專利名稱：源極及/或漏極區(qū)域中充填區(qū)域的晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明系關(guān)于一種在權(quán)利要求1的前序部分所述的晶體管，其具排列于晶體管的源極及/或漏極區(qū)域的充填區(qū)域。
比例效應(yīng)在半導(dǎo)體組件及集成電路的現(xiàn)代制造技術(shù)逐漸地發(fā)生，在此情況下，技術(shù)參數(shù)如層阻抗具與個(gè)別使用技術(shù)的結(jié)構(gòu)大小的不欲關(guān)系，此一個(gè)實(shí)例為金屬表面，使用此，當(dāng)在化學(xué)/機(jī)械光(CMP)期間到達(dá)特定表面尺寸時(shí)問題發(fā)生。在更近代的技術(shù)中，此問題已由引入規(guī)則充填結(jié)構(gòu)于一些屏蔽層而解決，這些充填結(jié)構(gòu)意欲均化如金屬層或多晶硅層于晶片的密度。
如已由組件模擬及實(shí)驗(yàn)所觀察，晶體管的極限電壓(晶體管開始傳導(dǎo)電流的電壓)系依據(jù)其擴(kuò)散區(qū)域的尺寸而定。依據(jù)形成于芯片的晶體管之尺寸、幾何及環(huán)境而定，此造成極限電壓及晶體管于芯片上的其它特征變量的顯著散播。此造成在電路模擬期間及在后續(xù)電路匹配期間的顯著問題，此特別相關(guān)于驅(qū)動(dòng)器晶體管，因?yàn)楦咻敵龉β?，其需要大的晶體管寬度。此效應(yīng)在晶體管直接連接至集成電路的輸入或輸出連接的情況更進(jìn)一步加劇及因而在靜電放電(ESD晶體管)情況為特別具風(fēng)險(xiǎn)的。這些ESD晶體管需要擴(kuò)散區(qū)域具最小尺寸做為保護(hù)措施，其造成具相當(dāng)大寬度及高度的擴(kuò)散區(qū)域，故這些ESD晶體管特別強(qiáng)烈受特征偏移所影響。
德國(guó)專利說明書DE 100 54 184C1揭示一種ESD晶體管，其中以條帶型式的隔離區(qū)域嵌入于晶體管的擴(kuò)散區(qū)域以改良其ESD阻抗及其驅(qū)動(dòng)器容量，其未同時(shí)被負(fù)面影響。在此情況下以條帶型式的區(qū)域具一種少于晶體管的源極及/或漏極區(qū)域的垂直程度之垂直程度。以條帶型式的這些隔離區(qū)域系彼此平行排列及彼此分開，及與柵極區(qū)域以直角形成，此避免電流在擴(kuò)散區(qū)域面積束緊，且提供用于攜帶電流的有效面積之減少表示所欲效用產(chǎn)生擴(kuò)散阻抗的增加。以條帶型式的結(jié)構(gòu)亦可轉(zhuǎn)移為形成于擴(kuò)散區(qū)域的自對(duì)準(zhǔn)硅化物層。當(dāng)維持晶體管的驅(qū)動(dòng)器容量時(shí)，以條帶型式的隔離區(qū)域在晶體管頻道區(qū)域前方的特定距離結(jié)束。此結(jié)構(gòu)的一個(gè)缺點(diǎn)為僅ESD阻抗可被改良，因而不可能有計(jì)劃地避免晶體管的特征偏移，特別是因起初所解釋的效應(yīng)所產(chǎn)生的極限電壓偏移。
而且，美國(guó)專利第5,721,439號(hào)揭示一種晶體管，其中以條帶型式的區(qū)域?yàn)槠叫杏诰w管柵極區(qū)域形成以改良ESD阻抗，以條帶型式的區(qū)域在其縱方向相關(guān)于彼此補(bǔ)償。以條帶型式的區(qū)域具氧化物區(qū)域及形成于其上的多晶硅區(qū)域，且這些區(qū)域僅形成于基片表面。晶體管的擴(kuò)散區(qū)域在基片內(nèi)于以條帶型式的區(qū)域之間延伸，沒有其它區(qū)域，如做為隔離區(qū)域，在擴(kuò)散區(qū)域上形成，因而，不可能防止晶體管特征因起初所解釋的效應(yīng)所產(chǎn)生的偏移。
