專利名稱：具有晶片映射功能的晶片處理設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于在半導(dǎo)體器件、電子部件和相關(guān)的產(chǎn)品以及光盤等的制造工藝中檢測在用于儲(chǔ)存半導(dǎo)體晶片等的清潔盒內(nèi)部的架子上有/無晶片的晶片映射設(shè)備。
背景技術(shù)：
最近，在要求高度清潔的半導(dǎo)體器件等的制造工藝中的晶片處理(加工)工藝中，采用不在與處理有關(guān)的整個(gè)室內(nèi)(房間)空間建立高度清潔的環(huán)境的方法。在該方法中，在晶片制造工藝中所用的每個(gè)晶片處理設(shè)備中提供保持高度清潔條件的小環(huán)境空間。該方法只要保持小的空間，即，晶片處理設(shè)備內(nèi)的空間以及在晶片處理設(shè)備之間轉(zhuǎn)移晶片期間用于儲(chǔ)存晶片的晶片儲(chǔ)存容器(在下文中稱為容器(pod))，而不是保持例如與處理有關(guān)的室內(nèi)的大空間的清潔。對于該方法，能夠節(jié)省在與晶片處理有關(guān)的整個(gè)室內(nèi)空間保持高度清潔條件的情況所需的最初的投資和維護(hù)成本，同時(shí)實(shí)現(xiàn)與通過在與晶片處理有關(guān)的整個(gè)室內(nèi)空間保持高度清潔的環(huán)境以實(shí)現(xiàn)有效的制造工藝所獲得的相同的效果。
在容器的內(nèi)部，提供具有放置晶片的擱板的支架。晶片存儲(chǔ)在支架中，使得一個(gè)擱板上放一個(gè)晶片。放在支架中的晶片用轉(zhuǎn)移(傳送)容器在晶片處理設(shè)備之間轉(zhuǎn)移。但是，在由晶片處理設(shè)備執(zhí)行處理工藝的過程中，有時(shí)會(huì)產(chǎn)生在預(yù)定標(biāo)準(zhǔn)范圍之外的晶片。這種晶片被從容器中的擱板上剔除。因此，即使在制造工藝的最初階段支架的所有擱板上都放有晶片，隨著由晶片處理設(shè)備進(jìn)行的處理工藝的進(jìn)行，由于晶片的剔除，沒有放置晶片的擱板的數(shù)量將增加。
因?yàn)榫幚碓O(shè)備自動(dòng)地在晶片上進(jìn)行處理，所以每個(gè)晶片處理設(shè)備通常都具有晶片轉(zhuǎn)移自動(dòng)裝置(機(jī)械人，在下文中將簡稱為轉(zhuǎn)移自動(dòng)裝置)。轉(zhuǎn)移自動(dòng)裝置進(jìn)入容器的擱板，以便為晶片處理工藝轉(zhuǎn)移或帶來晶片。如果為了轉(zhuǎn)移晶片的目的，轉(zhuǎn)移自動(dòng)裝置進(jìn)入設(shè)有晶片的擱板而不管要處理的晶片不在那個(gè)擱板上，則出現(xiàn)了無用的運(yùn)動(dòng)過程，即，自動(dòng)裝置無用地進(jìn)入擱板并返回原始位置。隨著無用運(yùn)動(dòng)過程次數(shù)的增加，晶片處理的總數(shù)將下降。鑒于此，需要檢測在每個(gè)晶片處理設(shè)備中的容器中的支架的每個(gè)擱板上有/無晶片，以確定在容器的支架中的哪個(gè)擱板上儲(chǔ)存有晶片，哪個(gè)擱板上沒有儲(chǔ)存晶片(這種測定可被稱作晶片映射)。
例如，在日本專利申請No.2001-158458中，提出了一種具有晶片映射功能的半導(dǎo)體晶片處理設(shè)備。在日本專利申請No.2001-158458中公開的設(shè)備使用包括一對發(fā)射器和檢測器的用于晶片檢測的透射傳感器和具有有規(guī)律的形成的槽口或缺口的擋塊(dog)進(jìn)行晶片映射，擋塊的透射傳感器以環(huán)繞形成有槽口的擋塊的一部分的方式安置。該日本專利申請說明透射晶片檢測傳感器的發(fā)射器和檢測器彼此間隔一定的距離相對放置，并且在與放置晶片的擱板垂直的方向移動(dòng)發(fā)射器和檢測器，以檢測晶片的有/無。
具體的，當(dāng)晶片擋住來自發(fā)射器的光并且檢測器沒有檢測到來自發(fā)射器的光時(shí)，不產(chǎn)生透射信號(hào)，從而確定在擱板上有晶片。另一方面，當(dāng)擱板上沒有晶片并且檢測器接收到來自發(fā)射器的光時(shí)，產(chǎn)生透射信號(hào)，從而確定在擱板上沒有晶片。按以下方式安排上述結(jié)構(gòu)，沿?fù)鯄K的槽口移動(dòng)的擋塊的透射傳感器對每個(gè)槽口的檢測產(chǎn)生信號(hào)的時(shí)間與透射晶片檢測傳感器的發(fā)射器和檢測器通過每個(gè)放置晶片的擱板的時(shí)間同步。由此，當(dāng)晶片在發(fā)射器和檢測器之間時(shí)，透射晶片檢測傳感器的檢測器可以無誤地檢測晶片的有/無(存在/不存在)。
迄今為止，沒有發(fā)現(xiàn)任何構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)的相關(guān)文件。
(1)但是，上述技術(shù)是只檢測晶片有/無的映射技術(shù)。因此，采用該技術(shù)可以在晶片是一個(gè)接一個(gè)地放在容器中的支架的擱板上的情況下(即，一個(gè)晶片在一個(gè)擱板上)進(jìn)行晶片映射，但是在多個(gè)晶片放在容器中的支架的一個(gè)擱板上的情況下，不能正確地檢測晶片的數(shù)量。然而，如果多個(gè)晶片放在容器中的支架的一個(gè)(或幾個(gè))擱板上，則會(huì)在后續(xù)的處理工藝中出現(xiàn)問題。因此，要求在晶片處理設(shè)備中進(jìn)行晶片映射處理中也能檢測這種擱板。
