專利名稱：記憶體核心,存取其晶胞和讀取硫硒碲玻璃記憶體的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種記憶體裝置，特別是涉及一種不需要存取晶體管的記憶體晶胞(cell)結(jié)構(gòu)的記憶體核心，存取其晶胞和讀取硫硒碲玻璃記憶體的方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的記憶體晶胞包括一導(dǎo)向(steer)晶體管，比如一或多晶體管，以存取各晶胞。該存取晶體管，也可為二極管，可提供該記憶體晶胞的字元線對(duì)位元線存取。亦即，該存取晶胞當(dāng)成傳導(dǎo)閘以提供該字元線對(duì)位元線的存取以對(duì)記憶體晶胞讀/寫數(shù)據(jù)。對(duì)于傳統(tǒng)包括導(dǎo)向晶體管的硫硒碲玻璃(chalcogenide)記憶體晶胞(Ovonic unified memory，OUM)而言，用于程序化該硫硒碲玻璃記憶體晶胞的電流/電壓對(duì)操作電流/電壓而言相當(dāng)高。
然而，也就是因?yàn)楝F(xiàn)有的硫硒碲玻璃記憶體晶胞的電流/電壓對(duì)操作電流/電壓而言相當(dāng)高，所以該存取晶體管無法處理程序化電壓，因而限制可用于程序化的電流，因?yàn)楦唠娏骺赡軙?huì)損壞當(dāng)成該記憶體晶胞的存取晶體管的晶體管或二極管。
由此可見，上述現(xiàn)有的記憶體核心，存取記憶體核心晶胞的方法和讀取硫硒碲玻璃記憶體的方法仍存在有諸多的缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決記憶體核心存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。
有鑒于上述現(xiàn)有的記憶體核心，存取記憶體核心晶胞的方法和讀取硫硒碲玻璃記憶體的方法存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及其專業(yè)知識(shí)，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型的無晶體管隨機(jī)存取記憶體，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的記憶體核心，存取記憶體核心晶胞的方法和讀取硫硒碲玻璃記憶體的方法，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的記憶體核心存在的缺陷，而提供一種新的記憶體核心，所要解決的技術(shù)問題是導(dǎo)因于傳統(tǒng)的記憶體晶胞都需要有晶體管而使得用于程序化記憶體核心的電流/電壓比操作電流/電壓高得多的問題，可以免去存取晶體管，同時(shí)也簡(jiǎn)化了解碼邏輯，從而更加適于實(shí)用，且具有產(chǎn)業(yè)的利用價(jià)值。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種存取記憶體核心晶胞的方法，所要解決的技術(shù)問題是使其可以避免發(fā)生用于程序化記憶體核心的電流/電壓比操作電流/電壓高得多的問題，而可直接通過程序化核心晶胞來完成核心晶胞存取。
本發(fā)明的再一目的在于，提供一種讀取硫硒碲玻璃記憶體的方法，所要解決的技術(shù)問題是使其不需要提供核心晶胞存取的存取晶體管。亦即，當(dāng)核心晶胞并用硫硒碲玻璃材質(zhì)時(shí)，可通過程序化核心晶胞來完成核心晶胞存取。通過程序化核心晶胞來完成核心晶胞存取。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種記憶體核心，其包括一字元線；一位元線；以及一核心晶胞，電性通訊于該字元線與該位元線，該核心晶胞包括一臨界值可變式材質(zhì)，程序化該臨界值可變式材質(zhì)以根據(jù)饋入至該字元線的一偏壓來存取該核心晶胞。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的記憶體核心，其中所述的核心晶胞是架構(gòu)成提供一非揮發(fā)性記憶體。
前述的記憶體核心，其中所述的臨界值可變式材質(zhì)是一硫硒碲玻璃材質(zhì)。
