專利名稱：包含漏極夾的半導(dǎo)體管芯封裝的制作方法
背景技術(shù)：
存在許多半導(dǎo)體管芯封裝。在半導(dǎo)體管芯封裝的一個實例中，半導(dǎo)體管芯用引線安裝于引線框架。線路將半導(dǎo)體管芯耦合到引線。接著，線路、半導(dǎo)體管芯以及隨后的多數(shù)引線框架(除向外延伸的引線)被密封于模制材料中。隨后，使模制材料成形。所形成的半導(dǎo)體管芯封裝包括具有側(cè)向延伸離開模制體的引線的模制體。半導(dǎo)體管芯封裝可安裝到電路板上。
雖然這種半導(dǎo)體封裝是有用的，但可進行改良。例如，期望半導(dǎo)體管芯封裝的厚度減小。隨消費電子產(chǎn)品(例如，蜂窩電話、膝上計算機等)繼續(xù)減小尺寸，越發(fā)需要更薄的電子器件以及更薄的電子部件。此外，期望改善半導(dǎo)體管芯封裝的散熱屬性。例如，諸如垂直MOSFET(金屬氧化物場效應(yīng)晶體管)的功率半導(dǎo)體器件會產(chǎn)生顯著的熱量。對于高輸出功率應(yīng)用(例如，超過60瓦)，需要特殊封裝用于除去功率晶體管的熱量以避免過熱。過熱還會劣化功率晶體管的操作屬性。
本發(fā)明的實施例單獨和共同地解決了這些和其它問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例針對半導(dǎo)體管芯封裝和用于制造半導(dǎo)體管芯封裝的方法。
本發(fā)明的一個實施例針對一種半導(dǎo)體管芯封裝，它包括(a)半導(dǎo)體管芯，它包括第一表面、第二表面和垂直功率MOSFET，該垂直功率MOSFET的柵極區(qū)和源極區(qū)位于第一表面而漏極區(qū)位于第二表面；(b)漏極夾，它具有主表面并電氣耦合到漏極區(qū)；(c)柵極引線，它電氣耦合到柵極區(qū)；(d)源極引線，它電氣耦合到源極區(qū)；以及(e)非導(dǎo)電模制材料，它密封半導(dǎo)體管芯，其中漏極夾的主表面通過非導(dǎo)電模制材料而暴露。
本發(fā)明的另一個實施例針對一種半導(dǎo)體管芯封裝，它包括(a)半導(dǎo)體管芯，它包括第一表面、第二表面和垂直功率MOSFET，該垂直功率MOSFET的柵極區(qū)和源極區(qū)位于第一表面而漏極區(qū)位于第二表面；(b)漏極夾，它具有主表面并電氣耦合到漏極區(qū)；(c)漏極引線，它電氣耦合到漏極夾的一端；(d)柵極引線，它電氣耦合到柵極區(qū)；(e)源極引線結(jié)構(gòu)，它包括至少一個源極引線和含主表面的突出區(qū)，以及與源極引線結(jié)構(gòu)的主表面相對的管芯附著表面，該管芯附著表面電氣耦合到源極區(qū)；以及(f)非導(dǎo)電模制材料，它密封半導(dǎo)體管芯，其中漏極夾的主表面通過非導(dǎo)電模制材料而暴露。
本發(fā)明的另一個實施例針對一種用于制造半導(dǎo)體管芯封裝的方法，該方法包括(a)提供含第一表面、第二表面和垂直功率MOSFET的半導(dǎo)體管芯，其中垂直功率MOSFET的柵極區(qū)和源極區(qū)位于第一表面而漏極區(qū)位于第二表面；(b)將源極引線結(jié)構(gòu)附著到源極區(qū)并將柵極引線附著到柵極區(qū)；(c)將含主表面的漏極夾附著到漏極區(qū)；(d)將模制材料模制于半導(dǎo)體管芯周圍；從而主表面通過模制材料暴露。
以下將詳細描述本發(fā)明的這些和其它實施例。
附圖概述

圖1示出了半導(dǎo)體管芯封裝的透視圖。通過封裝的上側(cè)暴露漏極夾的主表面且該主表面平行于模制材料的表面。
圖2示出了半導(dǎo)體管芯封裝的透視底視圖。源極引線結(jié)構(gòu)的主表面、柵極引線的表面以及源極引線的表面通過模制材料暴露。
圖3示出半導(dǎo)體管芯封裝的透視三維示圖，其中部分地除去部分模制材料示出模制的裝配部分。
圖4示出半導(dǎo)體管芯封裝的透視三維示圖，其中部分地除去部分模制材料示出模制的裝配部分。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體管芯封裝的側(cè)剖視圖。
