專(zhuān)利名稱(chēng)：電光裝置和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式的電光裝置和電子設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及在基板上的層積結(jié)構(gòu)中包括像素開(kāi)關(guān)用的薄膜晶體管(以下稱(chēng)為T(mén)FT(Thin Film Transistor))形式的電光裝置和具備這樣的電光裝置的投影機(jī)等電子設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在TFT有源矩陣驅(qū)動(dòng)形式的液晶裝置、EL(Electro-Luminescence；場(chǎng)致發(fā)光)顯示裝置等電光裝置中，如果入射光照射到設(shè)置于各像素的像素開(kāi)關(guān)用TFT的溝道區(qū)域，則由光產(chǎn)生的激勵(lì)而產(chǎn)生光漏泄電流，使TFT的特性變化。特別是在投影機(jī)的光閥用電光裝置的情況下，由于入射光的強(qiáng)度大，所以對(duì)TFT的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域進(jìn)行入射光的遮光是重要的。
因此，以往在設(shè)置于對(duì)置基板的各像素中，被構(gòu)成為通過(guò)對(duì)有助于顯示的光透過(guò)或反射的開(kāi)口區(qū)域進(jìn)行規(guī)定的遮光膜，或者通過(guò)TFT之上并且由Al(鋁)等金屬膜構(gòu)成的數(shù)據(jù)線(xiàn)，來(lái)對(duì)相關(guān)的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域進(jìn)行遮光。而且，在TFT陣列基板上像素開(kāi)關(guān)用TFT的下側(cè)，例如還設(shè)置有高熔點(diǎn)金屬構(gòu)成的遮光膜。這樣，如果在TFT的下側(cè)也設(shè)置遮光膜，則可預(yù)先防止來(lái)自TFT陣列基板一側(cè)的背面反射光、或在通過(guò)棱鏡等組合多個(gè)電光裝置構(gòu)成一個(gè)光學(xué)系統(tǒng)的情況下從其他電光裝置穿過(guò)棱鏡等的投射光等的返回光入射到該電光裝置的TFT。
但是，根據(jù)上述的各種遮光技術(shù)，有以下的問(wèn)題。
即，首先，根據(jù)在對(duì)置基板上和TFT陣列基板上形成遮光膜的技術(shù)，在遮光膜和溝道區(qū)域之間，三維地觀(guān)察，例如通過(guò)液晶層、電極、層間絕緣膜等形成相當(dāng)大的間隙，對(duì)于向兩者間傾斜入射的光的遮光不充分。特別是在用作投影機(jī)的光閥的小型電光裝置中，入射光是用透鏡將來(lái)自光源的光縮小的光束，含有不能忽略的傾斜入射的分量。例如，包含從垂直于基板的方向傾斜10度到15度左右的分量10％左右，所以對(duì)這樣的傾斜入射光的遮光不充分成為實(shí)際問(wèn)題。
此外，從沒(méi)有遮光膜的區(qū)域侵入到電光裝置內(nèi)的光，由基板或基板上形成的遮光膜的上表面、數(shù)據(jù)線(xiàn)等反射后，存在這樣的反射光或使其再次由基板或遮光膜、數(shù)據(jù)線(xiàn)等反射的多重反射光最終到達(dá)TFT的溝道區(qū)域的情況。
特別是為了滿(mǎn)足近年來(lái)顯示圖像的高質(zhì)量化的一般需要，與實(shí)現(xiàn)電光裝置的高清晰化或像素間距的微細(xì)化相適應(yīng)，與為了顯示更明亮的圖像而與提高入射光的光亮度相適應(yīng)，根據(jù)上述現(xiàn)有的各種遮光技術(shù)，實(shí)施充分的遮光更加困難，因TFT晶體管特性的變化而產(chǎn)生閃爍等，存在顯示圖像的質(zhì)量下降的問(wèn)題。
再有，為了提高這樣的耐光性，也可考慮簡(jiǎn)單地?cái)U(kuò)大遮光膜的形成區(qū)域，但在這種方案中，提高各像素的開(kāi)口率十分困難，存在顯示圖像變暗的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型鑒于上述問(wèn)題，以提供耐光性?xún)?yōu)良、可進(jìn)行明亮高質(zhì)量的圖像顯示的電光裝置及具備這樣的電光裝置的電子設(shè)備作為課題。
為了解決上述課題，本實(shí)用新型的第1電光裝置在基板上(above)具備像素電極；對(duì)該像素電極進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制的薄膜晶體管；將圖像信號(hào)供給該薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線(xiàn)；將掃描信號(hào)供給該薄膜晶體管的同時(shí)與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)進(jìn)行交叉的掃描線(xiàn)；從上側(cè)覆蓋構(gòu)成所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的上側(cè)遮光膜；以及從下側(cè)覆蓋所述至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的下側(cè)遮光膜；其中，所述上側(cè)遮光膜和所述下側(cè)遮光膜分別在所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述掃描線(xiàn)相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來(lái)的伸出部，從而在對(duì)應(yīng)于所述像素電極的各個(gè)像素的開(kāi)口區(qū)域中規(guī)定切角；所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域內(nèi)；所述上側(cè)遮光膜和所述下側(cè)遮光膜，互相地，在所述伸出部中通過(guò)遮光性的導(dǎo)電材料或直接進(jìn)行連接。
根據(jù)本實(shí)用新型的第1電光裝置，在其工作時(shí)，例如在薄膜晶體管的源極上通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)來(lái)供給圖像信號(hào)，在薄膜晶體管的柵極上通過(guò)掃描線(xiàn)來(lái)供給掃描信號(hào)。于是，例如通過(guò)對(duì)連接到薄膜晶體管的漏極的像素電極由薄膜晶體管進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制，可進(jìn)行有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式的驅(qū)動(dòng)。而且，因?yàn)闃?gòu)成薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的至少溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域，由上側(cè)遮光膜從其上側(cè)覆蓋，所以基本上可以阻止相對(duì)于基板面來(lái)自上方的入射光入射到薄膜晶體管的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域。進(jìn)而，因?yàn)橛上聜?cè)遮光膜從其下側(cè)進(jìn)行覆蓋，所以基本上可以阻止相對(duì)于基板面來(lái)自下方的返回光入射到薄膜晶體管的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域。再有，‘返回光’例如指基板的里面反射、從作為光閥使用多個(gè)該第1電光裝置的多板式投影機(jī)中的其它光閥中射出的穿過(guò)合成光學(xué)系統(tǒng)的光等的，返回到與入射光相反方向上、無(wú)助于顯示的光。
這里，上側(cè)遮光膜和下側(cè)遮光膜分別在數(shù)據(jù)線(xiàn)和掃描線(xiàn)相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來(lái)的伸出部，使得在各像素的開(kāi)口區(qū)域中規(guī)定切角。例如，如果以四角形的開(kāi)口區(qū)域?yàn)榛鶞?zhǔn)，則形成一至四個(gè)切角，可規(guī)定五角形至八角形的開(kāi)口區(qū)域。然后，將溝道區(qū)域配置在有這樣的切角的交叉區(qū)域內(nèi)。因此，與不存在這樣的伸出部的情況相比，通過(guò)分別具有伸出部的上側(cè)遮光膜和下側(cè)遮光膜，可以有效地阻止相對(duì)于基板面從上方垂直或傾斜行進(jìn)的強(qiáng)的入射光和基于該光的內(nèi)面反射光及多重反射光、相對(duì)于基板面從下方垂直或傾斜行進(jìn)的返回光和基于該光的內(nèi)面反射光及多重反射光入射到薄膜晶體管的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域。
進(jìn)而，根據(jù)本實(shí)用新型，上側(cè)遮光膜和下側(cè)遮光膜，相互地，在伸出部中通過(guò)遮光性的導(dǎo)電材料連接或直接連接。因此，配置在交叉區(qū)域的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域從它們的側(cè)方被上側(cè)遮光膜和下側(cè)遮光膜的相互連接的部分局部地包圍。即，通過(guò)這樣從側(cè)方包圍、相互連接的部分，可顯著地提高對(duì)從側(cè)方傾斜比較大的傾斜入射的入射光或返回光的遮光性能。
此外，因?yàn)樯蟼?cè)遮光膜和下側(cè)遮光膜相互連接，可以使兩者為同電位，例如對(duì)于由兩者中一方構(gòu)成的配線(xiàn)，可將另一方作為其冗余配線(xiàn)利用。
這些結(jié)果，可提高各像素的開(kāi)口率，同時(shí)通過(guò)用相互連接的上側(cè)遮光膜和下側(cè)遮光膜從上下左右包圍的立體遮光，可有效地降低薄膜晶體管中的光漏泄電流產(chǎn)生、偏差等引起的顯示不勻或閃爍等，最終可顯示明亮的高質(zhì)量的圖像。同時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)相互連接的上側(cè)遮光膜和下側(cè)遮光膜的冗余配線(xiàn)，例如通過(guò)實(shí)現(xiàn)電容線(xiàn)等的低電阻化，也可進(jìn)一步降低閃爍等。
在本實(shí)用新型的第1電光裝置的一種方式中，所述上側(cè)遮光膜和所述下側(cè)遮光膜通過(guò)接觸孔相互連接；在該接觸孔內(nèi)，形成所述上側(cè)遮光膜或者由所述導(dǎo)電材料形成栓塞。
根據(jù)該方式，可以通過(guò)接觸孔良好地相互電連接上側(cè)遮光膜和下側(cè)遮光膜。而且，通過(guò)在設(shè)置于伸出部的接觸孔內(nèi)配置的上側(cè)遮光膜或構(gòu)成栓塞的遮光性的導(dǎo)電材料，可以從它們的側(cè)方局部地包圍溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域。
或者在本實(shí)用新型的第1電光裝置的另一方式中，所述上側(cè)遮光膜和所述下側(cè)遮光膜通過(guò)對(duì)應(yīng)于所述伸出部的輪廓的截面形狀的貫通溝相互連接，在該貫通溝內(nèi)，由所述上側(cè)遮光膜或所述導(dǎo)電材料形成從側(cè)方與所述溝道區(qū)域相對(duì)的壁。
根據(jù)該方式，通過(guò)貫通溝將上側(cè)遮光膜和下側(cè)遮光膜良好地電氣地相互連接。而且，通過(guò)在對(duì)應(yīng)于伸出部輪廓的截面形狀的貫通溝內(nèi)由上側(cè)遮光膜或遮光性的導(dǎo)電材料形成的壁，可將溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域從它們的側(cè)方局部地更寬范圍地包圍。這樣的貫通溝的截面形狀例如與伸出部的輪廓大致相同，僅小一圈也可以，或者僅大一圈也可以。這里，越大地形成貫通溝，大致地越提高其遮光性能。
在本實(shí)用新型第1電光裝置的另一方式中，對(duì)于所述交叉區(qū)域的各個(gè)區(qū)域，在其四個(gè)角部都設(shè)置有所述伸出部；在該四個(gè)角部的各個(gè)角部中，所述上側(cè)遮光膜和所述下側(cè)遮光膜相互連接。
根據(jù)該方式，通過(guò)在設(shè)置于伸出部的接觸孔、貫通溝等內(nèi)配置的上側(cè)遮光膜或遮光性導(dǎo)電材料，可將溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域從它們的四周包圍，可靠地提高遮光性能。
為了解決上述課題，本實(shí)用新型的第2電光裝置在基板上(above)具備像素電極；對(duì)該像素電極進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制的薄膜晶體管；將圖像信號(hào)供給該薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線(xiàn)；將掃描信號(hào)供給該薄膜晶體管的同時(shí)與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)進(jìn)行交叉的掃描線(xiàn)；從上側(cè)覆蓋構(gòu)成所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的上側(cè)遮光膜；以及從下側(cè)覆蓋所述至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的下側(cè)遮光膜；其中，所述上側(cè)遮光膜和所述下側(cè)遮光膜分別在所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述掃描線(xiàn)相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來(lái)的伸出部，從而在對(duì)應(yīng)于所述像素電極的各個(gè)像素的開(kāi)口區(qū)域中規(guī)定切角；所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域內(nèi)；所述掃描線(xiàn)由所述下側(cè)遮光膜構(gòu)成；所述下側(cè)遮光膜在所述伸出部中通過(guò)遮光性的導(dǎo)電材料連接到所述薄膜晶體管的柵極電極膜或直接連接到所述薄膜晶體管的柵極電極膜。
根據(jù)本實(shí)用新型第2電光裝置，與上述第1電光裝置的情況同樣地進(jìn)行有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式的驅(qū)動(dòng)。而且，因?yàn)闃?gòu)成薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的至少溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域，通過(guò)上側(cè)遮光膜被從其上側(cè)覆蓋，所以基本上可阻止相對(duì)基板面來(lái)自上方的入射光入射到薄膜晶體管的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域。而且，因?yàn)橥ㄟ^(guò)下側(cè)遮光膜從其下側(cè)進(jìn)行覆蓋，所以基本上可阻止相對(duì)基板面來(lái)自下方的返回光入射到薄膜晶體管的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域。
這里特別是上側(cè)遮光膜和下側(cè)遮光膜分別在數(shù)據(jù)線(xiàn)和掃描線(xiàn)相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來(lái)的伸出部，從而在各像素的開(kāi)口區(qū)域中規(guī)定切角。之后，將溝道區(qū)域配置在具有這樣的切角的交叉區(qū)域內(nèi)。因此，通過(guò)分別具有伸出部的上側(cè)遮光膜和下側(cè)遮光膜，可有效阻止入射光、返回光及基于它們的內(nèi)面反射光和多重反射光入射到薄膜晶體管的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域。
進(jìn)而，根據(jù)本實(shí)用新型，掃描線(xiàn)由下側(cè)遮光膜構(gòu)成，而且該下側(cè)遮光膜在伸出部中通過(guò)遮光性的導(dǎo)電材料連接到柵電極膜或直接連接到柵電極膜。因此，配置于交叉區(qū)域內(nèi)的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域從它們的側(cè)方被下側(cè)遮光膜和柵電極膜的相互連接部分局部地包圍。即，通過(guò)這樣從側(cè)方包圍、相互連接的部分，顯著提高對(duì)于從側(cè)方傾斜比較大地斜入射的入射光或返回光的遮光性能。