而且，由美國(guó)專利第6,153,909號(hào)已知一種晶體管，于此隔離區(qū)域在晶體管內(nèi)的擴(kuò)散區(qū)域排列以避免熱載子效應(yīng)，該隔離區(qū)域僅在擴(kuò)散區(qū)域以盒狀型式嵌入及具較擴(kuò)散區(qū)域垂直為小的尺寸。為減少熱載子效應(yīng)，該隔離區(qū)域必須至少部分形成下方間隔物區(qū)域或下方柵極區(qū)域。再一次，此已知晶體管設(shè)計(jì)不允許特征偏移被有計(jì)劃地避免。
于是，本發(fā)明的一個(gè)目的為提供一種晶體管，其中可避免任何特征偏移，特別是因晶體管的幾何及尺寸而產(chǎn)生的。
此目的可藉由具權(quán)利要求1特征的晶體管達(dá)到。
根據(jù)本發(fā)明晶體管具源極區(qū)域及漏極區(qū)域，兩個(gè)區(qū)域皆形成于基片。而且，該晶體管具二或更多充填區(qū)域，且每一個(gè)充填區(qū)域系至少部分排列于基片上，且具該充填區(qū)域與該源極及/或漏極區(qū)域進(jìn)入彼此。本發(fā)明的一個(gè)主要觀念為該充填區(qū)域具至少為與該源極及/或漏極區(qū)域的垂直尺寸相同大小的垂直尺寸。此使得其可能產(chǎn)生一種晶體管，于此可能減少或防止特征變量的任何偏移及，特別是，特征偏移，特別是在其極限電壓的偏移，而無論其尺寸、其幾何或其環(huán)境，其中晶體管系形成于如集成電路。一般，此允許形成于集成電路的任何所欲晶體管設(shè)計(jì)為對(duì)應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明晶體管。此使得其可能有效地限制晶體管特征變量的任何散播，特別是極限電壓的散播，故電路模擬或彼此的電路匹配可以更相當(dāng)準(zhǔn)確地、更簡(jiǎn)單地及以最適化的方式進(jìn)行。
在一個(gè)特佳示例具體實(shí)施例中，該充填區(qū)域系排列使得它們?cè)诖怪狈较蛲耆ㄟ^該源極及/或漏極區(qū)域，因?yàn)樵摮涮顓^(qū)域在垂直方向通過該源極及/或漏極區(qū)域，此使得可以特別有效及有效率的方式防止在晶體管特征變量的偏移。
該充填區(qū)域?yàn)橐惑w的及為基本上均勻的系為有利的，進(jìn)一步有利細(xì)節(jié)特征在于該充填區(qū)域與該源極及/或漏極區(qū)域于面朝基片遠(yuǎn)離的表面形成基本上平面的表面。由此平面表面開始，可提供該充填區(qū)域具一種大于該源極及/或漏極區(qū)域的深度之深度。由此基片考慮，該充填區(qū)域因而距離基片較該源極及/或漏極區(qū)域距離基片為近。
亦有利的為由至少兩片形成該充填區(qū)域的每一個(gè)，特別是此兩片系于垂直方向排列一個(gè)于另一個(gè)上方。在此情況下，可提供該充填區(qū)域的第一片形成為一體的及為基本上均勻的(在每一個(gè)情況)，及與該源極及/或漏極區(qū)域于面朝基片遠(yuǎn)離的表面形成基本上平面的表面。亦可能提供該每一個(gè)充填區(qū)域的此第一片延伸超過此面朝基片遠(yuǎn)離的表面。此第一片亦可設(shè)計(jì)為使得其不延伸遠(yuǎn)至此表面。亦可能提供該每一個(gè)充填區(qū)域的此第一片形成于距基片一距離，此距離較該源極及/或漏極區(qū)域與該基片之間的距離為短。然而，同樣地亦可能提供充填區(qū)域的該第一片與該基片之間的此距離較該源極及/或漏極區(qū)域與該基片之間的距離為大。由至少兩片所組成的充填區(qū)域的該第一片因而可以許多方式制造，該第一片因而可形成為經(jīng)組裝充填區(qū)域的上端片或下端片，及在經(jīng)組裝充填區(qū)域的第二及第三片之間，本來考量的該第一片因而可具一種垂直尺寸少于、等于或大于該源極及/或漏極區(qū)域的垂直尺寸。
可提供個(gè)別充填區(qū)域的至少一個(gè)第二片與該第一片重合及，于垂直方向考慮，排列于此第一片上或在此第一片下方。依據(jù)用于制造集成電路中組件的技術(shù)而定，此使得其可能達(dá)到關(guān)于晶體管特性的任何可能偏移之額外改良，特別有利的是該充填區(qū)域至少在子區(qū)域?yàn)樾┪㈦妭鲗?dǎo)的，或是至少在子區(qū)域?yàn)殡娊^緣的，與該源極及/或漏極區(qū)域相較。在此情況下，整個(gè)充填區(qū)域可能為些微電傳導(dǎo)的或是為電絕緣的，然而，亦可能提供由二或更多片所組裝的充填區(qū)域具至少一片為些微電傳導(dǎo)的及至少一個(gè)第二片為電絕緣的。