前述的記憶體核心，其中所述的核心晶胞是當(dāng)成一導(dǎo)向裝置與一儲(chǔ)存裝置。
前述的記憶體核心，其中所述的臨界值可變式材質(zhì)可由一浮接法與一偏壓法之一來程序化。
前述的記憶體核心，其中所述的浮接法有關(guān)于饋入一基準(zhǔn)偏壓于該字符在線而剩余字元線為浮接態(tài)。
前述的記憶體核心，其更包括該基準(zhǔn)偏壓為0伏特。
前述的記憶體核心，其中所述的偏壓法有關(guān)于饋入一基準(zhǔn)偏壓于該字符在線，饋入一預(yù)先決定的程序化偏壓于該位在線，及饋入介于該基準(zhǔn)偏壓與一低臨界電壓的一偏壓于一剩余字元線與一位在線。
前述的記憶體核心，其中饋入該剩余字元線與該位在線的偏壓電壓是該程序化偏壓減該基準(zhǔn)偏壓的值的一半、該程序化偏壓減該基準(zhǔn)偏壓的值的1/3與該程序化偏壓減該基準(zhǔn)偏壓的值的2/3其中之一。
前述的記憶體核心，其中所述的臨界值可變式材質(zhì)可由一浮接法與一偏壓法之一來讀取。
前述的記憶體核心，其更包括該基準(zhǔn)偏壓為0伏特。
前述的記憶體核心，其中所述的核心晶胞是一核心晶胞陣列的一核心晶胞，各核心晶胞利用該臨界值可變式材質(zhì)的對(duì)電流的開關(guān)特性以決定對(duì)各核心晶胞的信號(hào)存取。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種存取一記憶體核心晶胞的方法，其包括決定存取一記憶體核心晶胞的一臨界電壓；程序化該記憶體核心晶胞的一臨界值可變式材質(zhì)以在該臨界電壓存取該記憶體核心晶胞；饋入一偏壓至一字元線以通訊于該記憶體核心晶胞；以及如果該偏壓至少大于該臨界電壓，存取該記憶體核心晶胞。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的存取一記憶體核心晶胞的方法，其中所述的程序化該記憶體核心晶胞的一臨界值可變式材質(zhì)以在該臨界電壓存取該記憶體核心晶胞的該步驟包括應(yīng)用一浮接法。
前述的存取一記憶體核心晶胞的方法，其中所述的程序化該記憶體核心晶胞的一臨界值可變式材質(zhì)以在該臨界電壓存取該記憶體核心晶胞的該步驟包括應(yīng)用一偏壓法。
前述的存取一記憶體核心晶胞的方法，其更包括如果該偏壓低于該臨界電壓，拒絕存取該記憶體核心晶胞。
前述的存取一記憶體核心晶胞的方法，其中所述的臨界值可變式材質(zhì)是一硫硒碲玻璃材質(zhì)。
前述的存取一記憶體核心晶胞的方法，其中所述的核心晶胞是一非揮發(fā)性記憶體。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種讀取一硫硒碲玻璃記憶體的方法，其包括以下步驟饋入一讀取偏壓至一字元線，該讀取偏壓是用以直接存取該硫硒碲玻璃記憶體；饋入一基準(zhǔn)偏壓于有關(guān)于該字元線的一位元線；以及讀取存于該硫硒碲玻璃記憶體內(nèi)的一值。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的讀取一硫硒碲玻璃記憶體的方法，其更包括維持剩余字元線及剩余位元線于一浮接態(tài)。
前述的讀取一硫硒碲玻璃記憶體的方法，其更包括饋入一偏壓電壓于剩余字元線及剩余位元線。
前述的讀取一硫硒碲玻璃記憶體的方法，其中所述的偏壓電壓低于一臨界電壓。
前述的讀取一硫硒碲玻璃記憶體的方法，其中所述的偏壓電壓是該讀取偏壓減基準(zhǔn)偏壓的值的一半，該讀取偏壓減基準(zhǔn)偏壓的值的1/3或該偏壓減基準(zhǔn)偏壓的值的2/3之一。
前述的讀取一硫硒碲玻璃記憶體的方法，其更包括該基準(zhǔn)偏壓為0伏特。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，為了達(dá)到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下廣泛地說，本發(fā)明利用當(dāng)程序化后可當(dāng)成導(dǎo)向元件的臨界值可變式材質(zhì)，可不需要用于一般存取記憶體核心的當(dāng)成導(dǎo)向元件的存取晶體管。