此外，通過(guò)將下側(cè)遮光膜用于掃描線(xiàn)，可簡(jiǎn)化基板上的層積結(jié)構(gòu)和制造工序。
這些結(jié)果，可提高各像素的開(kāi)口率，同時(shí)通過(guò)將溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域用上側(cè)遮光膜和下側(cè)遮光膜從上到下包圍并且由上側(cè)遮光膜和下側(cè)遮光膜相互連接的部分從左右包圍的立體遮光，可有效地降低薄膜晶體管中的光漏泄電流的產(chǎn)生、偏差等引起的顯示不勻或閃爍等，最終可顯示明亮的高質(zhì)量的圖像。
在本實(shí)用新型第2電光裝置的一種方式中，所述上側(cè)遮光膜和所述柵極電極膜通過(guò)接觸孔相互連接；在該接觸孔內(nèi)，形成所述柵極電極膜或者由所述遮光性的導(dǎo)電材料形成栓塞。
根據(jù)該方式，可以通過(guò)接觸孔將下側(cè)遮光膜和柵電極膜良好地相互電連接。而且，通過(guò)在設(shè)置于伸出部的接觸孔內(nèi)配置的柵電極膜或構(gòu)成栓塞的遮光性的導(dǎo)電材料，可以將溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域從它們的側(cè)方局部地包圍。
在本實(shí)用新型第2電光裝置的另一方式中，所述下側(cè)遮光膜和所述柵極電極膜通過(guò)對(duì)應(yīng)于所述伸出部的輪廓的截面形狀的貫通溝相互連接，在該貫通溝內(nèi)，由所述柵極電極膜或者所述遮光性的導(dǎo)電材料形成從側(cè)方與所述溝道區(qū)域相對(duì)的壁。
根據(jù)該方式，可以通過(guò)貫通溝將下側(cè)遮光膜和柵電極膜良好地相互電連接。而且，在對(duì)應(yīng)于伸出部輪廓的截面形狀的貫通溝內(nèi)通過(guò)由柵電極膜或遮光性的導(dǎo)電材料形成的壁，可以將溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域從它們的側(cè)方局部地更寬范圍地包圍。
在本實(shí)用新型第2電光裝置的另一方式中，對(duì)于所述交叉區(qū)域的各個(gè)區(qū)域，在其四個(gè)角部都設(shè)置有所述伸出部；在該四個(gè)角部的各個(gè)角部中，所述下側(cè)遮光膜和所述柵極電極膜相互連接。
根據(jù)該方式，通過(guò)在伸出部中設(shè)置的接觸孔、貫通溝等內(nèi)配置的柵電極膜或遮光性的導(dǎo)電材料，可將溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域從它們的四周包圍起來(lái)，可靠地提高遮光性能。
在本實(shí)用新型第2電光裝置的另一方式中，所述柵極電極膜沿所述掃描線(xiàn)延長(zhǎng)的同時(shí)，由形成所述掃描線(xiàn)的冗余配線(xiàn)的另一掃描線(xiàn)的一部分構(gòu)成。
根據(jù)該方式，通過(guò)由遮光膜構(gòu)成的掃描線(xiàn)和包含柵電極膜的另一掃描線(xiàn)構(gòu)成的冗余結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)掃描線(xiàn)的低電阻化。進(jìn)而，在掃描線(xiàn)部分?jǐn)嗑€(xiàn)等情況下，也可以有效地阻止將其作為缺陷而表面化。
在本實(shí)用新型第1或第2電光裝置的另一方式中，所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域的中央。
在該方式中，溝道區(qū)域被配置在交叉區(qū)域的中央，特別是僅僅存在切角的部分，從光通過(guò)的各像素的開(kāi)口區(qū)域分離。因此，可高效率地提高對(duì)于溝道區(qū)域的遮光性能。再有，‘配置在交叉區(qū)域的中央’意味著除了在交叉區(qū)域中的重心等中心點(diǎn)上與溝道區(qū)域的中心點(diǎn)一致的情況以外，還包含溝道區(qū)域位于交叉區(qū)域內(nèi)距其邊緣多少靠近其中心點(diǎn)側(cè)的情況。
在本實(shí)用新型第1或第2電光裝置的另一方式中，進(jìn)一步具備電氣連接到所述像素電極的存儲(chǔ)電容；所述上側(cè)遮光膜兼作構(gòu)成所述存儲(chǔ)電容的固定電位側(cè)電容電極或包含該固定電位側(cè)電容電極的電容線(xiàn)。
根據(jù)該方式，通過(guò)存儲(chǔ)電容，可將經(jīng)由薄膜晶體管寫(xiě)入到像素電極的電位與其寫(xiě)入時(shí)間相比長(zhǎng)期地持續(xù)維持。而且，特別是因?yàn)樯蟼?cè)遮光膜兼作構(gòu)成存儲(chǔ)電容的固定電位側(cè)電容電極或電容線(xiàn)，所以與分別制作兩者的情況比較，可簡(jiǎn)化基板上的層積結(jié)構(gòu)和制造方法。這樣的上側(cè)遮光膜，由金屬膜、合金膜、金屬硅化物膜等導(dǎo)電性的遮光膜構(gòu)成即可。
但是，在本實(shí)用新型中制作存儲(chǔ)電容時(shí)，上側(cè)遮光膜也可以兼作存儲(chǔ)電容的像素電位側(cè)電容電極?；蛘?，也可以由導(dǎo)電性的遮光膜構(gòu)成固定電位側(cè)電容電極和像素電位側(cè)電容電極兩者。此外，基板上的這些兩電容電極的上下配置，哪個(gè)在上在下都沒(méi)關(guān)系。
在本實(shí)用新型第1或第2電光裝置的另一方式中，所述伸出部形成在從所述數(shù)據(jù)線(xiàn)離開(kāi)的平面區(qū)域；所述存儲(chǔ)電容也形成在與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)重疊的平面區(qū)域。
根據(jù)該方式，因?yàn)楸荛_(kāi)進(jìn)行上側(cè)遮光膜和下側(cè)遮光膜相互連接的伸出部，有效利用數(shù)據(jù)線(xiàn)的下面制作存儲(chǔ)電容，所以實(shí)現(xiàn)在有限的遮光區(qū)域內(nèi)增大存儲(chǔ)電容。
在本實(shí)用新型第1或第2電光裝置的另一方式中，所述上側(cè)遮光膜的伸出部比所述下側(cè)遮光膜的伸出部大一圈。
根據(jù)該方式，可以有效地防止比普通返回光強(qiáng)的入射光，穿過(guò)上側(cè)遮光膜的旁邊，由下側(cè)遮光膜的表面反射，產(chǎn)生內(nèi)面反射光的情況。
為了解決上述課題，本實(shí)用新型第3電光裝置在基板上具備像素電極；對(duì)該像素電極進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制的薄膜晶體管；將圖像信號(hào)供給該薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線(xiàn)；將掃描信號(hào)供給該薄膜晶體管的同時(shí)與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)進(jìn)行交叉的掃描線(xiàn)；以及從上側(cè)覆蓋構(gòu)成所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域，同時(shí)至少部分地規(guī)定沿所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述掃描線(xiàn)的格子狀的遮光區(qū)域的上側(cè)遮光膜；其中，所述上側(cè)遮光膜在所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述掃描線(xiàn)相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來(lái)的伸出部，從而在對(duì)應(yīng)于所述像素電極的各個(gè)像素的開(kāi)口區(qū)域中規(guī)定切角；所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域內(nèi)。
根據(jù)本實(shí)用新型第3電光裝置，在其工作時(shí)，例如通過(guò)數(shù)據(jù)線(xiàn)向薄膜晶體管的源極供給圖像信號(hào)，通過(guò)掃描線(xiàn)向薄膜晶體管的柵極供給掃描信號(hào)。于是，例如通過(guò)薄膜晶體管來(lái)開(kāi)關(guān)控制連接到薄膜晶體管的漏極上的像素電極，進(jìn)行有源矩陣驅(qū)動(dòng)方式的驅(qū)動(dòng)。而且，因?yàn)闃?gòu)成薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的至少溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域通過(guò)上側(cè)遮光膜被從其上側(cè)覆蓋，所以基本可以阻止相對(duì)基板面來(lái)自上方的入射光入射到薄膜晶體管的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域。
這里，特別是上側(cè)遮光膜在數(shù)據(jù)線(xiàn)和掃描線(xiàn)相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來(lái)的伸出部，從而在各像素的開(kāi)口區(qū)域中規(guī)定切角。例如，如果以四角形的開(kāi)口區(qū)域?yàn)榛鶞?zhǔn)，則形成一至四個(gè)切角，可規(guī)定五角形至八角形的開(kāi)口區(qū)域。然后，將溝道區(qū)域配置在有這樣的切角的交叉區(qū)域內(nèi)。因此，與不存在這樣的伸出部的情況相比，通過(guò)具有伸出部的上側(cè)遮光膜，可以有效地阻止相對(duì)于基板面從上方垂直或傾斜行進(jìn)的強(qiáng)的入射光和基于該光的內(nèi)面反射光及多重反射光等入射到薄膜晶體管的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域。
此外，這樣的上側(cè)遮光膜至少部分地規(guī)定格子狀的遮光區(qū)域，通過(guò)該上側(cè)遮光膜，可以高精度地規(guī)定各像素的非開(kāi)口區(qū)域。
這些的結(jié)果，可提高各像素的開(kāi)口率，同時(shí)可有效地降低薄膜晶體管中的光漏泄電流的產(chǎn)生、偏差等引起的顯示不勻或閃爍等，最終可顯示明亮的高質(zhì)量的圖像。
在本實(shí)用新型第3電光裝置的一種方式中，所述像素電極對(duì)應(yīng)于所述切角具有失去角部的平面形狀。
根據(jù)該方式，對(duì)像素電極也實(shí)施切角，其平面形狀例如為五邊形至八邊形。但是，這種電光裝置中的像素電極一般例如通過(guò)對(duì)ITO(Indium TinOxide)膜進(jìn)行圖案形成而形成。因此，由于多少發(fā)生圖案形成時(shí)抗蝕劑殘留引起的膜殘留，所以在相鄰的像素電極間，優(yōu)選地采用某種程度的間隙。這是因?yàn)樵谙噜徑拥南袼仉姌O間不發(fā)生電氣短路。之后，這樣的膜殘留在基底上容易發(fā)生段差或凹凸大的區(qū)域等?？墒牵谶@種電光裝置中基底上段差或凹凸大的區(qū)域無(wú)非是掃描線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)兩者疊層的交叉區(qū)域。因此，在該方式中，為了在容易產(chǎn)生膜殘留的交叉區(qū)域中根本性地減少局部膜殘留，形成具有取掉對(duì)應(yīng)于該區(qū)域內(nèi)的角的平面形狀的像素電極。即，如果是這樣的平面形狀，在圖案形成時(shí)，難以發(fā)生像素電極間的短路。由此，可使沿從交叉區(qū)域離開(kāi)的數(shù)據(jù)線(xiàn)的遮光區(qū)域部分內(nèi)、沿掃描線(xiàn)的遮光區(qū)域部分內(nèi)的相鄰接的像素電極的間隙變窄而不在兩者間引起短路。因此，通過(guò)使像素電極間的間隙變窄而不降低良品率，實(shí)現(xiàn)像素間距的微細(xì)化，可以促進(jìn)作為本技術(shù)領(lǐng)域中基本要求的顯示圖像的高清晰化。
在本實(shí)用新型第3電光裝置的另一方式中，所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域的中央。
在該方式中，溝道區(qū)域被配置在交叉區(qū)域的中央，特別是僅在存在切角的程度，從光通過(guò)的各像素區(qū)域分離。因此，可高效率地提高對(duì)于溝道區(qū)域的遮光性能。再有，‘配置在交叉區(qū)域的中央’意味著除了在交叉區(qū)域中的重心等中心點(diǎn)上與溝道區(qū)域的中心點(diǎn)一致的情況以外，還包含溝道區(qū)域位于交叉區(qū)域內(nèi)距其邊緣多少靠近其中心點(diǎn)一側(cè)的情況。
在本實(shí)用新型第3電光裝置的另一方式中，進(jìn)一步具備電氣連接到所述像素電極的存儲(chǔ)電容；所述上側(cè)遮光膜兼作構(gòu)成所述存儲(chǔ)電容的固定電位側(cè)電容電極或者包含該固定電位側(cè)電容電極的電容線(xiàn)。
根據(jù)該方式，通過(guò)存儲(chǔ)電容可將經(jīng)由薄膜晶體管寫(xiě)入像素電極的電位與其寫(xiě)入時(shí)間相比長(zhǎng)期地維持。之后，特別是因?yàn)樯蟼?cè)遮光膜兼作構(gòu)成存儲(chǔ)電容的固定電位側(cè)電容電極或電容線(xiàn)，所以與分別制作兩者的情況比較，可簡(jiǎn)化基板上的層積結(jié)構(gòu)和制造方法。這樣的上側(cè)遮光膜，由金屬膜、合金膜、金屬硅化物膜等導(dǎo)電性的遮光膜構(gòu)成即可。
但是，在本實(shí)用新型中制作存儲(chǔ)電容時(shí)，上側(cè)遮光膜也可以兼作存儲(chǔ)電容的像素電位側(cè)電容電極?；蛘?，也可以由導(dǎo)電性的遮光膜構(gòu)成固定電位側(cè)電容電極和像素電位側(cè)電容電極兩者。此外，基板上的這些兩電容電極的上下配置，哪個(gè)在上在下都沒(méi)關(guān)系。
或者在本實(shí)用新型第3電光裝置的另一方式中，進(jìn)一步具備電氣連接到所述像素電極的存儲(chǔ)電容；所述存儲(chǔ)電容形成在所述遮光區(qū)域內(nèi)，還形成在與所述伸出部重疊的區(qū)域。
根據(jù)該方式，因?yàn)檫€有效利用各像素的開(kāi)口區(qū)域一側(cè)伸出來(lái)的伸出區(qū)域的下面來(lái)形成存儲(chǔ)電容，所以可在有限的遮光區(qū)域內(nèi)增大存儲(chǔ)電容。
在本實(shí)用新型第3電光裝置的另一方式中，進(jìn)一步具備從下側(cè)覆蓋所述至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的同時(shí)至少部分地規(guī)定所述格子狀的遮光區(qū)域的下側(cè)遮光膜。
根據(jù)該方式，因?yàn)闃?gòu)成薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的至少溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域，由下側(cè)遮光膜被從其下側(cè)覆蓋，所以可基本上阻止對(duì)基板面來(lái)自下方的返回光和因該光引起的內(nèi)面反射光后多重反射光入射到薄膜晶體管的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域。這里，‘返回光’例如指基板的里面反射、以及從作為光閥使用多個(gè)該電光裝置的多板式投影機(jī)中的另一光閥射出的穿過(guò)合成光學(xué)系統(tǒng)的光等的，在與入射光相反方向上返回的、無(wú)助于顯示的光。
此外，這樣的下側(cè)遮光膜至少部分地規(guī)定格子狀的遮光區(qū)域，通過(guò)同一基板上形成的上側(cè)遮光膜和下側(cè)遮光膜，可高精度地規(guī)定各像素的非開(kāi)口區(qū)域。
在本實(shí)用新型第3電光裝置的另一方式中，所述下側(cè)遮光膜在所述交叉區(qū)域中具有伸出來(lái)的伸出部，從而規(guī)定所述切角。
根據(jù)該方式，與上側(cè)遮光膜同樣，下側(cè)遮光膜在交叉區(qū)域中有規(guī)定切角的伸出部。因此，與不存在這樣的伸出部的情況相比，通過(guò)具有伸出部的下側(cè)遮光膜，可有效地阻止對(duì)基板面從下方垂直或傾斜行進(jìn)的返回光和基于它的內(nèi)面反射光和多重反射光等入射到薄膜晶體管的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域。