圖6示出漏極引線、源極引線結(jié)構(gòu)以及柵極引線。
圖7示出了半導(dǎo)體管芯封裝的分解圖。
圖8示出根據(jù)本發(fā)明實施例用于制造半導(dǎo)體管芯封裝的實例性方法的框圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的實施例涉及半導(dǎo)體管芯封裝。它們可以按任何合適的方式制成。例如，在某些實施例中，可將其前側(cè)上具有焊料凸起的半導(dǎo)體管芯顛倒并附著到引線框架上。引線框架可以是銅引線框架。在某些實施例中，凸起的半導(dǎo)體管芯包括一個或多個柵極焊料凸起和源極焊料凸起。柵極焊料凸起可附著到引線框架的隔離的柵極引線結(jié)構(gòu)上，同時源極焊料凸起可附著到引線框架中的一個或多個源極引線結(jié)構(gòu)上。柵極和源極引線結(jié)構(gòu)最終形成用于半導(dǎo)體管芯中的MOSFET的柵極和源極連接。
與MOSFET的漏極區(qū)相對應(yīng)的半導(dǎo)體管芯背側(cè)電氣耦合到漏極夾(drainclip)。漏極夾可使用焊料糊附著到半導(dǎo)體管芯的背側(cè)。漏極夾將半導(dǎo)體管芯的背側(cè)互連到包含漏極引線的漏極引線結(jié)構(gòu)。焊料糊(例如，焊料糊合金)可用于將漏極夾電氣連接到漏極引線結(jié)構(gòu)。漏極夾、焊料和漏極引線結(jié)構(gòu)可提供從半導(dǎo)體管芯的背側(cè)到半導(dǎo)體管芯的前側(cè)的漏極連接。
半導(dǎo)體管芯封裝中的源極引線結(jié)構(gòu)包括具有主表面的突出部分。源極引線結(jié)構(gòu)的源極引線、柵極引線結(jié)構(gòu)的柵極引線以及源極引線結(jié)構(gòu)的主表面通過模制材料暴露。這些表面位于相同平面內(nèi)并也可以與漏極引線結(jié)構(gòu)中的漏極引線的表面共面。在半導(dǎo)體管芯的相對側(cè)處，漏極夾的主表面通過模制材料暴露。
本發(fā)明的實施例具有許多優(yōu)點。首先根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體管芯封裝具有較低的整體封裝電阻(即，較低的RdSon)。在本發(fā)明的實施例中，半導(dǎo)體管芯中的漏極區(qū)電氣耦合到漏極夾，且漏極夾用漏極引線電氣連接到漏極引線結(jié)構(gòu)。源極引線結(jié)構(gòu)和柵極引線結(jié)構(gòu)可分別耦合到半導(dǎo)體管芯中的源極區(qū)和柵極區(qū)。對半導(dǎo)體管芯中的柵極、源極和漏極區(qū)進行基本直接的電氣連接，這減小了整體封裝電阻。其次，該半導(dǎo)體管芯封裝可容納較大的半導(dǎo)體管芯，或者較小的半導(dǎo)體管芯(例如，達4密耳厚)同時提供可靠的互連。第三，本發(fā)明的實施例較薄。例如，在本發(fā)明的實施例中，半導(dǎo)體管芯封裝可以薄至0.75mm或以下。第四，本發(fā)明的實施例還呈現(xiàn)改良的熱性能?？梢詫崿F(xiàn)改良的熱性能，因為漏極夾被暴露并與半導(dǎo)體管芯封裝中模制材料的表面相共面。這提供了半導(dǎo)體管芯封裝中的自然散熱片。此外，在本發(fā)明的實施例中，源極和漏極在一個裝配過程中從封裝的上部和下部同時暴露。漏極夾和源極引線結(jié)構(gòu)的暴露的主表面可用作自然冷卻裝置，以便在工作時冷卻半導(dǎo)體管芯。第五，本發(fā)明的實施例還可以大批量地制造。倒裝芯片、引線框架、漏極夾和模制材料可用于本發(fā)明的實施例中以有助于較高的產(chǎn)量。
圖1-7說明了本發(fā)明的實施例。圖1-7中，相同數(shù)字表示相同元件。
圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體管芯封裝100的頂透視圖。半導(dǎo)體管芯封裝100包括漏極夾101和模制于漏極夾101周圍的模制材料102。如圖1所示，漏極夾101的主表面101(a)經(jīng)過模制材料102暴露。模制材料102可包括本領(lǐng)域中已知的任何合適的可模制介質(zhì)材料。
