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一種解鍵合裝置的制造方法

文檔序號:56245閱讀:399來源:國知局
專利名稱:一種解鍵合裝置的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種解鍵合裝置,包括:底座,所述底座上安裝有直線導(dǎo)軌;支撐梁,滑動式設(shè)置在所述直線導(dǎo)軌上,且與所述直線導(dǎo)軌垂直;上片盤組件,滑動式架設(shè)在所述支撐梁上,用于吸附待解鍵合的鍵合片或解鍵合后的載片;上吸盤組件,設(shè)于所述上片盤組件上方,用于從所述上片盤組件上吸附所述鍵合片或?qū)⑺鲚d片放置在所述上片盤組件上;下吸盤組件,與所述上吸盤組件相對設(shè)置,用于吸附所述鍵合片的下表面;取片組件,滑動式懸掛在所述支撐梁上,用于從所述下吸盤組件上吸附解鍵合后的基底。本實(shí)用新型具有自動化上片和取片、避免在取片時(shí)使硅片破損的有益效果。
【專利說明】
一種解鍵合裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種解鍵合裝置,屬于微電子制造技術(shù)領(lǐng)域。【背景技術(shù)】
[0002]微電子技術(shù)是建立在以集成電路為核心的各種半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)上的高新電子技術(shù),對信息時(shí)代具有巨大的影響。微電子技術(shù)是在電子電路和系統(tǒng)的超小型化和微型化過程中逐漸形成和發(fā)展起來的,是高科技和信息產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)。微電子產(chǎn)業(yè)是基礎(chǔ)性產(chǎn)業(yè), 而且對于很多行業(yè)具有極強(qiáng)的滲透性。微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展規(guī)模和科學(xué)技術(shù)水平已成為衡量一個(gè)國家綜合實(shí)力的重要標(biāo)志。微電子技術(shù)的發(fā)展一直是光刻設(shè)備和技術(shù)變革的動力,其中,解鍵合技術(shù)是微電子生產(chǎn)技術(shù)工藝中的關(guān)鍵工藝之一。
[0003]如圖1所示,晶圓鍵合技術(shù)可以將不同材料的載片(如玻璃片100)和硅片300結(jié)合在一起,晶圓鍵合是半導(dǎo)體器件三維加工的一個(gè)重要工藝。目前,行業(yè)內(nèi)采用的晶圓鍵合方法一般是在玻璃片100和硅片300之間涂覆鍵合膠200,然后再采用鍵合機(jī)將玻璃片100和硅片300鍵合在一起。鍵合片的解鍵合是指將已經(jīng)鍵合好的玻璃片100和硅片300進(jìn)行分離。現(xiàn)有技術(shù)常用的解鍵合技術(shù)采用上、下吸盤結(jié)構(gòu),所述上、下吸盤盤面上設(shè)置有真空孔,所述真空孔與外部真空源連通,所述上、下吸盤分別吸附鍵合片的上、下表面,然后通過設(shè)置在上、下吸盤內(nèi)部的加熱絲將鍵合片加熱到一定溫度,使硅片300和玻璃片100之間的鍵合膠 200受熱恪化后,所述下吸盤吸附娃片300—起沿鍵合片徑向運(yùn)動,從而使娃片300和玻璃片 100發(fā)生分咼。
[0004]現(xiàn)有的解鍵合技術(shù)采用高溫加熱工藝,導(dǎo)致硅片300和玻璃片100及其周圍的溫度較高(約250°C),使得在進(jìn)行解鍵合之后,對取下分離后的硅片300造成了問題和困難。如: 1、由于溫度較高,人工操作易被高溫燙傷,產(chǎn)生安全隱患。2、硅片300與玻璃片100之間的鍵合膠200因受熱熔化容易殘留在下吸盤上,增加了取片難度。如果通過機(jī)械接觸強(qiáng)取硅片 300,容易造成硅片300的破損,因此,在取片時(shí),硅片經(jīng)常不能順利取出,降低了生產(chǎn)效率。
