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半導(dǎo)體裝置及其制造方法

文檔序號:7125095閱讀:126來源:國知局
專利名稱:半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。更詳細(xì)地說,本發(fā)明涉及例如能夠作為電源IC使用的高耐壓半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體裝置中,代表性的高耐壓半導(dǎo)體裝置使用在電源用IC或顯示裝置用驅(qū)動器等中。圖3表示高耐壓半導(dǎo)體裝置的概略剖面圖(現(xiàn)有例1)。圖3是具有如下部分的半導(dǎo)體裝置柵電極3;重疊包含其端部正下方的第2導(dǎo)電類型低濃度的第1漂移區(qū)6;與柵電極3隔離、被第1漂移區(qū)6包圍的第2導(dǎo)電類型高濃度的源區(qū)4及漏區(qū)5。在這里,1是第1導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基板,2是柵極絕緣膜,6A是第1漂移區(qū)端,6B是漏區(qū)與第1漂移區(qū)的邊界部,8是元件隔離區(qū),14是層間絕緣膜,15是漏電極,16是源電極,17是第1漂移區(qū)長度。以下,說明該現(xiàn)有例1中的高耐壓化的原理。
在現(xiàn)有例1中,當(dāng)在漏區(qū)5中施加高電壓時,通過第1漂移區(qū)6的耗盡化,在漂移區(qū)6中產(chǎn)生電壓降,通過緩和柵電極3下的第1漂移區(qū)端6A的電場,謀求高耐壓化。即,為了提高在第1漂移區(qū)端6A的耐壓,促進(jìn)在第1漂移區(qū)6的電壓降,降低第1漂移區(qū)6的濃度。
此外,通過使柵電極3在其端部正下方與第1漂移區(qū)6重疊,通過與柵電極3的電位差,在該重疊區(qū)中進(jìn)一步促進(jìn)耗盡化,進(jìn)一步緩和漂移區(qū)端6A的電場,實(shí)現(xiàn)高耐壓化。
作為現(xiàn)有例1的改良型,圖4(d)表示現(xiàn)有例2的半導(dǎo)體裝置的概略剖面圖。這是具有如下部分的半導(dǎo)體裝置柵電極3;重疊包含其端部正下方的第2導(dǎo)電類型的低濃度的第1漂移區(qū)6;與柵電極3隔離、與第1漂移區(qū)6鄰接的第2漂移區(qū)7;與柵電極3隔離、被第2漂移區(qū)7包圍的第2導(dǎo)電類型的高濃度的源區(qū)4及漏區(qū)5。以下,說明該現(xiàn)有例2中的高耐壓化的原理。
在圖3的現(xiàn)有例1中,為了提高在第1漂移區(qū)端6A的耐壓,為了促進(jìn)在第1漂移區(qū)6的電壓降,需要降低第1漂移區(qū)6的濃度。另一方面,在漏區(qū)與第1漂移區(qū)的邊界部6B中,通過第1漂移區(qū)6的耗盡化,發(fā)生電壓降,從而增高邊界部6B的電場強(qiáng)度,引起耐壓降低。
因此,在現(xiàn)有例2中,如圖4(d)所示那樣,設(shè)置第2漂移區(qū)7,使之包圍漏區(qū)5,通過使第2漂移區(qū)7的濃度比第1漂移區(qū)6高,緩和漏區(qū)與第2漂移區(qū)的邊界部7B的電場,實(shí)現(xiàn)晶體管整體的高耐壓化。圖中,7A意味著第1漂移區(qū)與第2漂移區(qū)的邊界部。
與該現(xiàn)有例2相當(dāng)?shù)睦佑刑亻_昭61-180483號公報(bào)。
但是,上述高耐壓化技術(shù)存在招致工序增加的課題,此外,還存在在微細(xì)化中也存在極限的課題。
即,如現(xiàn)有例2所示那樣,為了制造濃度不同的2個漂移區(qū),如圖4(a)與(b)所示,需要分別地使用感光性抗蝕劑掩模10,進(jìn)行用于形成漂移區(qū)的雜質(zhì)注入(11、12)。這就增加了工序。