模制材料102保護封裝100內(nèi)的半導(dǎo)體管芯(未示出)不受任何來自周圍環(huán)境的污染或侵蝕。在本發(fā)明的實施例中，首先將模制材料102模制，隨后成形。在模制后，模制材料102可被鋸掉并與其它半導(dǎo)體管芯封裝分開，以使所形成的半導(dǎo)體管芯封裝是塊狀的?；蛘撸蓡为殞⒛Ｖ撇牧?02模制而不進行鋸切。
半導(dǎo)體管芯108可包括任何合適的半導(dǎo)體器件。合適器件包括垂直功率晶體管。垂直功率晶體管包括VDMOS晶體管。VDMOS晶體管是含有通過擴散形成的兩個或更多半導(dǎo)體區(qū)域的MOSFET。它具有源極區(qū)、漏極區(qū)以及柵極區(qū)。器件是垂直的，其中源極區(qū)和漏極區(qū)處于半導(dǎo)體管芯的相對表面處。柵極區(qū)可以是開槽柵極結(jié)構(gòu)或者平面柵極結(jié)構(gòu)，并形成于與源極區(qū)相同的表面處。開槽柵極結(jié)構(gòu)是優(yōu)選的，因為與平面柵極結(jié)構(gòu)相比開槽的柵極結(jié)構(gòu)更窄并占據(jù)更少的空間。在操作期間，在VDMOS器件中從源極區(qū)流到漏極區(qū)的電流基本垂直于管芯表面。在本發(fā)明的實施例中，半導(dǎo)體管芯的前側(cè)可以包括源極區(qū)和柵極區(qū)，而半導(dǎo)體管芯的背側(cè)可以包括漏極區(qū)。
圖2示出半導(dǎo)體管芯封裝100的下部。半導(dǎo)體管芯封裝100包括漏極引線107。在所示的實施例中，漏極引線107同柵極引線112和源極引線111位于半導(dǎo)體管芯封裝100的相對側(cè)處。源極引線結(jié)構(gòu)103的主表面103(a)通過模制材料102暴露。漏極引線107也通過模制材料102暴露。如圖2所示，漏極引線107、柵極引線112和源極引線111不延伸超過模制材料102的側(cè)表面。這形成更加緊湊的半導(dǎo)體管芯封裝。
系桿區(qū)106位于源極和柵極引線111、112以及漏極引線107之間。在未切系桿區(qū)106時，系桿區(qū)106將包含源極和柵極引線111、112以及漏極引線107的引線框架連接到引線框架陣列中的其它引線框架。在封裝裝配之前和期間，系桿區(qū)106用于支持引線框架。
圖3示出根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體管芯封裝100的裝配切開頂視圖。將半導(dǎo)體管芯108附著到源極引線結(jié)構(gòu)103的管芯附著表面109。源極引線結(jié)構(gòu)103也包括系桿區(qū)106。具有柵極引線112的柵極引線結(jié)構(gòu)171通過焊料凸起141附著到半導(dǎo)體管芯108的柵極區(qū)(未示出)。漏極夾101通過焊料層(未示出)附著到半導(dǎo)體管芯108上。漏極夾101具有主表面101(a)。包含漏極引線107的漏極引線結(jié)構(gòu)177也通過焊料層附著到漏極夾101。源極引線111被示作在半導(dǎo)體管芯封裝100的一側(cè)處露出。
圖4示出半導(dǎo)體管芯封裝100的裝配切開底視圖。下部切開部分示出源極引線結(jié)構(gòu)103的暴露的主表面103(a)。主表面103(a)可直接耦合到印刷電路板(PCB)(未示出)。漏極引線107的表面被示作與源極引線111和柵極引線112的表面以及主表面103(a)共面。
如圖4所示，主表面103(a)是從相鄰表面113突出的源極引線103的突出部分的一部分。相鄰表面113可通過蝕刻形成。在圖4所示的實施例中，用于形成柵極引線結(jié)構(gòu)和源極引線結(jié)構(gòu)的引線框架被部分蝕刻(例如，半蝕刻)以允許模制材料在模制期間流動。部分蝕刻的區(qū)域為模制化合物提供足夠區(qū)域以流動和完整地保持裝配的管芯封裝并在模制后加以保護?？墒褂帽绢I(lǐng)域已知的光刻法和蝕刻工藝進行部分蝕刻。例如，形成圖案的光阻材料層可形成于引線框架的所需區(qū)域上。隨后，可(例如，使用濕法或干法蝕刻)將引線框架蝕刻到預(yù)定深度，從而在某些區(qū)域中部分蝕刻引線框架。
