā)光體上。該鉑層具有一微結構，該微結構實際上是一具有金屬簇(metal clusters)的結構；借由該微結構，該發(fā)光體中一半導體主動層所產(chǎn)生的光能夠比較有效的避免全反射的發(fā)生。
在本發(fā)明的第一組件制造方法實施例中，一氮化鎵系發(fā)光體結構先予形成；一電流散布層接著形成在該發(fā)光體上；接著在該電流散布層上形成一鈦層；接著對該鈦層加以氮化處理(nitridation)，使其具有一具有納米網(wǎng)絡結構的氮化鈦微結構表面。
在本發(fā)明的第二組件制造方法實施例中，一氮化鎵系發(fā)光體結構先予形成；一電流散布層接著形成在該發(fā)光體上；接著在該電流散布層上形成一鉑層；接著對該鉑層進行回火處理，使其具有一具有金屬簇結構的鉑微結構表面。
經(jīng)由上述可知，本發(fā)明的發(fā)光組件，其至少包括一發(fā)光體及一光取出層，其中該發(fā)光體為加以能量后能發(fā)光的氮化鎵系材料所組成；該光取出層為一電流散布層及一微結構層所組成，位于該發(fā)光體上，在某些發(fā)光組件結構中則僅為一微結構層。其中，該微結構層可制為一納米網(wǎng)絡(nano-net)結構，為一氮化鈦層，是經(jīng)氮化一鈦層而獲得；該微結構層也可制為一具有金屬簇(metal clusters)的層膜，為一鉑層，且為一經(jīng)回火處理的鉑層。
借由上述技術方案，本發(fā)明至少具有下列優(yōu)點本發(fā)明氮化鎵系發(fā)光二極管(LED)發(fā)光效率的提升技術，能夠達到提升發(fā)光效率的目的，其不僅具有上述降低全反射及提升光取出效率的優(yōu)點，而且相對于現(xiàn)有技術通過蝕刻獲得粗糙表面結構的發(fā)光組件而言，本發(fā)明組件結構的制造不復雜煩冗，其光取出層極適合為各種發(fā)光組件所采用。
綜上所述，本發(fā)明特殊的氮化鎵系發(fā)光組件及其制造方法，克服了上述現(xiàn)有的發(fā)光組件存在的缺陷，提高了氮化鎵系發(fā)光組件光取出效率，同時其制造步驟也有較大的簡化，并在同類產(chǎn)品中未見有類似的結構設計或方法公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在結構上、功能上或方法上皆有較大的改進，在技術上有較大的進步，并產(chǎn)生了好用及實用的效果，且較現(xiàn)有的發(fā)光組件及其制造方法具有增進的多項功效，從而更加適于實用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價值，誠為一新穎、進步、實用的新設計。
上述說明僅是本發(fā)明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。


圖1是現(xiàn)有習用的氮化鎵系發(fā)光二極管組件的結構前視示意圖。
圖2是本發(fā)明的第一組件結構實施例的示意圖。
圖3是本發(fā)明的第二組件結構實施例的示意圖。
圖4是本發(fā)明的第一制造方法實施例，用以制造第一組件結構實施例。
圖5是本發(fā)明的第二制造方法實施例，用以制造第二組件結構實施例。
圖6是本發(fā)明的微結構用于另一型發(fā)光組件結構的示意圖。
圖7是本發(fā)明的微結構層用于一隧透接面(tunneling junction)發(fā)光組件上的結構示意圖。
圖8是本發(fā)明的微結構層用于一垂直發(fā)光組件結構上的結構示意圖。
10發(fā)光二極管結構 16p型半導體層17電流散布層 18p型電極20第一組件結構21基材22緩沖層 23n型氮化鎵系層24半導體主動層25p型氮化鎵系層26接觸層 27光取出層28電流散布層 29微結構層30p型電極 31n型電極40第二組件結構41基材42緩沖層 43n型氮化鎵系層44半導體主動層45p型氮化鎵系層46接觸層 47光取出層48電流散布層 49微結構層
50p型電極 51n型電極80發(fā)光組件結構85p型接觸層86電流散布層 87微結構層88p型金屬電極 90隧透接面發(fā)光組件結構92n型氮化鎵系層 94p型氮化鎵系層95p+型氮化鎵系層 96n+型氮化鎵系層97微結構層98p型電極99n型電極 100垂直發(fā)光組件結構101金屬基材 102金屬反射層103p型氮化鎵系層 104半導體主動層105n氮化鎵系層106微結構層107n型電極具體實施方式
