專利名稱：故障分析方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體集成電路的故障分析，具體地說，涉及確定故障點的位置的技術。
背景技術：
以前，作為檢測半導體集成電路的不良點(故障點)的半導體故障分析方法，放射分析法廣為人知。放射分析法是通過檢測因故障點中的電流泄漏而發(fā)生的微弱光來拍攝故障點的像并確定該故障點的位置的分析方法。
另一方面，伴隨著近年的半導體集成電路的集成化，金屬配線層的多層化也進一步發(fā)展。由于金屬配線不透射光，因而，例如下層的金屬配線層或其下的半導體元件中的發(fā)光難以從形成半導體芯片的晶片的表面?zhèn)扔^測。因而，著眼于硅可透射波長1μm以上的紅外光的事實，提出了從硅基片背面?zhèn)?晶片的背面?zhèn)?檢測故障點發(fā)出的光所包含的紅外光分量并檢測故障點的手法(背面放射分析法)(例如，專利文獻1)。
特開2001-33526號公報(第4-5頁，第1-3圖)[發(fā)明解決的問題]通過背面放射分析法檢測故障點后，進行物理分析以查明故障的原因，通常該分析在半導體器件的表面?zhèn)冗M行。因而，在從器件的表面?zhèn)扰臄z的配線圖案像上正確確定發(fā)光點的位置顯得很重要。
傳統(tǒng)的背面放射分析中，通過疊合從晶片的背面?zhèn)扰臄z的故障點的發(fā)光像和同樣從晶片的背面?zhèn)扰臄z的器件的配線圖案像來確定該異常(故障)點的位置。從而，在必須確定從器件的表面?zhèn)扰臄z的配線圖案像上的異常(故障)點的位置時，首先，如上述的專利文獻1，使用CAD工具等來校對配線圖案的布局圖和從背面?zhèn)扰臄z的配線圖案像，暫且先確定布局圖上的故障點的位置。然后，校對從表面?zhèn)扰臄z的配線圖案像和布局圖，確定從表面?zhèn)扰臄z的配線圖案像上的故障點的位置。
這樣，在從表面拍攝的配線圖案像上確定從背面拍攝的故障點的位置時，必須通過先與布局圖進行校對作業(yè)，操作相當麻煩。
本發(fā)明，鑒于以上的問題的解決，其目的為提供可在從表面?zhèn)热〉玫呐渚€圖案像上容易地確定從晶片的背面?zhèn)热〉玫墓收宵c的位置的故障分析裝置及故障分析方法。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明一個方面的故障分析方法，包括(a)向成為分析對象的半導體芯片的表面照射包含有波長1μm以上的分量的第1光的工序；(b)拍攝由上述半導體芯片的上述第1光形成的反射像即第1配線圖案像及透射像即第2配線圖案像的工序；(c)從上述半導體芯片的背面?zhèn)扰臄z由上述半導體芯片的故障點形成的發(fā)光像的工序。其特征在于，上述第2配線圖案像和上述發(fā)光像用同一攝像機拍攝。
根據(jù)本發(fā)明另一個方面的故障分析方法，包括(a)向成為分析對象的半導體芯片掃描并照射包含有波長1μm以上的分量的激光束，拍攝由上述半導體芯片的上述激光束形成的透射像即第1配線圖案像及反射像即第2配線圖案像的工序；(b)拍攝上述半導體芯片的故障點的像的工序。其特征在于，上述工序(a)由上述半導體芯片的表面?zhèn)扰渲玫牡?攝像機及背面?zhèn)扰渲玫牡?攝像機執(zhí)行，上述工序(b)由上述半導體芯片的背面?zhèn)扰渲玫牡?攝像機執(zhí)行，在上述工序(a)及(b)之前，校準上述第2攝像機和上述第3攝像機的位置。


圖1是實施例1的故障分析裝置的構成圖。
圖2是實施例1的故障分析裝置的動作的說明圖。
