專利名稱：用于半導(dǎo)體晶片的包含升降機(jī)構(gòu)的適合高壓的真空吸盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高壓處理領(lǐng)域。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片的高壓處理領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體晶片的處理提出了其它工件處理所沒(méi)有的獨(dú)特問(wèn)題。一般而言，半導(dǎo)體處理從硅晶片開(kāi)始。半導(dǎo)體處理始于對(duì)硅晶片摻雜以產(chǎn)生晶體管。接著在半導(dǎo)體處理中繼續(xù)淀積金屬和電介質(zhì)層，交替進(jìn)行線和通路的蝕刻以形成晶體管接觸點(diǎn)和互連線結(jié)構(gòu)。最后在半導(dǎo)體處理中由晶體管，晶體管接觸點(diǎn)，和互連線形成集成電路。
對(duì)半導(dǎo)體晶片處理的關(guān)鍵處理要求是潔凈度。大多數(shù)半導(dǎo)體處理在真空中進(jìn)行，這是一個(gè)固有的潔凈環(huán)境。其它的半導(dǎo)體處理在大氣壓下在潮濕過(guò)程中進(jìn)行，這也是一個(gè)固有的潔凈過(guò)程，因?yàn)槌睗襁^(guò)程在本質(zhì)上是漂洗過(guò)程。例如，在蝕刻線和通路之后除去光刻膠和光刻膠殘留物是采用等離子灰化(一種真空處理)，然后在去膠池內(nèi)去膠(一種濕法過(guò)程)。
半導(dǎo)體晶片處理的其它關(guān)鍵性處理要求包括產(chǎn)量和可靠性。半導(dǎo)體晶片的生產(chǎn)性處理在一個(gè)半導(dǎo)體加工裝備中進(jìn)行。半導(dǎo)體加工裝備要為處理設(shè)備，為裝備本身，并為操縱它的工作人員投入大量資金。為償還這些費(fèi)用并從該裝備獲得足夠的收益，處理設(shè)備需要在一個(gè)周期內(nèi)生產(chǎn)足夠數(shù)量的晶片。為保證不斷從該裝備獲得收益，此處理設(shè)備還必須是可靠的。
直至前不久，等離子灰化和去膠池被認(rèn)為在半導(dǎo)體處理中用來(lái)除去光刻膠和光刻膠殘留物是足夠了。但是，最近集成電路的進(jìn)展已使等離子灰化和去膠池不能滿足先進(jìn)集成電路的需求。這些最新進(jìn)展包括蝕刻線條的小臨界尺寸和絕緣體的低介電常數(shù)材料。蝕刻線條的小臨界尺寸使得線條結(jié)構(gòu)不足以承受去膠浴，因而需要更換這種去膠浴，許多低介電常數(shù)材料無(wú)法承受等離子灰化的氧氣環(huán)境，因而需要等離子灰化的替代方式。
最近的感興趣是用超臨界處理來(lái)代替用于除光刻膠和光刻膠殘留物的等離子灰化和去膠浴。不過(guò)現(xiàn)有的超臨界處理系統(tǒng)的高壓處理室不適合于滿足半導(dǎo)體處理的獨(dú)特要求。尤其是，現(xiàn)有超臨界處理系統(tǒng)的高壓室未提供在裝卸時(shí)操縱半導(dǎo)體晶片的機(jī)構(gòu)，也不能在超臨界處理過(guò)程中支托半導(dǎo)體晶片。關(guān)鍵問(wèn)題是這種機(jī)構(gòu)在操縱和支托半導(dǎo)體晶片時(shí)不能破壞或損傷半導(dǎo)體晶片。