此外,在形成第2漂移區(qū)時,由于與已經(jīng)導(dǎo)入的第1漂移區(qū)的定位誤差,第1漂移區(qū)長度17發(fā)生擺動,有時晶體管特性變得不穩(wěn)定。為了抑制這種現(xiàn)象,需要將第1漂移區(qū)長度17的設(shè)計(jì)值增大到定位誤差的5倍左右(在制造中的定位誤差是0.2μm的情況下,全部的漂移長度是1μm左右),因此,微細(xì)化存在極限。
進(jìn)而,在形成柵電極時,由于柵電極與第1漂移區(qū)6的定位誤差,柵電極與漂移區(qū)的重疊寬度需要是定位誤差的2倍左右,使得柵電極與漂移區(qū)不隔離。在圖中,13意味著用于源區(qū)與漏區(qū)形成的雜質(zhì)注入。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的發(fā)明者鑒于上述課題,發(fā)現(xiàn)一種具有能夠不增加工序數(shù)進(jìn)行制作、可微細(xì)化的漂移區(qū)半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
這樣,根據(jù)本發(fā)明能夠提供下述半導(dǎo)體裝置,具備形成了元件隔離區(qū)的第1導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基板;在半導(dǎo)體基板上由柵極絕緣膜介于其間形成的柵電極;在柵電極的側(cè)壁上由任意形成的絕緣膜構(gòu)成的側(cè)壁隔片;具備在柵電極的溝道長度方向的端部的至少單側(cè)的半導(dǎo)體基板上形成的低濃度區(qū)的第2導(dǎo)電類型的漂移區(qū);被除了低濃度區(qū)的漂移區(qū)包圍的第2導(dǎo)電類型的高濃度區(qū);在半導(dǎo)體基板整個面上形成的層間絕緣膜;以及,在預(yù)定的位置上形成的接觸孔與金屬布線,具備低濃度區(qū)的第2導(dǎo)電類型的漂移區(qū),是用從相互不同的4個方向而且具有預(yù)定的注入角度的雜質(zhì)離子注入形成的區(qū)域。
進(jìn)而,根據(jù)本發(fā)明,能夠提供包含下述工序的半導(dǎo)體裝置的制造方法在形成了元件隔離區(qū)的第1導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基板上,通過柵極絕緣膜形成柵電極的工序;任意地在柵電極的側(cè)壁上形成由絕緣膜構(gòu)成的側(cè)壁隔片的工序;通過從相互不同的4個方向而且具有預(yù)定的注入角度的雜質(zhì)的離子注入,在柵電極的溝道長度方向的端部的至少單側(cè)的半導(dǎo)體基板上形成具備低濃度區(qū)的第2導(dǎo)電類型的漂移區(qū)的工序;形成抗蝕劑圖形,通過抗蝕劑圖形形成被除了低濃度區(qū)外的漂移區(qū)包圍的第2導(dǎo)電類型的高濃度區(qū)的工序;除去抗蝕劑圖形,在半導(dǎo)體基板整個面上形成層間絕緣膜的工序;以及,在預(yù)定的位置形成接觸孔,形成金屬布線的工序。
此外,根據(jù)本發(fā)明,能夠提供包含下述工序的半導(dǎo)體裝置的制造方法在形成了元件隔離區(qū)的第1導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基板上,通過柵極絕緣膜形成柵電極的工序;在柵電極的側(cè)壁上任意地形成由絕緣膜構(gòu)成的側(cè)壁隔片的工序;在形成柵電極的情況下,以側(cè)壁隔片作為掩??涛g半導(dǎo)體基板形成溝槽的工序;通過從相互不同的4個方向而且具有預(yù)定的注入角度的雜質(zhì)的離子注入,在柵電極的溝道長度方向的端部的至少單側(cè)的半導(dǎo)體基板上,形成具備低濃度區(qū)的第2導(dǎo)電類型的漂移區(qū)的工序;形成抗蝕劑圖形,通過抗蝕劑圖形形成被除了低濃度區(qū)外的漂移區(qū)包圍的第2導(dǎo)電類型的高濃度區(qū)的工序;除去抗蝕劑圖形,在半導(dǎo)體基板整個面上形成層間絕緣膜的工序;以及在預(yù)定的位置形成接觸孔,形成金屬布線的工序。


圖1(a)~(c)是表示實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的制造工序的概略剖面圖。