圖3是實施例2的故障分析裝置的構成圖。
圖4是實施例2的故障分析裝置的動作的說明圖。
圖5是實施例3的故障分析裝置的構成圖。
圖6是實施例4的故障分析裝置的構成圖。
圖7是實施例5的故障分析裝置的構成圖。
圖8是實施例5的故障分析裝置的構成圖。
1晶片卡盤，2晶片臺，3探針，4探針卡，51第1光源，52第2光源，61，62半反射鏡，71，72透鏡光學系統(tǒng)，11CCD，12，21，22，31，32，33，42紅外光檢測器，100被分析晶片。
具體實施例方式
實施例1圖1是本發(fā)明的實施例1的故障分析裝置的構成圖。該圖所示，用于固定作為分析對象的形成了半導體芯片的被分析晶片100的晶片卡盤1安裝在水平方向上可移動的晶片臺2上。晶片卡盤1一般由石英玻璃形成。對被分析晶片100的芯片進行電壓信號的輸入輸出的探針3固定在探針卡4上。
第1光源51及第2光源52發(fā)出包含波長1μm以上的紅外光分量的光，例如鹵素燈。第1光源51放射的光51a用半反射鏡61反射，經(jīng)由用于擴大/縮小分析區(qū)域(視野)的透鏡光學系統(tǒng)71，從表面?zhèn)日丈浔环治鼍?00。
圖2是本實施例的故障分析裝置的動作的說明圖，是被分析晶片100及晶片卡盤1的分析區(qū)域的放大截面圖。這里，假定該圖所示的被分析晶片100具有多層配線構造。照射被分析晶片100的表面的光51a的一部分通過被分析晶片100的器件形成層102上形成的金屬配線103反射。然后，經(jīng)由透鏡光學系統(tǒng)71、半反射鏡61入射到CCD11，由CCD11拍攝被分析晶片100的反射像即第1配線圖案像。即，第1配線圖案像是從被分析晶片100的表面拍攝的配線圖案像。
另外，不用金屬配線103反射，通過金屬配線103的間隙的光51a的紅外光分量透射硅基片101，經(jīng)由晶片卡盤1、透鏡光學系統(tǒng)72、半反射鏡62入射到紅外光檢測器12，由紅外光檢測器12拍攝被分析晶片100的透射像即第2配線圖案像。即，第2配線圖案像是從被分析晶片100的背面拍攝的配線圖案像。
另一方面，第2光源52發(fā)出的光52a用半反射鏡62反射，經(jīng)由透鏡光學系統(tǒng)72及晶片卡盤1從背面?zhèn)日丈浔环治鼍?00。透鏡光學系統(tǒng)72具有擴大/縮小分析區(qū)域(視野)的同時僅僅讓光52a的紅外光分量通過的濾色鏡。
照射被分析晶片100的背面的光52a的紅外光分量透射被分析晶片100的硅基片101，到達器件形成層102。其一部分由器件形成層102上形成的金屬配線103反射。然后，經(jīng)由硅基片101、晶片卡盤1、透鏡光學系統(tǒng)72、半反射鏡62入射到紅外光檢測器12，由紅外光檢測器12拍攝被分析晶片100的反射像即第3配線圖案像。即，第3配線圖案像是從被分析晶片100的背面拍攝的配線圖案像。
另外，紅外光檢測器12也用于被分析晶片100的故障點的檢測。若由探針3向被分析晶片100上的芯片施加規(guī)定的電壓信號，則故障點110因電流泄漏而發(fā)光。該光的紅外光分量110a經(jīng)由硅基片101、晶片卡盤1、透鏡光學系統(tǒng)72、半反射鏡62入射紅外光檢測器12，由紅外光檢測器12拍攝故障點的像(以下，稱「故障發(fā)光像」)。
另外，由于故障點的發(fā)光極微弱，紅外光檢測器12必須具有高光靈敏度。但是，采用光源51、52進行配線圖案像的拍攝時，與故障發(fā)光像相比，很強的光入射紅外光檢測器12，因而，必須進行調(diào)節(jié)以抑制光靈敏度。