根據(jù)本發(fā)明的一觀點(diǎn)，本發(fā)明提供一種記憶體核心。該記憶體核心包括一字元線與一位元線，也包括電性通訊于該字元線與該位元線的一核心晶胞。該核心晶胞包括一臨界值可變式材質(zhì)。可程序化該臨界值可變式材質(zhì)以根據(jù)饋入至該字元線的一電壓來存取該核心晶胞。
在一實(shí)施例中，該臨界值可變式材質(zhì)有關(guān)于晶體管相似特性，使得該核心晶胞可當(dāng)成一導(dǎo)向裝置與一儲(chǔ)存裝置。在一實(shí)施例中，該臨界值可變式材質(zhì)可由一浮接法與一偏壓法之一來程序化。
根據(jù)本發(fā)明的另一觀點(diǎn)，本發(fā)明又提供一種存取一記憶體核心晶胞的方法。該方法是先決定存取一記憶體核心晶胞的一臨界電壓。接著，程序化該記憶體核心晶胞之一臨界值可變式材質(zhì)以在該臨界電壓存取該記憶體核心晶胞。其次，饋入一電壓至一字元線以通訊于該記憶體核心晶胞。如果該電壓至少等同于該臨界電壓，存取該記憶體核心晶胞。
根據(jù)本發(fā)明的另一觀點(diǎn)，本發(fā)明還提供一種讀取一硫硒碲玻璃記憶體的方法。該方法先饋入一讀取電壓至一字元線。該讀取電壓是用以直接存取該硫硒碲玻璃記憶體。接著，饋入一0偏壓于有關(guān)于該字元線之一位元線。其次，讀取存于該硫硒碲玻璃記憶體內(nèi)之一值。
對(duì)習(xí)知此技術(shù)人員而言，本發(fā)明的調(diào)整Vth的方法可以應(yīng)用至各種記憶體/固態(tài)裝置。此種記憶體核心的明顯優(yōu)點(diǎn)之一是，可以避免使用當(dāng)成記憶體核心晶胞的信號(hào)的導(dǎo)向元件的存取晶體管。
經(jīng)由上述可知，本發(fā)明是一種記憶體核心，存取其晶胞和讀取硫硒碲玻璃記憶體的方法，其中該記憶體核心包括一字元線與一位元線，該記憶體核心也包括一核心晶胞。電性通訊于該字元線與該位元線。該核心晶胞包括一臨界值可變式材質(zhì)?？沙绦蚧撆R界值可變式材質(zhì)以根據(jù)饋入至該字元線的一偏壓來存取該核心晶胞。本發(fā)明也描述了存取一記憶體核心晶胞的方法。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明的記憶體核心，導(dǎo)因于傳統(tǒng)的記憶體晶胞都需要有晶體管而使得用于程序化記憶體核心的電流/電壓比操作電流/電壓高得多的問題，而可免去存取晶體管，同時(shí)也簡(jiǎn)化了解碼邏輯。本發(fā)明的存取記憶體核心晶胞的方法，可以避免發(fā)生用于程序化記憶體核心的電流/電壓比操作電流/電壓高得多的問題，而可直接通過程序化核心晶胞來完成核心晶胞存取。本發(fā)明的讀取硫硒碲玻璃記憶體的方法，可以不需要提供核心晶胞存取的存取晶體管。亦即，當(dāng)核心晶胞并用硫硒碲玻璃材質(zhì)時(shí)，可通過程序化核心晶胞來完成核心晶胞存取。通過程序化核心晶胞來完成核心晶胞存取。
綜上所述，本發(fā)明不需要提供核心晶胞存取的存取晶體管。亦即，當(dāng)核心晶胞并用臨界值可變式材質(zhì)(比如硫硒碲玻璃材質(zhì))時(shí)，可以通過程序化核心晶胞來完成核心晶胞存取。在本質(zhì)上，通過臨界值可變式材質(zhì)的程序化可完成導(dǎo)向元件。習(xí)知此技者可知，免去存取晶體管也簡(jiǎn)化了解碼邏輯，因此不再需要存取晶體管的信號(hào)。其具有上述諸多優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，并在同類產(chǎn)品中未見有類似的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在結(jié)構(gòu)上或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有較大的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的記憶體核心具有增進(jìn)的多項(xiàng)功效，從而更加適于實(shí)用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值，誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。


圖1是在不同Vth下，硫硒碲玻璃記憶體晶胞的I-V曲線圖。
圖2是顯示硫硒碲玻璃記憶體晶胞的電流(I)-電壓(V)特征值具有對(duì)稱性的示意圖。
