專利名稱：半導體激光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體激光裝置。
背景技術(shù)：
以往，有采用圖6A及圖6B所示的稱為監(jiān)視輔助安裝板(sub mount)方式的半導體激光裝置。圖6A所示為從上方向下看的樣子，圖6B為從側(cè)面看的樣子。另外，在圖6B中，省略了金屬線。該半導體激光裝置是在底板109上安裝Si(硅)基板110。另外，在該Si基板110上形成激光二極管安裝用電極107。在該電極107上安裝激光二極管101。該激光二極管101的下部電極(未圖示)與上述電極107連接，金屬線105b與該電極107連接。另外，金屬線105a與激光二極管101的上部電極(未圖示)連接。另外，在上述Si基板110上與上述激光二極管101相鄰形成受光部分106，金屬線105c與該受光部分106的上表面形成的電極111連接。
另外，作為另外一個以往例子，有圖7A及7B所示的半導體激光裝置(例如，參照日本專利特開2001-345507號公報)。圖7A所示為從上方下看半導體激光裝置的樣子，圖7B所示為從側(cè)面看的樣子。另外，在圖7B中，省略了金屬線。該半導體激光裝置在底板209上安裝輔助安裝板203。在該輔助安裝板上形成2分割的電極208a及208b。
在上述輔助安裝板203上，通過電極208b安裝激光二極管201。該激光二極管201的下部電極(未圖示)與上述電極208b連接，上述激光二極管201的上部電極(未圖示)用金屬線205a與上述電極208a連接。另外，該電極208a用金屬線205c與底板209的上表面連接。另外，上述電極208b還用金屬線205b與未圖示的心柱或引腳連接。另外，與上述激光二極管201的上部電極連接的金屬線205a相對于激光二極管201的光軸，沿大致垂直的方向延伸。
另外，監(jiān)視用光電二極管204安裝在底板209上，在該光電二極管204的上表面形成受光部分206。該光電二極管204與上述輔助安裝板203分開，如圖7B所示，光電二極管204的厚度Hp比輔助安裝板203的厚度Hs要薄(Hp＜Hs)。
在該以往例子中，通過使光電二極管204的厚度比輔助安裝板203的厚度Hs要薄，力圖從激光二極管201向受光部分206入射激光。
在采用上述前者的監(jiān)視輔助安裝板方式的以往例子中，在Si基板110上形成受光部分106，Si基板110成為激光二極管101的輔助安裝板。
但是存在的問題是，Si(硅)的熱傳導率比較小(84～147W/m·K)不一定能將激光二極管101產(chǎn)生的熱量充分散發(fā)，很難采用必須大量散熱的激光二極管。
另外，在上述后者的以往例子中，由于光電二極管204與輔助安裝板203是分開的，因此作為輔助安裝板203的材料，可以使用比Si的熱傳導率高的材料。
但是，在該以往例子中，若光電二極管204的厚度比輔助安裝板203的厚度要厚，則從激光二極管201對光電二極管204的受光部分206入射的激光的光量減少，不能進行充分的監(jiān)視。因此，必須嚴格設(shè)定輔助安裝板203的厚度及光電二極管204的厚度，在制造上的限制增多。
另外，在上述前者的以往例子中，在從激光二極管101將金屬線105a與基板109連接時，金屬線10Sa的兩端之間的高差增大，金屬線連接的操作性及可靠性不好。
而在上述后者的以往例子中，由于從激光二極管201將金屬線205a用輔助安裝板203上的電極208a進行中轉(zhuǎn)，因此與前者的以往例子相比，能夠縮小金屬線205a的兩端之間的高差，但是在這種情況下有一個限制，就是必須將輔助安裝板203上形成的電極進行2分割，形成電極208a及208b。因而，導致制造工序復雜。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供能夠采用必需大量散熱的高輸出激光二極管、而且制造簡單的半導體激光裝置。