圖2(a)~(c)是表示實(shí)施例3的半導(dǎo)體裝置的制造工序的概略剖面圖。
圖3是現(xiàn)有例1的半導(dǎo)體裝置的概略剖面圖。
圖4(a)~(d)是表示現(xiàn)有例2的半導(dǎo)體裝置的制造工序的概略剖面圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的特征在于在形成柵電極后的漂移區(qū)形成用的雜質(zhì)導(dǎo)入工序中,使通常用于以與晶片面的入射角0°來進(jìn)行的漂移區(qū)形成用的雜質(zhì)注入傾斜(例如30°或以上),進(jìn)而,通過使注入中的導(dǎo)入方向變化,由此,(1)由于柵電極的陰影,在與柵電極的端部正下方鄰接的區(qū)域中雜質(zhì)導(dǎo)入被限制,該區(qū)域被低濃度化,(2)進(jìn)而,具有在通過傾斜入射所引起的雜質(zhì)鉆入柵電極的端部正下方所形成的柵電極的端部的正下方重疊的漂移區(qū)。
由此,不需要用于現(xiàn)有例2的第1漂移區(qū)形成的工序。此外,由于柵電極與漂移區(qū)的重疊寬度及低濃度區(qū)長度,由雜質(zhì)注入的入射角度與柵電極的厚度決定,而這些值很穩(wěn)定,因而能夠謀求半導(dǎo)體裝置的微細(xì)化。具體地說,與圖4(d)的現(xiàn)有例2的半導(dǎo)體裝置相比,能夠微細(xì)化約10~40%。
此外,通過在柵電極側(cè)壁上有選擇地形成由絕緣膜構(gòu)成的側(cè)壁隔片,在其后的漂移區(qū)形成用的雜質(zhì)導(dǎo)入工序中,能夠限制通過傾斜入射在柵電極的端部正下方的鉆入深度。因此,使柵電極與漂移區(qū)的重疊寬度減少,能夠使半導(dǎo)體裝置進(jìn)一步微細(xì)化。
此外,通過使漂移區(qū)的半導(dǎo)體基板表面對柵電極正下方的半導(dǎo)體表面為溝槽狀,能夠使與柵電極的端部正下方鄰接的溝槽的側(cè)壁部最低,接著,在溝槽底部的一部分中使漂移區(qū)成為低濃度。因此,能夠使有效的低濃度區(qū)長度延長,能夠謀求半導(dǎo)體裝置的進(jìn)一步高耐壓化。具體地說,與圖1(c)的半導(dǎo)體裝置相比,能夠具有1.1~1.3倍高耐壓化。
并且,在源區(qū)中施加的電壓低的情況下,在源區(qū)側(cè)能夠省掉漂移區(qū),通過與柵電極的端部正下方鄰接設(shè)置高濃度的源區(qū),能夠謀求微細(xì)化。
能夠在本發(fā)明中使用的半導(dǎo)體基板并不做特別的限制,能夠使用硅基板、鍺硅基板等人們公知的基板。
在半導(dǎo)體基板中形成元件隔離區(qū)。元件隔離區(qū)可以是LOCOS隔離區(qū)或溝道隔離區(qū)的任何一種。
在用元件隔離區(qū)所劃分的區(qū)域的半導(dǎo)體基板上的預(yù)定的位置上,通過柵極絕緣膜形成柵電極。作為柵極絕緣膜,能夠舉出氧化硅膜、氮化硅膜及這些膜的層疊體。作為柵電極,能夠舉出例如Al、Cu等的金屬膜、多晶硅膜、硅與高熔點(diǎn)金屬(例如,鈦、鎢等)的硅化物膜、多晶硅膜與硅化物膜的層疊體(polycide film,多晶硅-金屬硅化物膜)。柵極絕緣膜例如能夠根據(jù)材料選擇熱氧化法、濺射法等形成,柵電極例如能夠根據(jù)材料選擇CVD法、蒸發(fā)法等形成。
在柵電極的側(cè)壁上,也可以形成由絕緣膜(例如,氧化硅膜、氮化硅膜)構(gòu)成的側(cè)壁隔片。側(cè)壁隔片能夠根據(jù)材料選擇CVD法、濺射法等形成。
進(jìn)而,在形成柵電極以及的情況下,也可以將側(cè)壁隔片作為掩模,通過干法刻蝕或者濕法刻蝕半導(dǎo)體基板形成溝槽。溝槽的深度例如可以是0.1~0.5μm。溝槽的形狀并不特別限定,例如能夠舉出溝槽的壁面為垂直的形狀、溝槽的底面比上面狹窄的形狀、溝槽的底面比上面寬的形狀等。