(2)此外，在某些晶片檢測設(shè)備中，使用速度的穩(wěn)定性不很高的驅(qū)動(dòng)裝置，例如氣動(dòng)氣缸，移動(dòng)傳感器，以便簡化結(jié)構(gòu)。特別是，在氣動(dòng)氣缸的情況下，在氣缸剛開始工作之后的早期階段(或時(shí)期)或者在氣缸停止工作的階段(或時(shí)期)，速度隨時(shí)間的變化大。另外，即使在上述階段之外的速度基本恒定的階段中，速度的變化仍然較大。因此，當(dāng)用這種驅(qū)動(dòng)裝置在檢測時(shí)移動(dòng)傳感器時(shí)，存在誤差變大擾亂精確的晶片檢測的問題。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)解決上述問題的本發(fā)明，提供適于檢測在容器中提供的具有放置晶片的擱板的支架的每個(gè)擱板上的晶片的晶片處理設(shè)備，它包括能夠被驅(qū)動(dòng)裝置沿支架的擱板移動(dòng)的移動(dòng)裝置；能夠被移動(dòng)裝置沿支架的擱板移動(dòng)的第一透射傳感器，它包括彼此相對放置的第一發(fā)射器和第一檢測器，第一發(fā)射器和第一檢測器以如下方式安置當(dāng)?shù)谝煌干鋫鞲衅餮刂Ъ艿臄R板移動(dòng)時(shí)，在支架的擱板上有晶片的情況下，從第一發(fā)射器向第一檢測器發(fā)出的光被晶片擋住，而在在支架的擱板上沒有晶片的情況下，從第一發(fā)射器發(fā)出的光能夠傳到第一檢測器；第二透射傳感器，它包括第二發(fā)射器和與第二發(fā)射器相對的第二檢測器，第二透射傳感器能夠由移動(dòng)裝置沿支架的擱板移動(dòng)；設(shè)置在第二發(fā)射器和第二檢測器之間的擋塊，它具有當(dāng)?shù)诙干鋫鞲衅餮刂Ъ艿臄R板移動(dòng)時(shí)能夠通過或擋住從第二發(fā)射器向第二檢測器發(fā)射的光的分度(index)裝置(標(biāo)定裝置)；以及計(jì)算裝置，它將通過計(jì)算來自對應(yīng)于晶片的第一透射傳感器的第一信號(hào)的持續(xù)時(shí)間和來自對應(yīng)于分度裝置的第二傳感器的第二信號(hào)的持續(xù)時(shí)間的比得到的晶片厚度與預(yù)先根據(jù)晶片厚度和晶片數(shù)量設(shè)置的閾值進(jìn)行比較來確定放在支架的一個(gè)擱板上的晶片的數(shù)量。
利用該設(shè)備，即使在透射傳感器的掃描速度變化的情況下，也能夠進(jìn)行精確的晶片檢測，而不需要復(fù)雜的系統(tǒng)。此外，該設(shè)備可以檢測多個(gè)晶片。


圖1示出了典型的晶片處理設(shè)備的整個(gè)結(jié)構(gòu)。
圖2A示出了包括晶片處理設(shè)備的開啟器(開啟裝置)部分的放大側(cè)視圖。
圖2B示出了從小環(huán)境內(nèi)部看過去包括晶片處理設(shè)備的開啟器部分的放大圖。
圖3A示出了用于檢測晶片的透射晶片檢測傳感器的發(fā)射器和檢測器相對于晶片的布置，其中從垂直于晶片平面的方向看透射晶片檢測傳感器和晶片的位置關(guān)系。
圖3B示出了用于檢測晶片的透射晶片檢測傳感器的發(fā)射器和檢測器相對于晶片的布置，其中從平行于晶片平面的方向看透射晶片檢測傳感器和晶片的位置關(guān)系。
圖4示出了在開始晶片映射之前設(shè)備的狀態(tài)。
圖5示出了在完成晶片映射之后設(shè)備的狀態(tài)。
圖6示出了晶片處理設(shè)備的可移動(dòng)部分。
圖7A示出了擋塊的一個(gè)例子。
圖7B示出了擋塊的另一個(gè)例子。
圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的透射晶片檢測傳感器和透射擋塊傳感器的電路配置圖。
圖9示出了透射晶片檢測傳感器的信號(hào)和透射擋塊傳感器的信號(hào)之間的關(guān)系圖。
圖10是在本發(fā)明的第一實(shí)施例中的教導(dǎo)(teaching)過程中信號(hào)處理的流程圖。
圖11是在本發(fā)明的第一實(shí)施例中的映射過程中信號(hào)處理的流程圖。
圖12是在本發(fā)明的第二實(shí)施例中信號(hào)處理的流程圖。
具體實(shí)施例方式
(第一實(shí)施例)
在下面，參考附圖介紹本發(fā)明的實(shí)施例。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的晶片處理設(shè)備包括用于進(jìn)行晶片檢測掃描的部分以及根據(jù)掃描得到的數(shù)據(jù)確定晶片的有/無和晶片的數(shù)量的部分。首先，介紹進(jìn)行晶片檢測掃描的部分。
圖1示出了半導(dǎo)體晶片處理設(shè)備50的整個(gè)結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體晶片處理設(shè)備50主要由裝載口部分51和小環(huán)境52組成。裝載口部分51和小環(huán)境52由隔離物和蓋58分隔。小環(huán)境52的內(nèi)部保持高清潔條件，以便處理晶片1。另外，在小環(huán)境52的內(nèi)部提供機(jī)械手54，在容器2的蓋子4打開后從容器2中取出容納的晶片1，使晶片1經(jīng)受預(yù)定的處理。
放置容器2的工作臺(tái)53安裝在裝載口51的頂部。工作臺(tái)適于在裝載口51上向著或者遠(yuǎn)離小環(huán)境52的方向移動(dòng)。容器2由具有在開口處開口并用蓋4封閉開口的內(nèi)部空間的主體2a構(gòu)成。主體2a的內(nèi)部，提供具有沿一個(gè)方向排列的多個(gè)擱板的支架。晶片1容納在擱板中。通常每個(gè)擱板容納一個(gè)晶片1，雖然有時(shí)一個(gè)擱板上放置兩個(gè)晶片。在小環(huán)境52的裝載口51側(cè)具有比容器2的蓋4稍大一些的小環(huán)境開口部分10。
在小環(huán)境開口部分10的附近和小環(huán)境52的內(nèi)部，提供用于打開和關(guān)閉容器2的蓋4的開啟器3。這里，參考圖2A和2B介紹開啟器3。圖2A示出了包括裝載口部分51、容器2、開啟器3和蓋4部分的放大圖。圖2B是從小環(huán)境52的內(nèi)部看圖2A所示的部分的圖。
開啟器3具有足夠大的板狀的門6——其足以關(guān)閉小環(huán)境開口部分10，以及具有沿門6的外周邊延伸的框架結(jié)構(gòu)的映射框架5。
門6通過固定部件46支撐在門臂42的一端。門臂42的另一端連接到以氣動(dòng)氣缸(未示出)的形式打開和關(guān)閉門的門開/關(guān)驅(qū)動(dòng)裝置。門臂42由位于門臂42的兩端之間的某一點(diǎn)的樞軸41可旋轉(zhuǎn)的支撐。在門6的表面上以真空吸氣孔的形式提供保持部分11a和11b。在當(dāng)門6關(guān)閉小環(huán)境開口部分10時(shí)，在蓋4與門6緊密接觸的情況下，保持部分11a和11b吸住蓋4以保持住蓋4。利用上述結(jié)構(gòu)，門臂42使門6在保持住蓋4的同時(shí)一起擺動(dòng)，以打開和關(guān)閉小環(huán)境開口部分10。