為了達到上述目的，本發(fā)明的半導體激光裝置，包括具有第1安裝面及第2安裝面的基板、安裝在所述基板的第1安裝面的輔助安裝板、安裝在所述輔助安裝板上的具有至少1個發(fā)光點及電極的激光二極管、以及安裝在所述基板的第2安裝面并具有接受從所述發(fā)光點出射的光的受光面及用金屬線與所述激光二極管的所述電極連接的中轉(zhuǎn)電極的監(jiān)視用光電二極管。
在本發(fā)明的半導體激光裝置中，將監(jiān)視用光電二極管上形成的電極用作為與激光二極管的電極連接的金屬線的中轉(zhuǎn)電極。通過這樣，不需要以往那樣在輔助安裝板上的分割電極，而且與從激光二極管將所述金屬線與所述基板直接連接的情況相比，由于僅用所述光電二極管上的電極進行中轉(zhuǎn)的部分，能夠減小所述金屬線的兩端之間的高差，能夠接高金屬線連接的操作性及可靠性。
因而，根據(jù)本發(fā)明，將構(gòu)成能夠采用與光電二極管分開的輔助安裝板以能夠提高散熱特性、能夠采用需要大量散熱的激光二極管的基礎(chǔ)上、能夠提高金屬線連接的操作性及可靠性和容易制造的半導體激光裝置。
另外，其中一實施形態(tài)的半導體激光裝置，所述第1安裝面在所述基板的上表面法線方向的高度比所述第2安裝面要高。
在該實施形態(tài)的半導體激光裝置中，輔助安裝板安裝在比安裝監(jiān)視用光電二極管的基板的第2安裝面要高的第1安裝面上，而激光二極管安裝在該輔助安裝板上。因而，因第1安裝面比第2安裝面要高，即使監(jiān)視用光電二極管的厚度比輔助安裝板的厚度要厚，激光二極管的發(fā)光點也不低于監(jiān)視用光電二極管的受光面，從激光二極管的發(fā)光點也能夠使激光入射至監(jiān)視用光電二極管的受光面。
因而，根據(jù)本實施形態(tài)，與以往相比，可以不需要嚴格設(shè)定輔助安裝板的厚度及光電二極管的厚度，容易制造。因而，根據(jù)本實施形態(tài)，將構(gòu)成因采用與光電二極管分開的輔助安裝板而提高散熱特性、能夠采用需要大量散熱的激光二極管而且成為容易制造的半導體激光裝置。
另外，在一實施形態(tài)的半導體激光裝置中，所述金屬線從上方來看配置在所述激光二極管的大致光軸上。
通過這樣，從所述激光二極管的發(fā)光點出射的激光利用所述金屬線反射，容易入射到所述監(jiān)視用光電二極管的受光面，力圖增大監(jiān)視用光電二極管的受光量，以提高監(jiān)視靈敏度。
在一實施形態(tài)中，所述基板的第1安裝面、所述第2安裝面及所述輔助安裝板的激光二極管安裝面大致平行。
最好所述輔助安裝板的激光二極管安裝面與所述監(jiān)視用光電二極管的受光面處于大致相同高度。在這種情況下，能夠使所述監(jiān)視用光電二極管的受光面確實低于所述激光二極管的發(fā)光點。因而，能夠使來自激光二極管的發(fā)光點的出射光容易入射至所述受光面。
另外，所述監(jiān)視用光電二極管的受光面也可以與激光二極管的發(fā)光點處于大致相同高度。
另外，一實施形態(tài)的半導體激光裝置的所述輔助安裝板是用熱傳導率比所述監(jiān)視用光電二極管要高的絕緣材料制成。
因而，能夠采用需要大量散熱的高輸出功率的激光二極管。
另外，一實施形態(tài)的半導體激光裝置的所述輔助安裝板在所述激光二極管的光軸方向具有與所述激光二極管的諧振器長度大致相同的長度。
利用該結(jié)構(gòu)，來自激光二極管的出射光不會被輔助安裝板遮住，使得從主出射面高效率取出出射光。
另外，一實施形態(tài)的半導體激光裝置，在所述輔助安裝板上具有1個或者1個以上的新加的激光二極管，所述新加的激光二極管也分別具有至少1個發(fā)光點及電極，所述監(jiān)視用光電二極管具有用金屬線與所述新加的激光二極管的各電極連接的新加的中轉(zhuǎn)電極。