在半導(dǎo)體基板上,通過從相互不同的4個方向而且具有預(yù)定的注入角度的雜質(zhì)的離子注入,至少在半導(dǎo)體基板的漏區(qū)形成側(cè),形成在柵電極的溝道長度方向的端部具備低濃度區(qū)的第2導(dǎo)電類型的漂移區(qū)。注入角度因所希望的半導(dǎo)體裝置的特性而異,例如,能夠在30°或以上進(jìn)行,更具體地說,能夠在30°~70°的范圍選擇。
在這里,只要是能夠形成上述漂移區(qū),相互不同的4個方向相互間具有怎樣的關(guān)系都可以。特別是,4個方向中的1個方向是與溝道寬度方向平行的方向,其他的3個方向最好是相對上述1個方向具有90°、180°、270°的入射角的方向。
進(jìn)而,通過抗蝕劑圖形形成被除了低濃度區(qū)以外的漂移區(qū)包圍的第2導(dǎo)電類型的高濃度的漏區(qū)。并且,源區(qū)也可以形成在漂移區(qū)內(nèi)。此外,也可以單獨(dú)地形成源區(qū),使之與柵電極的側(cè)壁下部重疊。
此外,在半導(dǎo)體基板整個面上具備層間絕緣膜,在預(yù)定的位置上具備接觸孔與金屬布線。作為層間絕緣膜并不特別限定,能夠使用公知的方法形成的氧化硅膜、SOG膜等公知的膜的任何一種。此外,形成接觸孔的預(yù)定的位置,能夠舉出源區(qū)、漏區(qū)、柵電極等上。作為金屬布線能夠舉出Al膜、Cu膜等。
實(shí)施例以下,以具體的數(shù)值對本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其制造方法的實(shí)施例進(jìn)行說明。
實(shí)施例1圖1(c)是實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的概略剖面圖。
第1導(dǎo)電體型的半導(dǎo)體基板1例如是P型,硼濃度大約是1×1015/cm3。在該基板上有厚度400nm左右的元件隔離區(qū)8。此外,例如形成厚度40nm的柵極絕緣膜2,進(jìn)而作為例子形成由厚度200nm的多晶硅-金屬硅化物構(gòu)成的柵電極3。該柵電極3的溝道長度是1μm左右,在柵電極的側(cè)壁上有選擇地形成由絕緣膜構(gòu)成的側(cè)壁隔片23,底部的膜厚例如是100nm。
此外,包含柵電極3的端部正下方,用自調(diào)整法形成重疊0.1μm左右的漂移區(qū)21。該漂移區(qū)的低濃度區(qū)長度22是0.2μm左右,濃度是0.9×1017/cm3,結(jié)深0.4μm左右。此外,漂移區(qū)自身的濃度是1.2×1017/cm3,結(jié)深0.5μm左右。
柵電極3與漏區(qū)5的距離是1μm。
通過圖1(a)~(c)的表示半導(dǎo)體裝置的制造工序的概略剖面圖,進(jìn)一步說明圖1(c)的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
關(guān)于圖1(a),在半導(dǎo)體基板1上有選擇地形成元件隔離區(qū)8,接著,形成柵極絕緣膜2,進(jìn)而,形成柵電極3。
在柵電極3的側(cè)壁上有選擇地形成由絕緣膜構(gòu)成的側(cè)壁隔片23。側(cè)壁隔片23的底部的膜厚通過柵電極與隨后形成的漂移區(qū)21的重疊寬度來調(diào)整。
在這樣的半導(dǎo)體基板表面上,例如,將磷在能量大約180keV、注入角度45°,分成相互不同的4個方向進(jìn)行離子注入,以全注入量是7×1012/cm2左右的注入量,進(jìn)行用于形成漂移區(qū)的雜質(zhì)注入。在實(shí)施例1中,4個方向中的2個方向與溝道寬度方向平行,而且,具有相互成180°不同的方向,其他的2個方向與溝道長度方向平行,而且,具有相互成180°不同的方向。此外,為了調(diào)整漂移區(qū)21的重疊寬度可以在30°~70°的范圍內(nèi)適當(dāng)?shù)剡x擇注入角度。這時,能量、注入量、注入角度決定后面的低濃度區(qū)的長度22,由所希望的耐壓進(jìn)行調(diào)整。