映射框架5是具有沿小環(huán)境開口部分10延伸并圍繞門臂設(shè)置在門6周圍的框架結(jié)構(gòu)的部件。映射框架5連接在從映射框架5的下部向下延伸的映射框架臂12a和映射框架臂12b上。映射框架臂12a和映射框架臂12b的另一端連接到用于驅(qū)動(dòng)映射框架的作動(dòng)缸(未示出)。映射框架臂12a和映射框架臂12b由位于一對映射框架臂12a和12b的兩端之間的某一位置的樞軸41可旋轉(zhuǎn)的支撐。映射框架5由未示出的映射框架驅(qū)動(dòng)缸驅(qū)動(dòng)，以樞軸41為中心點(diǎn)擺動(dòng)，未示出。因?yàn)橛成淇蚣?以環(huán)繞門6周邊的形式設(shè)置，所以門6的擺動(dòng)操作和映射框架5的擺動(dòng)操作可以彼此獨(dú)立地進(jìn)行，而不會(huì)相互干擾。
在映射框架5的上部，提供從小環(huán)境向容器2伸出的細(xì)長的傳感器支撐桿13a和細(xì)長的傳感器支撐桿13b。作為第一透射傳感器的透射晶片檢測傳感器9的第一發(fā)射器的發(fā)射器9a連在傳感器支撐桿13a的頂端。另一方面，在傳感器支撐桿13b的頂端提供作為透射傳感器9的第一檢測器的檢測器9b。發(fā)射器9a和檢測器9b彼此相對放置。另外，發(fā)射器9a和檢測器9b相對于經(jīng)過調(diào)整的從發(fā)射器9a發(fā)出的光束的軸設(shè)置成從發(fā)射器9a發(fā)出的光能夠被檢測器9b接收。如圖3A所示，發(fā)射器9a和檢測器9b以晶片1放在發(fā)射器9a和檢測器9b之間的從發(fā)射器9a發(fā)出的光束的軸線上的方式安置。隨著發(fā)射器9a和檢測器9b同時(shí)沿著與晶片1的平面垂直的方向(即，垂直于圖3A的圖紙平面的方向)移動(dòng)，當(dāng)晶片1在容器中的支架的擱板上時(shí)，從發(fā)射器9a發(fā)出的光被在晶片1的邊緣的晶片光線遮擋區(qū)16擋住，從而光線不能到達(dá)檢測器9b。另一方面，當(dāng)晶片1不在支架的擱板上時(shí)，從發(fā)射器9a發(fā)出的光能到達(dá)檢測器9b，沒有被晶片1擋住。由此，利用上述透射晶片檢測傳感器9的安排，通過透射晶片檢測傳感器9可以檢測晶片的有/無。
從理論上講，發(fā)射器9a和檢測器9b可以以從發(fā)射器9a到檢測器9b的光軸(即，光束路徑的中心軸線)與晶片1的平面平行的形式設(shè)置。但是，在實(shí)際中，最好發(fā)射器9a和檢測器9b以從發(fā)射器9a到檢測器9b的光軸不與晶片1的平面平行而是傾斜某個(gè)角度的形式設(shè)置。該角度最好為0到1度。具體的，發(fā)射器9a和檢測器9b以例如相對于水平軸線大約1度傾斜角的傾斜方式安裝。利用這種布置，能夠防止從發(fā)射器9a向檢測器9b發(fā)出的光被晶片1的表面上的漫反射散射。
具體的，在實(shí)際中，從發(fā)射器9a向檢測器9b發(fā)出的光束以大約2度的角度發(fā)散，并且在水平設(shè)置從發(fā)射器9a到檢測器9b的光軸的情況下，光在晶片1的表面被漫反射。在出現(xiàn)這種漫反射的情況下，雖然光應(yīng)當(dāng)被晶片遮擋區(qū)16擋住從而防止在正常情況下進(jìn)入檢測器9b，但是存在漫射的弱光能夠間接進(jìn)入檢測器9b的危險(xiǎn)。在這種情況下，盡管在正常情況下來自發(fā)射器9a的光應(yīng)當(dāng)被晶片遮擋區(qū)16擋住從而判定存在晶片1，但是此時(shí)會(huì)錯(cuò)誤地判定沒有晶片1。通過以相對于水平軸線成一定傾斜角度的傾斜方式安排發(fā)射器9a和檢測器9b可以防止這種錯(cuò)誤判定的出現(xiàn)。
將例如以如下方式實(shí)際確定上述大約1度的角度。根據(jù)SemiconductorEquipment Materials International(SEMI)的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置，在容器2中的支架的擱板上的晶片的傾斜必須在±0.5mm的范圍內(nèi)。在直徑為300mm的晶片的情況下，上述條件轉(zhuǎn)換為晶片傾斜角度±0.1度的范圍內(nèi)。因此，對于上述大約1度的傾斜角，從發(fā)射器9a向檢測器9b發(fā)出的光總是被在某個(gè)角度的晶片1擋住，從而避免漫射。另外，在傳感器以上述角度傾斜安置的情況下，從發(fā)射器9a到檢測器9b穿過晶片的光速擋區(qū)16的光通路的時(shí)間長度比傳感器水平安置的情況要增加。特別是，在本發(fā)明中，由于利用由透射晶片檢測傳感器9產(chǎn)生的信號(hào)的持續(xù)時(shí)間，如后面要價(jià)紹的，所以當(dāng)使得由透射晶片檢測傳感器9產(chǎn)生的信號(hào)的持續(xù)時(shí)間盡可能長時(shí)，可以有利地增加檢測精度。具體的，隨著發(fā)射器9a和檢測器9b一起沿著與晶片的平面垂直的方向(即，圖3B中向下的方向)移動(dòng)，在晶片1存在于容器2中的支架的擱板上的情況下，從發(fā)射器9a發(fā)出的光掃過在晶片1的邊緣的晶片光線遮擋區(qū)16并被晶片光線遮擋區(qū)16擋住，從而光線不能到達(dá)檢測器9b。另一方面，在晶片1不存在于支架的擱板上的情況下，從發(fā)射器9a發(fā)出的光能到達(dá)檢測器9b，沒有被晶片1擋住。
另一方面，在傾斜角度太大的情況下，由于在容器2中的支架的擱板上的晶片1的傾斜的變化引起的從發(fā)射器9a發(fā)出的光被晶片光線遮擋區(qū)16擋住的時(shí)間長度的變化變大。如果以從發(fā)射器9a向檢測器9b發(fā)出的光從距離晶片1的邊緣4mm的位置穿過的方式布置，則晶片光線遮擋區(qū)的長度為大約68.5mm。如果假設(shè)晶片1從正常的晶片位置向前偏移0.5mm，則晶片光線遮擋區(qū)16的長度從大約68.5mm變?yōu)榇蠹s72.5mm。隨著晶片光線遮擋區(qū)16長度的增加，從發(fā)射器9a向檢測器9b發(fā)出的光被晶片光線遮擋區(qū)16擋住的時(shí)間長度比起假設(shè)晶片1處于正常位置的情況要變長，從而所確定的晶片1的厚度比實(shí)際厚度要大。但是，即使在這種情況下，所確定的晶片1的厚度只比實(shí)際厚度大大約0.07m。因此，這對于做出正確的判定是無關(guān)緊要的，只要在最終確定時(shí)考慮到厚度的這種變化就可以了。例如，在為確定晶片的數(shù)量是一個(gè)或者兩個(gè)而確定閾值的步驟中(將在后面介紹)，可以設(shè)置大于上述值的容限。另外，對于上述傾斜角度，可以實(shí)現(xiàn)用于確定發(fā)射器9a和檢測器9b位置的實(shí)際排列，而沒有任何問題。根據(jù)以上所述，上述大約1度的傾斜角是防止晶片1的漫射同時(shí)考慮在容器2中放置的晶片的狀態(tài)變化的實(shí)際值。