特別有利的是該充填區(qū)域或是至少該充填區(qū)域的子區(qū)域?yàn)檠趸飬^(qū)域(特別是二氧化硅區(qū)域)及/或氮化物區(qū)域的型式。
有利的是該充填區(qū)域或是該充填區(qū)域的片為具相當(dāng)高阻抗的井區(qū)域形式，在此情況下該源極及/或漏極區(qū)域系嵌入于該井區(qū)域，且該井區(qū)域系形成于基片，且該充填區(qū)域?yàn)樵摼畢^(qū)域的子區(qū)域。亦可能提供該充填區(qū)域的些微電傳導(dǎo)片特別是由多晶硅形成。一個(gè)有利示例具體實(shí)施例使得可能提供該充填區(qū)域完全由井區(qū)域形成，亦可能提供每一個(gè)井區(qū)域具由井區(qū)域所形成的第一片，及由電絕緣材料所組成的第二片。而且，可能提供每一個(gè)充填區(qū)域具由多晶硅所組成及直接排列于該第一片或該第二片的第三片。在為井的此情況下，充填區(qū)域的每一個(gè)個(gè)別片可具垂直尺寸小于該源極及/或漏極區(qū)域的垂直尺寸，該充填區(qū)域因而可一體形成或以許多方式由二或更多片形成，及為完全電絕緣的或是為些微電傳導(dǎo)的，或是在子區(qū)域?yàn)橥耆娊^緣的及在子區(qū)域?yàn)樾┪㈦妭鲗?dǎo)的。
在一個(gè)有利示例具體實(shí)施例，該充填區(qū)域?yàn)榛旧媳舜似叫信帕屑芭c柵極區(qū)域成直角排列(特別是在晶體管的此柵極區(qū)域延伸的平面)的條帶。然而，亦可能提供該充填區(qū)域?yàn)楣腆w圓柱、中空?qǐng)A柱、或多邊柱狀物，該充填區(qū)域的幾何構(gòu)形不受限于所提及的特定示例具體實(shí)施例，而是可以許多方式幾何地構(gòu)形。然而，重要因素為該充填區(qū)域要以一種方式設(shè)計(jì)及排列以防止在晶體管的特征變量或特性，特別是在極限電壓，的任何偏移。
亦有利地是提供一種自對(duì)準(zhǔn)硅化物層形成于該源極及/或漏極區(qū)域及/或該充填區(qū)域，該充填區(qū)域結(jié)構(gòu)亦可能形成于此自對(duì)準(zhǔn)硅化物層。
本發(fā)明進(jìn)一步有利細(xì)節(jié)系訂定于從屬權(quán)利要求及于示例具體實(shí)施例的下列敘述。
下文使用示意圖式詳細(xì)說明數(shù)種本發(fā)明的數(shù)種示例具體實(shí)施例，其中

圖1顯示根據(jù)本發(fā)明晶體管的第一示例具體實(shí)施例的平面視圖；圖2顯示以改良型式的根據(jù)本發(fā)明晶體管的第一示例具體實(shí)施例的截面說明；圖3顯示根據(jù)本發(fā)明晶體管的第二示例具體實(shí)施例的截面說明；圖4顯示根據(jù)本發(fā)明晶體管的第三示例具體實(shí)施例的截面說明；圖5顯示根據(jù)本發(fā)明晶體管的第四示例具體實(shí)施例的視圖6顯示根據(jù)本發(fā)明晶體管的第五示例具體實(shí)施例的另一個(gè)平面視圖；及圖7顯示根據(jù)本發(fā)明晶體管的第六示例具體實(shí)施例的截面說明。
在圖式中相同或功能相同組件以相同參考符號(hào)提供。
圖1顯示根據(jù)本發(fā)明晶體管的平面視圖，該晶體管具漏極區(qū)域D及源極區(qū)域SO，加長(zhǎng)的柵極區(qū)域G在該兩個(gè)擴(kuò)散區(qū)域D及SO之間延伸，為條帶型式的充填區(qū)域FB系形成于該漏極區(qū)域D，系平行排列及基本上彼此為相等間隔，及在此柵極區(qū)域G延伸的平面上與柵極區(qū)域G成直角排列。這些充填區(qū)域以類似方式在該源極區(qū)域SO排列，在此示例具體實(shí)施例中，該充填區(qū)域FB系以此種方式排列使得充填區(qū)域幾乎完全通過它們所形成的個(gè)別擴(kuò)散區(qū)域，及系與該柵極區(qū)域G相距一距離。