我們需要的是一種將半導(dǎo)體晶片裝入/卸出超臨界處理室時(shí)操縱半導(dǎo)體晶片和在超臨界處理過(guò)程中支托半導(dǎo)體晶片的機(jī)構(gòu)，它能增加潔凈度，既經(jīng)濟(jì)又高效，而且還不破壞半導(dǎo)體晶片。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是一種在高壓處理過(guò)程中支托半導(dǎo)體晶片的真空吸盤。它包括一個(gè)晶片臺(tái)板，第一至第三升降銷，和一個(gè)致動(dòng)器機(jī)構(gòu)。晶片臺(tái)板包含一個(gè)光滑表面，第一至第三升降銷孔，和真空開(kāi)口。使用時(shí)真空開(kāi)口將真空施加到半導(dǎo)體晶片表面，將半導(dǎo)體晶片吸到臺(tái)板上。第一至第三升降銷分別安裝在第一至第三升降銷孔內(nèi)。致動(dòng)器機(jī)構(gòu)將第一至第三升降銷與晶片臺(tái)板相連。致動(dòng)器機(jī)構(gòu)操作時(shí)使第一至第三升降銷一致伸到晶片臺(tái)板的光滑表面上方。致動(dòng)器機(jī)構(gòu)操作時(shí)使第一至第三升降銷一致退回到至少與晶片臺(tái)板的光滑表面齊平。


圖1是本發(fā)明的優(yōu)選真空吸盤示意圖。
圖2進(jìn)一步顯示本發(fā)明的優(yōu)選真空吸盤。
圖3是本發(fā)明的優(yōu)選真空吸盤的展開(kāi)視圖。
圖4是本發(fā)明的優(yōu)選真空吸盤一個(gè)剖面。
圖5是裝在本發(fā)明的優(yōu)選真空吸盤內(nèi)的一個(gè)壓力容器。
圖6表示本發(fā)明的一個(gè)壓力室框架。
圖7A至7C表示本發(fā)明的優(yōu)選真空吸盤的上臺(tái)板。
圖8表示本發(fā)明的一個(gè)第一升降銷。
詳細(xì)說(shuō)明圖1為本發(fā)明的優(yōu)選真空吸盤。此優(yōu)選真空吸盤10包括一個(gè)晶片臺(tái)板部件12和一個(gè)升降機(jī)構(gòu)。晶片臺(tái)板部件12最好由上臺(tái)板12A和下臺(tái)板12B組成。晶片臺(tái)板部件12也可以只有一個(gè)臺(tái)板。上臺(tái)板12A內(nèi)最好有第一和第二真空溝槽14和16。也可以只有第一真空溝槽14。升降機(jī)構(gòu)包括一個(gè)圓柱形支撐件18，一個(gè)氣缸(未示出)，一個(gè)銷支撐件(未示出)以及第一至第三升降銷20-22。
圖2為此優(yōu)選真空吸盤10的側(cè)視圖。最好用一些螺紋緊固件24把柱形支撐件18與下臺(tái)板12B相連接。
圖3是該優(yōu)選真空吸盤10的展開(kāi)圖。該優(yōu)選真空吸盤10由晶片臺(tái)板部件12和升降機(jī)構(gòu)26組成。晶片臺(tái)板部件12最好包括上臺(tái)板12A，下臺(tái)板12B，第一和第二螺紋緊固件25和27，以及第一至第三尼龍插入件42-44。上臺(tái)板12A包含第一和第二真空溝槽14和16，第一至第三上升降銷孔28A-30A。以及一個(gè)0圈溝槽32。下臺(tái)板12B包含第一至第三下升降銷孔28B-30B。
裝配時(shí)用第一和第二螺紋緊固件25和27把上臺(tái)板12A與下臺(tái)板12B相連，另外在裝配時(shí)第一上、下升降銷孔28A和28B構(gòu)成第一升降銷孔，第二上、下升降銷孔29A和29B構(gòu)成第二升降銷孔，第三上、下升降銷孔30A和30B構(gòu)成第三升降銷孔。最好把第一至第三尼龍插入件42-44分別與第一至第三下升降銷孔28B-30B的頂端相連。也可以把一至第三下升降銷孔28B-30B沿第一至第三升降銷孔的其它部位在其它位置連接。也可以在晶片臺(tái)板部件12內(nèi)不包含第一至第三尼龍插入件42-44。
升降機(jī)構(gòu)包括柱形支撐件18，氣缸34，銷支撐件36，以及第一至第三升降銷20-22。第一至第三升降銷20-22插在銷支撐件36內(nèi)。第一至第三升降銷20-22最好包括螺紋端部38，以便擰到銷支撐件36的螺紋孔40內(nèi)。銷支撐件36與氣缸34相連接。氣缸34與柱形支撐件18相接。柱形支撐件18與晶片臺(tái)板部件12相接。