在該方式中，可以構(gòu)成為所述下側(cè)遮光膜的平面形狀與所述上側(cè)遮光膜的平面形狀相比，在所述交叉區(qū)域中小一圈。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，可有效地防止比普通返回光強(qiáng)的入射光，穿過(guò)上側(cè)遮光膜的旁邊，由下側(cè)遮光膜的表面反射，產(chǎn)生內(nèi)面反射光的情況。
為了解決上述課題，本實(shí)用新型第4電光裝置在基板上具備像素電極；對(duì)該像素電極進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制的薄膜晶體管；將圖像信號(hào)供給該薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線(xiàn)；將掃描信號(hào)供給該薄膜晶體管的同時(shí)與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)進(jìn)行交叉的掃描線(xiàn)；以及從下側(cè)覆蓋構(gòu)成所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域，同時(shí)至少部分地規(guī)定沿所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述掃描線(xiàn)的格子狀的遮光區(qū)域的下側(cè)遮光膜；其中，所述下側(cè)遮光膜在所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述掃描線(xiàn)相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來(lái)的伸出部，從而在對(duì)應(yīng)于所述像素電極的各個(gè)像素的開(kāi)口區(qū)域中規(guī)定切角；所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域內(nèi)。
根據(jù)本實(shí)用新型第4電光裝置，下側(cè)遮光膜在交叉區(qū)域中具有伸出來(lái)的伸出部，從而在各像素的開(kāi)口區(qū)域中規(guī)定切角。因此，與不存在這樣的伸出部的情況相比，通過(guò)具有伸出部的下側(cè)遮光膜，可有效地阻止對(duì)基板面從下方垂直或傾斜行進(jìn)的返回光和基于該光的內(nèi)面反射光及多重反射光等入射到薄膜晶體管的溝道區(qū)域和其相鄰區(qū)域。
此外，這樣的下側(cè)遮光膜至少部分地規(guī)定格子狀的遮光區(qū)域，通過(guò)該下側(cè)遮光膜，可高精度地規(guī)定各像素的非開(kāi)口區(qū)域。
這些的結(jié)果，可提高各像素的開(kāi)口率，同時(shí)可有效地降低由薄膜晶體管中的光漏泄電流的產(chǎn)生、偏差等引起的顯示不勻或閃爍，最終顯示明亮的高質(zhì)量的圖像。
在本實(shí)用新型第4電光裝置的一種方式中，所述下側(cè)遮光膜由遮光性的導(dǎo)電膜構(gòu)成的同時(shí)與所述掃描線(xiàn)多處連接并且沿所述掃描線(xiàn)延長(zhǎng)，具有作為所述掃描線(xiàn)的冗余配線(xiàn)的功能。
根據(jù)該方式，因?yàn)橛蓪?dǎo)電性的遮光膜構(gòu)成的下側(cè)遮光膜具有作為掃描線(xiàn)的冗余配線(xiàn)的功能，所以可實(shí)現(xiàn)掃描線(xiàn)的低電阻化，換句話(huà)說(shuō)，可縮小掃描線(xiàn)的形成區(qū)域或沿掃描線(xiàn)的遮光區(qū)域部分的寬度。因此，可進(jìn)行更明亮的高質(zhì)量的圖像顯示。
在本實(shí)用新型第1、第2、第3或第4電光裝置的另一方式中，進(jìn)一步具備通過(guò)電光學(xué)物質(zhì)層與所述基板相對(duì)配置的對(duì)置基板；所述開(kāi)口區(qū)域的四角中，至少在所述電光學(xué)物質(zhì)層的工作不良相對(duì)大的一個(gè)或多個(gè)角中，設(shè)置有所述伸出部。
根據(jù)該方式，例如液晶層的定向不良那樣，對(duì)于電光學(xué)物質(zhì)層的工作不良大的角，規(guī)定切角。因此，例如在液晶層的定向不良由于與摩擦方向的關(guān)系不均等地發(fā)生在四角上的情況那樣，在工作不良不均等地發(fā)生在四角上時(shí)，可積極地隱藏該工作不良的區(qū)域。因此，通過(guò)防止各開(kāi)口區(qū)域的角的光透過(guò)等，可有效地提高對(duì)比度。同時(shí)，因?yàn)閷?duì)于工作不良小的角，進(jìn)行正常工作或接近正常的工作，所以通過(guò)不隱藏該部分而作為開(kāi)口區(qū)域的一部分利用，可抑制因存在伸出部造成的各像素的開(kāi)口率的下降。
再有，對(duì)于一個(gè)開(kāi)口區(qū)域，按照工作不良的發(fā)生部位和程度，這樣的伸出部可設(shè)置一個(gè)，也可以設(shè)置兩個(gè)或三個(gè)。
本實(shí)用新型的第1、第2、第3、或第4電光裝置的另一方式中，所述像素電極包含在第1周期用于反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的第1像素電極組和在與該第1周期互補(bǔ)的第2周期用于反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的第2像素電極組的同時(shí)被平面排列在所述第1基板上；所述伸出部，被設(shè)置在以所述交叉區(qū)域的中央為基準(zhǔn)位于所述第1像素電極組一側(cè)的兩個(gè)角，或位于所述第2像素電極組一側(cè)的兩個(gè)角上。
根據(jù)該方式，在其工作時(shí)，存在(i)在反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)，在各時(shí)刻以相互相反極性的驅(qū)動(dòng)電壓驅(qū)動(dòng)的相鄰接的像素電極，以及(ii)在反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)時(shí)，在各時(shí)刻中相互地以相同極性的驅(qū)動(dòng)電壓驅(qū)動(dòng)的相鄰接的像素電極這兩者。如果是例如采用以場(chǎng)單位每行地使驅(qū)動(dòng)電壓的極性反轉(zhuǎn)的1H反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式、以場(chǎng)單位每列地使驅(qū)動(dòng)電壓的極性反轉(zhuǎn)的1H反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式等的反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式的矩陣驅(qū)動(dòng)型的液晶裝置等的第1或第2電光裝置，則存在這兩者。因此，在屬于不同像素電極組的相鄰接的像素電極之間，產(chǎn)生橫電場(chǎng)。可是，在本方式中，以交叉區(qū)域的中央為基準(zhǔn)，在位于第1像素電極組一側(cè)的兩角或位于第2像素電極組一側(cè)的兩角上設(shè)置切角。因此，可以由伸出部遮光交叉區(qū)域附近的產(chǎn)生橫電場(chǎng)的區(qū)域，有效地防止橫電場(chǎng)造成的不良影響表面化或明顯化。這些的結(jié)果，可以以高對(duì)比度進(jìn)行明亮的高質(zhì)量的圖像顯示。
在本實(shí)用新型第1、第2、第3、或第4電光裝置的另一方式中，在所述開(kāi)口區(qū)域的四個(gè)角分別設(shè)置上下左右對(duì)稱(chēng)的伸出部。
根據(jù)該方式，在開(kāi)口區(qū)域的四角分別設(shè)置上下左右對(duì)稱(chēng)的伸出部，各像素的開(kāi)口區(qū)域的平面形狀與不存在伸出部的情況相比，接近圓形或多邊形。其結(jié)果，使用接近圓形或多邊形的平面形狀的開(kāi)口區(qū)域，也可進(jìn)行減低了各開(kāi)口區(qū)域內(nèi)光透過(guò)區(qū)域、工作不良區(qū)域等良好的圖像顯示。特別是在使用圓形或接近圓形的微透鏡時(shí)，如果采用這樣的結(jié)構(gòu)，因?yàn)槭惯m當(dāng)聚光的入射光通過(guò)開(kāi)口區(qū)域通過(guò)的同時(shí)可以遮光沒(méi)有適當(dāng)聚光的入射光，所以是十分有效的。
在本實(shí)用新型第1、第2、第3、或第4電光裝置的另一方式中，在所述基板或與所述基板相對(duì)配置的對(duì)置基板上，還具備與所述像素電極相對(duì)配置的微透鏡。
根據(jù)該方式，入射光通過(guò)微透鏡被導(dǎo)入到靠各像素的開(kāi)口區(qū)域的中央。這里，特別是由微透鏡適當(dāng)聚光的有助于顯示的入射光應(yīng)當(dāng)幾乎不到達(dá)交叉區(qū)域中規(guī)定切角的上側(cè)遮光膜的伸出部。因此，通過(guò)伸出部，因?yàn)榭梢哉诠鉀](méi)有被微透鏡適當(dāng)聚光的光分量，所以維持亮度的同時(shí)實(shí)現(xiàn)圖像質(zhì)量提高。
再有，上述本實(shí)用新型的第1或第2電光裝置，例如，可構(gòu)筑為液晶裝置，也可構(gòu)筑為EL顯示裝置。
在本實(shí)用新型第1或第2電光裝置的另一方式中，所述上側(cè)遮光膜至少部分地規(guī)定沿所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述掃描線(xiàn)的格子狀的遮光區(qū)域。
根據(jù)該方式，通過(guò)上側(cè)遮光膜，可以高精度規(guī)定各像素的非開(kāi)口區(qū)域。特別是與通過(guò)對(duì)置基板一側(cè)的遮光膜來(lái)規(guī)定非開(kāi)口區(qū)域的情況相比，因?yàn)樽柚挂騼苫遒N合時(shí)的組裝偏移的影響而降低開(kāi)口率，進(jìn)而，可以接近薄膜晶體管對(duì)其遮光，所以是非常有利的。
再有，也可以構(gòu)成為通過(guò)下側(cè)遮光膜，至少部分地規(guī)定沿?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)和掃描線(xiàn)的格子狀的遮光區(qū)域。
在本實(shí)用新型第3或第4電光裝置的另一方式中，在平面地看重疊于所述伸出部的區(qū)域中，配置所述薄膜晶體管的漏電極。
根據(jù)該方式，利用平面地看重疊在所述伸出部的遮光區(qū)域，可以設(shè)置薄膜晶體管的漏電極，通過(guò)漏電極的存在，可構(gòu)成為不縮小各像素的開(kāi)口區(qū)域。
再有，上述本實(shí)用新型的電光裝置，例如可構(gòu)筑為液晶裝置，也可以構(gòu)筑為EL顯示裝置。
為了解決上述課題，本實(shí)用新型的電子設(shè)備包括上述本實(shí)用新型第1、第2、第3、或第4電光裝置(其中，也包括其各種方式)。
因?yàn)楸緦?shí)用新型的電子設(shè)備具備上述本實(shí)用新型第1、第2、第3、或第4電光裝置，所以可實(shí)現(xiàn)能夠進(jìn)行明亮高質(zhì)量的圖像顯示的投射型顯示裝置、液晶電視、便攜電話(huà)、電子筆記薄、文字處理機(jī)、取景器型或監(jiān)視直視型的錄像機(jī)、工作站、電視電話(huà)、POS終端、觸摸面板等各種電子設(shè)備。
本實(shí)用新型的這樣的作用和其他優(yōu)點(diǎn)從以下說(shuō)明的實(shí)施方式中將變得明顯。


圖1是表示在構(gòu)成本實(shí)用新型實(shí)施方式的電光裝置中的圖像顯示區(qū)域的矩陣狀的多個(gè)像素中設(shè)置的各種元件、配線(xiàn)等的等效電路的示意圖。
圖2是形成有第1實(shí)施方式的電光裝置中的數(shù)據(jù)線(xiàn)、掃描線(xiàn)、像素電極等的TFT陣列基板的相鄰接的多個(gè)像素組的平面圖。
圖3是圖2的A-A’剖面圖。
圖4是圖2的B-B’剖面圖。
圖5是形成有第2實(shí)施方式的電光裝置中的數(shù)據(jù)線(xiàn)、掃描線(xiàn)、像素電極等的TFT陣列基板的相鄰的多個(gè)像素組的平面圖。
圖6是圖5的B-B’剖面圖。
圖7是第3實(shí)施方式的電光裝置中的對(duì)應(yīng)于圖2的B-B’斷面的部位的剖面圖。
圖8是形成有實(shí)施方式的電光裝置中的數(shù)據(jù)線(xiàn)、掃描線(xiàn)、像素電極等的TFT陣列基板的相鄰接的多個(gè)像素組的平面圖。
圖9是圖8的A-A’剖面圖。
圖10是選取表示比較例中的像素電極的平面圖案的局部平面圖。
圖11是選取表示實(shí)施方式中的像素電極的平面圖案的局部平面圖。
圖12是表示在實(shí)施方式中可采用的像素電極的平面圖案的變形方式的局部平面圖。
圖13是表示在實(shí)施方式中可采用的像素電極的平面圖案的變形方式的局部平面圖。
圖14是表示在實(shí)施方式中可采用的對(duì)置基板一側(cè)的遮光膜的平面圖案的變形方式的局部平面圖。
圖15是表示在實(shí)施方式中可采用的對(duì)置基板一側(cè)的遮光膜的平面圖案的變形方式的局部平面圖。
圖16是表示在實(shí)施方式中可采用的對(duì)置基板一側(cè)的遮光膜的平面圖案的變形方式的局部平面圖。
圖17是表示在實(shí)施方式中可采用的對(duì)置基板一側(cè)的遮光膜的平面圖案的變形方式的局部平面圖。
圖18是表示在實(shí)施方式中可采用的對(duì)置基板一側(cè)的遮光膜的平面圖案的變形方式的局部平面圖。
圖19是表示在實(shí)施方式中可采用的對(duì)置基板一側(cè)的遮光膜的平面圖案的變形方式的局部平面圖。
圖20是表示在實(shí)施方式中可采用的對(duì)置基板一側(cè)的遮光膜的平面圖案的變形方式的局部平面圖。
圖21是表示在實(shí)施方式中可采用的對(duì)置基板一側(cè)的遮光膜的平面圖案的變形方式的局部平面圖。
圖22從對(duì)置基板一側(cè)看實(shí)施方式的電光裝置中TFT陣列基板和在其上形成的各構(gòu)成要件的平面圖。
圖23是圖22的H-H’剖面圖。
圖24是表示作為本實(shí)用新型的電子設(shè)備實(shí)施方式一例的彩色液晶投影機(jī)的圖式剖面圖。
具體實(shí)施方式
以下，根據(jù)附圖來(lái)說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施方式。以下的實(shí)施方式是將本實(shí)用新型的電光裝置應(yīng)用于液晶裝置的方式。
第1實(shí)施方式首先，參照?qǐng)D1至圖4來(lái)說(shuō)明本實(shí)用新型的電光裝置的像素部的結(jié)構(gòu)。圖1是在構(gòu)成電光裝置中的圖像顯示區(qū)域的矩陣狀形成的多個(gè)像素中的各種元件、配線(xiàn)的等效電路。圖2是形成有數(shù)據(jù)線(xiàn)、掃描線(xiàn)、像素電極等的TFT陣列基板的相鄰接的多個(gè)像素組的平面圖。圖3是圖2的A-A’剖面圖，圖4是圖2的B-B’剖面圖。再有，在圖3和圖4中，為了將各層和各部件在圖面上設(shè)置為可識(shí)別程度的大小，對(duì)各層和各部件的每一個(gè)采用不同的比例尺。
在圖1中，在構(gòu)成本實(shí)施方式的電光裝置的圖像顯示區(qū)域的矩陣狀形成的多個(gè)像素中，分別形成像素電極9a和用于對(duì)該像素電極9a進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制的TFT30，將供給圖像信號(hào)的數(shù)據(jù)線(xiàn)6a電連接到該TFT30的源極。寫(xiě)入數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的圖像信號(hào)S1、S2、…、Sn可以依次按線(xiàn)順序地供給，也可以對(duì)于相鄰接的多個(gè)數(shù)據(jù)線(xiàn)6a之間，供給每個(gè)組。此外，將掃描線(xiàn)3a電連接到TFT30的柵極，構(gòu)成為以規(guī)定的定時(shí)對(duì)掃描線(xiàn)3a依次線(xiàn)順序地施加脈沖掃描信號(hào)G1、G2、…、Gm。將像素電極9a電連接到TFT30的漏極，通過(guò)使作為開(kāi)關(guān)元件的TFT30僅在一定時(shí)間關(guān)閉其開(kāi)關(guān)，以規(guī)定的定時(shí)寫(xiě)入從數(shù)據(jù)線(xiàn)6a供給的圖像信號(hào)S1、S2、…、Sn。通過(guò)像素電極9a寫(xiě)入到作為電光學(xué)物質(zhì)一例的液晶上的規(guī)定電平的圖像信號(hào)S1、S2、…、Sn在與對(duì)置基板(將后述)上形成的對(duì)置電極(將后述)之間保持一定時(shí)間。液晶通過(guò)因施加的電壓電平而變化分子集合的取向、次序等，對(duì)光進(jìn)行調(diào)制，可以進(jìn)行色調(diào)顯示。如果是常白模式，則按照在像素單位施加的電壓來(lái)減少對(duì)入射光的透過(guò)率，如果是常黑模式，則按照在各像素單位施加的電壓來(lái)增加對(duì)入射光的透過(guò)率，作為整體，從電光裝置射出具有對(duì)應(yīng)于圖像信號(hào)的對(duì)比度的光。這里，為了防止保持的圖像信號(hào)漏泄，與在像素電極9a和對(duì)置電極之間形成的液晶電容并聯(lián)地附加存儲(chǔ)電容70。使存儲(chǔ)電容70形成在TFT30的漏極區(qū)域和電容線(xiàn)300之間。