以下結合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的氮化鎵系發(fā)光組件及其制造方法其具體實施方式
、結構、特征及其功效，詳細說明如后。
本發(fā)明關于具有微結構表面的光取出層的提出，用來通過全反射的降低而達到提高出射光在光取出層中的光取出效率的作用，現(xiàn)將其結構具體說明如下。
本發(fā)明的氮化鎵發(fā)光組件結構，包括二個主要實施例，請參閱圖2所示，是本發(fā)明的第一組件結構20的實施例。在圖2中，一基材21先備制完成，該基材可為藍寶石、氮化鎵或碳化硅等適用材料。一n型氮化鎵系層23、一半導體主動層24及一p型氮化鎵系層25依序形成于基材21上，用以在一電壓或電流供入該等層膜即n型氮化鎵系層23、半導體主動層24及p型氮化鎵系層25時產(chǎn)生光，在此稱該三層即n型氮化鎵系層23、半導體主動層24及p型氮化鎵系層25為發(fā)光體；其中，該半導體主動層24可為AlGaInN層或InGaN/GaN層等。其中，基材21與n型氮化鎵系層23之間可選擇性設以一緩沖層22，用以使緩沖層22旁的兩層基材21和n型氮化鎵系層23，使其具有較好的晶格匹配度等。接著，p型氮化鎵系層25上設以一p型接觸層26，該p型接觸層26上再設以一光取出層27，其中該接觸層26可為p-InGaN或p-AlInGaN層等。該光取出層27為一電流散布層28及一微結構層29構成的雙層結構。其中，電流散布層28為透明導電材料制成，至少可為常用的鎳/金(Ni/Au)雙層結構、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銠(Rh)、釕(Ru)、鋨(Os)、銥(Ir)、鋅(Zn)、銦(In)、錫(Sn)、鎂(Mg)及上述物質(zhì)的氧化物，該等氧化物中也可添加摻雜物，以增加導電性，如可以摻雜鋁；其透光波長范圍則依發(fā)光體選用材料而有不同，通常以能使發(fā)光體發(fā)出的光大量穿透其中為原則。
該微結構層29為一具納米網(wǎng)絡(nano-net)結構的層膜，且其材料為氮化鈦；為了附圖的清晰，其實際表面樣式未示于圖中。由于氮化鈦的納米網(wǎng)絡結構為極微細尺寸的粗糙結構，半導體主動層24產(chǎn)生的光子在通過該納米網(wǎng)絡微結構層29時能有更大部份以小于臨界角的角度出射，因此更多數(shù)的產(chǎn)生光子可以自該組件結構中輸出。相較于常用的粗糙表面發(fā)光組件結構而言，由于本發(fā)明的微結構尺寸遠遠小于習用粗糙結構，因此光子能夠以小于臨界角出射的遠遠較多，故其全反射程度得以降低，光取出效率因此大增。
另外，一p型電極30設在該微結構層29上，一n型電極31則可設在n型氮化鎵系層的一側上，用以供電流進發(fā)光組件的發(fā)光體中(如圖2所示)。
請參閱圖3所示，是本發(fā)明的第二組件結構40的實施例，其包括有基材41、緩沖層42、n型氮化鎵系層43、半導體主動層44、p型氮化鎵系層45、p型接觸層46、電流散布層48、微結構層49與電極50、51，其與第一組件結構實施例的多數(shù)層膜相同，但其光取出層47的微結構層49不相同。在該實施例中，該微結構層49為一經(jīng)過回火的鉑(Pt)層，其中具有金屬簇(metal clusters)結構，因不易表示而未顯示在圖中。同樣地，由于金屬簇結構的尺寸遠小于現(xiàn)有技術中的粗糙結構，因此能夠以小于臨界角出射的光子比例大幅增加；由于光子全反射機率的減小，光取出效率當然由此大大提升。