本專業(yè)技術(shù)人員很清楚，此氣缸可用其它驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(如別的流體驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)或機(jī)電驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu))替代。
圖4為本發(fā)明的優(yōu)選真空吸盤10的一個(gè)剖面。此優(yōu)選真空吸盤10的上臺(tái)板12A內(nèi)包含第一真空通道46，它將第一和第二真空溝槽14、16與下臺(tái)板12B內(nèi)的第二真空通道48相連。使用時(shí)第二真空通道48與一個(gè)真空泵(未示出)相連。此泵為第一和第二真空溝槽14、16提供真空，以將半導(dǎo)體晶片(未示出)吸到上臺(tái)板12A上。
圖5為結(jié)合在本發(fā)明優(yōu)選真空吸盤10內(nèi)的一個(gè)壓力室剖面。此壓力室50包括一個(gè)壓力室框架52，一個(gè)室蓋54，優(yōu)選真空吸盤10，密封板56，活插入件58，第一和第二導(dǎo)銷60和62，接口環(huán)64，和上腔板/注入環(huán)66。
圖6是本發(fā)明的壓力室框架52的等角投影圖。此壓力室框架52包含一個(gè)壓力室外殼部72，液壓致動(dòng)部74，晶片槽76，窗78，支撐件79，頂部開(kāi)口80，和螺釘孔82。晶片槽76的尺寸最好能用于300mm晶片。也可以用于比這更大或更小的晶片。還可以用于不是晶片的其它半導(dǎo)體基片，如圓盤等。
此壓力室框架52的液體致動(dòng)部分74包括窗78，它為裝卸壓力室50(圖5)提供進(jìn)出口。最好有4個(gè)窗78，分別處于壓力室框架52的各邊。建議每個(gè)窗78在側(cè)面由兩個(gè)支撐件79，在頂部由壓力室外殼部72，在底部由底座73框住。螺釘孔82接納螺釘(未示出)，它將室蓋54(圖5)固定在壓力室框架52上。
參看圖5，第一和第二導(dǎo)銷60和62與壓力室框架52相連?；畈迦爰?8與壓力室框架52及第一和第二導(dǎo)銷60和62相連?；畈迦爰?8和壓力室框架52形成一個(gè)液體腔84。密封板56與壓力室框架52相連并連至活插入件58的頸部68，由此形成一個(gè)氣動(dòng)腔86?；畈迦爰?8的頸部68與接口環(huán)64相連。優(yōu)選真空吸盤10與接口環(huán)64相連。上腔板/注入環(huán)66與壓力室框架52相連。室蓋與壓力室框架52及上腔板/注入環(huán)66相連。
本專業(yè)技術(shù)人員容易看出，各緊固件將優(yōu)選真空吸盤10與接口環(huán)64相連，將接口環(huán)64與活插入件58的頸部68相連，將密封板56與壓力室框架52相連。
圖5表示處于封閉結(jié)構(gòu)下的壓力室50。在此封閉結(jié)構(gòu)中，O圈溝槽32內(nèi)的O圈將上臺(tái)板12A與上腔板/注入環(huán)66密封，因而形成一個(gè)半導(dǎo)體晶片的晶片腔88。
參見(jiàn)圖4和5，本發(fā)明的優(yōu)選真空吸盤10和壓力室50開(kāi)始運(yùn)行時(shí)，壓力室50處于封閉結(jié)構(gòu)且晶片腔88未支托半導(dǎo)體晶片90。在第一步驟，液壓系統(tǒng)(未示出)使液壓腔84內(nèi)的液體壓力釋放，同時(shí)氣壓系統(tǒng)給氣壓腔86加壓。這使得活插入件58，因而也使優(yōu)選真空吸盤10，離開(kāi)上腔板/注入環(huán)66而運(yùn)動(dòng)，并使上臺(tái)板12A的上表面靠在晶片槽76上或其下面。