圖2顯示第一示例具體實(shí)施例的截面說明，圖2顯示沿線II(圖1)的截面，且該截面說明以數(shù)種方式與圖1所顯示平面視圖不同，例如，圖2所顯示截面說明具隔離區(qū)域IB，其允許該源極及/或漏極區(qū)域D及SO與相鄰晶體管(其未說明于圖1)的相鄰擴(kuò)散區(qū)域隔離。而且，在圖2充填區(qū)域FB的數(shù)目少于在圖1充填區(qū)域FB的數(shù)目。在圖2所顯示根據(jù)本發(fā)明晶體管的第一示例具體實(shí)施例的截面說明中的該漏極區(qū)域D系以井狀區(qū)域WB形成，該井狀區(qū)域WB系形成于基片S。以條帶型式的充填區(qū)域FB系在水平方向彼此以相等間隔排列。在該第一示例具體實(shí)施例中，這些充填區(qū)域FB為一體的及制造為由二氧化硅所組成的條帶。在遠(yuǎn)離該基片S側(cè)的該充填區(qū)域FB形成與該漏極擴(kuò)散區(qū)域D的基本上平面表面O，由此平面表面區(qū)域開始，該充填區(qū)域FB延伸至一種深度，其大于由此平面表面區(qū)O域開始該漏極擴(kuò)散區(qū)域D延伸的深度。該充填區(qū)域FB因而完全通過該漏極區(qū)域D及具較該漏極區(qū)域D的垂直尺寸為大的垂直尺寸。在該充填區(qū)域FB及該基片表面之間的距離a，其在此情況下系由該井狀區(qū)域WB(井部基底)及該基片S之間的過渡所產(chǎn)生，系少于在該漏極區(qū)域D的下方區(qū)域及此基片表面之間的距離b，然而，亦可能提供該一體充填區(qū)域FB排列為使得它們較該漏極區(qū)域D的下方區(qū)域更進(jìn)一步遠(yuǎn)離該基片表面及遠(yuǎn)離該井狀區(qū)域WB的基底。亦可能提供該充填區(qū)域FB完全通過該漏極區(qū)域D，及提供該充填區(qū)域FB及該漏極區(qū)域D為在距該井狀區(qū)域WB的基底區(qū)域相同距離。同樣地可能提供該充填區(qū)域FB延伸超過該表面O。
根據(jù)本發(fā)明晶體管的第二示例具體實(shí)施例系示于圖3的截面說明，在此示例具體實(shí)施例中，該充填區(qū)域FB系由兩片形成，每一個(gè)充填區(qū)域的第一片ES系以圖2所示該充填區(qū)域FB的相對(duì)應(yīng)方式形成。此外，在圖3的每一個(gè)充填區(qū)域FB具第二片ZS，其系排列于在該第一片ES的垂直方向。由該第一片ES及該第二片ZS所組成的每一個(gè)充填區(qū)域FB的第二片ZS系由多晶硅形成。在此示例具體實(shí)施例中，每一個(gè)充填區(qū)域FB因而具由該第一片ES所形成的電絕緣區(qū)域，及由該第二片ZS所形成的些微電傳導(dǎo)區(qū)域。亦在此示例具體實(shí)施例中，該充填區(qū)域FB可以許多方式制造，在此情況下亦可能提供該漏極區(qū)域D及該基片表面之間的距離及距該井狀區(qū)域WB的基底區(qū)域的距離與該充填區(qū)域FB的該第一片ES之距離為相同或較小，同樣地可能提供該第二片ZS與該第一片ES重合，或是大于或小于該第一片ES。亦可能提供該第二片ZS延伸做為在該第一片ES及該漏極區(qū)域D上的完全結(jié)合層，而且，該第二片ZS亦可延伸至低于該表面O的深度。
根據(jù)本發(fā)明晶體管的第三示例具體實(shí)施例系說明于圖4，在此示例具體實(shí)施例中，該充填區(qū)域FB系同樣地由兩片形成。如在圖4的截面說明可見，該第一片ES系由該井狀區(qū)域WB的子區(qū)域形成。這些第一片ES因而為該井狀區(qū)域WB的均勻區(qū)域，其延伸至該表面O。亦在此示例具體實(shí)施例中，該充填區(qū)域FB系為條帶形式。在此示例具體實(shí)施例中，應(yīng)注意該漏極區(qū)域D系嵌入于該井狀區(qū)域WB及，做為通過該充填區(qū)域FB的該第一片ES之結(jié)果，其具以條帶或?qū)訅喊逍问降慕Y(jié)構(gòu)，且該漏極區(qū)域D的平行條帶的每一個(gè)系在端點(diǎn)彼此連接。