請參閱圖4所示，是本發(fā)明第一組件結構實施例的制造方法。該方法包括以下一些步驟首先，備制一基材61的步驟為先備制完成一基材；形成一緩沖層選擇性于該基材上62的步驟為一緩沖層選擇性形成于該基材上，其形成可以通過分子束磊晶(MBE)及金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)等適用技術進行。然后，形成一n型氮化鎵系層該緩沖層上63的步驟為一n型氮化鎵系層形成于該緩沖層上、形成一半導體主動層該n型氮化鎵系層上64的步驟為一半導體主動層形成于該n型氮化鎵系層上、形成一p型氮化鎵系層該半導體主動層上65的步驟為且一p型氮化鎵系層形成于該半導體主動層上。之后，形成一接觸層形成于該p型氮化鎵系層上66的步驟為一接觸層形成于該p型氮化鎵系層上。接著，形成一電流散布層于該接觸層上67的步驟為形成一電流散布層于該接觸層上，接著，形成一鈦層于該電流散布層上68的步驟為形成一鈦層于該電流散布層上。然后，形成一具有納米網(wǎng)絡結構的氮化鈦層69的步驟為對該鈦層加以氮化，藉以形成一具有納米網(wǎng)絡結構的氮化鈦層。此外，微結構層上能夠形成以一p型電極，n型氮化鎵材料層的一側上能夠形成以一n型電極，如此上述第一組件結構實施例的制造便完成。
請參閱圖5所示，是本發(fā)明第二組件結構實施例的制造方法，其中步驟71至77與圖4所示的步驟61至67相同，步驟78及79則不同于圖4的步驟68及69。本實施例在電流散布層形成之后，形成一鉑層于該電流散布層上78的步驟為一鉑層再形成于該電流散布層上，形成一具金屬簇結構的鉑層79的步驟為該鉑層接著再進行回火處理，藉以獲得一具金屬簇結構的鉑層。此外，微結構層上從而形成一p型電極，n型氮化鎵材料層的一側上從而形成以一n型電極，如此上述第二組件結構實施例的制造便完成。
請參閱圖6所示，是一p型金屬電極88設在電流散布層86旁而非其上的發(fā)光組件結構80，其包括基材81、n型氮化鎵系層82、半導體主動層83、p型氮化鎵系層84、p型接觸層85，而一氮化鎵系電流散布層86形成于p型接觸層85上，p型金屬電極88接著設于氮化鎵系電流散布層86之旁及部份區(qū)域，本發(fā)明的微結構層87最后形成于氮化鎵系電流散布層86上與金屬電極88旁。本結構實施例中，微結構層87因不需參與電流散布的傳導工作，故可與p型金屬電極88分開形成。
請參閱圖7所示，關于本發(fā)明的微結構層，其用于一種隧透接面(tunneling junction)發(fā)光組件結構上的情形為其中用于其上的微結構層可為上述納米結構層或含金屬簇層，其隧透接面發(fā)光組件結構90如圖7所示，包括有基材91、n型氮化鎵系層92、半導體主動層93，并在p型氮化鎵系層94上設有一p+及n+型氮化鎵系層95、96，其中n+氮化鎵系層96位于p+型層95上方，以下將記作p+/n+型氮化鎵系層。接著，本發(fā)明的微結構層97直接設在該n+氮化鎵系層96上，不需如前述實施例的一電流散布層的存在，因微結構層97下方直接接觸的是以電子為主要傳導載子的層膜；當然，一電流散布層仍可選擇性加入其中。一p型電極98接著設在微結構層97上，一n型電極99則設在n型氮化鎵系層92上。
請參閱圖8所示，再請看本發(fā)明微結構層用于一較特殊的發(fā)光組件結構的實施例，其示意說明其垂直結構發(fā)光組件結構100。如圖8所示，一金屬反射層102設于一基材101之上，用于將層膜(包括p型氮化鎵系層103、半導體主動層104與n型氮化鎵系層105等)所產(chǎn)生的光局限于其上方；該基材101為金屬導電材質(zhì)，用于對p型氮化鎵系層103供電，因其n型電極107位于結構100的最上部。由于此結構100無電極送入的電洞的低遷移率低問題，因此不需設以電流散布層，當然也能夠選擇性加入，特此提出說明。此時，本發(fā)明的微結構層106只需直接形成于n型氮化鎵系層105上即可。接著，n型電極107于該微結構層106上。
此外，本發(fā)明組件結構不僅有上述降低全反射及提升光取出效率的優(yōu)點，相對于現(xiàn)有技術通過蝕刻獲得粗糙表面結構的發(fā)光組件而言，本發(fā)明組件結構的制造不復雜煩冗，其光取出層極適合為各種發(fā)光組件所采用。
本領域技術人員凡而該等范圍定義于后述申請專利范圍一節(jié)中。
本發(fā)明的基本實施例已詳述于上，以上所述僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術人員，能夠通過對上述實施例的閱讀及了解推衍出各種不同實施例。例如，對于電極設于不同處的發(fā)光組件，本發(fā)明的雙層結構光取出層也可用于其上?？傊诓幻撾x本發(fā)明技術方案范圍內(nèi)，當可利用上述揭示的技術內(nèi)容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內(nèi)容，通過本發(fā)明的說明輕易推導出的實施例，依據(jù)本發(fā)明的技術實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案的范圍內(nèi)。