在圖2中，在電光裝置的TFT陣列基板上，矩陣狀地設(shè)置多個(gè)透明的像素電極9a(通過(guò)虛線(xiàn)部9a’來(lái)表示其輪廓)，分別沿像素電極9a的縱橫邊界設(shè)置數(shù)據(jù)線(xiàn)6a和掃描線(xiàn)3a。
在半導(dǎo)體層1a中配置掃描線(xiàn)3a使得對(duì)置于圖中右上的細(xì)斜線(xiàn)區(qū)域所示的溝道區(qū)域1a′，掃描線(xiàn)3a具有作為柵電極的功能。特別是在本實(shí)施方式中，掃描線(xiàn)3a寬幅度地形成在成為該柵電極的部分中。這樣，分別在掃描線(xiàn)3a和數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的交叉的部位，設(shè)置在溝道區(qū)域1a′中將掃描線(xiàn)3a作為柵電極相對(duì)配置的像素開(kāi)關(guān)用TFT30。
如圖2和圖3所示，電容線(xiàn)300形成在掃描線(xiàn)3a上。電容線(xiàn)300包含平面地看沿掃描線(xiàn)3a條狀延伸的本線(xiàn)部、以及從掃描線(xiàn)3a和數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的交點(diǎn)的該本線(xiàn)部沿?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)6a在圖2中上下突出的突出部。
電容線(xiàn)300，例如由包含金屬或合金的導(dǎo)電性的遮光膜構(gòu)成，構(gòu)成上側(cè)遮光膜的一例的同時(shí)具有作為固定電位側(cè)電容電極的功能。電容線(xiàn)300，例如由包含Ti(鈦)、Cr(鉻)、W(鎢)、Ta(鉭)、Mo(鉬)等高熔點(diǎn)金屬中的至少一種的，金屬單體、合金、金屬硅化物、聚硅化物、層積它們的物質(zhì)等構(gòu)成。電容線(xiàn)300也可以包含Al(鋁)、Ag(銀)、Au(金)、Cu(銅)等其他金屬?；蛘?，電容線(xiàn)300，例如也可以具有層積了導(dǎo)電性的多晶硅膜等構(gòu)成的第1膜和由包含高熔點(diǎn)金屬的金屬硅化物膜等構(gòu)成的第2膜的多層結(jié)構(gòu)。
另一方面，相對(duì)于電容線(xiàn)300，通過(guò)電介質(zhì)膜75相對(duì)配置的中繼層71具有作為存儲(chǔ)電容70的像素電位側(cè)電容電極的功能，而且，具有將像素電極9a和TFT30的高濃度漏極區(qū)域1e作為中繼連接的中間導(dǎo)電層的功能。
這樣，在本實(shí)施方式中，通過(guò)將連接到TFT30的高濃度漏極區(qū)域1e和像素電極9a的作為像素電位側(cè)電容電極的中繼層71、以及作為固定電位側(cè)電容電極的電容線(xiàn)300的一部分，以電介質(zhì)膜75介于中間相對(duì)配置，從而構(gòu)筑存儲(chǔ)電容70。
之后，通過(guò)將圖2中縱方向上分別伸展的數(shù)據(jù)線(xiàn)6a和圖2中橫方向上分別伸展的電容線(xiàn)300相交叉形成，在TFT陣列基板10上的TFT30的上側(cè)，構(gòu)成平面地看格子狀的上側(cè)遮光膜，規(guī)定各像素的開(kāi)口區(qū)域。
另一方面，在TFT陣列基板10上的TFT30的下側(cè)，格子狀地設(shè)置下側(cè)遮光膜11a。有關(guān)下側(cè)遮光膜11a，也與電容線(xiàn)300同樣，由各種金屬膜等形成。
特別在本實(shí)施方式中，電容線(xiàn)300，在這樣的格子狀的遮光區(qū)域中掃描線(xiàn)3a和數(shù)據(jù)線(xiàn)6a進(jìn)行交叉的交叉區(qū)域中，具有在各像素的開(kāi)口區(qū)域中規(guī)定切角的伸出部401。而且，對(duì)應(yīng)于規(guī)定這樣的切角的伸出部401，下側(cè)遮光膜11a在該交叉區(qū)域中也具有規(guī)定各像素開(kāi)口區(qū)域中切角的伸出部411。有關(guān)這樣的伸出部401和411的結(jié)構(gòu)和作用效果，后面將參照?qǐng)D4詳細(xì)論述。
另外在圖3中，在作為電容電極的中繼層71和電容線(xiàn)300之間配置的電介質(zhì)膜75，例如由膜厚5～200nm左右的比較薄的HTO膜、LTO膜等的氧化硅膜、或氮化硅膜等構(gòu)成。從增大存儲(chǔ)電容70的觀(guān)點(diǎn)來(lái)看，在可充分獲得膜的可靠性的限制中，電介質(zhì)膜75越薄越好。
如圖2和圖3所示，像素電極9a，通過(guò)中繼層71進(jìn)行中繼，經(jīng)由接觸孔83和85被電連接到半導(dǎo)體層1a中高濃度漏極區(qū)域1e。這樣，如果將中繼層71用作中繼層，則即使層間距離例如增長(zhǎng)到2000nm左右，也可以避免用一個(gè)接觸孔連接兩者間的技術(shù)上的困難性，并且可用直徑比較小的兩個(gè)以上的串聯(lián)的接觸孔對(duì)兩者間良好地進(jìn)行連接，可提高像素開(kāi)口率，還起到防止接觸孔開(kāi)孔時(shí)的蝕刻穿透的作用。
另一方面，數(shù)據(jù)線(xiàn)6a，通過(guò)接觸孔81，例如電連接到由多晶硅膜構(gòu)成的半導(dǎo)體層1a中高濃度源極區(qū)域1d。再有，也可以通過(guò)中繼層對(duì)數(shù)據(jù)線(xiàn)6a和高濃度源極區(qū)域1a進(jìn)行中繼連接。
電容線(xiàn)300從配置有像素電極9a的圖像顯示區(qū)域向其周?chē)由煸O(shè)置，通過(guò)與恒定電位源電連接而設(shè)為固定電位。作為這樣的恒定電位源，可以是向?qū)⒂糜隍?qū)動(dòng)TFT30的掃描信號(hào)供給掃描線(xiàn)3a的掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路(將后述)、控制將圖像信號(hào)供給數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的采樣電路的數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路(將后述)提供正電源、負(fù)電源的恒定電位源，也可以是向?qū)χ没?0的對(duì)置電極21提供的恒定電位。
特別是在本實(shí)施方式中，這樣構(gòu)成的電容線(xiàn)300和下側(cè)遮光膜11a，通過(guò)接觸孔601被相互連接，下側(cè)遮光膜11a具有作為電容線(xiàn)300的冗余配線(xiàn)的功能。由此，可以實(shí)現(xiàn)電容線(xiàn)300的低電阻化，還可阻止電容線(xiàn)300的局部斷線(xiàn)、不良等造成裝置整體的不良化。有關(guān)這樣的接觸孔601的結(jié)構(gòu)和作用效果，后面將參照?qǐng)D4詳細(xì)論述。
此外，通過(guò)與電容線(xiàn)300連接，使下側(cè)遮光膜11a下降至固定電位。因此，還可避免下側(cè)遮光膜11a的電位變動(dòng)對(duì)TFT30產(chǎn)生不良影響。
在圖2和圖3中，電光裝置具備透明的TFT陣列基板10、以及與其相對(duì)配置的透明的對(duì)置基板20。TFT陣列基板10，例如由石英基板、玻璃基板、硅基板構(gòu)成，對(duì)置基板20，例如由玻璃基板、石英基板等構(gòu)成。
如圖3所示，在TFT陣列基板10，設(shè)置像素電極9a，在其上側(cè)設(shè)置實(shí)施了摩擦處理等規(guī)定的取向(定向)處理的取向膜16。像素電極9a例如由ITO(Indium Tin Oxide；氧化銦錫)膜等透明導(dǎo)電性膜構(gòu)成。而取向膜16例如由聚酰亞胺膜等有機(jī)膜構(gòu)成。
另一方面，在對(duì)置基板20中，在遍及其整個(gè)面上設(shè)置對(duì)置電極21，在其下側(cè)設(shè)置實(shí)施了摩擦處理等規(guī)定的定向處理的取向膜22。對(duì)置電極21例如由ITO膜等透明導(dǎo)電性膜構(gòu)成。而取向膜22由聚酰亞胺膜等有機(jī)膜構(gòu)成。
在使這樣構(gòu)成的像素電極9a和對(duì)置電極21面對(duì)配置的TFT陣列基板10和對(duì)置基板20之間，在由后述的密封材料包圍的空間中封入作為電光學(xué)物質(zhì)一例的液晶，形成液晶層50。液晶層50，在不施加來(lái)自像素電極9a的電場(chǎng)的狀態(tài)下，由取向膜16和22取得規(guī)定的取向狀態(tài)。液晶層50，例如由混合了一種或多種向列式液晶的液晶構(gòu)成。密封材料是用于使TFT陣列基板10和對(duì)置基板20在其周邊貼合在一起的，例如由光固化性樹(shù)脂、熱固化性樹(shù)脂等構(gòu)成的粘結(jié)劑，混入有用于使兩基板間的距離成為固定值的玻璃纖維或玻璃小珠等間隔材料。
而且，在像素開(kāi)關(guān)用TFT30的下面，設(shè)置有基底絕緣膜12?；捉^緣膜12除了從下側(cè)遮光膜11a對(duì)TFT30進(jìn)行層間絕緣的功能以外，還具有通過(guò)形成在TFT陣列基板10的整個(gè)面上，防止TFT陣列基板10的表面研磨時(shí)的破裂、以及因清洗后殘留的污物等而改變像素開(kāi)關(guān)用TFT30特性的功能。
在圖3中，像素開(kāi)關(guān)用TFT30具有LDD(Lightly Doped Drain；輕摻雜漏極)結(jié)構(gòu)，具備掃描線(xiàn)3a、由來(lái)自該掃描線(xiàn)3a的電場(chǎng)形成溝道的半導(dǎo)體層1a的溝道區(qū)域1a′、包含將掃描線(xiàn)3a與半導(dǎo)體層1a絕緣的柵絕緣膜的絕緣膜2、半導(dǎo)體層1a的低濃度源極區(qū)域1b和低濃度漏極區(qū)域1c、半導(dǎo)體層1a的高濃度源極區(qū)域1d以及高濃度漏極區(qū)域1e。
在掃描線(xiàn)3a上，形成有分別開(kāi)孔了通向高濃度源極區(qū)域1d的接觸孔81和通向高濃度漏極區(qū)域1e的接觸孔83的第1層間絕緣膜41。
在第1層間絕緣膜41上形成中繼層71和電容線(xiàn)300，在它們之上，形成有分別開(kāi)孔了接觸孔81和接觸孔85的第2層間絕緣膜42。
在第2層間絕緣膜42上形成數(shù)據(jù)線(xiàn)6a，在它們之上，形成有形成了通向中繼層71的接觸孔85的第3層間絕緣膜43。將像素電極9a設(shè)置在這樣構(gòu)成的第3層間絕緣膜43的上面。
這里，參照?qǐng)D4，說(shuō)明電容線(xiàn)300的伸出部401和下側(cè)遮光膜11a的411及接觸孔601的結(jié)構(gòu)。
在圖4中，伸出部401和伸出部411，通過(guò)接觸孔601被相互連接。而且，在接觸孔601內(nèi)，與伸出部401相同由構(gòu)成電容線(xiàn)300的上述遮光性的各種金屬材料等填充。因此，如圖2和圖4所示，溝道區(qū)域1a′和其相鄰區(qū)域，通過(guò)由遮光性材料填充的接觸孔601，構(gòu)筑成被從側(cè)方四周包圍的結(jié)構(gòu)。同時(shí)，溝道區(qū)域1a′和其相鄰區(qū)域，通過(guò)包含伸出部401的電容線(xiàn)300和包含伸出部411的遮光膜11a，構(gòu)筑為被從上下包圍的結(jié)構(gòu)。
根據(jù)以上參照?qǐng)D1至圖4說(shuō)明的本實(shí)施方式，溝道區(qū)域1a′和其相鄰區(qū)域(即圖2和圖3所示的低濃度源極區(qū)域1b及低濃度漏極區(qū)域1c)，從上側(cè)被作為上側(cè)遮光膜的電容線(xiàn)300和數(shù)據(jù)線(xiàn)6a覆蓋。因此，通過(guò)作為上側(cè)遮光膜的電容線(xiàn)300和數(shù)據(jù)線(xiàn)6a，可以提高對(duì)于來(lái)自垂直于TFT陣列基板10的方向的入射光的遮光。另一方面，溝道區(qū)域1a′和其相鄰區(qū)域從下側(cè)由下側(cè)遮光膜11a覆蓋。因此，通過(guò)下側(cè)遮光膜11a，可以提高對(duì)于TFT陣列基板10的里面反射光、將多個(gè)電光裝置用作光閥的多板式的投影機(jī)中的從其他電光裝置射出的穿過(guò)合成光學(xué)系統(tǒng)的光等的返回光的遮光。
這里，入射光包含對(duì)TFT陣列基板10從傾斜方向入射的斜射光。例如，存在包含10％左右入射角從垂直偏移至10度～15度的分量的情況。而且，這樣的斜射光被形成在TFT陣列基板10上的下側(cè)遮光膜11a的上面反射，在該電光裝置內(nèi)，生成斜射的內(nèi)面反射光。并且，這樣的斜射內(nèi)面反射光被該電光裝置內(nèi)的另一界面反射，生成斜射的多重反射光。特別是入射光與返回光相比強(qiáng)很多，基于這樣的入射光的斜射的內(nèi)面反射光和多重反射光也是強(qiáng)的。此外，對(duì)于返回光來(lái)說(shuō)，包含從傾斜方向入射的光，也產(chǎn)生基于該光的內(nèi)面反射光和多重反射光。
可是，特別是在本實(shí)施方式中，電容線(xiàn)300，在交叉區(qū)域中具有在各像素的開(kāi)口區(qū)域中規(guī)定切角的伸出部401(參照?qǐng)D2)。同樣，下側(cè)遮光膜11a在交叉區(qū)域中具有在各像素開(kāi)口區(qū)域中規(guī)定切角的伸出部411(參照?qǐng)D2)。而且，溝道區(qū)域1a′被配置在交叉區(qū)域內(nèi)的中央，從入射光通過(guò)或返回光入射的各像素的開(kāi)口區(qū)域分離僅僅切角存在的程度。因此，因存在伸出部401和411，使對(duì)于溝道區(qū)域1a′和其相鄰區(qū)域的遮光性能得到極大提高。即，與不存在伸出部401和411的情況相比，可以有效地阻止傾斜行進(jìn)的強(qiáng)的入射光、返回光等、進(jìn)而基于它們的內(nèi)面反射光和多重反射光等入射到溝道區(qū)域1a′和其相鄰區(qū)域。
而且，特別是本實(shí)施方式中，如圖2和圖4所示，溝道區(qū)域1a′和其相鄰區(qū)域，通過(guò)用遮光性材料填充的接觸孔601被從側(cè)方包圍。因此，通過(guò)由遮光性導(dǎo)電材料填充的接觸孔601，可顯著提高對(duì)從側(cè)方傾斜比較大地傾斜入射的入射光或返回光的遮光性能。
此時(shí)優(yōu)選地，上側(cè)伸出部401比下側(cè)伸出部411大一圈。由此，可以有效防止比普通返回光強(qiáng)大的入射光穿過(guò)上側(cè)伸出部401旁邊兒并由下側(cè)伸出部411的內(nèi)面反射，發(fā)生內(nèi)面反射光的情況。
此外，在本實(shí)施方式中，特別是通過(guò)將下側(cè)遮光膜11a用作電容線(xiàn)300的冗余配線(xiàn)，實(shí)現(xiàn)電容線(xiàn)300的低電阻化。
根據(jù)以上參照?qǐng)D1至圖4說(shuō)明的本實(shí)施方式，通過(guò)晶體管特性?xún)?yōu)良的像素開(kāi)關(guān)用TFT30，降低顯示不勻、閃爍等，實(shí)現(xiàn)可進(jìn)行明亮高清晰或高質(zhì)量的圖像顯示的電光裝置。
再有，如圖4所示，在本實(shí)施方式中，雖然接觸孔601由與作為上側(cè)遮光膜的電容線(xiàn)300相同的材料來(lái)填充，但也可以由其他遮光性的導(dǎo)電材料在接觸孔601內(nèi)形成栓塞。
此外，在本實(shí)施方式中，如圖2所示，在開(kāi)口區(qū)域的四角上分別設(shè)置有上下左右對(duì)稱(chēng)的伸出部401和411。因此，各像素的開(kāi)口區(qū)域的平面形狀，與不存在伸出部401和411的情況比較，接近圓形或多邊形。因此，對(duì)于TFT30，可以進(jìn)行對(duì)四方采取平衡的遮光，可進(jìn)行在各開(kāi)口區(qū)域內(nèi)降低漏光區(qū)域、工作不良區(qū)域的良好的圖像顯示。