如以上，CCD11拍攝從被分析晶片100的表面拍攝的配線圖案像即第1配線圖案像，紅外光檢測器12拍攝從被分析晶片100的背面拍攝的配線圖案像即第2配線圖案像、第3配線圖案像及故障發(fā)光像。
由于故障發(fā)光像和第2配線圖案像及第3配線圖案像由同一紅外光檢測器12拍攝，因而，容易進行相互位置的校準，以使兩者的分析區(qū)域(視野)一致。另外，第1配線圖案像是來自表面的反射像，因而，從第1配線圖案像可獲得至少多層配線的最上層的配線圖案像。另外，由于第2配線圖案像是透射像，其中也包含多層配線的最上層的配線圖案像。因而，以最上層的配線圖案像為基準，第1配線圖案像和第2配線圖案像的位置校準也容易進行。
從而，根據(jù)本實施例，從被分析晶片100的表面?zhèn)扰臄z的第1配線圖案像和故障發(fā)光像的位置校準可容易地進行。即，可容易地在從表面?zhèn)热〉玫呐渚€圖案像上確定從背面?zhèn)扰臄z的故障點的位置。
實施例2實施例1中，作為從被分析晶片100的表面拍攝配線圖案像的手段采用了CCD，本實施例中則用紅外光檢測器取代。即，如圖3所示，本實施例的故障分析裝置具備第1紅外光檢測器21及第2紅外光檢測器22。另外，圖3中，與圖1同樣的要素附上同一符號，因而這里省略詳細說明。
圖4是本實施例的故障分析裝置的動作說明圖，是被分析晶片100及晶片卡盤1的分析區(qū)域的擴大截面圖。第1光源51放射的光51a用半反射鏡61反射，經(jīng)由透鏡光學系統(tǒng)71從表面?zhèn)日丈浔环治鼍?00。透鏡光學系統(tǒng)71具有僅僅讓光51a的紅外光分量通過的濾色鏡。
照射被分析晶片100的表面的光51a的紅外光分量的一部分由被分析晶片100的器件形成層102上形成的金屬配線103反射。然后，經(jīng)由透鏡光學系統(tǒng)71、半反射鏡61入射第1紅外光檢測器21，由第1紅外光檢測器21拍攝被分析晶片100的反射像即第1配線圖案像。
另外，通過金屬配線103的間隙的光51a的紅外光分量透射硅基片101，經(jīng)由晶片卡盤1、透鏡光學系統(tǒng)72、半反射鏡62入射第2紅外光檢測器22，由第2紅外光檢測器22拍攝被分析晶片100的透射像即第2配線圖案像。
另一方面，第2光源52發(fā)出的光52a用半反射鏡62反射，經(jīng)由透鏡光學系統(tǒng)72及晶片卡盤1從背面?zhèn)日丈浔环治鼍?00。
照射被分析晶片100的背面的光52a的紅外光分量的一部分由器件形成層102上形成的金屬配線103反射。由金屬配線103反射的光52a的紅外光分量經(jīng)由硅基片101、晶片卡盤1、透鏡光學系統(tǒng)72、半反射鏡62入射第2紅外光檢測器22，由第2紅外光檢測器22拍攝被分析晶片100的反射像即第3配線圖案像。
通過金屬配線103的間隙的光52a的紅外光分量經(jīng)由透鏡光學系統(tǒng)71、半反射鏡61入射第1紅外光檢測器21，由第1紅外光檢測器21拍攝被分析晶片100的透射像即第4配線圖案像。
另外，第2紅外光檢測器22與實施例1中的紅外光檢測器12同樣，拍攝被分析晶片100的故障點的故障發(fā)光像。
如以上，第1紅外光檢測器21拍攝從被分析晶片100的表面拍攝的配線圖案像即第1配線圖案像及第4配線圖案像，第2紅外光檢測器22拍攝從被分析晶片100的背面拍攝的配線圖案像即第2配線圖案像、第3配線圖案像及故障發(fā)光像。