圖5示出根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體管芯封裝的側(cè)剖視圖。如圖5所示，漏極夾101被彎曲約45度角并具有彎曲部分117。該漏極夾101用一層低共熔焊料糊116電氣耦合到半導(dǎo)體管芯108的背側(cè)。漏極夾101具有通過模制材料102暴露的主表面。漏極夾101與漏極引線結(jié)構(gòu)177電氣耦合，該漏極引線結(jié)構(gòu)177具有與漏極夾101的主要部分形成V形的彎曲部分120。低共熔焊料糊118將漏極夾101連接到漏極引線結(jié)構(gòu)120。漏極引線結(jié)構(gòu)120在標號119處被部分蝕刻以允許漏極夾101的彎曲。源極引線結(jié)構(gòu)103的下部也包括部分蝕刻區(qū)113。部分蝕刻的源極引線結(jié)構(gòu)103的用途是允許模制材料流動和完整地保持半導(dǎo)體管芯封裝100并加以保護。通過標號104、107示出半導(dǎo)體管芯封裝100的足印。倒裝芯片焊料凸起115和回流的焊料糊114將源極引線結(jié)構(gòu)103和半導(dǎo)體管芯108電氣耦合在一起。
圖6示出引線框架結(jié)構(gòu)的詳細設(shè)計。隔離的柵極引線112被部分蝕刻以提供足夠的區(qū)域以便模制材料流到其上。源極引線111基本與源極引線結(jié)構(gòu)103的主表面103(a)共面并也可以使用部分蝕刻工藝形成。引線框架的下部分在設(shè)置相鄰表面113的區(qū)域處被部分蝕刻。部分蝕刻的區(qū)域?qū)⒃试S模制材料在模制期間流動。漏極引線結(jié)構(gòu)177具有漏極引線107和彎曲部分120。彎曲部分120是漏極引線結(jié)構(gòu)177耦合到漏極夾(未示出)的位置。漏極引線107也可通過部分蝕刻形成。
圖7示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體管芯封裝的分解示圖。在最終裝配中示出模制材料102，它一起保持半導(dǎo)體管芯封裝中的各種其它部件。如圖所示，金屬化的漏極引線結(jié)構(gòu)177和源極引線結(jié)構(gòu)103用作半導(dǎo)體管芯封裝的漏極和源極端子。如圖7所示，半導(dǎo)體管芯108用焊料凸起且這直接附著到源極引線結(jié)構(gòu)103。漏極夾101可以是成形的銅片，它將半導(dǎo)體管芯108的漏極區(qū)連接到漏極引線結(jié)構(gòu)177。漏極夾101的端部被彎曲45度角以匹配漏極引線結(jié)構(gòu)177的角度彎曲。漏極引線結(jié)構(gòu)177和漏極夾101的有角部分使用焊料糊電氣耦合。雖然以上描述了45度的彎曲角，但可以理解，漏極引線結(jié)構(gòu)177和漏極夾101可以具有任何合適大小的彎曲角。
根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體管芯封裝可以是任何合適的尺寸。例如，封裝尺寸可小于2×2mm2或者可以大于20×20mm2。較佳地，根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體管芯封裝優(yōu)選實際上是立方的。它們有時可稱作“倒裝芯片四方包(flip chip quadpacks)”。
可根據(jù)任何合適的方法制造根據(jù)本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體管芯封裝。在某些實施例中，方法包括提供包括第一表面、第二表面和垂直功率MOSFET的半導(dǎo)體管芯，其中垂直功率MOSFET的柵極區(qū)和源極區(qū)在第一表面處而漏極區(qū)在第二表面處。隨后，源極引線結(jié)構(gòu)被附著到源極區(qū)而柵極引線被附著到柵極區(qū)。含主表面的漏極夾也附著到漏極區(qū)。模制材料被模制于半導(dǎo)體管芯周圍，從而通過模制材料暴露主表面。