特別是在將各開(kāi)口區(qū)域的入射光主要聚光成圓形的微透鏡設(shè)置在該電光裝置的對(duì)置基板20一側(cè)或TFT陣列基板10一側(cè)時(shí)，按照與聚光的光形狀的關(guān)系，這樣對(duì)四角進(jìn)行切角并使各像素的開(kāi)口區(qū)域接近圓形的方式是有利的。更具體地說(shuō)，如果設(shè)置微透鏡，則入射光通過(guò)微透鏡被導(dǎo)入到大致各像素的開(kāi)口區(qū)域的中央。這里，因?yàn)橛晌⑼哥R適當(dāng)聚光的有助于顯示的入射光被聚光，所以幾乎不到達(dá)伸出部401和411。因此，通過(guò)伸出部401和411，可以對(duì)沒(méi)有被微透鏡適當(dāng)聚光的光分量進(jìn)行遮光。特別是陣列狀相鄰接的微透鏡的邊界中相對(duì)交叉區(qū)域的部分在透鏡的性質(zhì)上聚光特性差。因此，在交叉區(qū)域附近存在局部地使遮光區(qū)域增加的伸出部401和411，對(duì)通過(guò)聚光特性差的微透鏡部分的光進(jìn)行遮光，換句話(huà)說(shuō)，從隱藏聚光特性差的微透鏡部分的意義來(lái)看，也有重要意義。
但是，在本實(shí)施方式中，在各像素的開(kāi)口區(qū)域的四角中，也可以對(duì)一個(gè)、兩個(gè)或三個(gè)角設(shè)置伸出部。而且，在本實(shí)施方式中，在四角中，也可以對(duì)一個(gè)、兩個(gè)或三個(gè)角設(shè)置接觸孔。即使是任何一種情況，與沒(méi)有設(shè)置任何伸出部或沒(méi)有設(shè)置任何接觸孔的情況比較，可以期待相應(yīng)的遮光性能的提高。
特別地，也可以不這樣在所有四角上設(shè)置伸出部401和411，而在四角中液晶層50的定向不良相對(duì)大的一個(gè)或多個(gè)角上，設(shè)置伸出部401、伸出部411等。例如，也可以?xún)H對(duì)于在液晶層50的定向不良按照取向膜16和22與摩擦方向的關(guān)系成為最顯著的角，設(shè)置這樣的伸出部401、伸出部411等。由此，可以抑制非開(kāi)口區(qū)域過(guò)度地?cái)U(kuò)寬的同時(shí)通過(guò)隱藏液晶層50的定向不良，可以有效地提高對(duì)比度。
再有，例如在采用每行地以場(chǎng)單位使驅(qū)動(dòng)電壓的極性反轉(zhuǎn)的1H反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式、每列地以場(chǎng)單位使驅(qū)動(dòng)電壓的極性反轉(zhuǎn)的1S反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式等的反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式的情況下，在屬于不同的像素電極組的相鄰接的像素電極(即施加相反極性的電位的相鄰接的像素電極)之間，產(chǎn)生橫電場(chǎng)。這樣的情況下，不在各像素的所有四角上設(shè)置伸出部401和411，而在交叉區(qū)域附近的產(chǎn)生橫電場(chǎng)的區(qū)域中設(shè)置伸出部，通過(guò)用這些伸出部進(jìn)行遮光，也可以防止橫電場(chǎng)造成的不良影響表面化或明顯化。
在以上說(shuō)明的實(shí)施方式中，如圖3和圖4所示，也可以在對(duì)置基板20一側(cè)，在各像素的開(kāi)口區(qū)域以外的區(qū)域中格子狀或條狀地形成遮光膜23。通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)，與上述那樣構(gòu)成上側(cè)遮光膜的電容線(xiàn)300和數(shù)據(jù)線(xiàn)6a一同通過(guò)該對(duì)置基板20一側(cè)的遮光膜23，可以更可靠地阻止來(lái)自對(duì)置基板20一側(cè)的入射光侵入到溝道區(qū)域1a′和其相鄰區(qū)域。而且，對(duì)置基板側(cè)的遮光膜23，通過(guò)將至少被入射光照射的面用高反射的膜形成，具有防止電光裝置的溫度上升的作用。再有，這樣的對(duì)置基板20側(cè)的遮光膜，優(yōu)選地，平面地看形成在位于由電容線(xiàn)300和數(shù)據(jù)線(xiàn)6a構(gòu)成的遮光層的內(nèi)側(cè)。由此，通過(guò)對(duì)置基板20側(cè)的遮光膜，獲得這樣的遮光和防止溫度上升而不降低各像素的開(kāi)口率的效果。
在以上說(shuō)明的實(shí)施方式中，伸出部401和411形成在從數(shù)據(jù)線(xiàn)6a離開(kāi)的平面區(qū)域中，存儲(chǔ)電容70也形成在重疊于數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的平面區(qū)域中。因此，有效利用了數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的下面，實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)電容70的增大。
在以上說(shuō)明的實(shí)施方式中，通過(guò)在TFT陣列基板10中挖溝，或在基底絕緣膜12、第1層間絕緣膜41、第2層間絕緣膜42、第3層間絕緣膜43中挖溝，將數(shù)據(jù)線(xiàn)6a等配線(xiàn)、TFT30等埋入，對(duì)沿像素電極9a的基底面中的數(shù)據(jù)線(xiàn)6a、掃描線(xiàn)3a等的區(qū)域中產(chǎn)生的段差進(jìn)行平坦化處理。或者，通過(guò)對(duì)第3層間絕緣膜43、第2層間絕緣膜42等的上面的段差用CMP(Chemical Mechanical Polishing；化學(xué)機(jī)械研磨)處理等進(jìn)行研磨，或通過(guò)使用有機(jī)SOG(Spin On Glass)平坦地進(jìn)行形成，也可以進(jìn)行該平坦化處理。
再有，接觸孔601，例如以直徑1μm左右進(jìn)行開(kāi)孔就可以，所以通過(guò)存在其上側(cè)的第2層間絕緣膜42和第3層間絕緣膜43，使接觸孔601引起的段差在像素電極9a的基底面中幾乎沒(méi)有。
第2實(shí)施方式下面參照?qǐng)D5和圖6來(lái)說(shuō)明本實(shí)用新型的第2實(shí)施方式。這里，圖5是第2實(shí)施方式中形成有數(shù)據(jù)線(xiàn)、掃描線(xiàn)、像素電極等的TFT陣列基板的相鄰接的多個(gè)像素組的平面圖，圖6是圖5的B-B’剖面圖。再有，在圖6中，為了使各層、各部件等在圖面上達(dá)到可識(shí)別程度的大小，對(duì)各層和各部件的每一個(gè)比例尺有所不同。
第2實(shí)施方式與上述第1實(shí)施方式相比，設(shè)置貫通溝602，取代接觸孔601。其他結(jié)構(gòu)與第1實(shí)施方式的情況相同。因此，在第2實(shí)施方式的圖5和圖6中，對(duì)于與圖1至圖4所示的第1實(shí)施方式情況相同的結(jié)構(gòu)部件附以相同的參照標(biāo)號(hào)，適當(dāng)省略它們的說(shuō)明。
在圖5和圖6中，第2實(shí)施方式的電光裝置，具有對(duì)應(yīng)于伸出部401和411輪廓的三角形截面形狀的貫通溝602被挖掘至第1層間絕緣膜41和基底絕緣膜12。在其內(nèi)部填充與作為上側(cè)遮光膜的電容線(xiàn)300相同的材料，將電容線(xiàn)300和下側(cè)遮光膜11a相互連接。特別是通過(guò)由該貫通溝602內(nèi)填充的遮光性導(dǎo)電材料構(gòu)成并且比接觸孔601寬度寬的壁，來(lái)構(gòu)筑從側(cè)方的四周包圍溝道區(qū)域1a′和其相鄰區(qū)域的結(jié)構(gòu)。
因此，根據(jù)第2實(shí)施方式，可通過(guò)貫通溝602良好地將電容線(xiàn)300和下側(cè)遮光膜11a相互電連接。而且，通過(guò)具有對(duì)應(yīng)于伸出部401和411輪廓的三角形截面形狀的壁，可以將溝道區(qū)域1a′和其相鄰區(qū)域從其側(cè)方寬范圍地包圍。因此，與第1實(shí)施方式的情況相比，可進(jìn)一步提高遮光性能。
再有，這樣的貫通溝602的截面形狀，例如可以是與伸出部401和411的輪廓大致相同或稍小一圈，或者也可以是稍大一圈。
再有，因?yàn)樵谪炌?03的情況下，直徑也比接觸孔601大，例如以幾μm左右的寬度挖掘，所以貫通溝602造成的段差有出現(xiàn)在像素電極9a的基底面上的危險(xiǎn)。可是，通過(guò)將成為貫通溝602的基底的下側(cè)遮光膜11a、基底絕緣膜12或基板10中的面對(duì)貫通溝602的區(qū)域隆起為凸部，可以緩和該貫通溝602的存在造成的段差。
第3實(shí)施方式下面參照?qǐng)D7來(lái)說(shuō)明本實(shí)用新型的第3實(shí)施方式。這里，圖7是第3實(shí)施方式的對(duì)應(yīng)于圖2的B-B’截面的部位中的剖面圖。再有，在圖7中，為了使各層、各部件等在圖面上達(dá)到可識(shí)別程度的大小，對(duì)各層和各部件的每個(gè)比例尺有所不同。
第3實(shí)施方式與上述第1實(shí)施方式相比，設(shè)置將掃描線(xiàn)3a′連接到下側(cè)遮光膜11a′的接觸孔603，取代將電容線(xiàn)300連接到下側(cè)遮光膜11a的接觸孔601。而且，下側(cè)遮光膜11a′，其平面圖案不是格子狀，而構(gòu)成為沿掃描線(xiàn)3a′的條狀。關(guān)于其他結(jié)構(gòu)，與第1實(shí)施方式相同。因此，在第3實(shí)施方式的圖7中，對(duì)與圖1至圖4所示的第1實(shí)施方式情況相同的結(jié)構(gòu)部件附以相同的參照標(biāo)號(hào)，適當(dāng)省略它們的說(shuō)明。
在圖7中，第3實(shí)施方式的電光裝置具有接觸孔603從其四周包圍溝道區(qū)域1a′和其相鄰區(qū)域的結(jié)構(gòu)。而且，接觸孔603被遮光性的導(dǎo)電材料堵塞。因此，通過(guò)接觸孔603內(nèi)填充的遮光性的導(dǎo)電材料，可提高對(duì)于溝道區(qū)域1a′和其相鄰區(qū)域的遮光性能。
而且，沿掃描線(xiàn)3a′延長(zhǎng)的條狀的下側(cè)遮光膜11a′，通過(guò)經(jīng)由接觸孔603被連接，還具有作為掃描線(xiàn)3a′的冗余配線(xiàn)功能。因此，可實(shí)現(xiàn)掃描線(xiàn)3a′的低電阻化。
再有，與第1實(shí)施方式的掃描線(xiàn)3a比較，掃描線(xiàn)3a′優(yōu)選地，將其平面圖案中的具有作為柵電極功能的寬幅部分大一圈地形成。由此，可確保設(shè)置有接觸孔603的區(qū)域，可在四個(gè)角部沒(méi)有問(wèn)題地配置接觸孔603。
在第3實(shí)施方式中，這樣的掃描線(xiàn)3a′除了像素開(kāi)關(guān)用TFT30中的具有作為柵電極膜功能的部分以外，也可除去。即，在該情況下，盡管損失冗余結(jié)構(gòu)，但通過(guò)由下側(cè)遮光膜11a′構(gòu)成的掃描線(xiàn)，得到經(jīng)由接觸孔603向柵電極膜供給掃描信號(hào)的結(jié)構(gòu)。
另外，掃描線(xiàn)3a′或柵電極膜也可以由遮光性的導(dǎo)電材料構(gòu)成。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，即使不由遮光性的導(dǎo)電材料堵塞接觸孔603，簡(jiǎn)單地通過(guò)在接觸孔603內(nèi)形成遮光性的掃描線(xiàn)3a′或柵電極膜，也可獲得提高對(duì)來(lái)自上述側(cè)方的光的遮光性能的結(jié)構(gòu)。
此外，在第3實(shí)施方式中，也可以采用上述第2實(shí)施方式的寬幅的貫通溝來(lái)取代接觸孔603。
第4實(shí)施方式下面，參照?qǐng)D8至圖11說(shuō)明本實(shí)用新型的第4實(shí)施方式。這里，圖8是形成有數(shù)據(jù)線(xiàn)、掃描線(xiàn)、像素電極的TFT陣列基板的相鄰的多個(gè)像素組的平面圖。圖9是圖8的A-A剖面圖。另外，圖10是提取比較例的像素電極后，表示其平面圖案的局部放大圖，圖11是提取實(shí)施方式的像素電極后，表示其平面圖案的局部放大圖，再有，在圖9中，為了使各層、各部件等達(dá)到在圖中可識(shí)別程度的大小，對(duì)各層和各部件的每個(gè)比例尺有所不同。
第4實(shí)施方式與上述第1實(shí)施方式相比，除了在各像素的開(kāi)口區(qū)域中規(guī)定切角的伸出部401和伸出部411以外，還設(shè)置有伸出部402。而且，設(shè)置切角部403，以對(duì)應(yīng)于伸出部402。沒(méi)有設(shè)置接觸孔601。其他結(jié)構(gòu)與第1實(shí)施方式的情況相同。因此，在第4實(shí)施方式的圖8至圖11中，對(duì)與圖1至圖4所示的第1實(shí)施方式情況相同的結(jié)構(gòu)部件附以相同的參照標(biāo)號(hào)，并適當(dāng)省略它們的說(shuō)明。
在本實(shí)施方式中，特別是中繼層71具有伸出部402，使得對(duì)置于規(guī)定這樣的切角的伸出部401也形成電容。進(jìn)而，有關(guān)這樣的伸出部401、402及411的結(jié)構(gòu)及作用效果，后面將詳述。
電容線(xiàn)300與第1實(shí)施方式的情況同樣，被設(shè)為固定電位。對(duì)于下側(cè)遮光膜11a′為了避免其電位變動(dòng)對(duì)TFT30產(chǎn)生不良影響，與電容線(xiàn)300同樣，最好從圖像顯示區(qū)域延伸到其周?chē)⑦B接到恒定電位源。
在本實(shí)施方式中，特別是像素電極9a的平面圖案不是單一的四邊形，而對(duì)應(yīng)于各像素的開(kāi)口區(qū)域的切角，具有四邊形的各角被去掉的形狀。即，在圖9中，具有切角部403，從而對(duì)應(yīng)于電容線(xiàn)300的伸出部401和中繼層71的伸出部402。有關(guān)像素電極9a的這樣的結(jié)構(gòu)及作用效果，后面將參照?qǐng)D10及圖11進(jìn)行詳述。
在本實(shí)施方式中，在對(duì)置基板20，在各像素的開(kāi)口區(qū)域以外的區(qū)域中格子狀或條狀地形成遮光膜23。通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)，如上所述，通過(guò)構(gòu)成上側(cè)遮光膜的電容線(xiàn)300和數(shù)據(jù)線(xiàn)6a以及其遮光膜23，可以更可靠地阻止來(lái)自對(duì)置基板20側(cè)的入射光侵入溝道區(qū)域1a′和其相鄰區(qū)域。有關(guān)形成在這樣的對(duì)置基板20上的遮光膜23的平面圖案的各種變形方式，將參照?qǐng)D14至圖21后述。此外，有關(guān)這樣的遮光膜23的材料，可以與電容線(xiàn)300同樣由各種金屬膜等形成，也可以由樹(shù)脂形成。
再有，在本實(shí)施方式中，雖然電容線(xiàn)300具有伸出部401并且下側(cè)遮光膜11a有伸出部411，但也可以?xún)H有其中一方的伸出部。這種情況下，與沒(méi)有設(shè)置任何伸出部的情況比較，可提高遮光性能。
這里，參照?qǐng)D10和圖11來(lái)說(shuō)明像素電極9a的角被去掉的平面圖案的結(jié)構(gòu)及作用效果。
在圖10所示的比較例中，像素電極9b具有四邊形的平面圖案。因此，在交叉區(qū)域和交叉區(qū)域以外的遮光區(qū)域中，上下左右相鄰接的像素電極9b間的間隙是一定的?？墒?，因?yàn)橄袼仉姌O9b通過(guò)對(duì)ITO膜等形成圖案而形成，所以多少會(huì)發(fā)生圖案形成時(shí)的抗蝕劑殘留引起的膜殘留。特別是在數(shù)據(jù)線(xiàn)6a和掃描線(xiàn)3a等進(jìn)行交叉并產(chǎn)生大的段差的交叉區(qū)域中，與平坦的部位相比，形成圖案困難，容易產(chǎn)生這樣的膜殘留。因此，即使在交叉區(qū)域，也需要擴(kuò)寬上下左右相鄰的像素電極9b間的固定間隙，直至膜殘留不引起短路的程度。
相反，在圖11所示的本實(shí)施方式中，像素電極9a具有包含切角部403的平面圖案。而且在限定避免膜殘留造成的短路時(shí)的間隙的交叉區(qū)域中，通過(guò)切角部403的存在，像素電極9a本身幾乎或完全不存在，所以不需要考慮該區(qū)域內(nèi)的膜殘留。即，形成圖案時(shí)膜殘留本來(lái)就少，在交叉區(qū)域以外的遮光區(qū)域內(nèi)，可縮小像素電極9a間的間隙，直至不發(fā)生膜殘留造成的短路的程度。因此，僅在以上程度，可以擴(kuò)寬各像素的開(kāi)口區(qū)域，即可以提高各像素的開(kāi)口率，此時(shí)，還不損失裝置良品率或可靠性。此外，即使在推進(jìn)像素間距的微細(xì)化方面也十分有利，可進(jìn)行高分辨的圖像顯示。
此外，例如如果將像素電極9a間的間隙設(shè)為3μm，則即使采用1μm的位置精度的步式曝光裝置(ステツパ)，如果是具有圖11所示的切角部403的像素電極9a，仍可比較容易地以充分高的可靠性進(jìn)行圖案形成。