[0005]因此,需要一種自動化上片和取片、避免在取片時(shí)使硅片破損的解鍵合技術(shù)方案?!緦?shí)用新型內(nèi)容】
[0006]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種自動化上片和取片、避免在取片時(shí)使硅片破損的解鍵合裝置。
[0007]為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn):
[0008]—種解鍵合裝置,包括:
[0009]底座,所述底座上安裝有直線導(dǎo)軌;
[0010]支撐梁,滑動式設(shè)置在所述直線導(dǎo)軌上,且與所述直線導(dǎo)軌垂直;
[0011]上片盤組件,滑動式架設(shè)在所述支撐梁上,用于吸附待解鍵合的鍵合片或解鍵合后的載片;
[0012]上吸盤組件,設(shè)于所述上片盤組件上方,用于從所述上片盤組件上吸附所述鍵合片或?qū)⑺鲚d片放置在所述上片盤組件上;
[0013]下吸盤組件,與所述上吸盤組件相對設(shè)置,用于吸附所述鍵合片的下表面;
[0014]取片組件,滑動式懸掛在所述支撐梁上,用于從所述下吸盤組件上吸附解鍵合后的基底。
[0015]優(yōu)選的,所述取片組件包括垂向運(yùn)動單元和吸附單元,所述垂向運(yùn)動單元驅(qū)動所述吸附單元垂向運(yùn)動,從所述下吸盤組件上吸附所述基底。
[0016]優(yōu)選的,所述吸附單元包括非接觸式吸附結(jié)構(gòu),在所述基底上形成非接觸式吸附力。
[0017]優(yōu)選的,所述非接觸式吸附結(jié)構(gòu)包括若干第一非接觸式吸盤和若干第二非接觸式吸盤,所述第一非接觸式吸盤提供沿順時(shí)針方向運(yùn)動的吸附力,所述第二非接觸式吸盤提供沿逆時(shí)針方向運(yùn)動的吸附力。
[0018]優(yōu)選的,所述第一非接觸式吸盤和第二非接觸式吸盤均設(shè)有三個(gè),三個(gè)所述第一非接觸式吸盤呈三角形對稱式分布,三個(gè)所述第二非接觸式吸盤呈倒三角形對稱式分布, 且與所述第一非接觸式吸盤交替間隔設(shè)置。
[0019]優(yōu)選的,所述垂向運(yùn)動單元采用氣缸驅(qū)動。
[0020]優(yōu)選的,所述取片組件包括在位傳感器,用于判斷是否吸附有所述基底。
[0021]優(yōu)選的,所述上吸盤組件、下吸盤組件、上片盤組件及取片組件中均設(shè)有真空吸附機(jī)構(gòu)。
[0022]優(yōu)選的,所述真空吸附機(jī)構(gòu)包括真空管路、破真空管路及比例調(diào)節(jié)閥,所述真空管路連接真空源,所述比例調(diào)節(jié)閥設(shè)置在所述破真空管路中,用于調(diào)節(jié)破真空時(shí)的壓力。
[0023]優(yōu)選的,所述真空管路與所述破真空管路為同一管路。
[0024]優(yōu)選的,所述真空吸附機(jī)構(gòu)還包括真空壓力傳感器,用于檢測吸附時(shí)的真空度。 [〇〇25] 優(yōu)選的,所述上吸盤組件和下吸盤組件均包括驅(qū)動組件。
[0026]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的技術(shù)方案:通過解鍵合裝置的上片盤組件進(jìn)行上片,然后,所述支撐梁在所述直線導(dǎo)軌上進(jìn)行滑動,到達(dá)解鍵合裝置的上吸盤組件工位,所述上吸盤組件吸附鍵合片后,所述支撐梁退回,繼而完成上吸盤組件和下吸盤組件的解鍵合操作。解鍵合完成后,所述支撐梁再次到達(dá)所述解鍵合裝置的上吸盤組件工位,通過上片盤組件吸附載片、取片組件吸附硅片,從而實(shí)現(xiàn)鍵合片的自動化上片和取片操作。而且,所述取片組件中設(shè)置有非接觸式吸附結(jié)構(gòu),其在所述取片組件盤面形成非接觸式吸附力,避免了直接和分離后的硅片發(fā)生機(jī)械接觸,防止硅片發(fā)生破損的現(xiàn)象,更好地保護(hù)硅片不受破壞。因此,本實(shí)用新型的技術(shù)方案具有自動化上片和取片、避免在取片時(shí)使硅片破損的有效果。【附圖說明】