順便提及，在以傾斜方式安裝發(fā)射器9a和檢測器9b時(shí)，不要求指定發(fā)射器9a和檢測器9b中的哪一個(gè)安裝在上面的位置。
為了以上述方式移動(dòng)透射晶片檢測傳感器9，半導(dǎo)體晶片處理設(shè)備50可以具有作為上下移動(dòng)包括門6和映射框架5的開啟器3的移動(dòng)裝置的可移動(dòng)部分56。上述用于驅(qū)動(dòng)映射框架5的氣缸35、用于打開和關(guān)閉門6的氣缸31以及樞軸41安裝在可移動(dòng)部分56上。因此，門6和具有透射晶片檢測傳感器9的映射框架5可以隨著可移動(dòng)部分56的移動(dòng)而上下移動(dòng)。可移動(dòng)部分56可在上下方向移動(dòng)，同時(shí)沿軌道57滑動(dòng)，并且可移動(dòng)部分56由氣動(dòng)無桿氣缸55的回縮和伸出而上下移動(dòng)。借助上述結(jié)構(gòu)，開動(dòng)氣動(dòng)氣缸55使可移動(dòng)部分56從圖4中所示的透射晶片檢測傳感器9的發(fā)射器9a和檢測器9b處于在容器2的支架中最上部的晶片1上方的待機(jī)狀態(tài)的狀態(tài)進(jìn)入圖5所示的發(fā)射器9a和檢測器9b位于支架中最下部的晶片1下面的位置同時(shí)發(fā)射器9a和檢測器9b之間的光線穿過晶片1的平面以掃描晶片1的狀態(tài)。
接下來，將介紹根據(jù)由晶片掃描得到的數(shù)據(jù)確定晶片的有/無和數(shù)量的部分。圖6示出了從裝載口51側(cè)看去的開啟器3的可移動(dòng)部分56。
在可移動(dòng)部分56的側(cè)面，提供沿可移動(dòng)部分56的移動(dòng)方向延伸的擋塊7。擋塊7是細(xì)長的板狀部件，具有按固定間距沿長度方向規(guī)則排列的分度裝置。在本實(shí)施例中，分度裝置12由多個(gè)具有相同寬度按相同間距排列的槽口(或缺口)構(gòu)成。分度裝置12的數(shù)量與放置晶片的容器中的支架的擱板的數(shù)量相同。另外，最好分度裝置12的每個(gè)槽口以對應(yīng)于從透射晶片檢測傳感器9的發(fā)射器9a發(fā)出的射線穿過每個(gè)晶片1的晶片光線遮擋區(qū)的時(shí)間的方式設(shè)置。
另一方面，作為第二透射傳感器的擋塊透射傳感器8固定在可移動(dòng)部分56上。透射擋塊傳感器8由作為第二發(fā)射器的發(fā)射器8a和作為第二檢測器的檢測器8b構(gòu)成。以擋塊7的分度裝置12位于發(fā)射器8a和檢測器8b之間的方式布置透射擋塊傳感器8的發(fā)射器8a和檢測器8b。
以彼此相對的方式安裝發(fā)射器8a和檢測器8b，并且調(diào)整發(fā)射器8a的光軸，以使從發(fā)射器8a發(fā)出的光能夠被檢測器8b接收到。對于分度裝置12位于從發(fā)射器8a向檢測器8b發(fā)出的光束的軸線上的排列，隨著發(fā)射器8a和檢測器8b一起沿?fù)鯄K7移動(dòng)，在沒有槽口形的分度裝置12的擋塊7的片形部分中，從發(fā)射器8a發(fā)出的光被片形部分擋住，從而防止到達(dá)檢測器8b，而在存在槽口或缺口形的分度裝置12的部分中，從發(fā)射器8a發(fā)出的光將穿過分度裝置12到達(dá)檢測器8b。因此，只要所設(shè)計(jì)的分度裝置12具有如圖7A所示的相同的已知寬度和固定間距的排列，則由透射擋塊傳感器8產(chǎn)生的信號(hào)的持續(xù)時(shí)間可以用作為基準(zhǔn)。
雖然，在本實(shí)施例的介紹中，分度裝置12為槽口，但是不同形式的分度裝置也可以實(shí)現(xiàn)相同的效果，只要它們被設(shè)計(jì)為具有相同的已知寬度和固定間距的排列。例如，如圖7B所示，可以采用在擋塊7上具有相同的寬度和固定間距的排列的凸起形式的分度裝置13。分度裝置的形式并不限于上述這些，它們可以采用具有相同的已知寬度和相同(或固定)間距排列的各種形式。
接下來，將參考圖8介紹透射晶片檢測傳感器9和透射擋塊傳感器8的電路方案(布置)。圖8示出了根據(jù)本實(shí)施例的具有晶片映射功能的晶片處理設(shè)備50的電路方案。
晶片處理設(shè)備50具有作為計(jì)算裝置的中央處理單元15(下文中將稱作CPU)。透射晶片檢測傳感器9的發(fā)射器9a和檢測器9b連接到放大來自透射晶片檢測傳感器9的信號(hào)的放大器9c。放大器9c通過輸入-輸出口15a(下文中將稱作I/O口15a)連接到CPU 15。來自透射晶片檢測傳感器9的放大的信號(hào)通過I/O口15a發(fā)送到CPU 15。信號(hào)臨時(shí)存儲(chǔ)在CPU 15中，然后在CPU 15中處理。另一方面，透射擋塊傳感器8的發(fā)射器8a和檢測器8b連接到安裝在透射擋塊傳感器8內(nèi)部的內(nèi)部放大器8c。內(nèi)部放大器8c放大來自透射擋塊傳感器8的信號(hào)。內(nèi)部放大器8c通過輸入/輸出口15b(下文中將稱作I/O口15b)連接到CPU。來自透射擋塊傳感器8的放大的信號(hào)通過I/O口15b送到CPU 15。信號(hào)臨時(shí)存儲(chǔ)在CPU 15中，然后在CPU 15中處理。
在下面，將介紹對于來自透射晶片檢測傳感器9和透射擋塊傳感器8的信號(hào)的信號(hào)處理原理和在CPU 15中的信號(hào)處理流程。
在本實(shí)施例中，透射擋塊傳感器8和透射晶片檢測傳感器9的可移動(dòng)部分56由氣動(dòng)無桿氣缸55移動(dòng)。氣動(dòng)氣缸的操作速度是不穩(wěn)定的，并且在氣缸剛剛開始操作后的階段和氣缸操作停止階段速度隨時(shí)間的變化特別大。因此，由透射晶片檢測傳感器9進(jìn)行晶片檢測的時(shí)間段或范圍以及由透射擋塊傳感器8進(jìn)行檢測的時(shí)間段或范圍設(shè)置為在除速度變化較大的早期階段和操作停止階段之外的時(shí)間段進(jìn)行檢測。