在該實施形態(tài)的半導體激光裝置中，能夠具有波長不同的多個激光二極管，能夠適應各種各樣的用戶需求。
另外，一實施形態(tài)的半導體激光裝置的所述激光二極管具有多個發(fā)光點。
在該實施形態(tài)的半導體激光裝置中，作為所述激光二極管例如可以采用雙波長激光器，能夠容易制成滿足用戶需求的半導體激光裝置。
另外，一實施形態(tài)的半導體激光裝置，在所述輔助安裝板上配置2分割的金屬層，所述激光二極管通過所述金屬層以接合向下(junction down)安裝在所述輔助安裝板上。
在該實施形態(tài)的半導體激光裝置中，能夠從上述2分割的金屬層分別獨立對所述激光二極管供電。因而，例如在激光二極管有兩個發(fā)光點的情況下，能夠獨立控制該兩個發(fā)光點的發(fā)光。
關(guān)于本發(fā)明的其它目的、特征、優(yōu)點，根據(jù)下面緊接著的說明將很清楚。


本發(fā)明根據(jù)以下的詳細說明及附圖將能夠更充分理解。附圖僅僅是為了說明用的，并不是限制本發(fā)明。在附圖中圖1A為本發(fā)明的半導體激光裝置第1實施形態(tài)的平面圖，圖1B為上述第1實施形態(tài)的剖視圖，圖1C為上述第1實施形態(tài)的正視圖。
圖2A為本發(fā)明的半導體激光裝置第2實施形態(tài)的平面圖，圖2B為上述第2實施形態(tài)的剖視圖，圖2C為上述第2實施形態(tài)的部分放大剖視圖。
圖3A為本發(fā)明的半導體激光裝置第3實施形態(tài)的平面圖，圖3B為上述第3實施形態(tài)的正視圖。
圖4A為本發(fā)明的半導體激光裝置第4實施形態(tài)的平面圖，圖4B為上述第4實施形態(tài)的正視圖。
圖5A為本發(fā)明的半導體激光裝置第5實施形態(tài)的平面圖，圖5B為上述第5實施形態(tài)的正視圖。
圖6A為以往例子的半導體激光裝置的平面圖，圖6B為上述以往例子的側(cè)視圖。
圖7A為其它以往例子的半導體激光裝置的平面圖，圖7B為上述以往例子的側(cè)視圖。
具體實施例方式
下面根據(jù)圖示的實施形態(tài)，詳細說明本發(fā)明。
(第1實施形態(tài))圖1A-1C所示為本發(fā)明的半導體激光裝置的第1實施形態(tài)，圖1A所示為從上方向下看該第1實施形態(tài)的樣子，圖1B所示為圖1A中利用通過光軸16的垂直平面得到的剖面形狀，圖1C所示為對第1實施形態(tài)沿光軸方向來看激光二極管1的主出射面發(fā)光點13a的樣子。
如圖1B所示，該第1實施形態(tài)是引線框架類型的半導體激光裝置，在作為基板的大致T字形狀的第1金屬引線10的第1安裝面10a上安裝輔助安裝板3，在第1金屬引線10的第2安裝面10b上安裝監(jiān)視用光電二極管4。在上述第1安裝面10a與第2安裝面10b的交界處具有臺階14，第1安裝面10a與第2安裝面10b相比，其在第1金屬引線10的上表面9的法線方向的高度要高。在該第1實施形態(tài)中，作為一個例子，是在第1金屬引線10上通過進行壓印等加工形成臺階14，形成比第1安裝面10a凹下去的第2安裝面10b，但上述加工方法也可以采用壓印以外的研削方法。
如圖1C所示，在輔助安裝板3上通過金屬層8安裝激光二極管1。而且，上述監(jiān)視用光電二極管4的受光面6比上述激光二極管1的發(fā)光點13b要低。另外，如圖1B所示，在該第1實施形態(tài)中，監(jiān)視用光電二極管4的受光面6的高度與輔助安裝板3的激光二極管安裝面3a的高度大致相等。
另外，如圖1A所示，上述激光二極管1的上部電極(未圖示)用金屬線5a與監(jiān)視用光電二極管4的上表面形成的中轉(zhuǎn)電極4a連接。再進一步，該中轉(zhuǎn)電極4a用金屬線5b與上述第1金屬引線10的上表面9連接。