除了該第一片ES，在此示例具體實(shí)施例的該充填區(qū)域FB亦具第二片ZS，其系排列于在該第一片ES及系由多晶硅形成，因?yàn)樵诖耸纠唧w實(shí)施例該充填區(qū)域FB，特別是該第一片ES，系由該井狀區(qū)域WB的子區(qū)域形成，其中該漏極區(qū)域D完全嵌入，在此示例具體實(shí)施例該充填區(qū)域FB以較該漏極區(qū)域D為大的深度合理地延伸，于是，在此示例具體實(shí)施例中，沒有任何距離a。在此示例具體實(shí)施例中，以條帶形式的該漏極區(qū)域D的區(qū)域系由于該井狀區(qū)域WB植入而產(chǎn)生。如在圖4所示的該第三示例具體實(shí)施例亦可以許多方式改良，例如，于是亦可能提供該第二片ZS被完全省略。亦可能提供該第一片ES不以完全遠(yuǎn)至該表面O而形成及因而提供形成于該第一片ES上的該第二片ZS低于該表面O。亦可能提供第三片，例如由二氧化硅所組成的電絕緣第三片排列于該第一片及該第二片之間。
在圖3及圖4的示例具體實(shí)施例所示的該額外第二多晶硅片ZS允許進(jìn)一步正影響相關(guān)于該晶體管的極限電壓之偏移藉由該晶體管的相當(dāng)大擴(kuò)散區(qū)域被有效地中斷而達(dá)到，這些多晶硅片ZS減少在該晶體管擴(kuò)散區(qū)域的柵極電壓，此使得甚至更有效地避免在某些制造技術(shù)的特征偏移。而且，這些多晶硅片允許更佳的微影精確度可達(dá)到，因?yàn)橛行У?、額外的多晶硅區(qū)域被提供由此使得可藉由盡可能高的多晶硅密度確保良好的微影及均勻地分布于芯片上。
圖5顯示根據(jù)本發(fā)明晶體管的進(jìn)一步示例具體實(shí)施例，此平面圖顯示在該漏極區(qū)域D及該源極擴(kuò)散區(qū)域SO的數(shù)個(gè)充填區(qū)域FB，且該充填區(qū)域FB系由以條帶型式的充填區(qū)域FB及固體圓柱型充填區(qū)域FB所組成。一些該固體圓柱型充填區(qū)域FB具少于第二固體圓柱型充填區(qū)域FB的直徑之第一直徑。如在此第四示例具體實(shí)施例所示，于該擴(kuò)散區(qū)域D及SO所形成的該充填區(qū)域FB可由不同幾何形狀的組合所產(chǎn)生。
在圖6所示的進(jìn)一步示例具體實(shí)施例，該充填區(qū)域?yàn)樗倪呏?。如在圖6所示平面圖式可見，該充填區(qū)域FB系分布于個(gè)別擴(kuò)散區(qū)域D，及不均勻的，及以相對(duì)應(yīng)濃度密度排列于該個(gè)別擴(kuò)散區(qū)域D及SO的相對(duì)應(yīng)區(qū)域。
圖7以根據(jù)本發(fā)明晶體管的進(jìn)一步截面說明之形式顯示第六示例具體實(shí)施例。在此示例具體實(shí)施例中，該充填區(qū)域FB系由第一片ES及第二片ZS所形成，該充填區(qū)域FB具不同垂直尺寸。在該截面說明中，個(gè)別充填區(qū)域FB的相鄰第一片ES具不同垂直尺寸，且第一充填區(qū)域FB的該第一片ES系以大于該漏極區(qū)域D深度的深度形成，及此第一片ES系為距該井狀區(qū)域WB的基底區(qū)域的基片表面的距離a。相鄰進(jìn)一步充填區(qū)域FB的第一片ES(其在水平方向系相鄰于此(具距離a的第一片))系以較該漏極區(qū)域D深度為少的深度形成，及系在距基片表面及該井狀區(qū)域WB基底的距離c。
在所有示例具體實(shí)施例中，可能提供該充填區(qū)域的結(jié)構(gòu)或形狀及排列于該漏極區(qū)域D至該源極區(qū)域SO為不同的。在該個(gè)別充填區(qū)域FB的該第二片ZS系以基本上相同垂直程度填充，此示例具體實(shí)施例顯示在擴(kuò)散區(qū)域SO及/或D的兩個(gè)充填區(qū)域FB亦可能具由基本上相同材料形成的至少一片，但其具不同垂直尺寸，該完整充填區(qū)域FB同樣地具不同垂直尺寸。然而，設(shè)計(jì)每一個(gè)充填區(qū)域使得其整體垂直程度及其整體垂直長(zhǎng)度為至少與該漏極區(qū)域D及/或該源極區(qū)域SO的垂直程度為相同的尺寸。