圖9示出了從透射晶片檢測傳感器9輸出的信號(hào)20和從透射擋塊傳感器8輸出的信號(hào)21。在圖9中，示出了在對應(yīng)于來自透射晶片檢測傳感器9的信號(hào)20的信號(hào)段20a的時(shí)間所產(chǎn)生的來自透射擋塊傳感器8的信號(hào)21的信號(hào)段21a和在對應(yīng)于來自透射晶片檢測傳感器9的信號(hào)20的信號(hào)段20b的時(shí)間所產(chǎn)生的來自透射擋塊傳感器8的信號(hào)21的信號(hào)段21b。通常，在可移動(dòng)部分56的速度為具有高精度的恒定情況下，來自透射晶片檢測傳感器9的信號(hào)20的信號(hào)段20a的持續(xù)時(shí)間x1和來自透射晶片檢測傳感器9的信號(hào)20的信號(hào)段20b的持續(xù)時(shí)間x2應(yīng)當(dāng)相同，并且來自透射擋塊傳感器8的信號(hào)21的信號(hào)段21a的持續(xù)時(shí)間y1和來自透射擋塊傳感器8的信號(hào)21的信號(hào)段21b的持續(xù)時(shí)間y2應(yīng)當(dāng)相同。但是，在速度發(fā)生變化的情況下，信號(hào)段20a的持續(xù)時(shí)間x1和信號(hào)段20b的持續(xù)時(shí)間x2可能不同，并且信號(hào)段21a的持續(xù)時(shí)間y1和信號(hào)段21b的持續(xù)時(shí)間y2可能不同，如圖9中的情況。但是，即使在這種情況下，由于透射晶片檢測傳感器9和透射擋塊傳感器8由同一個(gè)可移動(dòng)部分56以相同的速度移動(dòng)，并且在對應(yīng)于支架的一個(gè)擱板的長度上該速度基本是恒定的，所以信號(hào)持續(xù)時(shí)間的比值x1/y1和x2/y2是相同的。換句話說，假設(shè)x為來自透射晶片檢測傳感器9的信號(hào)20的信號(hào)持續(xù)時(shí)間，y為來自透射擋塊傳感器8的信號(hào)21的信號(hào)持續(xù)時(shí)間，則它們的比值x/y是恒定的。
由此，假設(shè)t(m)為晶片的厚度，d(m)為擋塊的槽口形式的分度裝置12的寬度，則下面的公式(1)總是成立。
d(m)∶y(sec)＝t(m)∶x(sec)…(1)因此，可以通過如下等式得到晶片的厚度t(m)。
t＝dx/y(m)…(2)這樣，在所得到的作為測量結(jié)果的值基本接近單個(gè)晶片的厚度的情況下，可以確定有一個(gè)晶片，而在所得到的值基本接近兩個(gè)晶片的厚度的情況下，可以確定有兩個(gè)晶片。但是，在實(shí)際中，存在小的變化，并且所得到的值并不總是對應(yīng)于晶片1的厚度。因此，對于一個(gè)晶片的情況和使用兩個(gè)晶片的厚度的情況計(jì)算該值，從而為晶片1的厚度浚置作為基準(zhǔn)值tR的值。然后，一預(yù)定的容限C加到基準(zhǔn)值tR上，從而以如下方式確定閾值tS。預(yù)定的容限C可以設(shè)為例如3.5×104(m)，這近乎等于晶片1的厚度的一半。
ts＝tR+C…(3)這樣，在測得的晶片1的厚度t大于閾值tS的情況下，確定有兩個(gè)晶片，而在測得的晶片1的厚度t等于或小于閾值tS的情況下，確定有一個(gè)晶片。
在實(shí)際測量中，來自透射晶片檢測傳感器9的信號(hào)20的信號(hào)持續(xù)時(shí)間x(sec)和來自透射擋塊傳感器8的信號(hào)21的信號(hào)持續(xù)時(shí)間y(sec)的比值(x/y)存在變化。因此，希望通過計(jì)算多個(gè)測量數(shù)據(jù)的簡單平均值或使用測量數(shù)據(jù)的變化范圍的中間值來確定基準(zhǔn)值tR。在這些情況下，可以考慮實(shí)施在實(shí)際測量之前的設(shè)備的測試運(yùn)行期間進(jìn)行教導(dǎo)(教練)的過程1得到基準(zhǔn)值tR，然后確定閾值tS，或者實(shí)施根據(jù)在實(shí)際測量中得到的值獲得基準(zhǔn)值tR的過程2，并由此得到閾值tS。此外，根據(jù)基準(zhǔn)值tR確定閾值tS的計(jì)算過程可以在設(shè)于晶片處理設(shè)備50中的CUP15中進(jìn)行，或者由CUP 15使用預(yù)先計(jì)算并存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置中的值確定。
不用說，正如通過圖9可以認(rèn)識(shí)到的，缺少來自透射晶片檢測傳感器9的信號(hào)20的對應(yīng)于晶片的信號(hào)部分意味著在支架的擱板上沒有晶片。
下面，參考圖10和11介紹在CUP 15中進(jìn)行的對來自透射晶片檢測傳感器9的信號(hào)和來自透射擋塊傳感器8的信號(hào)的信號(hào)處理過程。
通常，在作為檢測實(shí)際晶片厚度的映射過程之前進(jìn)行教導(dǎo)過程(如圖10所示)。在教導(dǎo)過程中，容器在容器中的支架的擱板上至少放置一個(gè)晶片的狀態(tài)下經(jīng)受該過程。不必要在支架的所有擱板上都放上晶片。只要在擱板上放置至少一個(gè)晶片就可以達(dá)到教導(dǎo)的目的。
圖10是本實(shí)施例的教導(dǎo)過程的流程圖。首先，在教導(dǎo)過程中，當(dāng)移動(dòng)可移動(dòng)部分56時(shí)，得到來自透射晶片檢測傳感器9的信號(hào)的信號(hào)持續(xù)時(shí)間x并對所有的擱板進(jìn)行計(jì)算，并且得到和計(jì)算來自透射擋塊傳感器8的信號(hào)的信號(hào)持續(xù)時(shí)間y，從而將得到的持續(xù)時(shí)間存儲(chǔ)在預(yù)定的存儲(chǔ)裝置中(步驟S101)。然后，根據(jù)擋塊的分度裝置的寬度d、來自透射晶片檢測傳感器9的信號(hào)的信號(hào)持續(xù)時(shí)間x和來自透射擋塊傳感器8的信號(hào)的信號(hào)持續(xù)時(shí)間y計(jì)算值d×(x/y)，得到所有擱板上的晶片的晶片厚度(步驟S102)。計(jì)算多個(gè)晶片的厚度的簡單平均值，并且將所得到的值設(shè)為基準(zhǔn)厚度值tR(步驟S103)。通過在基準(zhǔn)厚度值tR上加上預(yù)定容限C確定閾值tS(步驟S104)。將閾值tS存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置中(步驟S105)。由此，完成教導(dǎo)過程。根據(jù)上述原理最好將值C設(shè)為0.35。