另外，監(jiān)視用光電二極管4的下部電極(未圖示)與上述第1金屬引線10的上表面9連接，上部電極(未圖示)用金屬線5c與第2金屬引線19a連接。另外，在上述輔助安裝板3上形成的金屬層8用金屬線5d與另一根金屬引線19b連接。第2金屬引線19a及19b相對于第1金屬引線10，隔開規(guī)定間隔(間隙)而形成。另外，在圖1A中，15為樹脂部分，16為激光二極管1的光軸。
根據(jù)上述構(gòu)成的第1實施形態(tài)，將監(jiān)視用光電二極管4上形成的電極4a用作為與激光二極管1的上部電極連接的金屬線5a的中轉(zhuǎn)電極。通過這樣，不需要以往那樣在輔助安裝板上的分割電極。而且，與從激光二極管1將上述金屬線5a與上述第1金屬引線10的第2安裝面10b(上表面9)直接連接的情況相比，僅用光電二極管4上的電極4a進行中轉(zhuǎn)的部分，就能夠減小金屬線5a的兩端之間的高差(高低水平之差)，能夠提高金屬線連接的操作性及可靠性。
另外，在該實施形態(tài)的半導體激光裝置中，輔助安裝板3安裝在比安裝監(jiān)視用光電二極管4的第1金屬引線10的第2安裝面10b要高的第1安裝面10a上，而激光二極管1安裝在該輔助安裝板3上。因而，由于第1安裝面10a比第2安裝面10b要高，即使監(jiān)視用光電二極管4的厚度比輔助安裝板3的厚度要厚，激光二極管1的發(fā)光點13a及13b也不低于監(jiān)視用光電二極管4的受光面6，從激光二極管1的發(fā)光點13b也能夠使激光12入射至監(jiān)視用光電二極管4的受光面6。
作為一個例子，設(shè)輔助安裝板3的厚度為Hs(mm)，臺階14的高度(即上述壓印深度)尺寸為Hc(mm)，監(jiān)視用光電二極管4的厚度為Hp(mm)，若使Hp小于(Hs+Hc)，則能夠使光電二極管4的受光面6的高度確實低于激光二極管1的發(fā)光點13b的高度。
因而，根據(jù)該實施形態(tài)，與以往相比，能夠不需要嚴格設(shè)定輔助安裝板3的厚度及發(fā)光二極管4的厚度，容易制造。因而，根據(jù)該實施形態(tài)，通過采用與光電二極管4分開的輔助安裝板3，將能夠采用需要大量散熱的激光二極管1而且也容易制造的半導體激光裝置。
另外，在該實施形態(tài)的半導體激光裝置中，具有與光電二極管4分開的輔助安裝板3，由于該輔助安裝板3用熱傳導率比監(jiān)視用光電二極管4要高的絕緣材料，作為一個例子用SiC(熱傳導率270W/m·K)或AlN(熱傳導率60～260W/m·K)等制成，因此能夠提高散熱特性，能夠采用需要大量散熱的高輸出功率的激光二極管。
(第2實施形態(tài))下面，圖2A-2C所示為本發(fā)明的第2實施形態(tài)的半導體激光裝置，圖2A所示為從上方向下看該第2實施形態(tài)的樣子，圖2B所示為圖2A中利用包含光軸16的垂直面形成的剖面形狀，圖2C所示為圖2B中將監(jiān)視用光電二極管附近放大的樣子。另外，在圖2B及圖2C中，省略了金屬線5f以外的金屬線。該第2實施形態(tài)與前述的第1實施形態(tài)相比，僅僅有下述的不同。
即，具有金屬線5e代替金屬線5a，該金屬線5e從與激光二極管1的上部電極的連接點起，配置在激光二極管1的的大致光軸16上。再有，該金屬線5e與光軸16的大致正下方安裝的監(jiān)視用光電二極管4上形成的中轉(zhuǎn)電極4e連接。該中轉(zhuǎn)電極4e與激光二極管1相對，當中隔著受光面6。另外，該中轉(zhuǎn)電極4e用金屬線5f與大致為T字形狀的第1金屬引線10的上表面9連接。
根據(jù)該第2實施形態(tài)，金屬線5e配置在激光二極管1的大致光軸16上。由于從激光二極管出射的激光在上下方向大大展寬，因此通過這樣從激光二極管1的發(fā)光點13b出射的激光12用金屬線5e反射，容易入射至監(jiān)視用光電二極管4的受光面6，力圖增大監(jiān)視用光電二極管4的受光量，以提高監(jiān)視靈敏度。另外，如圖2C所示，使金屬線5f連接的光電二極管4上的中轉(zhuǎn)電極4e處的激光的反射光18入射至受光面6，還具有進一步使受光量增加的效果。