這時,根據(jù)圖1(a),通過形成與形成漂移區(qū)用的雜質(zhì)傾斜注入18相反方向的漂移區(qū)用的雜質(zhì)傾斜注入19,能夠在與柵電極3鄰接的區(qū)域中得到柵電極的陰影20,限制導(dǎo)入到該區(qū)域中的雜質(zhì)的量。
在該實(shí)施例的情況下,由于在4個方向上導(dǎo)入等量的雜質(zhì),導(dǎo)入到與柵電極3鄰接的區(qū)域中的雜質(zhì)的量成為僅在1個方向上的柵電極的陰影20,因此該部分的雜質(zhì)的量成為全注入量的約3/4,該漂移區(qū)的寬度形成為距柵電極3的端部約200nm左右。
然后,在圖1(b)中,在N2氣體環(huán)境下,進(jìn)行800℃、10分鐘左右的退火,使漂移區(qū)激活。
接著,通過感光性抗蝕劑掩模10,例如以能量40keV、3×1015/cm2的注入量、有選擇地進(jìn)行用于形成源-漏區(qū)的雜質(zhì)砷離子注入13。
接著,在圖1(c)中,形成例如900nm層間絕緣膜14,開出接觸孔,形成電極。
然后,用公知的方法作成高耐壓晶體管。
實(shí)施例2該實(shí)施例2,除了不形成側(cè)壁隔片以外,與上述實(shí)施例1相同。由于不形成隔片,因而能夠得到更微細(xì)的半導(dǎo)體裝置。
實(shí)施例3圖2(c)是實(shí)施例3的半導(dǎo)體裝置的概略剖面圖。
第1導(dǎo)電體型半導(dǎo)體基板1例如是P型,硼濃度大約是1×1015/cm3。在該基板上有厚度400nm左右的元件隔離區(qū)8,接著,例如形成厚度40nm的柵極絕緣膜2,進(jìn)而,作為例子形成厚度200nm的由多晶硅-金屬硅化物構(gòu)成的柵電極3。該柵電極3的溝道長度是1μm左右,在柵電極的側(cè)壁上有選擇地形成由絕緣膜構(gòu)成的側(cè)壁隔片23,底部的膜厚例如是100nm。
此外,包含柵電極3的端部正下方,用自調(diào)整法形成重疊0.1μm左右的漂移區(qū)21。該漂移區(qū)21形成在深度0.2μm的溝槽的側(cè)壁部及底部上。該漂移區(qū)的低濃度區(qū)長度22側(cè)壁部與底部的一部分合計(jì)是0.6μm左右,濃度在側(cè)壁部是0.3×1017/cm3,結(jié)深0.2μm左右,在底部是0.9×1017/cm3、結(jié)深是0.4μm左右。此外,漂移區(qū)自身的濃度是1.2×1017/cm3,結(jié)深是0.5μm左右。
通過圖2(a)~(c)的表示半導(dǎo)體裝置的制造工序的概略剖面圖,說明圖2(c)的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
關(guān)于圖2(a),在第1導(dǎo)電類型半導(dǎo)體基板1上有選擇地形成元件隔離區(qū),接著,形成柵極絕緣膜2,進(jìn)而,形成柵電極3。
在該柵電極的側(cè)壁上有選擇地形成由絕緣膜構(gòu)成的側(cè)壁隔片23。隔片的膜厚通過柵電極與隨后形成的漂移區(qū)21的重疊寬度來調(diào)整。此外,在形成側(cè)壁隔片后,在半導(dǎo)體基板表面的后面,例如將形成漂移區(qū)的區(qū)域加工成深度0.2μm的溝槽狀。
在這樣的半導(dǎo)體基板表面上,例如,將磷在能量大約180keV、注入角度45°,分成相互不同的4個方向進(jìn)行離子注入,以全注入量是7×1012/cm2左右的注入量,進(jìn)行用于形成漂移區(qū)的雜質(zhì)注入。在實(shí)施例1中,4個方向中的2個方向與溝道寬度方向平行,而且,具有相互成180°不同的方向,其他的2個方向與溝道長度方向平行,而且,具有相互成180°不同的方向。這時,能量、注入量、入射角決定后面的低濃度區(qū)長度22,通過所希望的耐壓進(jìn)行調(diào)整。
這時,根據(jù)圖2(a),通過形成與形成漂移區(qū)用的雜質(zhì)傾斜注入18相反方向的漂移區(qū)用的雜質(zhì)傾斜注入19,能夠在與柵電極3鄰接的區(qū)域中得到柵電極的陰影20,限制導(dǎo)入到該區(qū)域中的雜質(zhì)的量。