權利要求
1.一種氮化鎵系發(fā)光組件，其特征在于該氮化鎵系發(fā)光組件至少包括一發(fā)光體，為一能發(fā)光的氮化鎵系材料所組成一光取出層，其至少包括一電流散布層，位于該發(fā)光體上；以及一微結構層，位于該電流散布層之上，為一具納米網(wǎng)絡(nano-net)結構的氮化鈦層。
2.根據(jù)權利要求1所述的氮化鎵系發(fā)光組件，其特征在于其中所述的發(fā)光體為一n型氮化鎵系層、一半導體主動層及一p型氮化鎵系層構成，其中該半導體主動層位于該n型氮化鎵系層上，該p型氮化鎵系層則位于該主動層上。
3.根據(jù)權利要求1所述的氮化鎵系發(fā)光組件，其特征在于其中所述的發(fā)光組件具有一p型電極及一n型電極，且該p型電極是形成于該微結構層上或該微結構旁與該電流散布層旁。
4.根據(jù)權利要求1所述的氮化鎵系發(fā)光組件，其特征在于其中所述的氮化鈦納米網(wǎng)絡是由氮化一鈦層形成。
5.根據(jù)權利要求1所述的氮化鎵系發(fā)光組件，其特征在于其中所述的微結構層，可為一具金屬簇(metal clusters)結構的鉑層，而該鉑層金屬簇結構是由回火該鉑層而獲得。
6.根據(jù)權利要求1所述的氮化鎵系發(fā)光組件，其特征在于其中所述的微結構層，可為一含金屬簇層。
7.一種制造一氮化鎵系發(fā)光組件的方法，其特征在于其至少包括下列步驟備制一基材；形成一n型氮化鎵系層于該基材上；形成一半導體主動層于該n型氮化鎵系層；形成一p型氮化鎵系層于該半導體主動層上；形成一電流散布層于該p型氮化鎵系層上；以及形成一微結構層于該電流散布層上。
8.根據(jù)權利要求7所述的氮化鎵系發(fā)光組件的制造方法，其特征在于其中所述的形成一微結構層于該電流散布層上的步驟后還包括形成一p型電極及一n型電極于該發(fā)光組件上的步驟，且該p型電極是形成在該微結構層上或該微結構層與該電流散布層旁。
9.根據(jù)權利要求7所述的氮化鎵系發(fā)光組件的制造方法，其特征在于其中所述的形成一微結構層于該電流散布層上的步驟中，是利用先形成一鈦層在該p型氮化鎵系層上、接著再對該鈦層用氮化的方式制成。
10.根據(jù)權利要求7所述的氮化鎵系發(fā)光組件的制造方法，其特征在于其中所述的形成一微結構層于該電流散布層上的步驟中，是利用先形成一鉑層于該p型氮化鎵系層上、接著再對該鉑層用回火的方式制成。
11.一種氮化鎵系發(fā)光組件，其特征在于其至少包括一基材；一金屬反射層，位于該基材之上；一p型氮化鎵系層，位于該金屬反射層之上；一半導體主動層，位于該p型氮化鎵系層上；一n型氮化鎵系層，位于該半導體主動層上；以及一微結構層，位于該n型氮化鎵系層之上，為一具納米網(wǎng)絡(nano-net)結構的氮化鈦層或一具金屬簇結構的鉑層。
12.根據(jù)權利要求11所述的氮化鎵系發(fā)光組件，其特征在于其中所述的發(fā)光組件的導電金屬基材下方具有一p型電極，并在該微結構層上具有一n型電極。
13.根據(jù)權利要求11所述的氮化鎵系發(fā)光組件，其特征在于其中所述的氮化鈦納米網(wǎng)絡是由氮化一鈦層形成的，該鉑層金屬簇結構則是由回火一鉑層所獲得。
全文摘要
本發(fā)明是關于一種氮化鎵系發(fā)光組件及其制造方法。該發(fā)光組件至少包括一發(fā)光體及一光取出層，其中該發(fā)光體為加以能量后能發(fā)光的氮化鎵系材料所組成；該光取出層為一電流散布層及一微結構層所組成，位于該發(fā)光體上，在某些發(fā)光組件結構中則僅為一微結構層。其中，該微結構層可制為一納米網(wǎng)絡(nano－net)結構，為一氮化鈦層，是經(jīng)氮化一鈦層而獲得；該微結構層也可制為一具有金屬簇(metal clusters)的層膜，為一鉑層，且為一經(jīng)回火處理的鉑層。
文檔編號H01L33/00GK1661816SQ20041000638
公開日2005年8月31日 申請日期2004年2月27日 優(yōu)先權日2004年2月27日
發(fā)明者洪詳峻, 賴穆人 申請人:炬鑫科技股份有限公司