于是，在本實(shí)施方式中，由于像素電極9a具有切角部403，所以可進(jìn)行開(kāi)口率高的明亮的圖像顯示。而且，因?yàn)閷?duì)應(yīng)于切角部403，設(shè)置具有遮光性能的伸出部401和伸出部411，所以即使在切角部403中產(chǎn)生光漏泄，也不降低對(duì)比度。
另一方面，根據(jù)本實(shí)施方式，因?yàn)榇鎯?chǔ)電容70也制作在規(guī)定這樣的切角的遮光區(qū)域內(nèi)，所以可增大電容值，同時(shí)可高效率地避免使各像素的開(kāi)口區(qū)域狹窄。同樣，對(duì)于TFT30的漏電極來(lái)說(shuō)，也配置在規(guī)定切角的遮光區(qū)域內(nèi)，也可以使各像素的開(kāi)口區(qū)域不狹窄。
如以上參照?qǐng)D8至圖11說(shuō)明的那樣，根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)晶體管特性?xún)?yōu)良的像素開(kāi)關(guān)用TFT30，可降低顯示不勻、閃爍等，可實(shí)現(xiàn)進(jìn)行明亮高清晰或高質(zhì)量的圖像顯示的電光裝置。
在以上說(shuō)明的實(shí)施方式中，雖然使下側(cè)遮光膜11a在周邊區(qū)域下降至固定電位、成為浮置電位，但也可以將下側(cè)遮光膜11a在圖像顯示區(qū)域內(nèi)連接到電容線(xiàn)300而下降到固定電位。這種情況下，可以使下側(cè)遮光膜11a具有作為電容線(xiàn)300的冗余配線(xiàn)的功能，可以實(shí)現(xiàn)電容線(xiàn)300的低電阻化?；蛘撸部梢詫⑾聜?cè)遮光膜11a沿掃描線(xiàn)3a每一個(gè)像素地或每多個(gè)像素地與掃描細(xì)3a連接，并且以被每個(gè)掃描線(xiàn)3a分?jǐn)嗟拇笾聴l狀地形成下側(cè)遮光膜11a。這種情況下，可以使下側(cè)遮光膜11a具有作為掃描線(xiàn)3a的冗余配線(xiàn)的功能，可實(shí)現(xiàn)掃描線(xiàn)3a的低電阻化。此外，通過(guò)將下側(cè)遮光膜11a用作冗余配線(xiàn)，還可縮小沿電容線(xiàn)300或掃描線(xiàn)3a的遮光區(qū)域的寬度。
進(jìn)而，在以上說(shuō)明的實(shí)施方式中，雖然像素開(kāi)關(guān)用TFT30優(yōu)選地具有圖9所示的LDD結(jié)構(gòu)，但也可以是在低濃度源極區(qū)域1b和低濃度漏極區(qū)域1c中不進(jìn)行雜質(zhì)注入的偏移(オフセツト)結(jié)構(gòu)，也可以是將由掃描線(xiàn)3a的一部分構(gòu)成的柵電極作為掩模，以高濃度注入雜質(zhì)，自匹配地形成高濃度源極區(qū)域和漏極區(qū)域的自調(diào)整(セルフアライン)式的TFT。
像素電極圖案的變形方式下面，參照?qǐng)D12和圖13來(lái)說(shuō)明上述第4實(shí)施方式中可采用的像素電極的平面圖案。圖12和圖13分別表示具有本實(shí)施方式可采用的平面圖案的像素電極，取代圖11所示的像素電極9a。再有，在圖12和圖13中，與圖1至圖11所示相同的結(jié)構(gòu)部件附以相同的參照標(biāo)號(hào)，并省略其說(shuō)明。
即，如圖12所示，也可以像素電極9c在圖中具有位于下側(cè)的兩個(gè)角被去掉的切角部403。
或者，如圖13所示，也可以像素電極9d在圖中具有位于上側(cè)的兩個(gè)角被去掉的切角部403。
即使是圖12或圖13所示的變形方式，也如上所述，因?yàn)榭梢詼p少在交叉區(qū)域形成圖案時(shí)的殘留膜，所以可以有效地縮小像素電極9a間的間隙。由此，僅在該程度，可以擴(kuò)寬各像素的開(kāi)口區(qū)域，即提高各像素的開(kāi)口率，此時(shí)，還不損失裝置良品率或可靠性。
進(jìn)而，例如每行地以場(chǎng)單位使驅(qū)動(dòng)電壓的極性反轉(zhuǎn)的1H反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式時(shí)，在圖12、圖13中，在縱向相鄰的像素電極9c間或縱向相鄰的像素電極9d間產(chǎn)生橫電場(chǎng)。另外例如每列地以場(chǎng)單位使驅(qū)動(dòng)電壓的極性反轉(zhuǎn)的1S反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式的情況下，在圖12、圖13中，在橫向相鄰的像素電極9c間或縱向相鄰的像素電極9d間產(chǎn)生橫電場(chǎng)。而且，這樣的橫電場(chǎng)造成的液晶層50的定向不良，在各像素內(nèi)的整個(gè)區(qū)域中均等發(fā)生的情況非常少，與面對(duì)取向膜16和22的摩擦方向相對(duì)應(yīng)容易在某一角上發(fā)生。因此，對(duì)于成為這樣的定向不良的原因的橫電場(chǎng)發(fā)生的像素電極間，為了減弱該橫電場(chǎng)，也可以如圖12或圖13所示，選擇性地設(shè)置切角部403。更具體地說(shuō)，在各像素內(nèi)，在產(chǎn)生定向不良的角中，形成切角的結(jié)構(gòu)就可以。其結(jié)果，可按高對(duì)比度進(jìn)行明亮的高質(zhì)量的圖像顯示。
再有，也可以設(shè)置上述伸出部401、伸出部411等，以對(duì)應(yīng)于設(shè)置這樣的切角部403的角?；蛘撸部梢栽跊](méi)有設(shè)置切角部403的角中，也設(shè)置上述伸出部401、伸出部411等。
對(duì)置基板上的遮光膜圖案的變形方式下面，參照?qǐng)D14至圖21來(lái)說(shuō)明上述第4實(shí)施方式等中可采用的對(duì)置基板20上的遮光膜23的平面圖案。圖14至圖21分別是表示實(shí)施方式中可采用的對(duì)置基板20一側(cè)的遮光膜23的平面圖案的變形方式的局部平面圖。再有，在圖14至圖21中，與圖1至圖11所示相同的結(jié)構(gòu)部件附以相同標(biāo)號(hào)，并省略其說(shuō)明。
在上述實(shí)施方式中，對(duì)置基板20上的遮光膜23是格子狀或條狀，與由電容線(xiàn)300和數(shù)據(jù)線(xiàn)6a構(gòu)成的上側(cè)遮光膜相比，平面形狀小一圈，而不規(guī)定各像素的非開(kāi)口區(qū)域。即，對(duì)于這樣的上側(cè)遮光膜，是輔助的遮光膜，主要被設(shè)置用于抗熱對(duì)策。與此相反，在圖14至圖17的變形方式中，對(duì)置基板20上的遮光膜23a～23d，被形成得至少比這樣的上側(cè)遮光膜局部地大一圈，被構(gòu)成為至少部分地規(guī)定各像素的非開(kāi)口區(qū)域。而且，在它們的任何一個(gè)變形方式中，都在與伸出部401相對(duì)的區(qū)域中設(shè)置有遮光膜。
即，在圖14的變形方式中，遮光膜23a，在存在上側(cè)遮光膜(即電容線(xiàn)300和數(shù)據(jù)線(xiàn)6a)的遮光區(qū)域中，僅在交叉區(qū)域中被島狀地設(shè)置在對(duì)置基板20上。如果使用這樣的遮光膜23a，則對(duì)于像素開(kāi)關(guān)用TFT30，可極大地提高交叉區(qū)域附近的遮光性能。此外，可以規(guī)定交叉區(qū)域中的各像素的非開(kāi)口區(qū)域。
在圖15的變形方式中，遮光膜23b，在存在上側(cè)遮光膜的遮光區(qū)域中，僅在交叉區(qū)域和沿掃描線(xiàn)3a的區(qū)域中，大致橫條狀地設(shè)置在對(duì)置基板20上。如果使用這樣的遮光膜23b，則對(duì)于像素開(kāi)關(guān)用TFT30，可極大地提高交叉區(qū)域附近和沿掃描線(xiàn)3a的區(qū)域中的遮光性能。此外，可規(guī)定交叉區(qū)域和沿掃描線(xiàn)3a的區(qū)域中的各像素的非開(kāi)口區(qū)域。
在圖16的變形方式中，遮光膜23c，在存在上側(cè)遮光膜的遮光區(qū)域中，僅在交叉區(qū)域和沿?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)6a的區(qū)域中，大致縱條狀地設(shè)置在對(duì)置基板20上。如果使用這樣的遮光膜23c，則對(duì)于像素開(kāi)關(guān)用TFT30，可極大地提高交叉區(qū)域附近和沿?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)6a的區(qū)域中的遮光性能。此外，可規(guī)定交叉區(qū)域和沿?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)6a的區(qū)域中的各像素的非開(kāi)口區(qū)域。
在圖17的變形方式中，遮光膜23d，在存在上側(cè)遮光膜的區(qū)域中，大致格子狀地設(shè)置在對(duì)置基板20上。如果使用這樣的遮光膜23d′則對(duì)于像素開(kāi)關(guān)用TFT30，可極大地提高格子狀的非開(kāi)口區(qū)域整體的遮光性能。此外，可規(guī)定該格子狀的非開(kāi)口區(qū)域。
如以上那樣，在圖14至圖17的變形方式中，通過(guò)對(duì)置基板20上的遮光膜23a～23d，至少部分地規(guī)定格子狀的非開(kāi)口區(qū)域。與此相反，在圖18至圖21的變形方式中，對(duì)置基板20上的遮光膜23a′～23d′被形成得比這樣的上側(cè)遮光膜還小一圈，被構(gòu)成為不規(guī)定非開(kāi)口區(qū)域。而且，在它們的任何一個(gè)變形方式中，在與伸出部40相對(duì)的區(qū)域中，都設(shè)置有比其小一圈的遮光膜。
即，在圖18的變形方式中，遮光膜23a′，在上側(cè)遮光膜(即電容線(xiàn)300和數(shù)據(jù)線(xiàn)6a)存在的遮光區(qū)域中，僅在交叉區(qū)域中被島狀地設(shè)置在對(duì)置基板20上。如果使用這樣的遮光膜23a′，則對(duì)于像素開(kāi)關(guān)用TFT30，可極大地提高交叉區(qū)域附近的遮光性能。而且，因?yàn)檎诠饽?3a′比伸出部401小一圈地形成，所以可以有效地避免因制造時(shí)的TFT陣列基板10和對(duì)置基板10的機(jī)械性的組裝偏差造成遮光膜23a′使開(kāi)口區(qū)域變窄的情況。
在圖19的變形方式中，遮光膜23b′，在上側(cè)遮光膜存在的遮光區(qū)域中，僅在交叉區(qū)域和沿掃描線(xiàn)3a的區(qū)域中大致橫條狀地設(shè)置在對(duì)置基板20上。如果使用這樣的遮光膜23b′，則對(duì)于像素開(kāi)關(guān)用TFT30，可極大地提高交叉區(qū)域附近和沿掃描線(xiàn)3a的區(qū)域中的遮光性能。而且，因?yàn)檎诠饽?3b′比伸出部401和電容線(xiàn)300還小一圈地形成，所以可以有效地避免因制造時(shí)的TFT陣列基板10和對(duì)置基板10的機(jī)械性的組裝偏差造成遮光膜23b′使開(kāi)口區(qū)域變窄的情況。
在圖20的變形方式中，遮光膜23c′，在上側(cè)遮光膜存在的遮光區(qū)域中，僅在交叉區(qū)域和沿?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)6a的區(qū)域中大致縱條狀地設(shè)置在對(duì)置基板20上。如果使用這樣的遮光膜23c′，則對(duì)于像素開(kāi)關(guān)用TFT30，可極大地提高交叉區(qū)域附近和沿?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)6a的區(qū)域的遮光性能。而且，因?yàn)檎诠饽?3c′比伸出部401和數(shù)據(jù)線(xiàn)6a還小一圈地形成，所以可以有效地避免因制造時(shí)的TFT陣列基板10和對(duì)置基板10的機(jī)械性的組裝偏差造成遮光膜23c′使開(kāi)口區(qū)域變窄的情況。
在圖21的變形方式中，遮光膜23d′在上側(cè)遮光膜存在的區(qū)域中，大致被格子狀地設(shè)置在對(duì)置基板20上。如果使用這樣的遮光膜23d′，則對(duì)于像素開(kāi)關(guān)用TFT30，可極大地提高格子狀的非開(kāi)口區(qū)域整體的遮光性能。而且，因?yàn)檎诠饽?3d′比伸出部401和電容線(xiàn)300及數(shù)據(jù)線(xiàn)6a還小一圈地形成，所以可以有效地避免因制造時(shí)的TFT陣列基板10和對(duì)置基板10的機(jī)械性的組裝偏差造成遮光膜23d′使開(kāi)口區(qū)域變窄的情況。
如以上參照?qǐng)D14至圖21說(shuō)明的那樣，在本實(shí)施方式中，關(guān)于電容線(xiàn)300、中繼層71和下側(cè)遮光膜11a的伸出部、像素電極9a的切角部等，可采用各種方式，可以進(jìn)行它們的多種多樣的組合。之后關(guān)于采用任何一種組合，鑒于實(shí)際的裝置規(guī)格，實(shí)驗(yàn)性地或經(jīng)驗(yàn)性地確定最好的組合，并采用該組合。
電光裝置的整體結(jié)構(gòu)下面參照?qǐng)D22和圖23來(lái)說(shuō)明如上那樣構(gòu)成的各實(shí)施方式中的電光裝置的整體結(jié)構(gòu)。再有，圖22是從對(duì)置基板20一側(cè)觀(guān)察TFT陣列基板10連同在其上形成的各構(gòu)成要件的平面圖，圖23是圖22的H-H’剖面圖。
在圖22中，在TFT陣列基板10之上，沿其邊緣設(shè)置有密封材料52，在其內(nèi)側(cè)并行，設(shè)置有作為規(guī)定圖像顯示區(qū)域10a周邊的框的遮光膜53。在密封材料52外側(cè)的區(qū)域中，沿TFT陣列基板10的一邊設(shè)置通過(guò)以規(guī)定的定時(shí)向數(shù)據(jù)線(xiàn)6a提供圖像信號(hào)驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路101和外部電路連接端子102，沿相鄰于這一邊的兩邊設(shè)置通過(guò)以規(guī)定的定時(shí)向掃描線(xiàn)3a供給掃描信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)掃描線(xiàn)3a的掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路104。如果供給到掃描線(xiàn)3a的掃描信號(hào)延遲沒(méi)有成為問(wèn)題，則不用說(shuō)，掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路104僅在單側(cè)也可以。此外，也可以沿圖像顯示區(qū)域10a的邊兩側(cè)地排列數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路101。而且，在TFT陣列基板10的剩余一邊，設(shè)置用于將設(shè)置于圖像顯示區(qū)域10a兩側(cè)的掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路104之間連接的多個(gè)配線(xiàn)105。此外，在對(duì)置基板20的角部的至少一個(gè)部位，設(shè)置用于在TFT陣列基板10和對(duì)置基板20之間獲得電導(dǎo)通的導(dǎo)通材料106。然后，如圖23所示，具有與圖22所示密封材料52大致相同輪廓的對(duì)置基板20通過(guò)該密封材料52被固定在TFT陣列基板10上。
再有，在TFT陣列基板10上，除了這些數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路101、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路104等以外，還可以形成以規(guī)定的定時(shí)向多個(gè)數(shù)據(jù)線(xiàn)6a施加圖像信號(hào)的采樣電路、在圖像信號(hào)之前向多個(gè)數(shù)據(jù)線(xiàn)6a分別供給規(guī)定電壓水平的預(yù)充電信號(hào)的預(yù)充電電路、用于檢查制造中途、出廠(chǎng)等時(shí)的該電光裝置的質(zhì)量、缺陷等的檢查電路等。