根據(jù)本發(fā)明晶體管可為MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)或橫向雙極性晶體管的型式。
在所有示例具體實(shí)施例中，亦可能提供自對(duì)準(zhǔn)硅化物層排列于該源極區(qū)域SO及/或該漏極區(qū)域D，且該充填區(qū)域FB的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至此自對(duì)準(zhǔn)硅化物層。此使得其可能減少晶體應(yīng)力及因而改良該晶體管的特性，及/或漏電流問題。
如在所有示例具體實(shí)施例可見，本發(fā)明不需要該漏極區(qū)域D及/或該源極區(qū)域SO由該充填區(qū)域FB完全切過或通過，而是具至少與該個(gè)別擴(kuò)散區(qū)域D及/或SO的垂直程度一樣大的垂直程度。在此情況下，該充填區(qū)域FB亦可能延伸超過該表面O，遠(yuǎn)離該基片。
如在所有示例具體實(shí)施例所見，當(dāng)于垂直方向考慮時(shí)，該充填區(qū)域FB不會(huì)延伸低于間隔物區(qū)域或該晶體管的柵極區(qū)域。當(dāng)于水平方向考慮時(shí)，該充填區(qū)域FB因而排列于距間隔物區(qū)域或距該晶體管的柵極區(qū)域一距離，如亦可由第1、5及6圖說明所見。
本發(fā)明基本特征為該充填區(qū)域FB系幾何地成形使得該晶體管的該充填區(qū)域FB及該源極及/或該漏極區(qū)域SO及D以一種方式彼此接合，或是延伸進(jìn)入彼此以防止在晶體管特征變量的任何特征偏移或偏移而無論其尺寸、其幾何及其于集成電路的環(huán)境。在集成電路的每一個(gè)晶體管可設(shè)計(jì)為使得其特征變量及其特征維持基本上不變化的無論在每一個(gè)情況所使用的方法技術(shù)。本發(fā)明因而使得可防止與ESD事件的物理效應(yīng)無關(guān)的物理效應(yīng)，特定言之特征變量的偏移，特別是該極限電壓的偏移。
權(quán)利要求
1.一種晶體管，其具-排列于基片(S)的源極(SO)及漏極區(qū)域(D)，-二或更多充填區(qū)域(FB)且每一個(gè)充填區(qū)域(FB)系至少部分排列于該基片上且該充填區(qū)域(FB)與該源極(SO)及/或漏極區(qū)域(D)延伸進(jìn)入彼此，其特征在于該充填區(qū)域(FB)具至少為與該源極(SO)及/或漏極區(qū)域(D)的垂直尺寸相同大小的垂直尺寸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的晶體管，其特征在于該充填區(qū)域(FB)系排列使得它們?cè)诖怪狈较蛲耆ㄟ^該源極(SO)及/或漏極區(qū)域(D)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的晶體管，其特征在于該充填區(qū)域(FB)系為一體的及為基本上均勻的。
4.根據(jù)先前權(quán)利要求其中一項(xiàng)的晶體管，其特征在于該充填區(qū)域(FB)與該源極(SO)及/或漏極區(qū)域(D)系于面朝該基片(S)遠(yuǎn)離的表面(O)形成基本上平面表面。
5.根據(jù)先前權(quán)利要求其中一項(xiàng)的晶體管，其特征在于該充填區(qū)域(FB)系排列于距該基片一距離(a)而較該源極(SO)及/或漏極區(qū)域(D)與該基片(S)之間的距離(b)為少。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2其中一項(xiàng)的晶體管，其特征在于該充填區(qū)域(FB)每一個(gè)具至少兩片(ES、ZS)，特別是垂直地排列一個(gè)于另一個(gè)上方。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的晶體管，其特征在于該充填區(qū)域(FB)的第一片(ES)系依據(jù)權(quán)利要求4及/或5排列。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7其中一項(xiàng)的晶體管，其特征在于該充填區(qū)域(FB)的第二片(ZS)系排列于該第一片(ES)上，特別是相關(guān)于該第一片(ES)為重合的。