另外，根據(jù)該第2實施形態(tài)，由于將金屬線5e用光電二極管4上的中轉(zhuǎn)電極4e進行中轉(zhuǎn)，與將金屬線5e直接與第1金屬引線10的上表面9連接的情況相比，能夠減小金屬線5e的兩端之間的高差，能夠提高金屬線連接的操作性及可靠性。
(第3實施形態(tài))下面，圖3A-3B所示為本發(fā)明的半導體激光裝置的第3實施形態(tài)。圖3A所示為從上方向下看該第3實施形態(tài)的樣子，圖3B所示為從激光二極管的主出射面一側(cè)來看該第3實施形態(tài)的樣子。
該第3實施形態(tài)是引線框架類型的半導體激光裝置，在作為基板的第1金屬引線30的第1安裝面30a上安裝輔助安裝板33。另外，在第1金屬引線30的第2安裝面30b上安裝光電二極管34。在上述第1安裝面30a與第2安裝面30b之間有垂直臺階44，第1安裝面30a與第2安裝面30b相比，其在第1金屬引線30的上表面31的法線方向的高度要高。
另外，如圖3B所示，在輔助安裝板33上通過金屬層38a及金屬層38b，安裝激光二極管32。該金屬層38a與金屬層38b通過分割而相互分開。而且，金屬線35a與金屬層38a連接，金屬線35d與金屬層38b連接。上述金屬線35a如圖3A所示，與第2金屬引線49a連接。另外，金屬線35d與另外的第2金屬引線49c連接。另外，上述第2金屬引線49a及49c相對于第1金屬引線30，隔開規(guī)定間隙。
另外，如圖3B所示，第1發(fā)光點43a位于金屬層38a上的主出射面32b，第2發(fā)光點43b位于金屬層38b上的主出射面32b。
另外，激光二極管32的上部電極32a用金屬線35c，如圖3A所示，與光電二極管34的上表面形成的中轉(zhuǎn)電極34a連接。另外，金屬線35e與該中轉(zhuǎn)電極34a連接，該金屬線35e再與上述第1金屬引線30的第2安裝面30b連接。
另外，該光電二極管34的上部電極34b用金屬線35b與第2引線金屬49b連接，該第2引線金屬49b與第2安裝面30b隔開規(guī)定間隙。另外，在圖3A中，36是光電二極管34的受光面，45是樹脂部分。
根據(jù)上述構(gòu)成的第3實施形態(tài)，由于上述激光二極管32具有兩個發(fā)光點43a及43b，因此作為上述激光二極管32，例如可以采用雙波長激光器，能夠容易制成滿足用戶需求的半導體激光裝置。另外，激光二極管32也可以具有3個或者3個以上的發(fā)光點。
另外，在該實施形態(tài)的半導體激光裝置中，在輔助安裝板33上配置2分割的金屬層38a及38b，激光二極管32以連接向下方式安裝在輔助安裝板33上。在該半導體激光裝置中，能夠從上述2分割的金屬層38a及38b，分別獨立地對上述激光二極管32供電。因而，能夠獨立控制上述2個發(fā)光點43a及43b的發(fā)光。
另外，在該半導體激光裝置中，由于輔助安裝板33在激光二極管32的光軸42a及42b的方向，具有與激光二極管32的諧振器長度大致相同的長度，因此來自激光二極管的出射光不會被輔助安裝板33遮住，能從主射面高效率取出出射光。
另外，在該第3實施形態(tài)的半導體激光裝置中，與第1實施形態(tài)相同，將監(jiān)視用光電二極管34上形成的電極34a用作為與激光二極管32的上部電極32a連接的金屬線35c的中轉(zhuǎn)電極。通過這樣，不需要作為金屬線中轉(zhuǎn)用的以往那樣在輔助安裝板上的分割電極。而且，與從激光二極管32將金屬線35c與第1金屬引線30的第2安裝面30b直接連接的情況相比，僅僅是用光電二極管34的電極34a進行中轉(zhuǎn)的部分，就能夠減小金屬線35c的兩端之間的高差，能夠提高金屬線連接的操作性及可靠性。