在教導(dǎo)過程完成之后，進(jìn)行用于測量和確定實(shí)際晶片厚度的映射過程。圖11是在本實(shí)施例中的映射過程的流程圖。在該過程中，當(dāng)移動(dòng)可移動(dòng)部分56時(shí)，得到并計(jì)算來自透射晶片檢測傳感器9的信號(hào)的信號(hào)持續(xù)時(shí)間x，并且得到和計(jì)算來自透射擋塊傳感器8的信號(hào)的信號(hào)持續(xù)時(shí)間y，從而將得到的持續(xù)時(shí)間存儲(chǔ)在預(yù)定的存儲(chǔ)裝置中(步驟S201)。然后，根據(jù)擋塊的分度裝置的寬度d、來自透射晶片檢測傳感器9的信號(hào)的信號(hào)持續(xù)時(shí)間x和來自透射擋塊傳感器8的信號(hào)的信號(hào)持續(xù)時(shí)間y計(jì)算值d×(x/y)得到晶片厚度，并且將得到的值設(shè)置為晶片厚度的測量值(步驟S202)。讀出在教導(dǎo)過程中存儲(chǔ)的閾值(步驟S203)?？梢栽诘玫叫盘?hào)持續(xù)時(shí)間x和y(步驟S201)的過程之前或者在計(jì)算晶片的厚度作為測量值(步驟S202)的過程之前進(jìn)行閾值的讀出。然后，進(jìn)行比較晶片厚度的測量值和閾值的比較過程(步驟S204)。這樣，在晶片厚度的測量值等于或小于該閾值的情況下，確定在被檢查的擱板上有一個(gè)晶片(步驟S205)。在晶片厚度的測量值大于該閾值的情況下，確定在被檢查的擱板上有兩個(gè)晶片(步驟S206)。在確定擱板上有兩個(gè)晶片的情況下，顯示出有兩個(gè)疊置的晶片的信息，作為錯(cuò)誤消息，表示有兩個(gè)晶片的事實(shí)(步驟S207)。當(dāng)對于支架的所有擱板完成測量和確定時(shí)，完成映射過程(步驟S208)。
(第二實(shí)施例)可以不進(jìn)行教導(dǎo)過程而進(jìn)行映射過程。在第一實(shí)施例中，通過教導(dǎo)過程計(jì)算用于閾值的計(jì)算的基準(zhǔn)厚度。但是，第二實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同之處在于在晶片厚度的實(shí)際測量階段同時(shí)得到基準(zhǔn)厚度。在晶片放在支架的至少兩個(gè)支架的擱板上并且在支架的擱板上放置有多個(gè)晶片的擱板的數(shù)量不超過檢測到晶片的擱板數(shù)量的一半的情況下可以實(shí)現(xiàn)該第二實(shí)施例的過程。在實(shí)際中，放置有晶片的擱板的數(shù)量少于兩個(gè)的情況是非常罕見的，并且在超過半數(shù)的擱板上放置多于一個(gè)晶片的情況也是罕見的。因此，本實(shí)施例的方案也是有效的。
圖12是第二實(shí)施例中的映射過程的流程圖。首先在該過程中，當(dāng)移動(dòng)可移動(dòng)部分56時(shí)，對所有擱板得到并計(jì)算來自透射晶片檢測傳感器9的信號(hào)的信號(hào)持續(xù)時(shí)間x，并且得到和計(jì)算來自透射擋塊傳感器8的信號(hào)的信號(hào)持續(xù)時(shí)間y，從而將得到的持續(xù)時(shí)間存儲(chǔ)在預(yù)定的存儲(chǔ)裝置中(步驟S301)。然后，對所有擱板上的晶片根據(jù)擋塊的分度裝置的寬度d、來自透射晶片檢測傳感器9的信號(hào)的信號(hào)持續(xù)時(shí)間x和來自透射擋塊傳感器8的信號(hào)的信號(hào)持續(xù)時(shí)間y通過計(jì)算值d×(x/y)得到晶片厚度(步驟S302)。確定所得到的晶片厚度的分布的中間值作為基準(zhǔn)厚度。在確定的中間值時(shí)，在晶片厚度的數(shù)據(jù)數(shù)量是偶數(shù)的情況下，不能唯一確定中間值。因此，確定晶片厚度數(shù)據(jù)的中間值中較小的一個(gè)作為基準(zhǔn)厚度(步驟S303)。通過在基準(zhǔn)厚度值tR上加上預(yù)定容限C確定閾值tS，并且將閾值tS存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置中(步驟S304)。最好根據(jù)上述原理將值C設(shè)為0.35。然后，進(jìn)行比較晶片厚度的測量值和閾值的比較過程(步驟S305)。這樣，在晶片厚度的測量值等于或小于該閾值的情況下，確定在被檢查的擱板上有一個(gè)晶片(步驟S306)。在晶片厚度的測量值大于該閾值的情況下，確定在被檢查的擱板上有兩個(gè)晶片(步驟S307)。在確定擱板上有兩個(gè)晶片的情況下，顯示出有兩個(gè)疊置的晶片的信息，作為錯(cuò)誤消息，表示有兩個(gè)晶片的事實(shí)(步驟S308)。當(dāng)對于支架的所有擱板完成測量和確定時(shí)，完成映射過程(步驟S309)。
雖然在第一和第二實(shí)施例中，檢測只關(guān)注達(dá)到兩個(gè)疊置晶片的厚度，但是僅僅通過改變教導(dǎo)過程中放置的晶片數(shù)量就可以檢測多于兩個(gè)晶片的厚度。
根據(jù)本發(fā)明，不僅能夠有效地檢測在容器中的擱板上晶片的有/無，而且采用簡單的結(jié)構(gòu)就可以檢測擱板上晶片的數(shù)量，即使使用具有大速度變化的驅(qū)動(dòng)裝置。
權(quán)利要求