圖3是具有雙功能記憶體晶胞的記憶體陣列的簡(jiǎn)化示意圖。
圖4A～圖4D是顯示可應(yīng)用于硫硒碲玻璃記憶體晶胞的程序化技術(shù)的示意圖。
圖5A～圖5C是顯示用于讀取一裝置的三種方法的示意圖。
102，104，106線 108a～108n，108r，108s記憶體晶胞WLn-1～WLn+1字元線 BLn-1～BLn+1位元線具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的記憶體核心，存取其晶胞和讀取硫硒碲玻璃記憶體的方法其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、方法、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。下面將參考附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的數(shù)個(gè)實(shí)施例。
根據(jù)本發(fā)明，一臨界值可變式材質(zhì)是并用于記憶體晶胞內(nèi)，以避免需要用到存取晶胞。在一實(shí)施例中，該臨界值可變式材質(zhì)是硫硒碲玻璃材質(zhì)。在一實(shí)施例中，藉由不需要導(dǎo)向元件(比如存取晶體管或P-N二極管)，可利用該臨界值可變式材質(zhì)的晶體管式特征以簡(jiǎn)化記憶體晶胞結(jié)構(gòu)。對(duì)習(xí)知此技者而言，硫硒碲玻璃記憶體晶胞可嵌入邏輯電路以形成系統(tǒng)單芯片(system ona chip，SOC)，甚至，對(duì)于硫硒碲玻璃而言，其程序化后不可發(fā)揮性特質(zhì)有助于快速讀取與寫入操作。較好的是，有關(guān)于臨界值可變式材質(zhì)(比如硫硒碲玻璃材質(zhì))的程序化電壓是遠(yuǎn)低于快閃只讀存儲(chǔ)器(ROM)的程序化電壓。比如，硫硒碲玻璃材質(zhì)的程序化電壓約5V，遠(yuǎn)低于快閃ROM的10V的程序化電壓。
該硫硒碲玻璃記憶體晶胞可當(dāng)成導(dǎo)向裝置及記憶體裝置。因此，硫硒碲玻璃記憶體晶胞的制造遠(yuǎn)易于整合晶體管與硫硒碲玻璃記憶體晶胞的制造。此外，相比于具有獨(dú)立導(dǎo)向裝置與記憶體晶胞的記憶體，由于記憶體晶胞可以當(dāng)成導(dǎo)向裝置，相同記憶容量的芯片尺寸可以縮小。另外，相比于具有獨(dú)立導(dǎo)向裝置與記憶體晶胞的記憶體，雙功能硫硒碲玻璃記憶體晶胞可提供更多的記憶容量。在此所討論的，相比于存取晶體管，體積縮小的硫硒碲玻璃記憶體晶胞可傳導(dǎo)較高電流。較好的是，當(dāng)將硫硒碲玻璃材質(zhì)當(dāng)成臨界值可變式材質(zhì)時(shí)，下面的實(shí)施例并不受限于硫硒碲玻璃材質(zhì)。亦即，具有硫硒碲玻璃材質(zhì)的所需特征值(亦即具有穩(wěn)定與可調(diào)式電壓臨界值(Vth)特征值)的任何材質(zhì)可用于非揮發(fā)性雙功能記憶體晶胞。
請(qǐng)參閱圖1所示，是在不同Vth下，硫硒碲玻璃記憶體晶胞的I-V曲線圖。如上述相關(guān)申請(qǐng)案的所討論般，可由饋入能量至薄膜而調(diào)整硫硒碲玻璃的Vth。因而，在記憶體核心內(nèi)，可包括具有不同Vth的硫硒碲玻璃記憶體晶胞。因?yàn)楫?dāng)電壓高于Vth時(shí)，該裝置可以傳導(dǎo)高電流；而當(dāng)電壓低于Vth時(shí)，該裝置可以阻擋電流，該裝置可當(dāng)成主動(dòng)導(dǎo)向裝置。因?yàn)榭烧{(diào)整Vth且在程序化后Vth會(huì)穩(wěn)定，該晶胞可當(dāng)成非揮發(fā)性記憶體晶胞。圖1顯示線102所標(biāo)示的有關(guān)于記憶體晶胞的第一臨界電壓(Vth1)以及線104所標(biāo)示的有關(guān)于記憶體晶胞的第二臨界電壓(Vth2)。
請(qǐng)參閱圖2所示，是顯示硫硒碲玻璃記憶體晶胞的電流(I)-電壓(V)特征值具有對(duì)稱性的示意圖。如圖所示，線106顯示硫硒碲玻璃記憶體晶胞的I-V關(guān)系間的對(duì)稱性。