在第二步驟內(nèi)，一個(gè)機(jī)械手踏板(未示出)將半導(dǎo)體晶片90插入晶片槽76。在第三步驟內(nèi)，氣缸34由氣動(dòng)系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)而使銷支撐件36升高，因而使第一至第三升降銷20-22升高。這樣就把半導(dǎo)體晶片90抬高而脫離機(jī)械手踏板。在第六步驟內(nèi)，機(jī)械手踏板退出。在第七步驟內(nèi)，氣缸34降低銷支撐件36，第一至第三升降銷20-22，和半導(dǎo)體晶片90，直到半導(dǎo)體晶片90靠在上臺(tái)板12A上。在第八步驟內(nèi)，通過(guò)第一和第二真空通道46和48產(chǎn)生真空，將半導(dǎo)體晶片90壓緊在優(yōu)選真空吸盤10上。
在第九步驟內(nèi)，氣動(dòng)系統(tǒng)使氣動(dòng)腔86的氣體壓力釋放，且液壓系統(tǒng)給液壓腔84加壓。這樣使得活插入件58升高，因而優(yōu)選真空吸盤10也升高。這也使得上臺(tái)板12A的O圈溝槽內(nèi)的O圈與上腔板/注入環(huán)66密封，從而形成對(duì)半導(dǎo)體晶片90作高壓處理的晶片腔88。
當(dāng)半導(dǎo)體晶片90在晶片腔88內(nèi)經(jīng)過(guò)高壓處理之后，通過(guò)卸載操作將半導(dǎo)體晶片90取出。卸載操作就是裝載操作的逆過(guò)程。
圖7A-7C進(jìn)一步顯示本發(fā)明的上臺(tái)板12A。圖7A表示一個(gè)晶片支持表面92，它在使用時(shí)支持半導(dǎo)體晶片90(見(jiàn)圖5)。晶片支持表面92包括第一和第二真空溝槽14和16，第一至第三升降銷孔28A-30A，和第一O圈環(huán)32。上臺(tái)板12A最好能安裝300mm晶片。為保護(hù)300mm晶片的大部分背面，第一和第二真空溝槽14和16的直徑小于300mm。上臺(tái)板12A也可能安裝不同尺寸的晶片。在安裝300mm晶片區(qū)域內(nèi)的支持表面92上最好表面粗糙度不大于0.0002英寸左右?；蛘?，在安裝300mm晶片區(qū)域內(nèi)的支持表面92上最好表面粗糙度不大于0.00015英寸左右。建議通過(guò)研磨和拋光使晶片支持表面92的光潔度達(dá)到8微英寸?；蛘咄ㄟ^(guò)研磨和拋光使晶片支持表面92的光潔度達(dá)到4微英寸。
圖7B表示上臺(tái)板12A的局部剖面94。它包括第一和第二真空溝槽14和16，第一上升降銷孔28A，O圈溝槽32，和第一真空通道46。第一和第二真空溝槽14和16的寬度最好不大于0.060英寸左右。或者，第一和第二真空溝槽14和16的寬度最好不大于0.065英寸左右。第一至第三升降銷孔28-30的直徑最好不大于0.060英寸左右?；蛘?，第一至第三升降銷孔28-30的直徑最好不大于0.065英寸左右。
我們發(fā)現(xiàn)0.070”對(duì)優(yōu)選真空吸盤是一個(gè)關(guān)鍵尺寸。當(dāng)?shù)谝缓偷诙婵諟喜?4和16的寬度及第一至第三升降銷孔28-30的直徑為0.100英寸或以下時(shí)，半導(dǎo)體晶片90(見(jiàn)圖5)暴露在超臨界二氧化碳的熱力學(xué)狀態(tài)(壓力超過(guò)1.073psi且溫度超過(guò)31℃)下不會(huì)破裂。如果第一和第二真空溝槽14和16的寬度及第一至第三升降銷孔28-30的直徑超過(guò)0.100英寸左右，則半導(dǎo)體晶片90暴露在超臨界二氧化碳的熱力學(xué)狀態(tài)下將破裂。當(dāng)把第一和第二真空溝槽14和16的寬度及第一至第三升降銷孔28-30的直徑加工成0.060英寸左右時(shí)，可以維持避免半導(dǎo)體晶片破裂的合理安全范圍。
圖7C表示上臺(tái)板12A的背面96，可看到第一真空溝槽46和加熱元件溝槽98。最好在組裝好后讓加熱元件溝槽98支托一個(gè)加熱元件，由它在處理過(guò)程中對(duì)半導(dǎo)體晶片90加熱。