在以上參照?qǐng)D1至圖23說(shuō)明的實(shí)施方式中，例如也可以在安裝于TAB(Tape Automated bonding；帶式自動(dòng)鍵合)基板上的驅(qū)動(dòng)用LSI中，通過(guò)設(shè)置于TFT陣列基板10周邊部的各向異性導(dǎo)電膜來(lái)進(jìn)行電氣和機(jī)械連接，取代將數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路101和掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路104設(shè)置在TFT陣列基板10上。此外，在對(duì)置基板20的投射光入射的一側(cè)和TFT陣列基板10的射出光射出的一側(cè)，例如分別對(duì)應(yīng)于TN(Twisted Nematic；扭轉(zhuǎn)向列)模式、STN(Super Twisted Nematic；超扭轉(zhuǎn)向列)模式、VA(VerticallyAligned；垂直對(duì)準(zhǔn))模式、PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal)模式、常白模式/常黑模式的區(qū)別，將偏振膜、相位差膜、偏振板等按規(guī)定的方向配置。
以上說(shuō)明的實(shí)施方式的電光裝置，為了應(yīng)用于投影機(jī)，將三枚電光裝置分別用作RGB用的光閥，在各光閥中，通過(guò)各個(gè)RGB色分解用的分色鏡分解的各色光作為投射光被分別入射。因此，在各實(shí)施方式中，在對(duì)置基板20上不設(shè)置彩色濾光器。但是，在與像素電極9a相對(duì)的規(guī)定區(qū)域中也可以將RGB的彩色濾光器和其保護(hù)膜一起形成在對(duì)置基板20上。這樣的話(huà)，對(duì)于投影機(jī)以外的直視型、反射型等的彩色電光裝置，可應(yīng)用各實(shí)施方式的電光裝置?；蛘撸部梢栽赥FT陣列基板10上的RGB相對(duì)的像素電極9a下由彩色抗蝕劑等形成彩色濾光器層。這樣的話(huà)，通過(guò)提高入射光的聚光效率，可實(shí)現(xiàn)明亮的電光裝置。而且，也可以在對(duì)置基板20上，通過(guò)堆積幾層折射率不同的干涉層，利用光的干涉，形成產(chǎn)生RGB色的分色濾光器。利用帶有該分色濾光器的對(duì)置基板，可實(shí)現(xiàn)更明亮的彩色電光裝置。
電子設(shè)備的實(shí)施方式下面，對(duì)于作為將以上詳細(xì)說(shuō)明的電光裝置用作光閥的電子設(shè)備一例的投射型彩色顯示裝置的實(shí)施方式，說(shuō)明其整體結(jié)構(gòu)，特別是光學(xué)的結(jié)構(gòu)。這里，圖24是投射型彩色顯示裝置的圖示剖面圖。
在圖24中，作為本實(shí)施方式中投射型彩色顯示裝置一例的液晶投影機(jī)1100，準(zhǔn)備三個(gè)包含將驅(qū)動(dòng)電路裝載在TFT陣列基板上的液晶裝置100的液晶模塊，將它們分別用作RGB的光閥100R、100G和100B的投影機(jī)來(lái)構(gòu)成。在液晶投影機(jī)1100中，如果從金屬鹵化物燈等白色光源的燈單元1102發(fā)射投射光，則通過(guò)三枚反射鏡1106和兩枚分色鏡1108，分成對(duì)應(yīng)于RGB三基色的光分量R、G、B，被分別導(dǎo)入對(duì)應(yīng)于各色的光閥100R、100G和100B。此時(shí)，特別是B光通過(guò)由入射透鏡1122、中繼透鏡1123和射出透鏡1124構(gòu)成的中繼透鏡系統(tǒng)1121來(lái)導(dǎo)入，以便防止長(zhǎng)光路造成的光損失。然后，與由光閥100R、100G和100B分別調(diào)制的對(duì)應(yīng)三基色的光分量由分色棱鏡1112再次合成后，通過(guò)投射透鏡1114作為彩色圖像投射到屏幕1120上。
本實(shí)用新型不限于上述實(shí)施方式，在不違反從權(quán)利要求和說(shuō)明書(shū)整體獲得的本實(shí)用新型的主要精神和思想的范圍中，可進(jìn)行適當(dāng)變更，伴隨這樣的變更的電光裝置和電子設(shè)備也包含在本實(shí)用新型的技術(shù)范圍中。
包含2002年5月17日申請(qǐng)的日本專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?002-889521及2002-889522的說(shuō)明書(shū)、專(zhuān)利要求書(shū)、附圖、及摘要的所有公開(kāi)內(nèi)容以完全的方式包含在本說(shuō)明書(shū)中以供參考。
權(quán)利要求1.一種電光裝置，其特征在于，在基板上具備像素電極；對(duì)該像素電極進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制的薄膜晶體管；將圖像信號(hào)供給該薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線(xiàn)；將掃描信號(hào)供給該薄膜晶體管的同時(shí)與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)進(jìn)行交叉的掃描線(xiàn)；從上側(cè)覆蓋構(gòu)成所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的上側(cè)遮光膜；以及從下側(cè)覆蓋所述至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的下側(cè)遮光膜；其中，所述上側(cè)遮光膜和所述下側(cè)遮光膜分別在所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述掃描線(xiàn)相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來(lái)的伸出部，從而在對(duì)應(yīng)于所述像素電極的各個(gè)像素的開(kāi)口區(qū)域中規(guī)定切角；所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域內(nèi)；所述上側(cè)遮光膜和所述下側(cè)遮光膜，互相地，在所述伸出部中通過(guò)遮光性的導(dǎo)電材料或直接進(jìn)行連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于，所述上側(cè)遮光膜和所述下側(cè)遮光膜通過(guò)接觸孔相互連接；在該接觸孔內(nèi)，形成所述上側(cè)遮光膜或者由所述導(dǎo)電材料形成栓塞。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于，所述上側(cè)遮光膜和所述下側(cè)遮光膜通過(guò)對(duì)應(yīng)于所述伸出部的輪廓的截面形狀的貫通溝相互連接，在該貫通溝內(nèi)，由所述上側(cè)遮光膜或所述導(dǎo)電材料形成從側(cè)方與所述溝道區(qū)域相對(duì)的壁。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于，對(duì)于所述交叉區(qū)域的各個(gè)區(qū)域，在其四個(gè)角部都設(shè)置有所述伸出部；在該四個(gè)角部的各個(gè)角部中，所述上側(cè)遮光膜和所述下側(cè)遮光膜相互連接。
5.一種電光裝置，其特征在于，在基板上具備像素電極；對(duì)該像素電極進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制的薄膜晶體管；將圖像信號(hào)供給該薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線(xiàn)；將掃描信號(hào)供給該薄膜晶體管的同時(shí)與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)進(jìn)行交叉的掃描線(xiàn)；從上側(cè)覆蓋構(gòu)成所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的上側(cè)遮光膜；以及從下側(cè)覆蓋所述至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的下側(cè)遮光膜；其中，所述上側(cè)遮光膜和所述下側(cè)遮光膜分別在所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述掃描線(xiàn)相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來(lái)的伸出部，從而在對(duì)應(yīng)于所述像素電極的各個(gè)像素的開(kāi)口區(qū)域中規(guī)定切角；所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域內(nèi)；所述掃描線(xiàn)由所述下側(cè)遮光膜構(gòu)成；所述下側(cè)遮光膜在所述伸出部中通過(guò)遮光性的導(dǎo)電材料連接到所述薄膜晶體管的柵極電極膜或直接連接到所述薄膜晶體管的柵極電極膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電光裝置，其特征在于，所述上側(cè)遮光膜和所述柵極電極膜通過(guò)接觸孔相互連接；在該接觸孔內(nèi)，形成所述柵極電極膜或者由所述遮光性的導(dǎo)電材料形成栓塞。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電光裝置，其特征在于，所述下側(cè)遮光膜和所述柵極電極膜通過(guò)對(duì)應(yīng)于所述伸出部的輪廓的截面形狀的貫通溝相互連接，在該貫通溝內(nèi)，由所述柵極電極膜或者所述遮光性的導(dǎo)電材料形成從側(cè)方與所述溝道區(qū)域相對(duì)的壁。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電光裝置，其特征在于，對(duì)于所述交叉區(qū)域的各個(gè)區(qū)域，在其四個(gè)角部都設(shè)置有所述伸出部；在該四個(gè)角部的各個(gè)角部中，所述下側(cè)遮光膜和所述柵極電極膜相互連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電光裝置，其特征在于，所述柵極電極膜沿所述掃描線(xiàn)延長(zhǎng)的同時(shí)，由形成所述掃描線(xiàn)的冗余配線(xiàn)的另一掃描線(xiàn)的一部分構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于，所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域的中央。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電光裝置，其特征在于，所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域的中央。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于，進(jìn)一步具備電氣連接到所述像素電極的存儲(chǔ)電容；所述上側(cè)遮光膜兼作構(gòu)成所述存儲(chǔ)電容的固定電位側(cè)電容電極或包含該固定電位側(cè)電容電極的電容線(xiàn)。
13.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電光裝置，其特征在于，進(jìn)一步具備電氣連接到所述像素電極的存儲(chǔ)電容；所述上側(cè)遮光膜兼作構(gòu)成所述存儲(chǔ)電容的固定電位側(cè)電容電極或包含該固定電位側(cè)電容電極的電容線(xiàn)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電光裝置，其特征在于，所述伸出部形成在從所述數(shù)據(jù)線(xiàn)離開(kāi)的平面區(qū)域；所述存儲(chǔ)電容也形成在與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)重疊的平面區(qū)域。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電光裝置，其特征在于，所述伸出部形成在從所述數(shù)據(jù)線(xiàn)離開(kāi)的平面區(qū)域；所述存儲(chǔ)電容也形成在與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)重疊的平面區(qū)域。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于，所述上側(cè)遮光膜的伸出部比所述下側(cè)遮光膜的伸出部大一圈。
17.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電光裝置，其特征在于，所述上側(cè)遮光膜的伸出部比所述下側(cè)遮光膜的伸出部大一圈。
18.一種電光裝置，其特征在于，在基板上具備像素電極；對(duì)該像素電極進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制的薄膜晶體管；將圖像信號(hào)供給該薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線(xiàn)；將掃描信號(hào)供給該薄膜晶體管的同時(shí)與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)進(jìn)行交叉的掃描線(xiàn)；以及從上側(cè)覆蓋構(gòu)成所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域，同時(shí)至少部分地規(guī)定沿所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述掃描線(xiàn)的格子狀的遮光區(qū)域的上側(cè)遮光膜；其中，所述上側(cè)遮光膜在所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述掃描線(xiàn)相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來(lái)的伸出部，從而在對(duì)應(yīng)于所述像素電極的各個(gè)像素的開(kāi)口區(qū)域中規(guī)定切角；所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域內(nèi)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的電光裝置，其特征在于，所述像素電極對(duì)應(yīng)于所述切角具有失去角部的平面形狀。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的電光裝置，其特征在于，所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域的中央。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的電光裝置，其特征在于，進(jìn)一步具備電氣連接到所述像素電極的存儲(chǔ)電容；所述上側(cè)遮光膜兼作構(gòu)成所述存儲(chǔ)電容的固定電位側(cè)電容電極或者包含該固定電位側(cè)電容電極的電容線(xiàn)。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的電光裝置，其特征在于，進(jìn)一步具備電氣連接到所述像素電極的存儲(chǔ)電容；所述存儲(chǔ)電容形成在所述遮光區(qū)域內(nèi)，還形成在與所述伸出部重疊的區(qū)域。
23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的電光裝置，其特征在于，進(jìn)一步具備從下側(cè)覆蓋所述至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的同時(shí)至少部分地規(guī)定所述格子狀的遮光區(qū)域的下側(cè)遮光膜。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的電光裝置，其特征在于，所述下側(cè)遮光膜在所述交叉區(qū)域中具有伸出來(lái)的伸出部，從而規(guī)定所述切角。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的電光裝置，其特征在于，所述下側(cè)遮光膜的平面形狀，與所述上側(cè)遮光膜的平面形狀相比，在所述交叉區(qū)域中小一圈。