請(qǐng)參閱圖3所示，是具有雙功能記憶體晶胞的記憶體陣列的簡(jiǎn)化示意圖。記憶體晶胞108a-108n是顯示于由字元線(WLn)WLn-1～WLn+1與位元線BLn-1-BLn+1所定義的陣列(數(shù)組)內(nèi)。因?yàn)榱蛭诓Ａв洃涹w晶胞可兼具有記憶體晶胞與導(dǎo)向裝置的功能，故而不需要存取晶體管。
請(qǐng)參閱圖4A-圖4D所示，是顯示可應(yīng)用于硫硒碲玻璃記憶體晶胞的程序化技術(shù)，圖4A是顯示浮接程序化技術(shù)。在此，假設(shè)硫硒碲玻璃記憶體裝置包括兩電壓臨界值，亦即狀態(tài)1的低電壓臨界值(Vth1)與狀態(tài)0的高電壓臨界值(Vthh)。圖4A是顯示晶胞上所饋入的偏壓及所得的偏壓。未被選擇的晶胞是有關(guān)于-Vp～+Vp的偏壓。被選擇的晶胞是有關(guān)于+Vp的順向偏壓。晶胞108s代表被選擇的晶胞，而剩余的晶胞108a-108n代表未被選擇的晶胞。下面的表1總結(jié)了程序化1與程序化0的程序化方法。
表1

如表1中所總結(jié)，被選的位元線是0，而被選的字元線則取決于所選的程序化或狀態(tài)，亦即Vp1或Vph。
圖4B是顯示偏壓程序化技術(shù)。圖4B所示是所饋入的偏壓。在此，可饋入電壓(偏壓)至未被選擇的字元線與位元線。被選擇的晶胞108s是有關(guān)于+Vp的順向偏壓。假設(shè)硫硒碲玻璃記憶體裝置包括兩電壓臨界值，亦即狀態(tài)1的低電壓臨界值(Vth1)與狀態(tài)0的高電壓臨界值(Vthh)。狀態(tài)1與0的程序化方法是列于下面的表2。
表2

如表2中所總結(jié)，被選的位元線是0，而被選的字元線則取決于所選的程序化或狀態(tài)，亦即Vp1或Vph。較好的是，可使用兩種偏壓程序化方法，亦即電壓2分法(V/2)與電壓3分法(V/3)，分別顯示于第4C與圖4D。當(dāng)然，也可用其它的程序化方法，在此所舉例的方法僅用于做示范，而并非用于限制本發(fā)明。
請(qǐng)參閱圖4C所示，是顯示電壓2分法(V/2)。圖4C是顯示晶胞上所饋入的偏壓及所得的偏壓。被選擇的晶胞108s是有關(guān)于+Vp的順向偏壓，而其余未被選擇的晶胞是有關(guān)于+Vp/2的順向偏壓。假設(shè)硫硒碲玻璃記憶體裝置包括兩電壓臨界值，亦即狀態(tài)1的低電壓臨界值(Vth1)與狀態(tài)0的高電壓臨界值(Vthh)。狀態(tài)1與0的程序化方法是列于下面的表3。
表3

如表3中所總結(jié)，被選的位元線是0，而被選的字元線則取決于所選的程序化或狀態(tài)，亦即Vp1或Vph。
請(qǐng)參閱圖4D所示，是顯示電壓3分法(V/3)。圖4D是顯示晶胞上所饋入的偏壓及所得的偏壓。被選擇的晶胞108s是有關(guān)于+Vp的順向偏壓，而其余未被選擇的晶胞是落于兩特征值之一，亦即有關(guān)順向偏壓與逆向偏壓。晶胞108f是有關(guān)于+Vp/3的順向偏壓；而晶胞108r是有關(guān)于-Vp/3的逆向偏壓。假設(shè)硫硒碲玻璃記憶體裝置包括兩電壓臨界值，亦即狀態(tài)1的低電壓臨界值(Vth1)與狀態(tài)0的高電壓臨界值(Vthh)。狀態(tài)1與0的程序化方法是列于下面的表4。
表4

如表4中所總結(jié)，被選的位元線是0，而被選的字元線則取決于所選的程序化或狀態(tài)，即Vp1或Vph。較好的是，程序化電壓的上限可以表示為Vthh＜Vp＜3*Vth1。
讀取方法包括浮接法與偏壓法。浮接法是意指，饋入介于Vth1與Vthh間的一偏壓Vr于所選字元線(或位元線)及饋入0偏壓于所選字元線(或位元線)上。其它字元線與位元線為浮接。偏壓法意指，饋入介于Vth1與Vthh間所一偏壓Vr于所選字元線(或位元線)上及饋入0偏壓于所選字元線(或位元線)上。饋入0＜V＜Vth1的某一偏壓于其它字元線與位在線。上述討論顯示兩種偏壓法，電壓2分法(V/2)與電壓3分法(V/3)。
請(qǐng)參閱圖5A～圖5C所示，是顯示用于讀取一裝置的三種方法。各圖5A～圖5C是顯示晶胞上所饋入的偏壓及所得的偏壓。圖5A是顯示浮接法，偏壓為-Vr→+Vr，且被選擇的晶胞108s是有關(guān)于+Vr的順向偏壓。圖5B是顯示電壓2分讀取(V/2 reading)法。被選擇的晶胞108s是有關(guān)于+Vr的順向偏壓。圖5B的其余未被選擇晶胞是有關(guān)于+Vr/2的順向偏壓。圖5C是顯示電壓3分讀取(V/3 reading)法。被選擇的晶胞108s是有關(guān)于+Vr的順向偏壓。圖5B的其余未被選擇晶胞是有關(guān)于+Vr/3的順向偏壓或-Vr/3的逆向偏壓。較好的是，未被選擇晶胞形成如圖4D所示的相似樣式。