由于故障發(fā)光像和第2配線圖案像及第3配線圖案像由同一紅外光檢測器12拍攝，因而它們的位置校準容易進行。另外，第1配線圖案像是來自表面的反射像，因而可從第1配線圖案像獲得至少多層配線的最上層的配線圖案像。由于第3配線圖案像是來自背面的反射像，因而可從第3配線圖案像獲得至少多層配線的最下層的配線圖案像。另一方面，由于第2配線圖案像及第4圖案像是透射像，因而它們也包含多層配線的最上層、最下層兩方的配線圖案像。從而，以最上層或最下層的配線圖案像為基準，它們可容易地進行相互位置的校準。
從而，根據(jù)本實施例，可容易進行從被分析晶片100的表面?zhèn)扰臄z的第1配線圖案像及第4配線圖案像和故障發(fā)光像的位置校準。即，容易在從表面?zhèn)热〉玫呐渚€圖案像上確定從背面?zhèn)扰臄z的故障點的位置。另外，由于可取得第1配線圖案像和第4配線圖案像作為從表面?zhèn)热〉玫呐渚€圖案像，因而通過對它們進行相互校對，可以比實施例1更精確地確定位置。
實施例3圖5是實施例3的故障分析裝置的構成圖。該圖中，與圖1同樣的要素附上同一符號，這里省略詳細的說明。本實施例中，作為用以獲得被分析晶片100的配線圖案像的光源，采用從背面向被分析晶片100掃描并照射激光束53a的激光光學系統(tǒng)53。激光光學系統(tǒng)53發(fā)出的激光束53a包含波長1μm以上的紅外光分量。
從激光光學系統(tǒng)53發(fā)出的激光束53a經(jīng)由半反射鏡62、透鏡光學系統(tǒng)72、晶片卡盤1到達被分析晶片100。由被分析晶片100內(nèi)的金屬配線103反射的激光束53a的紅外光分量入射到第2紅外光檢測器32。另一方面，通過金屬配線103的間隙的激光束53a的紅外光分量入射到第1紅外光檢測器31。
第1紅外光檢測器31及第2紅外光檢測器32根據(jù)與激光束53a的掃描同步的入射光的強度變化，分別取得激光掃描像。即，第1紅外光檢測器31拍攝被分析晶片100的激光束53a的透射像即第1配線圖案像，作為激光掃描像。另外，第2紅外光檢測器32拍攝被分析晶片100的激光束53a的反射像即第2配線圖案像，作為激光掃描像。
另一方面，本實施例中，被分析晶片100的故障點的故障發(fā)光像的拍攝由第3紅外光檢測器33進行。第3紅外光檢測器33的動作與實施例1中的紅外光檢測器12相同。
但是，本實施例中，第2紅外光檢測器32和第3紅外光檢器33預先進行位置調(diào)節(jié)，使分析區(qū)域(視野)相同。一般，根據(jù)透鏡光學系統(tǒng)72的特性，分析區(qū)域的中心失真少，因而，該位置調(diào)節(jié)可以是使激光光學系統(tǒng)53掃描激光束53a的區(qū)域的中心(即分析區(qū)域的中心)和第3紅外光檢測器33的分析區(qū)域的中心一致。例如，可調(diào)節(jié)第3紅外光檢測器33的位置，使照射激光束53a的掃描區(qū)域的中心的光的反射光入射第3紅外光檢測器33的中心坐標。但是，由于激光束53a的光強度極高，此時必須抑制第3紅外光檢測器33的靈敏度。
如以上，第1紅外光檢測器31拍攝從被分析晶片100的表面拍攝的配線圖案像即第1配線圖案像，第2紅外光檢測器32拍攝從被分析晶片100的背面拍攝的配線圖案像即第2配線圖案像。另外，第3紅外光檢測器33取得從背面拍攝的故障發(fā)光像。
由于第1配線圖案像和第2配線圖案像都是基于相同激光束53a的掃描的激光掃描像，因而可容易進行位置校準，以使分析區(qū)域完全一致。另外，由于第2紅外光檢測器32和第3紅外光檢測器33的分析區(qū)域一致，因而可容易地進行位置校準。