在該實(shí)施例的情況下,由于在4個方向上導(dǎo)入等量的雜質(zhì),由于僅在1個方向進(jìn)行離子注入,導(dǎo)入到與柵極鄰接的溝槽的側(cè)壁區(qū)中的雜質(zhì)成為全注入量的1/4,由于導(dǎo)入到溝槽的底部的低濃度區(qū)中的雜質(zhì)的量僅在1個方向上成為陰影,進(jìn)行離子注入的全注入量的3/4進(jìn)行離子注入。
柵電極的陰影20在45°傾斜注入的情況下,得到作為柵電極與硅刻蝕溝槽的深度的和是400nm,漂移層的長度約為600nm。此外,為了調(diào)整漂移區(qū)21的寬度,可以在30~70°范圍內(nèi)適時選擇注入角度。
然后,在圖2(b)中,在N2氣體環(huán)境下,進(jìn)行800℃、10分鐘左右的退火,使漂移區(qū)激活。
接著,通過感光性抗蝕劑掩模10,例如以能量40keV、3×1015/cm2的注入量、有選擇地進(jìn)行用于形成源-漏區(qū)的雜質(zhì)砷的離子注入13。
接著,在圖2(c)中,形成例如900nm層間絕緣膜14,開出接觸孔,形成電極,形成高耐壓晶體管。
實(shí)施例4上述實(shí)施例1~3都是能夠在源區(qū)施加高電壓結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置,但是,在源區(qū)中施加的電壓低的情況下,在源區(qū)側(cè)中省掉漂移區(qū),與柵電極3的端部正下方鄰接,能夠設(shè)置高濃度的源區(qū)4。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置,不需要用于形成第1漂移區(qū)的工序,由于柵電極與漂移區(qū)的重疊及低濃度區(qū)長度通過雜質(zhì)注入的入射角度與柵電極的厚度決定,因而特性穩(wěn)定,而且能夠謀求微細(xì)化。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置,其特征在于,具備形成了元件隔離區(qū)的第1導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基板;在半導(dǎo)體基板上由柵極絕緣膜介于其間形成的柵電極;在柵電極的側(cè)壁上、由任意形成的絕緣膜構(gòu)成的側(cè)壁隔片;具備在柵電極的溝道長度方向的端部的至少單側(cè)的半導(dǎo)體基板上形成的低濃度區(qū)的第2導(dǎo)電類型的漂移區(qū);被除了低濃度區(qū)的漂移區(qū)包圍的第2導(dǎo)電類型的高濃度區(qū);在半導(dǎo)體基板整個面上形成的層間絕緣膜;以及,在預(yù)定的位置上形成的接觸孔與金屬布線,具備低濃度區(qū)的第2導(dǎo)電類型的漂移區(qū),是用從相互不同的4個方向而且具有預(yù)定的注入角度的雜質(zhì)離子注入形成的區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,在形成柵電極以及的情況下,半導(dǎo)體基板具有以側(cè)壁隔片為掩模進(jìn)行刻蝕形成的溝槽,漂移區(qū)與高濃度區(qū)形成在溝槽中。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,具備低濃度區(qū)的第2導(dǎo)電類型的漂移區(qū)形成在柵電極的溝道長度方向的兩側(cè),在除了低濃度區(qū)之外的漂移區(qū)形成第2導(dǎo)電類型的高濃度區(qū)作為源區(qū)與漏區(qū)。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,注入角度是30~70°。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,相互不同的4個方向中的一個方向是與溝道寬度方向平行的方向,其他的3個方向是相對上述1個方向具有90°、180°及270°的入射角的方向。