1.一種適于檢測在容器中提供的具有放置晶片的擱板的支架的每個(gè)擱板上的晶片的晶片處理設(shè)備，該晶片處理設(shè)備包括能夠被驅(qū)動(dòng)裝置沿所述支架的擱板移動(dòng)的移動(dòng)裝置；能夠被所述移動(dòng)裝置沿所述支架的擱板移動(dòng)的第一透射傳感器，它包括彼此相對設(shè)置的第一發(fā)射器和第一檢測器，所述第一發(fā)射器和所述第一檢測器以如下方式安置當(dāng)所述第一透射傳感器沿支架的擱板移動(dòng)時(shí)，在支架的擱板上有晶片的情況下，從所述第一發(fā)射器向所述第一檢測器發(fā)出的光被晶片擋住，而在擱板上沒有晶片的情況下，從所述第一發(fā)射器發(fā)出的光能夠傳到所述第一檢測器；第二透射傳感器，它包括第二發(fā)射器和與所述第二發(fā)射器相對的第二檢測器，所述第二透射傳感器能夠由所述移動(dòng)裝置沿所述支架的擱板移動(dòng)；設(shè)置在所述第二發(fā)射器和所述第二檢測器之間的擋塊，它具有當(dāng)所述第二透射傳感器沿所述支架的擱板移動(dòng)時(shí)能夠通過或擋住從所述第二發(fā)射器向所述第二檢測器發(fā)射的光的分度裝置；以及計(jì)算裝置，它將通過計(jì)算來自對應(yīng)于晶片的所述第一透射傳感器的第一信號(hào)的持續(xù)時(shí)間和來自對應(yīng)于所述分度裝置的所述第二傳感器的第二信號(hào)的持續(xù)時(shí)間的比得到的晶片厚度與預(yù)先根據(jù)晶片厚度和晶片數(shù)量設(shè)置的閾值進(jìn)行比較，以確定放在支架的擱板上的晶片的數(shù)量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的晶片處理設(shè)備，其特征是，通過根據(jù)與放在所述支架上的晶片的數(shù)量和所述移動(dòng)裝置的速度相關(guān)而得到的所述第一信號(hào)的持續(xù)時(shí)間與所述第二信號(hào)的持續(xù)時(shí)間的比值計(jì)算一個(gè)晶片的基準(zhǔn)厚度，并在所述一個(gè)晶片的基準(zhǔn)厚度上加上一預(yù)定的容限值，來設(shè)定所述預(yù)先設(shè)置的閾值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的晶片處理設(shè)備，其特征是，與放在所述支架上的晶片的數(shù)量和所述移動(dòng)裝置的速度相關(guān)而得到的所述第一信號(hào)的持續(xù)時(shí)間的數(shù)據(jù)和所述第二信號(hào)的持續(xù)時(shí)間的數(shù)據(jù)分別包括多個(gè)數(shù)據(jù)，并且根據(jù)對多個(gè)所述第一信號(hào)的持續(xù)時(shí)間的數(shù)據(jù)和所述第二信號(hào)的持續(xù)時(shí)間的數(shù)據(jù)通過計(jì)算所述第一信號(hào)的持續(xù)時(shí)間與所述第二信號(hào)的持續(xù)時(shí)間的比值得到的多個(gè)比值數(shù)據(jù)計(jì)算所述一個(gè)晶片的基準(zhǔn)厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的晶片處理設(shè)備，其特征是，根據(jù)預(yù)先在所述支架的擱板上放置一個(gè)晶片的狀態(tài)下得到的所述第一信號(hào)的持續(xù)時(shí)間和所述第二信號(hào)的持續(xù)時(shí)間的比值計(jì)算所述一個(gè)晶片的基準(zhǔn)厚度。
5.根據(jù)權(quán)要求2的晶片處理設(shè)備，其特征是，所述容限值大約是晶片厚度的一半。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的晶片處理設(shè)備，其特征是，在確定晶片的數(shù)量時(shí)，在所述第一透射傳感器沒有產(chǎn)生信號(hào)的情況下，確定在支架的擱板上沒有晶片；在由來自對應(yīng)于晶片的所述第一透射傳感器的第一信號(hào)的持續(xù)時(shí)間與來自對應(yīng)于所述分度裝置的所述第二傳感器的第二信號(hào)的持續(xù)時(shí)間的比值所得到的晶片厚度等于或小于所述閾值的情況下，確定有一個(gè)晶片；以及在由來自對應(yīng)于晶片的所述第一透射傳感器的第一信號(hào)的持續(xù)時(shí)間與來自對應(yīng)于所述分度裝置的所述第二傳感器的第二信號(hào)的持續(xù)時(shí)間的比值所得到的晶片厚度大于所述閾值的情況下，確定有多于一個(gè)晶片。
7.根據(jù)權(quán)利要求2的晶片處理設(shè)備，其特征是，用于確定所述預(yù)先設(shè)置的基準(zhǔn)值的所述比值的計(jì)算由所述計(jì)算裝置進(jìn)行。
8.根據(jù)權(quán)要求1的晶片處理設(shè)備，其特征是，來自于對應(yīng)于所述分度裝置的所述第二透射傳感器的第二信號(hào)是當(dāng)曾被所述分度裝置擋住的來自所述第二發(fā)射器的光通過該分度裝置位置傳遞到所述第二檢測器時(shí)產(chǎn)生的信號(hào)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的晶片處理設(shè)備，其特征是，來自對應(yīng)于所述分度裝置的所述第二傳感器的第二信號(hào)是當(dāng)來自所述第二發(fā)射器的光被所述分度裝置擋住并且不能到達(dá)所述第二檢測器時(shí)產(chǎn)生的信號(hào)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的晶片處理設(shè)備，其特征是，所述第一發(fā)射器和所述第一檢測器以從所述第一發(fā)射器向所述第一檢測器發(fā)出的光的路徑相對于水平面傾斜的形式設(shè)置。
11.一種晶片檢測方法，它用于當(dāng)在其中設(shè)有可以放置晶片的擱板的支架的容器放在晶片處理設(shè)備上時(shí)檢測每個(gè)擱板上的晶片，所述晶片處理設(shè)備包括能夠被驅(qū)動(dòng)裝置沿所述支架的擱板移動(dòng)的移動(dòng)裝置；能夠被所述移動(dòng)裝置沿所述支架的擱板移動(dòng)的第一透射傳感器，它包括彼此相對設(shè)置的第一發(fā)射器和第一檢測器，所述第一發(fā)射器和所述第一檢測器以如下方式安置當(dāng)所述第一透射傳感器沿支架的擱板移動(dòng)時(shí)，在支架的擱板上有晶片的情況下，從所述第一發(fā)射器向所述第一檢測器發(fā)出的光被晶片擋住，而在擱板上沒有晶片的情況下，從所述第一發(fā)射器發(fā)出的光能夠傳到所述第一檢測器；第二透射傳感器，它包括第二發(fā)射器和與所述第二發(fā)射器相對的第二檢測器，所述第二透射傳感器能夠由所述移動(dòng)裝置沿所述支架的擱板移動(dòng)；設(shè)置在所述第二發(fā)射器和所述第二檢測器之間的擋塊，它具有當(dāng)所述第二透射傳感器沿所述支架的擱板移動(dòng)時(shí)能夠通過或擋住從所述第二發(fā)射器向所述第二檢測器發(fā)射