一種解鍵合裝置的制造方法附圖[〇〇27]圖1是所述鍵合片的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0028]圖2是本實(shí)用新型一實(shí)施例中所述解鍵合裝置的主視圖;
[0029]圖3是本實(shí)用新型一實(shí)施例中所述解鍵合裝置的俯視圖;
[0030]圖4是本實(shí)用新型一實(shí)施例中所述解鍵合裝置的工作流程圖。
[0031]圖1中所示:100、玻璃片;200、鍵合膠;300、硅片;
[0032]圖2-4中所示:1、真空壓力傳感器;2、上吸盤組件;3、下吸盤組件;4、支撐梁;5、直線導(dǎo)軌;6、真空源;7、上片盤組件;8、取片組件;9、在位傳感器;10、垂向運(yùn)動單元;11、第一非接觸式吸盤;12、第二非接觸式吸盤;13、驅(qū)動組件;14、比例調(diào)節(jié)閥。【具體實(shí)施方式】
[0033]下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作詳細(xì)描述:
[0034]本實(shí)用新型將以較佳實(shí)施例及觀點(diǎn)加以敘述以解釋本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu),僅用來說明而非用以限制本實(shí)用新型的申請專利范圍,因此,除說明書中的較佳實(shí)施例外,本實(shí)用新型亦可廣泛實(shí)行于其他實(shí)施例中。
[0035]本實(shí)用新型的解鍵合裝置可適用于以各種方式相貼合的結(jié)構(gòu)之間的分離操作,舉例而言,可為兩個(gè)貼合件的鍵合、粘結(jié)、吸附等場景,但不以此為限,而且,就解鍵合而言,還可以應(yīng)用在其他技術(shù)領(lǐng)域的解鍵合操作中。如圖1所示,本實(shí)施例以微電子技術(shù)領(lǐng)域鍵合片的解鍵合為例,予以說明本實(shí)用新型的解鍵合裝置的實(shí)現(xiàn)方式。
[0036]如圖2-3所示,本實(shí)用新型的解鍵合裝置,包括:底座,所述底座上安裝有直線導(dǎo)軌 5,所述直線導(dǎo)軌5的數(shù)量為2條,采用平行設(shè)置;支撐梁4,滑動式設(shè)置在所述直線導(dǎo)軌5上, 且與所述直線導(dǎo)軌5垂直;上片盤組件7,滑動式架設(shè)在所述支撐梁4上,用于吸附待解鍵合的鍵合片或解鍵合后的載片;上吸盤組件2,設(shè)于所述上片盤組件7上方,用于從所述上片盤組件7上吸附所述鍵合片或?qū)⑺鲚d片放置在所述上片盤組件7上;下吸盤組件3,與所述上吸盤組件2相對設(shè)置,用于吸附所述鍵合片的下表面;取片組件8,滑動式懸掛在所述支撐梁 4上,用于從所述下吸盤組件3上吸附解鍵合后的硅片300。舉例而言,所述上吸盤組件2通過垂向運(yùn)動機(jī)構(gòu)驅(qū)動作垂向運(yùn)動。所述下吸盤組件3設(shè)置在一驅(qū)動組件13上,所述下吸盤組件 3的運(yùn)動方向?yàn)樗揭苿?。所述下吸盤組件3在初始位置時(shí),位于所述上吸盤組件2正下方的對應(yīng)位置。
[0037]優(yōu)選的,所述上片盤組件7和取片組件8均內(nèi)嵌設(shè)置在所述支撐梁4中,以實(shí)現(xiàn)減少空間占用率,節(jié)省裝置體積和材料,更好地適用于解鍵合裝置工作環(huán)境的效果。
[0038]優(yōu)選的,所述上片盤組件7采用和所述上、下吸盤組件2、3相同的真空吸附盤面結(jié)構(gòu),即,所述上片盤組件7、上吸盤組件2和下吸盤組件3中均一一對應(yīng)設(shè)置有真空吸附結(jié)構(gòu)。 所述真空吸附結(jié)構(gòu)在其對應(yīng)的盤面產(chǎn)生吸附力。優(yōu)選的,所述真空吸附結(jié)構(gòu)包括:真空孔、 與所述真空孔通過抽真空管路連通的真空源6及與所述真空孔通過破真空管路連通的破真空閥。
[0039]優(yōu)選的,所述抽真空管路和破真空管路采用同一管路。采用同一管路,節(jié)省內(nèi)部資源,提尚制造效率,有利于提尚抽真空和破真空操作的工作效率。