另外，在該第3實施形態(tài)中，與實施形態(tài)1相同，輔助安裝板33安裝在比安裝監(jiān)視用光電二極管34的第1金屬引線30的第2安裝面30b要高的第1安裝面30a上，而激光二極管32安裝在該輔助安裝板33上。因而，僅第1安裝面30a比第2安裝面30b高的部分，即使監(jiān)視用光電二極管34的厚度比輔助安裝板33的厚度要厚，激光二極管32的發(fā)光點43c及43d也不低于監(jiān)視用光電二極管34的受光面36，從激光二極管32的發(fā)光點43c及43d也能夠使激光入射到監(jiān)視用光電二極管34的受光面36。
另外，在該第3實施形態(tài)的半導體激光裝置中，與第1實施形態(tài)相同，由于與光電二極管34分開的輔助安裝板33用熱傳導率比監(jiān)視用光電二極管34要高的絕緣材料，作為一個例子用SiC(熱傳導率270W/m·K)或AlN(熱傳導率60～260W/m·K)等制成，因此能夠提高散熱特性，能夠采用需要大量散熱的高輸出功率的激光二極管32。
(第4實施形態(tài))下面，圖4A及圖4B所示為本發(fā)明的半導體激光裝置的第4實施形態(tài)。圖4A所示為從上方向下看該第4實施形態(tài)的樣子，圖4B所示為從激光二極管的主出射面一側(cè)來看該第4實施形態(tài)的樣子。
該第4實施形態(tài)如圖4B的所示，是在輔助安裝板53上通過金屬層58a安裝第1激光二極管51，在輔助安裝板53上通過金屬層58b安裝第2激光二極管52。
如圖4A所示，該第4實施形態(tài)的輔助安裝板53安裝在作為基板的第1金屬引線40的第1安裝面40a上。另外，在基板40的第2安裝面40b上安裝光電二極管54。在上述第1安裝面40a與第2安裝面40b之間具有垂直臺階44，第1安裝面40a與第2安裝面40b相比，第1金屬引線40的上表面41的法線方向的高度要高。
另外，金屬層58a用金屬線55a與第1安裝面40a連接，金屬層58b用金屬線55e與第2金屬引線49c連接。另外，激光二極管51的上部電極(未圖示)用金屬線55b與第1中轉(zhuǎn)電極54a連接。該第1中轉(zhuǎn)電極54a形成在光電二極管54的上表面。另外，在該光電二極管54的上表面形成的第2中轉(zhuǎn)電極54b用金屬線55f與激光二極管52上部電極連接。
再有，上述第2中轉(zhuǎn)電極54a用金屬線55c與第2金屬引線49a連接。該第2金屬引線49a及49c相對于第2安裝面40b隔開規(guī)定間隙。另外，第2中轉(zhuǎn)電極54b用金屬線55g與第1金屬引線40的第2安裝面40b連接。
另外，上述光電二極管54的上表面的電極54c用金屬線55d與第2引線金屬49b連接。該第2引線金屬49b相對于第2安裝面40b隔開規(guī)定間隙。另外，在圖4A中，56是監(jiān)視用光電二極管54的受光面，45是樹脂部分。
在該第4實施形態(tài)的半導體激光裝置中，由于具有兩個激光二極管51及52，因此能夠使該兩個激光二極管51與52的波長不同，作為一個例子，可以采用具有出射DVD(數(shù)字通用光盤)用低輸出功率激光的發(fā)光點63a的激光二極管51、以及具有出射CD(小型光盤)用的高輸出功率激光的發(fā)光點63b的激光二極管52，能夠適應各種各樣的用戶需求。另外，在輔助安裝板53上也可以安裝3個或者3個以上的激光二極管。
另外，在該第4實施形態(tài)中，與第3實施形態(tài)相同，將監(jiān)視用光電二極管54上形成的第1及第2中轉(zhuǎn)電極54a及54b用作為來自激光二極管51及52的金屬線55b及55f的中轉(zhuǎn)電極。通過這樣，能夠不需要作為金屬線中轉(zhuǎn)用的輔助安裝板53上的分割電極，而且能夠減小各金屬線55b及55f的兩端之間的高差，能夠提高金屬線連接的操作性及可靠性。