6.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,包含下述工序在形成了元件隔離區(qū)的第1導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基板上,通過柵極絕緣膜形成柵電極的工序;在柵電極的側(cè)壁上任意地形成由絕緣膜構(gòu)成的側(cè)壁隔片的工序;通過從相互不同的4個方向而且具有預(yù)定的注入角度的雜質(zhì)的離子注入,在柵電極的溝道長度方向的端部的至少單側(cè)的半導(dǎo)體基板上,形成具備低濃度區(qū)的第2導(dǎo)電類型的漂移區(qū)的工序;形成抗蝕劑圖形,通過抗蝕劑圖形形成被除了低濃度區(qū)外的漂移區(qū)包圍的第2導(dǎo)電類型的高濃度區(qū)的工序;除去抗蝕劑圖形,在半導(dǎo)體基板整個面上形成層間絕緣膜的工序;以及,在預(yù)定的位置形成接觸孔,形成金屬布線的工序。
7.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,包含下述工序在形成了元件隔離區(qū)的第1導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基板上,通過柵極絕緣膜形成柵電極的工序;在柵電極的側(cè)壁上任意地形成由絕緣膜構(gòu)成的側(cè)壁隔片的工序;在形成柵電極的情況下,以側(cè)壁隔片作為掩模,刻蝕半導(dǎo)體基板形成溝槽的工序;通過從相互不同的4個方向而且具有預(yù)定的注入角度的雜質(zhì)的離子注入,在柵電極的溝道長度方向的端部的至少單側(cè)的半導(dǎo)體基板上形成具備低濃度區(qū)的第2導(dǎo)電類型的漂移區(qū)的工序;形成抗蝕劑圖形,通過抗蝕劑圖形形成被除了低濃度區(qū)外的漂移區(qū)包圍的第2導(dǎo)電類型的高濃度區(qū)的工序;除去抗蝕劑圖形,在半導(dǎo)體基板整個面上形成層間絕緣膜的工序;以及在預(yù)定的位置形成接觸孔,形成金屬布線的工序。
8.如權(quán)利要求6或者7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于注入角度是30~70°。
9.如權(quán)利要求6或者7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,具備低濃度區(qū)的第2導(dǎo)電類型的漂移區(qū)形成在柵電極的溝道長度方向的端部的兩側(cè)的半導(dǎo)體基板上,在除了低濃度區(qū)之外的漂移區(qū)形成第2導(dǎo)電類型的高濃度區(qū)作為源區(qū)與漏區(qū)。
10.如權(quán)利要求6或者7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,相互不同的4個方向中的一個方向是與溝道寬度方向平行的方向,其他的3個方向是相對上述1個方向具有90°、180°及270°的入射角的方向。
全文摘要
本發(fā)明涉及至少包含下述工序的半導(dǎo)體裝置的制造方法在半導(dǎo)體基板上,從相互不同的4個方向,而且,具有預(yù)定的注入角度進(jìn)行雜質(zhì)的離子注入,在柵電極的溝道長度方向的至少單側(cè)形成具備低濃度區(qū)的第2導(dǎo)電類型的漂移區(qū)的工序;以及形成被除了低濃度區(qū)的漂移區(qū)包圍的第2導(dǎo)電類型的高濃度區(qū)的工序。通過上述方法,能夠提供不增加工序數(shù)目、又具有能夠微細(xì)化的漂移區(qū)的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
文檔編號H01L21/336GK1820372SQ0382693
公開日2006年8月16日 申請日期2003年6月19日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月19日
發(fā)明者狩山勝 申請人:夏普株式會社
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