第一升降銷20示于圖8。(應(yīng)指出，第一升降銷20是作為第一至第三升降銷20-22的一個(gè)示例)第一升降銷20包括軸段100，凸肩段102，和螺紋端部38。建議軸段100的直徑為0.50“，它以合理的公差與直徑為0.60”第一升降銷孔相配。建議用不銹鋼來(lái)加工第一升降銷20。最好用磨削來(lái)加工軸段。也可以用其它的方法來(lái)加工軸段。
壓力室50的運(yùn)行在2002年4月10日申請(qǐng)的美國(guó)專利申請(qǐng)No.10/121,791中有說(shuō)明，此申請(qǐng)被整體引用于此作參考。
本專業(yè)技術(shù)人員容易了解，可以對(duì)優(yōu)選實(shí)施例作其它各種修改而不超出權(quán)利要求書所界定的思路和范圍。
權(quán)利要求
1.一種用來(lái)在高壓處理過(guò)程中支托半導(dǎo)體晶片的真空吸盤，包括a.晶片臺(tái)板，它包含光滑表面、第一至第三升降銷孔和處在光滑表面內(nèi)的真空開(kāi)口，該真空開(kāi)口可對(duì)半導(dǎo)體晶片表面施加真空；b.分別安裝在第一至第三升降銷孔內(nèi)的第一至第三升降銷；以及c.致動(dòng)器機(jī)構(gòu)，它將第一至第三升降銷與晶片臺(tái)板相連，它可操作成讓第一至第三升降銷伸到晶片臺(tái)板的光滑表面上方，或以及使第一至第三升降銷退至與晶片臺(tái)板的光滑表面齊平。
2.如權(quán)利要求1所述的真空吸盤，其中晶片臺(tái)板的光滑表面包含半導(dǎo)體晶片支托區(qū)。
3.如權(quán)利要求2所述的真空吸盤，其中真空開(kāi)口包含位于半導(dǎo)體晶片支托區(qū)內(nèi)的第一近似圓形真空溝槽。
4.如權(quán)利要求3所述的真空吸盤，其中晶片臺(tái)板還包括真空通道，它將第一近似圓形真空溝槽與位于半導(dǎo)體晶片支托區(qū)外面的晶片臺(tái)板一個(gè)表面上的真空口相連。
5.如權(quán)利要求4所述的真空吸盤，其中晶片臺(tái)板包括第二近似圓形真空溝槽，它處在第一近似圓形真空溝槽的內(nèi)直徑內(nèi)的光滑表面上。
6.如權(quán)利要求4所述的真空吸盤，其中真空通道將第二近似圓形真空溝槽與該真空口相連。
7.如權(quán)利要求1所述的真空吸盤，還包括升降銷支持機(jī)構(gòu)，它將升降銷與致動(dòng)器機(jī)構(gòu)相連。
8.如權(quán)利要求7所述的真空吸盤，其中升降銷支持機(jī)構(gòu)包括升降銷支持板。
9.如權(quán)利要求1所述的真空吸盤，還包括一個(gè)致動(dòng)器支撐件，它將致動(dòng)器機(jī)構(gòu)與晶片臺(tái)板相連。
10.如權(quán)利要求1所述的真空吸盤，其中晶片臺(tái)板包括a.包含光滑表面的上臺(tái)板、第四至第六升降銷孔和真空口；及b.與上臺(tái)板相連的下臺(tái)板，它包含第七至第九升降銷孔，此下臺(tái)板將致動(dòng)器機(jī)構(gòu)連至上臺(tái)板，包括第四和第七升降銷孔的晶片臺(tái)板第一升降銷孔，包括第五和第八升降銷孔的晶片臺(tái)板第二升降銷孔，包括第六和第九升降銷孔的晶片臺(tái)板第三升降銷孔。
11.如權(quán)利要求10所述的真空吸盤，還包括第一至第三尼龍插入件，它們分別與下臺(tái)板相連，并至少部分處在下臺(tái)板的第一至第三升降銷孔內(nèi)。
12.如權(quán)利要求11所述的真空吸盤，其中上臺(tái)板在其光滑表面相對(duì)的背面上包含加熱元件溝槽。
13.如權(quán)利要求10所述的真空吸盤，還包括第一至第三尼龍?zhí)淄?，它們分別與上臺(tái)板相連，并至少部分處在上臺(tái)板的第一至第三升降銷孔內(nèi)。
14.如權(quán)利要求1所述的真空吸盤，其中晶片臺(tái)板包含一個(gè)第四升降銷孔。