從而，根據(jù)本實施例，容易進行從被分析晶片100的表面?zhèn)扰臄z的第1配線圖案像和故障發(fā)光像的位置校準。即，容易在從表面?zhèn)热〉玫呐渚€圖案像上確定從背面?zhèn)扰臄z的故障點的位置。
作為半導體器件的故障點的檢測手法，已知有OBIC法(OpticalBeam Induced Current method)和OBIRCH法(Optical Beam InducedResistance Change method)。OBIC法是在向作為分析對象的半導體器件施加低電壓的狀態(tài)下掃描并照射激光束，同時通過將各掃描場所的電流變化作為亮度變化進行顯示來拍攝故障點的像的手法。OBIRCH法是向作為分析對象的半導體器件掃描并照射激光束，通過將配線的溫度上升伴隨的電阻變化作為亮度變化進行顯示來拍攝故障點的像的手法。
由于金屬配線不透射激光束，因而OBIC法及OBIRCH法中，若金屬配線層多層化，則難以從晶片的表面?zhèn)冗M行觀測。因而，提出了從晶片的背面?zhèn)?硅基片側(cè))照射紅外激光束的紅外OBIC法(IR-OBICInfrared OBIC)或紅外OBIRCH法(IR-OBIRCHInfrared OBIRCH)法。
例如，如本實施例的故障分析裝置，若是具備可從被分析晶片100的背面?zhèn)葤呙璨⒄丈浒t外光分量的激光束53a的激光光學系統(tǒng)53的結構，則可以采用其進行IR-OBIC法或IR-OBIRCH法。即，也可以采用IR-OBIC分析裝置或IR-OBIRCH分析裝置取代第3紅外光檢測器33，作為第3攝像機對故障點的像進行拍攝。另外，該場合，通過使執(zhí)行IR-OBIC法或IR-OBIRCH法的激光掃描區(qū)域和拍攝第1及第2配線圖案像的激光掃描區(qū)域一致，可以使兩者的分析區(qū)域(視野)一致。從而，可容易地確定第1及第2配線圖案像中的故障點的位置。
實施例4圖6是實施例4的故障分析裝置的構成圖。該圖中，與圖1及圖5同樣的要素附上同一符號。本實施例中，作為獲得被分析晶片100的配線圖案像的光源，采用從表面對被分析晶片100掃描并照射激光束54a的激光光學系統(tǒng)54。激光光學系統(tǒng)54發(fā)出的激光束54a包含波長1μm以上的紅外光分量。
激光光學系統(tǒng)54發(fā)出的激光束54a經(jīng)由半反射鏡61、透鏡光學系統(tǒng)71，照射被分析晶片100的表面。由被分析晶片100內(nèi)的金屬配線103反射的激光束54a的紅外光分量入射第1紅外光檢測器31。另一方面，通過金屬配線103的間隙的激光束54a的紅外光分量入射第2紅外光檢測器32。即，第1紅外光檢測器31拍攝被分析晶片100的激光束54a的反射像即第1配線圖案像，另一方面，第2紅外光檢測器32拍攝被分析晶片100的激光束54a的透射像即第2配線圖案像。
另外，與實施例3相同，第3紅外光檢測器33拍攝被分析晶片100的故障點的故障發(fā)光像。另外，本實施例中，第2紅外光檢測器32和第3紅外光檢測器33也預先進行位置調(diào)節(jié)，使分析區(qū)域(視野)相同。
由于第1配線圖案像和第2配線圖案像都是基于相同激光束54a的掃描的激光掃描像，因而可容易進行位置校準，以使分析區(qū)域完全一致。另外，由于預先使第2紅外光檢測器32和第3紅外光檢測器33的分析區(qū)域一致，因而可容易地進行位置校準。