的光的分度裝置；所述晶片檢測方法包括得到來自對應(yīng)于晶片的所述第一透射傳感器的第一信號(hào)的持續(xù)時(shí)間和來自對應(yīng)于所述分度裝置的所述第二傳感器的第二信號(hào)的持續(xù)時(shí)間的得到步驟；計(jì)算已經(jīng)得到的所述第一信號(hào)的持續(xù)時(shí)間和所述第二信號(hào)的持續(xù)時(shí)間的比值的比值計(jì)算步驟；根據(jù)所述比值計(jì)算晶片的厚度的步驟；以及通過比較計(jì)算出的晶片的厚度和根據(jù)晶片的數(shù)量預(yù)先設(shè)定的閾值確定放在所述支架的擱板上的晶片的數(shù)量的確定步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的晶片檢測方法，其特征是，所述確定步驟包括通過根據(jù)與放在所述支架上的晶片的數(shù)量和所述移動(dòng)裝置的速度相關(guān)而得到的所述第一信號(hào)的持續(xù)時(shí)間與所述第二信號(hào)的持續(xù)時(shí)間的比值計(jì)算一個(gè)晶片的基準(zhǔn)厚度，并在所述一個(gè)晶片的基準(zhǔn)厚度上加上一預(yù)定的容限值，來確定預(yù)先設(shè)定的所述閾值的步驟。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的晶片檢測方法，其特征是，在所述得到步驟中，與放在所述支架上的晶片的數(shù)量和所述移動(dòng)裝置的速度相關(guān)而得到的所述第一信號(hào)的持續(xù)時(shí)間的數(shù)據(jù)和所述第二信號(hào)的持續(xù)時(shí)間的數(shù)據(jù)分別包括多個(gè)數(shù)據(jù)，并且所述得到步驟包括根據(jù)對多個(gè)所述第一信號(hào)的持續(xù)時(shí)間的數(shù)據(jù)和所述第二信號(hào)的持續(xù)時(shí)間的數(shù)據(jù)通過計(jì)算所述第一信號(hào)的持續(xù)時(shí)間與所述第二信號(hào)的持續(xù)時(shí)間的比值得到的多個(gè)比值數(shù)據(jù)得到所述一個(gè)晶片的基準(zhǔn)厚度的步驟。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的晶片檢測方法，其特征是，還包括根據(jù)預(yù)先在所述支架的擱板上放置一個(gè)晶片的狀態(tài)下得到的所述第一信號(hào)的持續(xù)時(shí)間和所述第二信號(hào)的持續(xù)時(shí)間的比值計(jì)算所述一個(gè)晶片的基準(zhǔn)厚度的步驟。
15.根據(jù)權(quán)利要求12的晶片檢測方法，其特征是，所述容限值大約是晶片厚度的一半。
16.根據(jù)權(quán)利要求11的晶片檢測方法，其特征是，在所述確定步驟中，在所述第一透射傳感器沒有產(chǎn)生信號(hào)的情況下，確定在支架的擱板上沒有晶片；在由來自對應(yīng)于晶片的所述第一透射傳感器的第一信號(hào)的持續(xù)時(shí)間和來自對應(yīng)于所述分度裝置的所述第二傳感器的第二信號(hào)的持續(xù)時(shí)間的比值得到的晶片厚度等于或小于所述閾值的情況下，確定有一個(gè)晶片；以及在由來自對應(yīng)于晶片的所述第一透射傳感器的第一信號(hào)的持續(xù)時(shí)間和來自對應(yīng)于所述分度裝置的所述第二傳感器的第二信號(hào)的持續(xù)時(shí)間的比值得到的晶片厚度大于所述閾值的情況下，確定有多于一個(gè)晶片。
17.根據(jù)權(quán)利要求11的晶片檢測方法，其特征是，來自對應(yīng)于所述分度裝置的所述第二透射傳感器的第二信號(hào)是當(dāng)曾被所述分度裝置擋住的來自所述第二發(fā)射器的光通過分度裝置傳送到所述第二檢測器時(shí)產(chǎn)生的信號(hào)。
18.根據(jù)權(quán)利要求11的晶片檢測方法，其特征是，來自對應(yīng)于所述分度裝置的所述第二傳感器的第二信號(hào)是當(dāng)來自所述第二發(fā)射器的光被所述分度裝置擋住并且不能到達(dá)所述第二檢測器時(shí)產(chǎn)生的信號(hào)。
19.根據(jù)權(quán)利要求11的晶片檢測方法，其特征是，來自所述第二透射傳感器的對應(yīng)于根據(jù)所述分度裝置的來自所述第二發(fā)射器的信號(hào)的第二信號(hào)是當(dāng)來自所述第二發(fā)射器的光被所述分度裝置擋住并且不能到達(dá)所述第二檢測器時(shí)產(chǎn)生的信號(hào)。
20.根據(jù)權(quán)利要求11的晶片檢測方法，其特征是，所述第一發(fā)射器和所述第一檢測器以從所述第一發(fā)射器向所述第一檢測器發(fā)出的光的路徑相對于水平面傾斜的形式設(shè)置。
全文摘要
本發(fā)明涉及具有晶片映射功能的晶片處理設(shè)備。如果在容器中支架的每一個(gè)擱板上放置多個(gè)晶片，在處理工藝中將出現(xiàn)一些問題。另外，在某些檢測晶片的設(shè)備中，速度不是高度穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)裝置，例如氣動(dòng)氣缸用來移動(dòng)傳感器，以便簡化結(jié)構(gòu)。在用這種驅(qū)動(dòng)裝置移動(dòng)傳感器進(jìn)行檢測的情況下，誤差變大，并且難以精確地檢測晶片。本發(fā)明提供了具有透射晶片檢測傳感器、具有分度裝置的擋塊和用于擋塊的透射傳感器的晶片處理設(shè)備。晶片處理設(shè)備計(jì)算來自透射晶片檢測傳感器的信號(hào)的持續(xù)時(shí)間與來自用于擋塊的透射傳感器的對應(yīng)于分度裝置的信號(hào)的持續(xù)時(shí)間的比值，并將比值與預(yù)先設(shè)定的閾值進(jìn)行比較，以確定晶片的數(shù)量。
文檔編號(hào)H01L21/67GK1501467SQ20031012095
公開日2004年6月2日 申請日期2003年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月15日
發(fā)明者江本淳, 加賀谷武, 山崎一夫, 夫, 武 申請人:Tdk株式會(huì)社