15.如權(quán)利要求14所述的真空吸盤，還包括一個(gè)第四升降銷，它安裝在第四升降銷孔內(nèi)并與致動(dòng)器機(jī)構(gòu)相連。
16.如權(quán)利要求1所述的真空吸盤，其中晶片臺(tái)板包含一些額外的升降銷孔。
17.如權(quán)利要求16所述的真空吸盤，還包括一些額外的升降銷，它們安裝在那些額外的升降銷孔內(nèi)，并與致動(dòng)器機(jī)構(gòu)相連。
18.如權(quán)利要求1所述的真空吸盤，其中致動(dòng)器機(jī)構(gòu)包含氣缸。
19.如權(quán)利要求1所述的真空吸盤，其中致動(dòng)器機(jī)構(gòu)包含機(jī)電驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。
20.如權(quán)利要求1所述的真空吸盤，其中致動(dòng)器機(jī)構(gòu)包含一個(gè)液壓缸。
21.一種在高壓處理過(guò)程中支托半導(dǎo)體晶片的真空吸盤，包括a.晶片臺(tái)板，它包括光滑表面、第一至第三升降銷孔和近似圓形的真空溝槽，該真空溝槽用來(lái)在半導(dǎo)體晶片的表面施加真空；b.分別安裝在第一至第三升降銷孔內(nèi)的第一至第三升降銷；以及c.致動(dòng)器機(jī)構(gòu)，它將第一至第三升降銷與晶片臺(tái)板相連，它可操作成讓第一至第三升降銷伸到晶片臺(tái)板的光滑表面上方，以及使第一至第三升降銷退至與晶片臺(tái)板的光滑表面齊平。
22.一種在高壓處理過(guò)程中支托半導(dǎo)體晶片的真空吸盤，包括a.上晶片臺(tái)板，它包括光滑表面、第一至第三升降銷孔和近似圓形的真空溝槽，該真空溝槽用來(lái)對(duì)半導(dǎo)體晶片的表面施加真空；b.與上臺(tái)板相連的下臺(tái)板，它包含第四至第六升降銷孔，第四至第六升降銷孔分別與上臺(tái)板的第一至第三升降銷孔對(duì)準(zhǔn)；c.第一至第三升降銷，其中第一升降銷安裝在上臺(tái)板的第一升降銷孔和下臺(tái)板的第四升降銷孔內(nèi)，第二升降銷安裝在上臺(tái)板的第二升降銷孔和下臺(tái)板的第五升降銷孔內(nèi)，第三升降銷安裝在上臺(tái)板的第三升降銷孔和下臺(tái)板的第六升降銷孔內(nèi)，以及d.將第一至第三升降銷連接至下臺(tái)板的致動(dòng)器機(jī)構(gòu)，它可操作成使第一至第三升降銷伸到上臺(tái)板光滑表面的上方，以及使第一至第三升降銷退回到至少與上臺(tái)板光滑表面齊平。
全文摘要
一種支托高壓處理過(guò)程中的半導(dǎo)體晶片的真空吸盤，包括一個(gè)晶片臺(tái)板，第一至第三升降銷，和一個(gè)致動(dòng)器機(jī)構(gòu)，晶片臺(tái)板包含一個(gè)光滑表面，第一至第三升降銷孔，和一個(gè)真空開(kāi)口。使用時(shí)由真空開(kāi)口在半導(dǎo)體晶片表面上形成真空而將半導(dǎo)體晶片吸到晶片臺(tái)板上。第一至第三升降銷分別安裝在第一至第三升降銷孔內(nèi)，致動(dòng)器機(jī)構(gòu)將第一至第三升降銷連至晶片臺(tái)板上。致動(dòng)器機(jī)構(gòu)工作時(shí)使第一至第三升降銷一致伸到晶片臺(tái)板光滑表面上方。致動(dòng)器機(jī)構(gòu)工作時(shí)使第一至第三升降銷一致退回到至少與晶片臺(tái)板光滑表面齊平。
文檔編號(hào)H01L21/67GK1711154SQ200380102839
公開(kāi)日2005年12月21日 申請(qǐng)日期2003年11月3日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月6日
發(fā)明者T·R·蘇頓, M·A·比伯格 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社