總結(jié)來說，本發(fā)明提供一種記憶體核心，存取記憶體核心晶胞的方法和讀取硫硒碲玻璃記憶體的方法，其不需要提供核心晶胞存取的存取晶體管。亦即，當(dāng)核心晶胞并用臨界值可變式材質(zhì)(比如硫硒碲玻璃材質(zhì))時(shí)，可通過程序化核心晶胞來完成核心晶胞存取。在本質(zhì)上，通過臨界值可變式材質(zhì)的程序化可完成導(dǎo)向元件。習(xí)知此技者可知，免去存取晶體管也簡(jiǎn)化了解碼(譯碼)邏輯，因?yàn)閷?duì)在此所描述的實(shí)施例而言，不再需要存取晶體管的信號(hào)。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種記憶體核心，其特征在于其包括一字元線；一位元線；以及一核心晶胞，電性通訊于該字元線與該位元線，該核心晶胞包括一臨界值可變式材質(zhì)，程序化該臨界值可變式材質(zhì)以根據(jù)饋入至該字元線的一偏壓來存取該核心晶胞。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體核心，其特征在于其中所述的核心晶胞是架構(gòu)成提供一非揮發(fā)性記憶體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體核心，其特征在于其中所述的臨界值可變式材質(zhì)是一硫硒碲玻璃材質(zhì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體核心，其特征在于其中所述的核心晶胞是當(dāng)成一導(dǎo)向裝置與一儲(chǔ)存裝置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體核心，其特征在于其中所述的臨界值可變式材質(zhì)可由一浮接法與一偏壓法之一來程序化。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的記憶體核心，其特征在于其中所述的浮接法有關(guān)于饋入一基準(zhǔn)偏壓于該字符在線而剩余字元線為浮接態(tài)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的記憶體核心，其特征在于其更包括該基準(zhǔn)偏壓為0伏特。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的記憶體核心，其特征在于其中所述的偏壓法有關(guān)于饋入一基準(zhǔn)偏壓于該字符在線，饋入一預(yù)先決定的程序化偏壓于該位在線，及饋入介于該基準(zhǔn)偏壓與一低臨界電壓的一偏壓于一剩余字元線與一位在線。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的記憶體核心，其特征在于其中饋入該剩余字元線與該位在線的偏壓電壓是該程序化偏壓減該基準(zhǔn)偏壓的值的一半、該程序化偏壓減該基準(zhǔn)偏壓的值的1/3與該程序化偏壓減該基準(zhǔn)偏壓的值的2/3其中之一。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體核心，其特征在于其中所述的臨界值可變式材質(zhì)可由一浮接法與一偏壓法之一來讀取。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的記憶體核心，其特征在于其更包括該基準(zhǔn)偏壓為0伏特。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體核心，其特征在于其中所述的核心晶胞是一核心晶胞陣列的一核心晶胞，各核心晶胞利用該臨界值可變式材質(zhì)的對(duì)電流的開關(guān)特性以決定對(duì)各核心晶胞的信號(hào)存取。