[0040]優(yōu)選的,在所述破真空管路中設(shè)置比例調(diào)節(jié)閥14。通過所述比例調(diào)節(jié)閥14對破真空時(shí)管路中的氣壓進(jìn)行控制、調(diào)節(jié),使得破真空操作更加安全可靠,根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行調(diào)節(jié),有利于提高實(shí)用性和適用性。同時(shí),所述比例調(diào)節(jié)閥14還可以與所述真空吸附結(jié)構(gòu)形成反饋控制系統(tǒng),提高了控制精度,使得被吸附物能夠穩(wěn)定可靠的脫離吸附狀態(tài)。
[0041]優(yōu)選的,所述上片盤組件7、上吸盤組件2和下吸盤組件3的吸附面均設(shè)置有與真空壓力傳感器1,用于檢測吸附面的真空度。舉例而言,所述真空壓力傳感器1設(shè)置在所述真空孔中,以通過所述真空壓力傳感器1對對應(yīng)吸附面的真空度進(jìn)行檢測,判斷吸附狀態(tài)是否完成,吸附是否穩(wěn)定可靠,使得吸附操作更加安全可靠。
[0042]重點(diǎn)參照圖2,所述支撐梁4在垂向上位于所述上、下吸盤組件2、3之間。
[0043]優(yōu)選的,所述上片盤組件7和取片組件8設(shè)置在所述支撐梁4的兩端,所述驅(qū)動組件 13驅(qū)動所述下吸盤組件3沿所述支撐梁4方向進(jìn)行位置切換。所述驅(qū)動組件13驅(qū)動所述下吸盤組件3在解鍵合后的運(yùn)動方向,與所述支撐梁4方向一致,通過滑動所述支撐梁4可以直接使取片組件8盤面到達(dá)解鍵合后的下吸盤組件3工位,節(jié)省了操作工序,同時(shí),充分利用了工作空間,提高了工作效率。
[0044]優(yōu)選的,還包括:在位傳感器9,安裝在所述支撐梁4上,用于檢測所述取片組件8的被吸附物位置,以保證分離后的硅片300安全穩(wěn)定的被所述取片組件8吸附。所述下吸盤組件3真空吸附結(jié)構(gòu)中的比例調(diào)節(jié)閥14可與所述在位傳感器9形成反饋控制系統(tǒng),提高了控制精度,使得分離后的硅片300能夠穩(wěn)定可靠的脫離吸附狀態(tài),防止裂片等現(xiàn)象發(fā)生。
[0045]優(yōu)選的,還包括:傳輸手,所述傳輸手上設(shè)置有檢測傳感器,以保證分離后的硅片 300從所述取片組件8上安全可靠地被取走,避免出現(xiàn)掉片等現(xiàn)象。
[0046]優(yōu)選的,所述取片組件8包括垂向運(yùn)動單元10和吸附單元,所述垂向運(yùn)動單元10驅(qū)動所述吸附單元垂向運(yùn)動,從所述下吸盤組件3上吸附所述硅片300。[〇〇47]優(yōu)選的,所述吸附單元包括非接觸式吸附結(jié)構(gòu),在所述硅片300上形成非接觸式吸附力。[〇〇48]優(yōu)選的,所述非接觸式吸附結(jié)構(gòu)包括若干第一非接觸式吸盤11和若干第二非接觸式吸盤12,所述第一非接觸式吸盤11提供沿順時(shí)針方向運(yùn)動的吸附力,所述第二非接觸式吸盤12提供沿逆時(shí)針方向運(yùn)動的吸附力。[〇〇49]優(yōu)選的,所述第一非接觸式吸盤11和第二非接觸式吸盤12均設(shè)有三個(gè),三個(gè)所述第一非接觸式吸盤11呈三角形對稱式分布,三個(gè)所述第二非接觸式吸盤13呈倒三角形對稱式分布,且與所述第一非接觸式吸盤11交替間隔設(shè)置。
[0050]優(yōu)選的,所述垂向運(yùn)動單元10采用氣缸驅(qū)動。