26.一種電光裝置，其特征在于，在基板上具備像素電極；對(duì)該像素電極進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制的薄膜晶體管；將圖像信號(hào)供給該薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線(xiàn)；將掃描信號(hào)供給該薄膜晶體管的同時(shí)與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)進(jìn)行交叉的掃描線(xiàn)；以及從下側(cè)覆蓋構(gòu)成所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域，同時(shí)至少部分地規(guī)定沿所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述掃描線(xiàn)的格子狀的遮光區(qū)域的下側(cè)遮光膜；其中，所述下側(cè)遮光膜在所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述掃描線(xiàn)相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來(lái)的伸出部，從而在對(duì)應(yīng)于所述像素電極的各個(gè)像素的開(kāi)口區(qū)域中規(guī)定切角；所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域內(nèi)。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的電光裝置，其特征在于，所述下側(cè)遮光膜由遮光性的導(dǎo)電膜構(gòu)成的同時(shí)與所述掃描線(xiàn)多處連接并且沿所述掃描線(xiàn)延長(zhǎng)，具有作為所述掃描線(xiàn)的冗余配線(xiàn)的功能。
28.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于，進(jìn)一步具備，通過(guò)電光學(xué)物質(zhì)層，與所述基板相對(duì)配置的對(duì)置基板；所述開(kāi)口區(qū)域的四角中，至少在所述電光學(xué)物質(zhì)層的工作不良相對(duì)大的一個(gè)或多個(gè)角中，設(shè)置有所述伸出部。
29.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電光裝置，其特征在于，進(jìn)一步具備，通過(guò)電光學(xué)物質(zhì)層，與所述基板相對(duì)配置的對(duì)置基板；所述開(kāi)口區(qū)域的四角中，至少在所述電光學(xué)物質(zhì)層的工作不良相對(duì)大的一個(gè)或多個(gè)角中，設(shè)置有所述伸出部。
30.根據(jù)權(quán)利要求18所述的電光裝置，其特征在于，進(jìn)一步具備，通過(guò)電光學(xué)物質(zhì)層，與所述基板相對(duì)配置的對(duì)置基板；所述開(kāi)口區(qū)域的四角中，至少在所述電光學(xué)物質(zhì)層的工作不良相對(duì)大的一個(gè)或多個(gè)角中，設(shè)置有所述伸出部。
31.根據(jù)權(quán)利要求26所述的電光裝置，其特征在于，進(jìn)一步具備，通過(guò)電光學(xué)物質(zhì)層，與所述基板相對(duì)配置的對(duì)置基板；所述開(kāi)口區(qū)域的四角中，至少在所述電光學(xué)物質(zhì)層的工作不良相對(duì)大的一個(gè)或多個(gè)角中，設(shè)置有所述伸出部。
32.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于，所述像素電極包含在第1周期用于反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的第1像素電極組和在與該第1周期互補(bǔ)的第2周期用于反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的第2像素電極組的同時(shí)被平面排列在所述第1基板上；所述伸出部，被設(shè)置在以所述交叉區(qū)域的中央為基準(zhǔn)位于所述第1像素電極組一側(cè)的兩個(gè)角，或位于所述第2像素電極組一側(cè)的兩個(gè)角上。
33.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電光裝置，其特征在于，所述像素電極包含在第1周期用于反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的第1像素電極組和在與該第1周期互補(bǔ)的第2周期用于反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的第2像素電極組的同時(shí)被平面排列在所述第1基板上；所述伸出部，被設(shè)置在以所述交叉區(qū)域的中央為基準(zhǔn)位于所述第1像素電極組一側(cè)的兩個(gè)角，或位于所述第2像素電極組一側(cè)的兩個(gè)角上。
34.根據(jù)權(quán)利要求18所述的電光裝置，其特征在于，所述像素電極包含在第1周期用于反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的第1像素電極組和在與該第1周期互補(bǔ)的第2周期用于反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的第2像素電極組的同時(shí)被平面排列在所述第1基板上；所述伸出部，被設(shè)置在以所述交叉區(qū)域的中央為基準(zhǔn)位于所述第1像素電極組一側(cè)的兩個(gè)角，或位于所述第2像素電極組一側(cè)的兩個(gè)角上。
35.根據(jù)權(quán)利要求26所述的電光裝置，其特征在于，所述像素電極包含在第1周期用于反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的第1像素電極組和在與該第1周期互補(bǔ)的第2周期用于反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的第2像素電極組的同時(shí)被平面排列在所述第1基板上；所述伸出部，被設(shè)置在以所述交叉區(qū)域的中央為基準(zhǔn)位于所述第1像素電極組一側(cè)的兩個(gè)角，或位于所述第2像素電極組一側(cè)的兩個(gè)角上。
36.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于，在所述開(kāi)口區(qū)域的四個(gè)角上分別設(shè)置有上下左右對(duì)稱(chēng)的伸出部。
37.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電光裝置，其特征在于，在所述開(kāi)口區(qū)域的四個(gè)角上分別設(shè)置有上下左右對(duì)稱(chēng)的伸出部。
38.根據(jù)權(quán)利要求18所述的電光裝置，其特征在于，在所述開(kāi)口區(qū)域的四個(gè)角上分別設(shè)置有上下左右對(duì)稱(chēng)的伸出部。
39.根據(jù)權(quán)利要求26所述的電光裝置，其特征在于，在所述開(kāi)口區(qū)域的四個(gè)角上分別設(shè)置有上下左右對(duì)稱(chēng)的伸出部。
40.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于，在所述基板或與所述基板相對(duì)配置的對(duì)置基板上，進(jìn)一步具備與所述像素電極相對(duì)配置的微透鏡。
41.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電光裝置，其特征在于，在所述基板或與所述基板相對(duì)配置的對(duì)置基板上，進(jìn)一步具備與所述像素電極相對(duì)配置的微透鏡。
42.根據(jù)權(quán)利要求18所述的電光裝置，其特征在于，在所述基板或與所述基板相對(duì)配置的對(duì)置基板上，進(jìn)一步具備與所述像素電極相對(duì)配置的微透鏡。
43.根據(jù)權(quán)利要求26所述的電光裝置，其特征在于，在所述基板或與所述基板相對(duì)配置的對(duì)置基板上，進(jìn)一步具備與所述像素電極相對(duì)配置的微透鏡。
44.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于，所述上側(cè)遮光膜至少部分地規(guī)定沿所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述掃描線(xiàn)的格子狀的遮光區(qū)域。
45.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電光裝置，其特征在于，所述上側(cè)遮光膜至少部分地規(guī)定沿所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述掃描線(xiàn)的格子狀的遮光區(qū)域。
46.根據(jù)權(quán)利要求18所述的電光裝置，其特征在于，在平面地看重疊于所述伸出部的區(qū)域中，配置有所述薄膜晶體管的漏極電極。
47.根據(jù)權(quán)利要求26所述的電光裝置，其特征在于，在平面地看重疊于所述伸出部的區(qū)域中，配置有所述薄膜晶體管的漏極電極。
48.一種電子設(shè)備，其特征在于，具備電光裝置，該電光裝置，在基板上具備像素電極；對(duì)該像素電極進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制的薄膜晶體管；將圖像信號(hào)供給該薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線(xiàn)；將掃描信號(hào)供給該薄膜晶體管的同時(shí)與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)進(jìn)行交叉的掃描線(xiàn)；從上側(cè)覆蓋構(gòu)成所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的上側(cè)遮光膜；以及從下側(cè)覆蓋所述至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的下側(cè)遮光膜；其中，所述上側(cè)遮光膜和所述下側(cè)遮光膜分別在所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述掃描線(xiàn)相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來(lái)的伸出部，從而在對(duì)應(yīng)于所述像素電極的各個(gè)像素的開(kāi)口區(qū)域中規(guī)定切角；所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域內(nèi)；所述上側(cè)遮光膜和所述下側(cè)遮光膜，互相地，在所述伸出部中通過(guò)遮光性的導(dǎo)電材料或直接進(jìn)行連接。
49.一種電子設(shè)備，其特征在于，具備電光裝置，該電光裝置，在基板上具備像素電極；對(duì)該像素電極進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制的薄膜晶體管；將圖像信號(hào)供給該薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線(xiàn)；將掃描信號(hào)供給該薄膜晶體管的同時(shí)與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)進(jìn)行交叉的掃描線(xiàn)；從上側(cè)覆蓋構(gòu)成所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的上側(cè)遮光膜；以及從下側(cè)覆蓋所述至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域的下側(cè)遮光膜；其中，所述上側(cè)遮光膜和所述下側(cè)遮光膜分別在所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述掃描線(xiàn)相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來(lái)的伸出部，從而在對(duì)應(yīng)于所述像素電極的各個(gè)像素的開(kāi)口區(qū)域中規(guī)定切角；所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域內(nèi)；所述掃描線(xiàn)由所述下側(cè)遮光膜構(gòu)成；所述下側(cè)遮光膜在所述伸出部中通過(guò)遮光性的導(dǎo)電材料連接到所述薄膜晶體管的柵極電極膜或者直接連接到所述薄膜晶體管的柵極電極膜。
50.一種電子設(shè)備，其特征在于，具備電光裝置，該電光裝置，在基板上具備像素電極；對(duì)該像素電極進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制的薄膜晶體管；將圖像信號(hào)供給該薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線(xiàn)；將掃描信號(hào)供給該薄膜晶體管的同時(shí)與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)進(jìn)行交叉的掃描線(xiàn)；以及從上側(cè)覆蓋構(gòu)成所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域，同時(shí)至少部分地規(guī)定沿所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述掃描線(xiàn)的格子狀的遮光區(qū)域的上側(cè)遮光膜；其中，所述上側(cè)遮光膜在所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述掃描線(xiàn)相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來(lái)的伸出部，從而在對(duì)應(yīng)于所述像素電極的各個(gè)像素的開(kāi)口區(qū)域中規(guī)定切角；所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域內(nèi)。
51.一種電子設(shè)備，其特征在于，具備電光裝置，該電光裝置，在基板上具備像素電極；對(duì)該像素電極進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制的薄膜晶體管；將圖像信號(hào)供給該薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線(xiàn)；將掃描信號(hào)供給該薄膜晶體管，同時(shí)與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)進(jìn)行交叉的掃描線(xiàn)；以及從下側(cè)覆蓋構(gòu)成所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的至少溝道區(qū)域及其相鄰區(qū)域，同時(shí)至少部分地規(guī)定沿所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述掃描線(xiàn)的格子狀的遮光區(qū)域的下側(cè)遮光膜；其中，所述下側(cè)遮光膜在所述數(shù)據(jù)線(xiàn)和所述掃描線(xiàn)相交叉的交叉區(qū)域中具有伸出來(lái)的伸出部，從而在對(duì)應(yīng)于所述像素電極的各個(gè)像素的開(kāi)口區(qū)域中規(guī)定切角；所述溝道區(qū)域被配置在所述交叉區(qū)域內(nèi)。
專(zhuān)利摘要一種電光裝置，在基板上(above)具備像素電極；與其連接的薄膜晶體管；從上側(cè)覆蓋該薄膜晶體管的至少溝道區(qū)域的上側(cè)遮光膜；以及從下側(cè)覆蓋該薄膜晶體管的至少溝道區(qū)域的下側(cè)遮光膜。上側(cè)遮光膜和下側(cè)遮光膜分別在數(shù)據(jù)線(xiàn)和掃描線(xiàn)相交叉的交叉區(qū)域中，具有在各個(gè)像素的開(kāi)口區(qū)域中規(guī)定切角的伸出部。兩伸出部通過(guò)接觸孔相互連接。薄膜晶體管的溝道區(qū)域被配置在交叉區(qū)域內(nèi)。
文檔編號(hào)H01L21/84GK2665749SQ03246588
公開(kāi)日2004年12月22日 申請(qǐng)日期2003年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月21日
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