圖8示出實例性的過程流程。如圖8所示，具有焊料凸起的半導(dǎo)體管芯使用倒裝芯片管芯附著工藝被附著到半導(dǎo)體管芯封裝中的引線框架(包括將成為源極引線結(jié)構(gòu)、柵極引線結(jié)構(gòu)以及漏極引線結(jié)構(gòu)的部分)(步驟302)。引線框架可以在引線框架陣列中。在焊料凸起附著前，引線框架可以在所需區(qū)域中被部分蝕刻(如上所述)，且可以彎曲引線框架中的一部分漏極引線結(jié)構(gòu)。隨后，執(zhí)行紅外線(IR)回流工藝(步驟304)以回流焊料凸起并建立半導(dǎo)體管芯和源極引線結(jié)構(gòu)之間的電氣連接。
隨后，將漏極夾結(jié)合到半導(dǎo)體管芯(步驟306)。漏極夾和/或半導(dǎo)體管芯可包含一層焊料或一焊料凸起陣列。漏極夾也可用焊料結(jié)合到引線框架中的漏極引線結(jié)構(gòu)。漏極夾也可用焊料結(jié)合到漏極引線結(jié)構(gòu)。這些部件隨后被結(jié)合在一起，且焊料可經(jīng)過回流處理(步驟308)。
接著，可使用膜輔助模制過程將模制材料模制于半導(dǎo)體管芯、引線框架結(jié)構(gòu)和漏極夾周圍。例如，膜可以是帶接到漏極夾的主表面上的一片帶。該帶防止模制材料沉積于漏極夾的主表面上。在帶位于漏極夾上時，模制材料可以模制于半導(dǎo)體管芯、漏極夾和引線框架結(jié)構(gòu)的周圍。可將多余的模制材料從與漏極夾相對的半導(dǎo)體管芯的側(cè)部移除。噴水去毛刺工藝(步驟312)可用于除去多余的模制材料(例如，在柵極引線結(jié)構(gòu)上)。接著，使模制材料硬化。在模制和去毛刺后，除去帶。
激光標記工藝可用于標記所形成的產(chǎn)品(步驟314)。將引線框架與其它引線框架保持在一起的系桿(也連接到源極引線、柵極引線和漏極引線)鋸切，使陣列中的封裝單個化(步驟316)。單個化后封裝的最終形狀因素可以是正方形的，其中所有側(cè)邊都具有模制材料邊緣內(nèi)的引線。隨后，可以測試單個半導(dǎo)體管芯封裝(步驟318)。
這里所采用的術(shù)語和表達用作描述術(shù)語而非限制，且不期望這種術(shù)語和表達的使用排除所示和所描述的特點或其一部分的等效物，可以理解，所要求的本發(fā)明內(nèi)的各種修改都是可以的。例如，上述許多實施例都包括作為分離元件的漏極夾和漏極引線結(jié)構(gòu)。在其它實施例中，漏極夾可包括漏極引線，從而在其它實施例中分開的漏極引線結(jié)構(gòu)是不必要的。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，包括(a)半導(dǎo)體管芯，它包括第一表面、第二表面和垂直功率MOSFET，該垂直功率MOSFET的柵極區(qū)和源極區(qū)位于第一表面而漏極區(qū)位于第二表面；(b)漏極夾，它具有主表面并電氣耦合到漏極區(qū)；(c)柵極引線，它電氣耦合到柵極區(qū)；(d)源極引線，它電氣耦合到源極區(qū)；以及(e)非導(dǎo)電模制材料，它密封半導(dǎo)體管芯，其中漏極夾的主表面通過非導(dǎo)電模制材料而暴露。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，進一步包括漏極引線，它電氣耦合到漏極夾的一端，其中漏極引線的至少一個表面基本與柵極引線的表面以及源極引線的表面共面。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，模制材料具有上表面和下表面，其中上表面基本與漏極夾的主表面共面，其中下表面基本與柵極引線的表面和源極引線的表面共面。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，源極引線結(jié)構(gòu)包括管芯附著墊，其中半導(dǎo)體管芯附著到該管芯附著墊上。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，源極引線是具有主表面的源極引線結(jié)構(gòu)的一部分，其中模制材料具有上表面和下表面，其中上表面基本與漏極夾的主表面共面且下表面基本與柵極引線的表面、源極引線的表面以及源極引線結(jié)構(gòu)的主表面共面，且其中源極引線結(jié)構(gòu)的主表面和漏極夾的主表面形成半導(dǎo)體管芯封裝的外部表面。