[0051]采用上述技術(shù),利用氣旋非接觸式吸附原理,使用非接觸式氣旋吸盤可以平穩(wěn)、可靠地吸取分離后的硅片300,不會產(chǎn)生過大的吸取力使硅片300變形,又不易損壞被吸取硅片300的表面;并且具有結(jié)構(gòu)簡單、成本低、安裝方便、操作容易、維修費(fèi)用少、可靠性高、使用壽命長的特點(diǎn)。[〇〇52]下面結(jié)合圖4同時(shí)參照圖2-3,簡要說明本實(shí)用新型的解鍵合裝置的工作過程: [〇〇53]步驟1:在上片盤組件7工位進(jìn)行上片。具體的,通過傳輸手將鍵合片放置在所述上片盤組件7盤面,上片盤組件7對所述鍵合片進(jìn)行真空吸附,同時(shí)通過上片盤組件7的真空壓力傳感器1對吸附面進(jìn)行真空度檢測,保證吸附穩(wěn)定可靠。[〇〇54] 步驟2:支撐梁4運(yùn)動到上吸盤組件2工位,上吸盤組件2吸附鍵合片。具體的,在上片完成后,所述支撐梁4沿直線導(dǎo)軌5運(yùn)動到上吸盤組件2工位,上吸盤組件2沿垂向下降至與鍵合片接觸,啟動上吸盤組件2真空吸附結(jié)構(gòu)的真空源6,對所述鍵合片進(jìn)行真空吸附,通過上吸盤組件2的真空壓力傳感器1判斷穩(wěn)定吸附鍵合片后,所述上吸盤組件2上升至初始位置,所述支撐梁4沿原路退回,自動上片過程完成。
[0055]步驟3:上、下吸盤組件2、3同時(shí)吸附鍵合片,進(jìn)行解鍵合操作。具體的,所述上吸盤組件2沿垂向下降至下吸盤組件3接觸所述鍵合片,啟動所述下吸盤組件3真空吸附結(jié)構(gòu)的真空源6,對所述鍵合片進(jìn)行真空吸附,通過所述下吸盤組件3的真空壓力傳感器1判斷穩(wěn)定吸附鍵合片后,開始解鍵合操作。[〇〇56] 步驟4:上吸盤組件2吸附玻璃片100上升,下吸盤組件3吸附硅片300運(yùn)動到取片組件8工位。具體的,解鍵合操作完成后,所述下吸盤組件3由所述驅(qū)動組件13驅(qū)動至圖中虛線位置,即取片組件8工位,所述上吸盤組件2吸附分離后的玻璃片100上升至初始位置。[〇〇57] 步驟5:支撐梁4運(yùn)動到上吸盤組件2工位,上片盤組件7吸附玻璃片100,吸附單元吸附硅片300。具體的,所述支撐梁4沿直線導(dǎo)軌5運(yùn)動到所述上吸盤組件2工位,此時(shí),所述支撐梁4上的上片盤組件7與所述上吸盤組件2正對、所述吸附單元與所述下吸盤組件3正對。所述上吸盤組件2沿垂向下降至吸附的玻璃片100與所述上片盤組件7盤面接觸,此時(shí), 關(guān)閉上吸盤組件2真空吸附結(jié)構(gòu)的真空源6,開啟所述上吸盤組件2的比例調(diào)節(jié)閥14進(jìn)行破真空操作,同時(shí),開啟上片盤組件7真空吸附結(jié)構(gòu)的真空源6,對所述玻璃片100進(jìn)行吸附,通過所述上片盤組件7的真空壓力傳感器1判斷玻璃片100被穩(wěn)定吸附;所述吸附單元在所述垂向運(yùn)動單元10的驅(qū)動下下降至硅片300間隙1_處,開啟第一非接觸式吸盤11和第二非接觸式吸盤12,關(guān)閉所述下吸盤組件3真空吸附結(jié)構(gòu)的真空源6,并打開所述下吸盤組件3的比例調(diào)節(jié)閥14進(jìn)行破真空操作,破真空完成后,所述吸附單元沿原路上升,同時(shí)通過在位傳感器9判斷硅片300被穩(wěn)定吸附,然后,所述支撐梁4沿原路返回至初始位置。[〇〇58] 步驟6:通過傳輸手取下分離后的玻璃片100和硅片300,取片過程完成。
[0059]綜上所述,本實(shí)用新型的技術(shù)方案:通過解鍵合裝置的上片盤組件7進(jìn)行上片,然后,所述支撐梁4在所述直線導(dǎo)軌5上進(jìn)行滑動,到達(dá)解鍵合裝置的上吸盤組件2工位,所述上吸盤組件2吸附鍵合片后,所述支撐梁4退回,繼而完成上吸盤組件2和下吸盤組件3的解鍵合操作。解鍵合完成后,所述支撐梁4再次到達(dá)所述解鍵合裝置的上吸盤組件2工位,通過上片盤組件7吸附載片、取片組件8吸附硅片,從而實(shí)現(xiàn)鍵合片的自動化上片和取片操作。而且,所述取片組件8中設(shè)置有非接觸式吸附結(jié)構(gòu),其在所述取片組件8盤面形成非接觸式吸附力,避免了直接和分離后的硅片發(fā)生機(jī)械接觸,防止硅片發(fā)生破損的現(xiàn)象,更好地保護(hù)硅片不受破壞。因此,本實(shí)用新型的技術(shù)方案具有自動化上片和取片、避免在取片時(shí)使硅片破損的有益效果。