另外，該第4實施形態(tài)與第3實施形態(tài)相同，通過在作為基板的第1金屬引線40的第1安裝面40a上安裝輔助安裝板53，在比第1安裝面40a低的第2安裝面40b上安裝光電二極管54，容易配置激光二極管51及52的發(fā)光點63c及63d的高度，使它高于受光面56。
(第5實施形態(tài))
下面，圖5A及圖5B所示為本發(fā)明的半導體激光裝置的第5實施形態(tài)。圖5A所示為從上方向下看該第5實施形態(tài)的樣子，圖5B所示為從激光二極管的主出射面一側(cè)來看該第5實施形態(tài)的樣子。
該第5實施形態(tài)如圖5B所示，在輔助安裝板53上通過金屬層58a安裝第1激光二極管51，這一點與前述的第4實施形態(tài)相同，但是在輔助安裝板53上通過金屬層58b安裝第2激光二極管72這一點與第4實施形態(tài)不同。在該第5實施形態(tài)中，主要說明與前述的第4實施形態(tài)的不同點。
如圖5A所示，該第5實施形態(tài)在作為基板的第1金屬引線40的第1安裝面40a上安裝輔助安裝板53。另外，在第1金屬引線40的第2安裝面40b上安裝光電二極管54。在上述第1安裝面40a與第2安裝面40b之間具有垂直的臺階，第1安裝面40a與第2安裝面40b相比，第1金屬引線40的上表面41的法線方向的高度要高。這一點與前述的第4實施形態(tài)相同。
在該第5實施形態(tài)中，上述第2激光二極管72如圖5B所示，具有兩個發(fā)光點72a及72b出射互相不同波長的激光。該第2激光二極管72在其上部電極(未圖示)連接兩條金屬線55f1及55f2，該兩條金屬線55f1及55f2如圖5A所示，與第2中轉(zhuǎn)電極54b連接。另外，在圖5A中，61a是與激光二極管51的發(fā)光點63a相對應的光軸，82a及82b是與激光二極管72的發(fā)光點72a與72b相對應的光軸。
在該第5實施形態(tài)中，包含具有1個發(fā)光點63a的單波長激光二極管51、以及具有兩個發(fā)光點72a及72b的雙波長激光二極管72。通過這樣，作為一個例子，可以將雙波長激光二極管72，作為具有出射DVD用低輸出功率激光的發(fā)光點72a及輸出CD用高輸出功率激光的發(fā)光點72b的雙波長激光二極管，可以將單波長激光二極光51，作為具有出射藍色激光的發(fā)光點63a的單波長激光二極管。這樣，根據(jù)該第5實施形態(tài)，通過改變輔助安裝板53上安裝的第1及第2激光二極管51及72的組合，能夠不增加制造工序負擔而進行制造，將構(gòu)成能夠產(chǎn)生豐富多彩的激光、也容易制造的半導體激光裝置。
另外，在上述第5實施形態(tài)中，是具有兩個激光二極管51及72，但也可以在輔助安裝板53上安裝3個或者3個以上的激光二極管。另外，在上述第1～第5實施形態(tài)中，是作為引線框架類型的半導體激光裝置，但也可以是金屬封裝類型的半導體激光裝置。
以上對本發(fā)明進行了說明，但很明顯這也可以進行種種改變。這樣的改變不應該看成是脫離本發(fā)明的精神的范圍，作為業(yè)內(nèi)人士當然明白的那樣的改變?nèi)堪诮酉聛淼臋?quán)利要求范圍中。
權(quán)利要求
1.一種半導體激光裝置，其特征在于，包括具有第1安裝面及第2安裝面的基板、安裝在所述基板第1安裝面的輔助安裝板、安裝在所述輔助安裝板上的具有至少1個發(fā)光點及電極的激光二極管、以及安裝在所述基板的第2安裝面的具有接受從所述發(fā)光點出射的光的受光面及用金屬線與所述激光二極管的所述電極連接的中轉(zhuǎn)電極的監(jiān)視用光電二極管。
2.如權(quán)利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述第1安裝面在所述基板的上表面法線方向的高度比所述第2安裝面要高。