6.一種半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，包括(a)半導(dǎo)體管芯，它包括第一表面、第二表面和垂直功率MOSFET，該垂直功率MOSFET的柵極區(qū)和源極區(qū)位于第一表面而漏極區(qū)位于第二表面；(b)漏極夾，它具有主表面并電氣耦合到漏極區(qū)；(c)漏極引線，它電氣耦合到漏極夾的一端；(d)柵極引線，它電氣耦合到柵極區(qū)；(e)源極引線結(jié)構(gòu)，它包括至少一個源極引線和含主表面的突出區(qū)，以及與源極引線結(jié)構(gòu)的主表面相對的管芯附著表面，該管芯附著表面電氣耦合到源極區(qū)；以及(f)非導(dǎo)電模制材料，它密封半導(dǎo)體管芯，其中漏極夾的主表面通過非導(dǎo)電模制材料而暴露。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體管芯，其特征在于，柵極引線的表面、源極引線的表面和源極引線結(jié)構(gòu)的主表面基本共面并通過模制材料暴露。
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體管芯，其特征在于，漏極夾包括銅。
9.一種用于制造半導(dǎo)體管芯封裝的方法，其特征在于，該方法包括(a)提供含第一表面、第二表面和垂直功率MOSFET的半導(dǎo)體管芯，其中垂直功率MOSFET的柵極區(qū)和源極區(qū)位于第一表面而漏極區(qū)位于第二表面；(b)將源極引線結(jié)構(gòu)附著到源極區(qū)并將柵極引線附著到柵極區(qū)；(c)將含主表面的漏極夾附著到漏極區(qū)；(d)將模制材料模制于半導(dǎo)體管芯周圍；從而主表面通過模制材料暴露。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在(b)中，源極引線是源極引線結(jié)構(gòu)的一部分且源極引線結(jié)構(gòu)和柵極引線是引線框架結(jié)構(gòu)的一部分。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，源極引線結(jié)構(gòu)包括管芯附著表面。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，通過蝕刻管芯附著表面周圍的區(qū)域形成源極引線結(jié)構(gòu)。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，進一步包括使用焊料將漏極引線附著到漏極夾上。
全文摘要
一種半導(dǎo)體管芯封裝(100)包括半導(dǎo)體管芯(108)，它包括第一表面、第二表面和垂直功率MOSFET，該垂直功率MOSFET的柵極區(qū)和源極區(qū)位于第一表面而漏極區(qū)位于第二表面。具有主表面(101(a))的漏極夾(101)電氣耦合到漏極區(qū)。柵極引線(112)電氣耦合到柵極區(qū)。源極引線(111)電氣耦合到源極區(qū)。非導(dǎo)電模制材料(102)密封半導(dǎo)體管芯(108)。漏極夾(101)的主表面(101(a))通過非導(dǎo)電模制材料(102)而暴露。
文檔編號H01L23/495GK1685504SQ03823215
公開日2005年10月19日 申請日期2003年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月30日
發(fā)明者R·瑪?shù)吕锏? M·C·Y·坤恩納斯 申請人:費查爾德半導(dǎo)體有限公司