從而，與實施例3相同，可容易地進行從被分析晶片100的表面?zhèn)扰臄z的第1配線圖案像及第2配線圖案像和故障發(fā)光像的位置校準。即，可容易地在從表面?zhèn)热〉玫呐渚€圖案像上確定從背面?zhèn)扰臄z的故障點的位置。另外，由于從被分析晶片100的表面?zhèn)日丈浼す馐?4a，因而具有可更鮮明地獲得從表面?zhèn)扰臄z的第1配線圖案像的效果。
實施例5實施例3及4中，形成分別具備用以取得從被分析晶片100的背面?zhèn)扰臄z的配線圖案像的手段(第2紅外光檢測器32)和用以拍攝故障發(fā)光像的手段(第3紅外光檢測器33)的結構。本實施例中，這兩個像由1個攝像機拍攝。
圖7是本實施例的故障分析裝置的構成圖。該圖中，與圖1及圖5同樣的要素附上同一符號，這里省略詳細的說明。
第1紅外光檢測器31拍攝被分析晶片100的激光束53a的透射像即第1配線圖案像。另一方面，第2紅外光檢測器42拍攝被分析晶片100的激光束53a的反射像即第2配線圖案像和故障點的故障發(fā)光像。但是，由于激光束53a的強度比故障點的發(fā)光強得多，因而必須抑制第2配線圖案像的拍攝時第2紅外光檢測器42的感光靈敏度。
另外，第1紅外光檢測器31根據(jù)與激光束53a的掃描同步的入射光的強度變化，取得第1配線圖案像作為激光掃描像。即，執(zhí)行用以將分時獲得的數(shù)據(jù)變換成圖象的運算處理。但是，由于故障發(fā)光像的拍攝中也采用的第2紅外光檢測器42可以在象素單位內(nèi)檢測光，因而也可以不執(zhí)行這樣的運算處理，直接從各象素所獲得的入射光的強度獲得第2配線圖案像。另外，由于第2紅外光檢測器42中也可以分時獲得入射光的強度數(shù)據(jù)，因而當然也可將運算處理的激光掃描像作為第2配線圖案像。
由于第1配線圖案像和第2配線圖案像都是基于相同激光束53a的掃描的激光掃描像，因而可容易地進行位置校準，以使分析區(qū)域完全一致。另外，由于第2配線圖案像和故障發(fā)光像由同一第2紅外光檢測器42拍攝，因而可容易地進行位置校準，使兩者的分析區(qū)域(視野)相同。
從而，根據(jù)本實施例，從被分析晶片100的表面?zhèn)扰臄z的第1配線圖案像和故障發(fā)光像的位置校準可容易地進行。即，容易在從表面?zhèn)热〉玫呐渚€圖案像上確定從背面?zhèn)扰臄z的故障點的位置。
另外，圖7中，作為獲得被分析晶片100的配線圖案像的光源，說明了采用從背面向被分析晶片100掃描并照射激光束53a的激光光學系統(tǒng)53的結構，但是，例如，如圖8所示，也可采用從表面掃描并照射激光束54a的激光光學系統(tǒng)54。該場合，除了上述的效果，由于從被分析晶片100的表面?zhèn)日丈浼す馐?4a，因而，具有可更鮮明地獲得從表面?zhèn)扰臄z的第1配線圖案像的效果。
根據(jù)本發(fā)明一個方面的故障分析方法，由于故障點的發(fā)光像和第2配線圖案像用同一攝像機拍攝，因而容易進行位置校準，使兩者的分析區(qū)域(視野)一致。另外，第1配線圖案像是來自表面的反射像，因而，可從第1配線圖案像獲得至少半導體芯片上形成的多層配線的最上層的配線圖案像。另外，由于第2配線圖案像是透射像，因而其中也包含多層配線的最上層的配線圖案像。從而，也容易進行第1配線圖案像和第2配線圖案像的位置校準。從而，容易進行從半導體芯片的表面?zhèn)扰臄z的第1配線圖案像和故障發(fā)光像的位置校準。即，在從表面?zhèn)热〉玫呐渚€圖案像上容易確定從背面?zhèn)扰臄z的故障點的位置。