13.一種存取一記憶體核心晶胞的方法，其特征在于其包括決定存取一記憶體核心晶胞的一臨界電壓；程序化該記憶體核心晶胞的一臨界值可變式材質(zhì)以在該臨界電壓存取該記憶體核心晶胞；饋入一偏壓至一字元線以通訊于該記憶體核心晶胞；以及如果該偏壓至少大于該臨界電壓，存取該記憶體核心晶胞。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存取一記憶體核心晶胞的方法，其特征在于其中所述的程序化該記憶體核心晶胞的一臨界值可變式材質(zhì)以在該臨界電壓存取該記憶體核心晶胞的該步驟包括應(yīng)用一浮接法。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存取一記憶體核心晶胞的方法，其特征在于其中所述的程序化該記憶體核心晶胞的一臨界值可變式材質(zhì)以在該臨界電壓存取該記憶體核心晶胞的該步驟，包括應(yīng)用一偏壓法。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存取一記憶體核心晶胞的方法，其特征在于其更包括如果該偏壓低于該臨界電壓，拒絕存取該記憶體核心晶胞。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存取一記憶體核心晶胞的方法，其特征在于其中所述的臨界值可變式材質(zhì)是一硫硒碲玻璃材質(zhì)。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存取一記憶體核心晶胞的方法，其特征在于其中所述的核心晶胞是一非揮發(fā)性記憶體。
19.一種讀取一硫硒碲玻璃記憶體的方法，其特征在于其包括以下步驟饋入一讀取偏壓至一字元線，該讀取偏壓是用以直接存取該硫硒碲玻璃記憶體；饋入一基準(zhǔn)偏壓于有關(guān)于該字元線的一位元線；以及讀取存于該硫硒碲玻璃記憶體內(nèi)的一值。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的讀取一硫硒碲玻璃記憶體的方法，其特征在于其更包括維持剩余字元線及剩余位元線于一浮接態(tài)。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的讀取一硫硒碲玻璃記憶體的方法，其特征在于其更包括饋入一偏壓電壓于剩余字元線及剩余位元線。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的讀取一硫硒碲玻璃記憶體的方法，其特征在于其中所述的偏壓電壓低于一臨界電壓。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的讀取一硫硒碲玻璃記憶體的方法，其特征在于其中所述的偏壓電壓是該讀取偏壓減基準(zhǔn)偏壓的值的一半，該讀取偏壓減基準(zhǔn)偏壓的值的1/3或該偏壓減基準(zhǔn)偏壓的值的2/3之一。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的讀取一硫硒碲玻璃記憶體的方法，其特征在于其更包括該基準(zhǔn)偏壓為0伏特。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種記憶體核心，存取其晶胞和讀取硫硒碲玻璃記憶體的方法，該記憶體核心包括一字元線與一位元線，記憶體核心也包括一核心晶胞，電性通訊于該字元線與該位元線。該核心晶胞包括一臨界值可變式材質(zhì)?？沙绦蚧撆R界值可變式材質(zhì)以根據(jù)饋入至該字元線的一偏壓來存取該核心晶胞。其可免去存取晶體管，同時(shí)也簡(jiǎn)化了解碼邏輯。本發(fā)明也提供了存取一記憶體核心晶胞的方法，可避免發(fā)生用于程序化記憶體核心的電流/電壓比操作電流/電壓高得多的問題，可直接通過程序化核心晶胞來完成核心晶胞存取。該讀取硫硒碲玻璃記憶體的方法可不需要提供核心晶胞存取的存取晶體管，亦即當(dāng)核心晶胞并用硫硒碲玻璃材質(zhì)時(shí)，可通過程序化核心晶胞來完成核心晶胞存取。
文檔編號(hào)H01L27/112GK1574067SQ20031011524
公開日2005年2月2日 申請(qǐng)日期2003年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月18日
發(fā)明者陳逸舟, 蔡文哲, 盧志遠(yuǎn) 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司