9.根據(jù)先前權(quán)利要求其中一項(xiàng)的晶體管，其特征在于該充填區(qū)域(FB)系至少在子區(qū)域?yàn)樾┪㈦妭鲗?dǎo)的或是與該源極(SO)及/或漏極區(qū)域(D)相較，至少在子區(qū)域?yàn)殡娊^緣的。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的晶體管，其特征在于該充填區(qū)域(FB)系為氧化物區(qū)域，特別是二氧化硅，及/或氮化物區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至9其中一項(xiàng)的晶體管，其特征在于該源極(SO)及/或漏極區(qū)域(D)系嵌入于井區(qū)域(WB)，而形成于該基片(S)，且該充填區(qū)域(FB)系為該井區(qū)域(WB)的子區(qū)域。
12.根據(jù)權(quán)利要求6至11其中一項(xiàng)的晶體管，其特征在于該充填區(qū)域(FB)的第一片(ES)系依據(jù)權(quán)利要求9至11其中一項(xiàng)所設(shè)計(jì)，及該第二片(ZS)與該源極(SO)及/或漏極區(qū)域(D)相較，為些微電傳導(dǎo)的，且特別是系由多晶硅所組成。
13.根據(jù)先前權(quán)利要求其中一項(xiàng)的晶體管，其特征在于該充填區(qū)域(FB)系為基本上彼此平行排列及與該柵極區(qū)域(G)成直角排列的條帶，特別是在該晶體管的該柵極區(qū)域(G)延伸的平面。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至12其中一項(xiàng)的晶體管，其特征在于該充填區(qū)域(FB)系為固體圓柱、中空?qǐng)A柱、或多邊柱狀物。
15.根據(jù)先前權(quán)利要求其中一項(xiàng)的晶體管，其特征在于該充填區(qū)域(FB)系具不同幾何形狀及/或垂直尺寸于該兩個(gè)擴(kuò)散區(qū)域(D、SO)的至少一個(gè)。
16.根據(jù)先前權(quán)利要求其中一項(xiàng)的晶體管，其特征在于一種自對(duì)準(zhǔn)硅化物層形成于該源極(SO)及/或漏極區(qū)域(D)及/或在該充填區(qū)域(FB)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的晶體管，其特征在于該充填區(qū)域(FB)的結(jié)構(gòu)系形成于該自對(duì)準(zhǔn)硅化物層。
全文摘要
一種晶體管具源極區(qū)域(SO)及漏極區(qū)域(D)，形成二或更多充填區(qū)域(FB)使得該充填區(qū)域(FB)及該源極(SO)及/或漏極區(qū)域(D)彼此接合。該充填區(qū)域(FB)具至少為與該源極(SO)及/或漏極區(qū)域(D)的垂直尺寸相同大小的垂直尺寸。該充填區(qū)域(FB)與該源極(SO)及/或漏極區(qū)域(D)系至少部分于共同垂直區(qū)段延伸。
文檔編號(hào)H01L29/66GK1717809SQ200380104326
公開日2006年1月4日 申請(qǐng)日期2003年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月27日
發(fā)明者K·埃斯馬克, P·里斯, T·沙夫鮑爾, M·斯特雷布, M·文德 申請(qǐng)人:因芬尼昂技術(shù)股份公司