根據(jù)本發(fā)明另一個方面的故障分析方法，由于第1配線圖案像和第2配線圖案像都是基于相同激光束的掃描的激光掃描像，因而容易進行位置校準，使分析區(qū)域完全一致。另外，通過預先進行第2攝像機和第3攝像機的位置校準，第2配線圖案像和故障點的像的位置校準也可容易地進行。從而，從半導體芯片的表面?zhèn)扰臄z的第1配線圖案像和故障發(fā)光像的位置校準也容易進行。
權利要求
1.一種故障分析方法，包括(a)向成為分析對象的半導體芯片的表面照射包含有波長1μm以上的分量的第1光的工序；(b)拍攝由上述半導體芯片的上述第1光形成的反射像即第1配線圖案像及透射像即第2配線圖案像的工序；(c)從上述半導體芯片的背面?zhèn)扰臄z由上述半導體芯片的故障點形成的發(fā)光像的工序，其特征在于，上述第2配線圖案像和上述發(fā)光像用同一攝像機拍攝。
2.權利要求1所述的故障分析方法，還包括(d)向上述半導體芯片的背面照射包含有波長1μm以上的分量的第2光的工序；(e)拍攝由上述半導體芯片的上述第2光形成的反射像即第3配線圖案像及透射像即第4配線圖案像的工序，其特征在于，上述第3配線圖案像用上述同一攝像機拍攝。
3.一種故障分析方法，包括(a)向成為分析對象的半導體芯片掃描并照射包含有波長1μm以上的分量的激光束，拍攝由上述半導體芯片的上述激光束形成的透射像即第1配線圖案像及反射像即第2配線圖案像的工序；(b)拍攝上述半導體芯片的故障點的像的工序，其特征在于，上述工序(a)由上述半導體芯片的表面?zhèn)扰渲玫牡?攝像機及背面?zhèn)扰渲玫牡?攝像機執(zhí)行，上述工序(b)由上述半導體芯片的背面?zhèn)扰渲玫牡?攝像機執(zhí)行，在上述工序(a)及(b)之前，校準上述第2攝像機和上述第3攝像機的位置。
4.權利要求3所述的故障分析方法，其特征在于上述工序(b)是，(c)從上述半導體芯片的背面?zhèn)扰臄z由上述半導體芯片的故障點形成的發(fā)光像的工序。
5.權利要求3所述的故障分析方法，其特征在于上述工序(b)是，(d)從上述半導體芯片的背面?zhèn)葤呙璨⒄丈渖鲜黾す馐?，用OBIC法或OBIRCH法拍攝上述故障點的像的工序。
6.一種故障分析方法，包括(a)向成為分析對象的半導體芯片掃描并照射包含有波長1μm以上的分量的激光束，拍攝由上述半導件芯片的上述激光束形成的透射像即第1配線圖案像及反射像即第2配線圖案像的工序；(b)拍攝上述半導體芯片的故障點的像的工序，其特征在于，上述工序(a)由上述半導體芯片的表面配置的第1攝像機及背面配置的第2攝像機執(zhí)行，上述工序(b)由上述第2攝像機執(zhí)行。
全文摘要
本發(fā)明提供可在從表面?zhèn)热〉玫呐渚€圖案像上容易地確定從晶片的背面?zhèn)热〉玫墓收宵c的位置的故障分析裝置及故障分析方法。照射被分析晶片100的表面的光51a的一部分由金屬配線反射，由CCD11拍攝，作為被分析晶片100的反射像即第1配線圖案像。通過金屬配線的間隙的光51a的紅外光分量由紅外光檢測器12拍攝，作為被分析晶片100的透射像即第2配線圖案像。另外，紅外光檢測器12也進行故障點的故障發(fā)光像的拍攝。
文檔編號H01L21/66GK1497698SQ200310102909
公開日2004年5月19日 申請日期2003年10月22日 優(yōu)先權日2003年10月22日
發(fā)明者小山徹, 今井由加利, 加利 申請人:株式會社瑞薩科技