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種解鍵合裝置,其特征在于,包括:底座,所述底座上安裝有直線導(dǎo)軌;支撐梁,滑動式設(shè)置在所述直線導(dǎo)軌上,且與所述直線導(dǎo)軌垂直;上片盤組件,滑動式架設(shè)在所述支撐梁上,用于吸附待解鍵合的鍵合片或解鍵合后的 載片;上吸盤組件,設(shè)于所述上片盤組件上方,用于從所述上片盤組件上吸附所述鍵合片或 將所述載片放置在所述上片盤組件上;下吸盤組件,與所述上吸盤組件相對設(shè)置,用于吸附所述鍵合片的下表面;取片組件,滑動式懸掛在所述支撐梁上,用于從所述下吸盤組件上吸附解鍵合后的基 底。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的解鍵合裝置,其特征在于,所述取片組件包括垂向運(yùn)動單元和 吸附單元,所述垂向運(yùn)動單元驅(qū)動所述吸附單元垂向運(yùn)動,從所述下吸盤組件上吸附所述基底。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的解鍵合裝置,其特征在于,所述吸附單元包括非接觸式吸附結(jié) 構(gòu),在所述基底上形成非接觸式吸附力。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的解鍵合裝置,其特征在于,所述非接觸式吸附結(jié)構(gòu)包括若干第 一非接觸式吸盤和若干第二非接觸式吸盤,所述第一非接觸式吸盤提供沿順時(shí)針方向運(yùn)動 的吸附力,所述第二非接觸式吸盤提供沿逆時(shí)針方向運(yùn)動的吸附力。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的解鍵合裝置,其特征在于,所述第一非接觸式吸盤和第二非接 觸式吸盤均設(shè)有三個(gè),三個(gè)所述第一非接觸式吸盤呈三角形對稱式分布,三個(gè)所述第二非 接觸式吸盤呈倒三角形對稱式分布,且與所述第一非接觸式吸盤交替間隔設(shè)置。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的解鍵合裝置,其特征在于,所述垂向運(yùn)動單元采用氣缸驅(qū)動。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的解鍵合裝置,其特征在于,所述取片組件包括在位傳感器,用 于判斷是否吸附有所述基底。8.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的解鍵合裝置,其特征在于,所述上吸盤組件、下吸盤組件、 上片盤組件及取片組件中均設(shè)有真空吸附機(jī)構(gòu)。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的解鍵合裝置,其特征在于,所述真空吸附機(jī)構(gòu)包括真空管路、 破真空管路及比例調(diào)節(jié)閥,所述真空管路連接真空源,所述比例調(diào)節(jié)閥設(shè)置在所述破真空 管路中,用于調(diào)節(jié)破真空時(shí)的壓力。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的解鍵合裝置,其特征在于,所述真空管路與所述破真空管路 為同一管路。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的解鍵合裝置,其特征在于,所述真空吸附機(jī)構(gòu)還包括真空壓 力傳感器,用于檢測吸附時(shí)的真空度。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的解鍵合裝置,其特征在于,所述上吸盤組件和下吸盤組件均 包括驅(qū)動組件。
【文檔編號】H01L21/60GK205723461SQ201620348189
【公開日】2016年11月23日
【申請日】2016年4月22日
【發(fā)明人】劉偉, 余斌
【申請人】上海微電子裝備有限公司
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