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一種二氧化硅絕緣超高溫金屬護(hù)套電纜的制作方法

文檔序號(hào):11920閱讀:210來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):一種二氧化硅絕緣超高溫金屬護(hù)套電纜的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型涉及電纜,具體指一種二氧化硅絕緣超高溫金屬護(hù)套電纜,電纜包括內(nèi)導(dǎo)體、絕緣層、外導(dǎo)體和外護(hù)套,所述的內(nèi)導(dǎo)體為高純無(wú)氧銅導(dǎo)體,所述的絕緣層為二氧化硅絕緣層,所述的外導(dǎo)體為高純無(wú)縫無(wú)氧銅管,所述的外護(hù)套為鈦金屬外護(hù)套;所述的二氧化硅絕緣層包覆于高純無(wú)氧銅導(dǎo)體外,所述的高純無(wú)縫無(wú)氧銅管設(shè)于二氧化硅絕緣層外,所述的鈦金屬外護(hù)套設(shè)于高純無(wú)縫無(wú)氧銅管外;本實(shí)用新型的不僅溫度工作范圍很寬、重量輕、體積小易于彎曲,而且具有耐輻射性能強(qiáng)、低介質(zhì)損耗、高抗拉強(qiáng)度和高抗震性等優(yōu)點(diǎn)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種二氧化硅絕緣超高溫金屬護(hù)套電纜

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電纜,具體指一種二氧化硅絕緣超高溫金屬護(hù)套電纜。

【背景技術(shù)】
[0002]1947年3月12日,杜魯門(mén)在國(guó)會(huì)兩院聯(lián)席會(huì)議上宣讀了一篇咨文,攻擊蘇聯(lián)是極權(quán)國(guó)家,要求國(guó)會(huì)批準(zhǔn)向希臘和土耳其提供4億美元的緊急援助,以抵制極權(quán)政體強(qiáng)加于它們的種種侵犯行動(dòng)。從這一天開(kāi)始,美蘇的冷戰(zhàn)正式開(kāi)始,從1957年10月4號(hào),蘇聯(lián)正式發(fā)射第一顆人造地球衛(wèi)星“人造地球衛(wèi)星I號(hào)”,到1958年I月31日,美國(guó)發(fā)射了第一顆人造地球衛(wèi)星“探險(xiǎn)者”一號(hào),從此開(kāi)始了一系列的導(dǎo)彈,衛(wèi)星、飛船、飛機(jī)、核潛艇等飛速發(fā)展的瘋狂時(shí)期。而所有的航空航天、核軍事項(xiàng)目對(duì)電纜的耐高溫性能有很高的要求,而目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上能生產(chǎn)的能夠滿足目前航空航天、核軍事項(xiàng)目對(duì)電纜的耐高溫性要求,但是生產(chǎn)成本很高,但是隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,航空航天、核軍事項(xiàng)目對(duì)電纜的耐高溫性要求越來(lái)越高,為了能夠滿足未來(lái)市場(chǎng)的需求,我們需要一種能夠耐更高溫的信號(hào)電纜。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,本實(shí)用新型旨在提供一種二氧化硅絕緣超高溫金屬護(hù)套電纜。
[0004]為解決上述問(wèn)題,本實(shí)用新型提供以下技術(shù)方案:
[0005]一種二氧化硅絕緣超高溫金屬護(hù)套電纜,電纜包括內(nèi)導(dǎo)體、絕緣層、外導(dǎo)體和外護(hù)套,所述的內(nèi)導(dǎo)體為高純無(wú)氧銅導(dǎo)體,所述的絕緣層為二氧化硅絕緣層,所述的外導(dǎo)體為高純無(wú)縫無(wú)氧銅管,所述的外護(hù)套為鈦金屬外護(hù)套;所述的二氧化硅絕緣層包覆于高純無(wú)氧銅導(dǎo)體外,所述的高純無(wú)縫無(wú)氧銅管設(shè)于二氧化硅絕緣層外,所述的鈦金屬外護(hù)套設(shè)于高純無(wú)縫無(wú)氧銅管外。
[0006]所述的電纜內(nèi)包括有至少一根高純無(wú)氧銅內(nèi)導(dǎo)體。
[0007]所述的高純無(wú)氧銅內(nèi)導(dǎo)體的截面為圓形。
[0008]所述的高純無(wú)氧銅內(nèi)導(dǎo)體的截面為半圓形。
[0009]所述的高純無(wú)氧銅內(nèi)導(dǎo)體的截面為正方形。
[0010]所述的高純無(wú)氧銅內(nèi)導(dǎo)體的截面為三角形。
[0011]本實(shí)用新型的有益效果如下:
[0012]I)溫度工作范圍很寬。溫度工作范圍:_273°C至+1000°C;特高溫結(jié)構(gòu)甚至可以達(dá)到+1300°C,且短時(shí)間內(nèi),還可以承受更高溫度;
[0013]2)耐輻射性能優(yōu)秀,適合于核反應(yīng)堆的核島內(nèi)和外太空的強(qiáng)輻射環(huán)境;
[0014]3)重量輕,比通常的有機(jī)塑料電纜節(jié)省30%至85%的重量;
[0015]4)體積小易于彎曲,同等性能指標(biāo)下直徑更小,而且完全半徑也更小,更容易裝在狹小的空間;
[0016]5)低介質(zhì)損耗:介電常數(shù)只有1.56,可以減低信號(hào)的衰減和損耗,同時(shí)也降低了電容;
[0017]6)高抗拉強(qiáng)度;
[0018]7)高抗震性。

【附圖說(shuō)明】

[0019]圖1是本實(shí)用新型的具體實(shí)施例一的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖2是本實(shí)用新型的具體實(shí)施例二的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖3是本實(shí)用新型的具體實(shí)施例三的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖4是本實(shí)用新型的具體實(shí)施例四的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖5是本實(shí)用新型的具體實(shí)施例五的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖6是本實(shí)用新型的具體實(shí)施例六的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]附圖標(biāo)記說(shuō)明:高純無(wú)氧銅導(dǎo)體1,絕緣層2,高純無(wú)縫無(wú)氧銅管3,鈦金屬外護(hù)套4。

【具體實(shí)施方式】
[0026]下面根據(jù)說(shuō)明書(shū)附圖詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的具體實(shí)施例:
[0027]具體實(shí)施例一:
[0028]參照?qǐng)D1,一種二氧化硅絕緣超高溫金屬護(hù)套電纜,電纜包括內(nèi)導(dǎo)體、絕緣層2、外導(dǎo)體和外護(hù)套,所述的內(nèi)導(dǎo)體為高純無(wú)氧銅導(dǎo)體I,所述的絕緣層2為二氧化硅絕緣層2,所述的外導(dǎo)體為高純無(wú)縫無(wú)氧銅管3,所述的外護(hù)套為鈦金屬外護(hù)套4 ;所述的二氧化硅絕緣層2包覆于高純無(wú)氧銅導(dǎo)體I外,所述的高純無(wú)縫無(wú)氧銅管3設(shè)于二氧化硅絕緣層2外,所述的鈦金屬外護(hù)套4設(shè)于高純無(wú)縫無(wú)氧銅管3外;所述的電纜內(nèi)包括有一根高純無(wú)氧銅內(nèi)導(dǎo)體;所述的高純無(wú)氧銅內(nèi)導(dǎo)體的截面為圓形。