3.如權(quán)利要求2所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述金屬線從上方來看配置在所述激光二極管的大致光軸上。
4.如權(quán)利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述監(jiān)視用光電二極管的受光面相對于所述激光二極管的發(fā)光點具有大致相同的高度、或者較低。
5.如權(quán)利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述基板的第1安裝面、所述第2安裝面及所述輔助安裝板的激光二極管安裝面大致平行。
6.如權(quán)利要求5所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述輔助安裝板的激光二極管安裝面與所述監(jiān)視用光電二極管的受光面處于大致相同高度。
7.如權(quán)利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述輔助安裝板是用熱傳導率比所述監(jiān)視用光電二極管要高的絕緣材料制成。
8.如權(quán)利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述輔助安裝板在所述激光二極管的光軸方向具有與所述激光二極管的諧振器長度大致相同的長度。
9.如權(quán)利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，在所述輔助安裝板上具有1個或1個以上的新加的激光二極管，所述新加的激光二極管也分別具有至少1個發(fā)光點及電極，所述監(jiān)視用光電二極管具有用金屬線分別與所述新加的激光二極管的所述電極連接的新加的中轉(zhuǎn)電極。
10.如權(quán)利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述激光二極管具有多個發(fā)光點。
11.如權(quán)利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，在所述輔助安裝板上配置2分割的金屬層，所述激光二極管通過所述金屬層以連接向下方式安裝在所述輔助安裝板上。
12.如權(quán)利要求11所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述激光二極管具有出射不同波長的激光的兩個發(fā)光點，為了獨立控制所述2個發(fā)光點，能夠通過所述各金屬層對所述激光二極管獨立供電。
13.如權(quán)利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述基板由金屬引線構(gòu)成。
14.如權(quán)利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述中轉(zhuǎn)電極利用金屬線與基板上的電極連接。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種半導體激光裝置，包括具有第1安裝面10a及第2安裝面10b的基板10、以及安裝在第1安裝面10a上并與監(jiān)視用光電二極管4分開的輔助安裝板3，在該輔助安裝板3上安裝激光二極管1。監(jiān)視用光電二極管4安裝在第2安裝面10b上，將監(jiān)視用發(fā)光二極管4上形成的電極4a用作為與激光二極管1的上部電極連接的金屬線5a的中繼電極。
文檔編號H01S5/042GK1499681SQ20031010467
公開日2004年5月26日 申請日期2003年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月29日
發(fā)明者西山伸宏, 栗田賢一, 一 申請人:夏普株式會社