[0029]具體實(shí)施例二:
[0030]參照?qǐng)D2,一種二氧化硅絕緣超高溫金屬護(hù)套電纜,電纜包括內(nèi)導(dǎo)體、絕緣層2、外導(dǎo)體和外護(hù)套,所述的內(nèi)導(dǎo)體為高純無(wú)氧銅導(dǎo)體I,所述的絕緣層2為二氧化硅絕緣層2,所述的外導(dǎo)體為高純無(wú)縫無(wú)氧銅管3,所述的外護(hù)套為鈦金屬外護(hù)套4 ;所述的二氧化硅絕緣層2包覆于高純無(wú)氧銅導(dǎo)體I外,所述的高純無(wú)縫無(wú)氧銅管3設(shè)于二氧化硅絕緣層2外,所述的鈦金屬外護(hù)套4設(shè)于高純無(wú)縫無(wú)氧銅管3外;所述的電纜內(nèi)包括有兩根高純無(wú)氧銅內(nèi)導(dǎo)體;所述的高純無(wú)氧銅內(nèi)導(dǎo)體的截面為半圓形。
[0031]具體實(shí)施例三:
[0032]參照?qǐng)D3,一種二氧化硅絕緣超高溫金屬護(hù)套電纜,電纜包括內(nèi)導(dǎo)體、絕緣層2、外導(dǎo)體和外護(hù)套,所述的內(nèi)導(dǎo)體為高純無(wú)氧銅導(dǎo)體I,所述的絕緣層2為二氧化硅絕緣層2,所述的外導(dǎo)體為高純無(wú)縫無(wú)氧銅管3,所述的外護(hù)套為鈦金屬外護(hù)套4 ;所述的二氧化硅絕緣層2包覆于高純無(wú)氧銅導(dǎo)體I外,所述的高純無(wú)縫無(wú)氧銅管3設(shè)于二氧化硅絕緣層2外,所述的鈦金屬外護(hù)套4設(shè)于高純無(wú)縫無(wú)氧銅管3外;所述的電纜內(nèi)包括有三根高純無(wú)氧銅內(nèi)導(dǎo)體;所述的高純無(wú)氧銅內(nèi)導(dǎo)體的截面為圓形。
[0033]具體實(shí)施例四:
[0034]參照?qǐng)D4,一種二氧化硅絕緣超高溫金屬護(hù)套電纜,電纜包括內(nèi)導(dǎo)體、絕緣層2、外導(dǎo)體和外護(hù)套,所述的內(nèi)導(dǎo)體為高純無(wú)氧銅導(dǎo)體I,所述的絕緣層2為二氧化硅絕緣層2,所述的外導(dǎo)體為高純無(wú)縫無(wú)氧銅管3,所述的外護(hù)套為鈦金屬外護(hù)套4 ;所述的二氧化硅絕緣層2包覆于高純無(wú)氧銅導(dǎo)體I外,所述的高純無(wú)縫無(wú)氧銅管3設(shè)于二氧化硅絕緣層2外,所述的鈦金屬外護(hù)套4設(shè)于高純無(wú)縫無(wú)氧銅管3外;所述的電纜內(nèi)包括有四根高純無(wú)氧銅內(nèi)導(dǎo)體;所述的高純無(wú)氧銅內(nèi)導(dǎo)體的截面為正方形。
[0035]具體實(shí)施例五:
[0036]參照?qǐng)D5,一種二氧化硅絕緣超高溫金屬護(hù)套電纜,電纜包括內(nèi)導(dǎo)體、絕緣層2、外導(dǎo)體和外護(hù)套,所述的內(nèi)導(dǎo)體為高純無(wú)氧銅導(dǎo)體I,所述的絕緣層2為二氧化硅絕緣層2,所述的外導(dǎo)體為高純無(wú)縫無(wú)氧銅管3,所述的外護(hù)套為鈦金屬外護(hù)套4 ;所述的二氧化硅絕緣層2包覆于高純無(wú)氧銅導(dǎo)體I外,所述的高純無(wú)縫無(wú)氧銅管3設(shè)于二氧化硅絕緣層2外,所述的鈦金屬外護(hù)套4設(shè)于高純無(wú)縫無(wú)氧銅管3外;所述的電纜內(nèi)包括有五根高純無(wú)氧銅內(nèi)導(dǎo)體;所述的高純無(wú)氧銅內(nèi)導(dǎo)體的截面為三角形。
[0037]具體實(shí)施例六:
[0038]參照?qǐng)D6,所述的內(nèi)導(dǎo)體為高純無(wú)氧銅導(dǎo)體1,所述的絕緣層2為二氧化硅絕緣層2,所述的外導(dǎo)體為高純無(wú)縫無(wú)氧銅管3,所述的外護(hù)套為鈦金屬外護(hù)套4 ;所述的二氧化硅絕緣層2包覆于高純無(wú)氧銅導(dǎo)體I外,所述的高純無(wú)縫無(wú)氧銅管3設(shè)于二氧化硅絕緣層2夕卜,所述的鈦金屬外護(hù)套4設(shè)于高純無(wú)縫無(wú)氧銅管3外;所述的電纜內(nèi)包括有四根高純無(wú)氧銅內(nèi)導(dǎo)體;所述的高純無(wú)氧銅內(nèi)導(dǎo)體的截面為圓形。
[0039]本實(shí)用新型的有益效果如下:1)溫度工作范圍很寬。溫度工作范圍:_273°C至+1000C ;特高溫結(jié)構(gòu)甚至可以達(dá)到+1300°C,且短時(shí)間內(nèi),還可以承受更高溫度;2)耐輻射性能優(yōu)秀,適合于核反應(yīng)堆的核島內(nèi)和外太空的強(qiáng)輻射環(huán)境;3)重量輕,比通常的有機(jī)塑料電纜節(jié)省30%至85%的重量;4)體積小易于彎曲,同等性能指標(biāo)下直徑更小,而且完全半徑也更小,更容易裝在狹小的空間;5)低介質(zhì)損耗:介電常數(shù)只有1.56,可以減低信號(hào)的衰減和損耗,同時(shí)也降低了電容;6)高抗拉強(qiáng)度;7)高抗震性。
[0040]以上所述,僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并非對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)范圍作出任何限制,故凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何細(xì)微修改、等同變化與修飾,均仍屬于本實(shí)用新型的技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種二氧化硅絕緣超高溫金屬護(hù)套電纜,電纜包括內(nèi)導(dǎo)體、絕緣層、外導(dǎo)體和外護(hù)套,其特征在于:所述的內(nèi)導(dǎo)體為高純無(wú)氧銅導(dǎo)體,所述的絕緣層為二氧化硅絕緣層,所述的外導(dǎo)體為高純無(wú)縫無(wú)氧銅管,所述的外護(hù)套為鈦金屬外護(hù)套;所述的二氧化硅絕緣層包覆于高純無(wú)氧銅導(dǎo)體外,所述的高純無(wú)縫無(wú)氧銅管設(shè)于二氧化硅絕緣層外,所述的鈦金屬外護(hù)套設(shè)于高純無(wú)縫無(wú)氧銅管外。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種二氧化硅絕緣超高溫金屬護(hù)套電纜,其特征在于:所述的電纜內(nèi)包括有至少一根高純無(wú)氧銅導(dǎo)體。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種二氧化硅絕緣超高溫金屬護(hù)套電纜,其特征在于:所述的高純無(wú)氧銅導(dǎo)體的截面為圓形。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種二氧化硅絕緣超高溫金屬護(hù)套電纜,其特征在于:所述的高純無(wú)氧銅導(dǎo)體的截面為半圓形。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種二氧化硅絕緣超高溫金屬護(hù)套電纜,其特征在于:所述的高純無(wú)氧銅導(dǎo)體的截面為正方形。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種二氧化硅絕緣超高溫金屬護(hù)套電纜,其特征在于:所述的高純無(wú)氧銅導(dǎo)體的截面為三角形。
【文檔編號(hào)】H01B7-04GK204270671SQ201420380823
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