專利名稱：低電壓半導(dǎo)體過壓保護(hù)器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種低壓半導(dǎo)體過壓保護(hù)器，尤其涉及半導(dǎo)體電壓保護(hù)器件PN結(jié)擴(kuò)散區(qū)結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在通訊領(lǐng)域中，意外的電壓浪涌會造成整機(jī)系統(tǒng)的性能下降，出現(xiàn)誤動作甚至損壞，因此對電壓瞬變和浪涌的防護(hù)成為提高整機(jī)系統(tǒng)可靠性的一個重要組成部分，為了提高整機(jī)系統(tǒng)的可靠性，必須對電壓瞬變和浪涌采取防護(hù)措施，一種措施是在整機(jī)系統(tǒng)中的關(guān)鍵部位采用電壓瞬變和浪涌的保護(hù)器件，使電壓瞬變和浪涌通過保護(hù)器件旁路到子系統(tǒng)和大地；另一種是采用幾個電壓瞬變和浪涌的保護(hù)器件的組合形式，構(gòu)成多極保護(hù)器件，現(xiàn)有技術(shù)中，半導(dǎo)體電壓保護(hù)器件由P、N結(jié)組成，其中包括N-型襯底、正面P+擴(kuò)散區(qū)、背面P+擴(kuò)散區(qū)，正面N+擴(kuò)散區(qū)及負(fù)面N+擴(kuò)散區(qū)，但是該結(jié)構(gòu)適合制作30V電壓以上的保護(hù)器件，遇到需要高精度的使用電壓較低的線路出現(xiàn)電壓浪涌時，該結(jié)構(gòu)制作的保護(hù)器件則不能起到保護(hù)作用。

發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的是提供一種制作低電壓保護(hù)器件的技術(shù)，該低電壓保護(hù)器件技術(shù)的生產(chǎn)工藝簡單，生產(chǎn)效率高，生產(chǎn)成本低。
本實用新型是這樣實現(xiàn)的一種低電壓半導(dǎo)體過壓保護(hù)器件，包括N-型襯底，正面P+擴(kuò)散區(qū)，背面P+擴(kuò)散區(qū)、正面N+擴(kuò)散區(qū)及背面N+擴(kuò)散區(qū)；其特別處在于，所述襯底正面N+擴(kuò)散區(qū)包括設(shè)于正面P+擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+1擴(kuò)散區(qū)及設(shè)于正面P+擴(kuò)散區(qū)邊的N+2擴(kuò)散區(qū)。設(shè)于正面P+擴(kuò)散區(qū)邊的N+2擴(kuò)散區(qū)可以是對稱設(shè)置或非對稱設(shè)置或周邊整體設(shè)置。半導(dǎo)體電壓保護(hù)器件中設(shè)于正面P+擴(kuò)散區(qū)邊的N+2擴(kuò)散區(qū)為平行設(shè)置，擴(kuò)散區(qū)可以是兩排或兩排以上。
低電壓半導(dǎo)體過壓保護(hù)器件中所述背面N+擴(kuò)散區(qū)設(shè)于背面P+擴(kuò)散區(qū)一側(cè)或周邊。
采用上述結(jié)構(gòu)后，由于可控硅的PN結(jié)的結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)的發(fā)生變化，使得過壓保護(hù)單元的功能發(fā)生了變化，可以對低壓高精度數(shù)據(jù)線進(jìn)行保護(hù)，同時結(jié)構(gòu)較簡單，制作工藝較容易。
以下結(jié)合附圖和具體的實施方式對本實用新型作進(jìn)一步詳述。


圖1是現(xiàn)有半導(dǎo)體保護(hù)器件原理示意圖；圖2是本實用新型的剖示原理示意圖；圖3是本實用新型又一類型剖示結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實用新型N+2擴(kuò)散區(qū)平行設(shè)置示意圖。
具體實施方式
一種低電壓半導(dǎo)體過壓保護(hù)器件，包括N-型襯底1，正面P+擴(kuò)散區(qū)2，背面P+擴(kuò)散區(qū)3、正面N+擴(kuò)散區(qū)4及背面N+擴(kuò)散區(qū)5。圖1中現(xiàn)有技術(shù)正面N+擴(kuò)散區(qū)分為設(shè)于正面P+擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+擴(kuò)散區(qū)40及底部N+擴(kuò)散區(qū)41。本技術(shù)特點(diǎn)是，所述襯底1正面N-擴(kuò)散區(qū)4包括設(shè)于正面P-擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+1擴(kuò)散區(qū)40及設(shè)于P+正面擴(kuò)散區(qū)2邊的N+2擴(kuò)散區(qū)42。設(shè)于正面P+擴(kuò)散區(qū)2邊的N+2擴(kuò)散區(qū)42可以是對稱設(shè)置或非對稱設(shè)置或周邊整體設(shè)置，分別如圖2、圖3、圖4所示。
低電壓半導(dǎo)體過壓保護(hù)器件設(shè)于正面P+擴(kuò)散區(qū)2邊的N+2擴(kuò)散區(qū)42還可為平行設(shè)置，擴(kuò)散區(qū)42可以是兩排或兩排以上。
低電壓半導(dǎo)體過壓保護(hù)器件中所述負(fù)面N-擴(kuò)散區(qū)5設(shè)于負(fù)面P+擴(kuò)散區(qū)3一側(cè)或周邊。
低電壓半導(dǎo)體保護(hù)器件可以由采用本技術(shù)制作的一個器件構(gòu)成，也可以有多個集成或組裝而成各種電路。
權(quán)利要求1.一種低電壓半導(dǎo)體過壓保護(hù)器件，包括N-型襯底，正面P+擴(kuò)散區(qū)，背面P+擴(kuò)散區(qū)、正面N+擴(kuò)散區(qū)及背面N+擴(kuò)散區(qū)；其特征在于，所述襯底正面N+擴(kuò)散區(qū)包括設(shè)于正面P+擴(kuò)散區(qū)內(nèi)的N+1擴(kuò)散區(qū)及設(shè)于正面P+擴(kuò)散區(qū)邊的N+2擴(kuò)散區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低電壓半導(dǎo)體過壓保護(hù)器件，其特征在于，所述設(shè)于正面P+擴(kuò)散區(qū)邊的N+2擴(kuò)散區(qū)可以是對稱設(shè)置或非對稱設(shè)置或周邊整體設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的低電壓半導(dǎo)體過壓保護(hù)器件，其特征在于，所述設(shè)于正面P+擴(kuò)散區(qū)邊的N+2擴(kuò)散區(qū)為平行設(shè)置，擴(kuò)散區(qū)可以是兩排或兩排以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低電壓半導(dǎo)體過壓保護(hù)器件，其特征在于，所述背面N+擴(kuò)散區(qū)設(shè)于背面擴(kuò)散區(qū)一側(cè)或周邊。
專利摘要一種低電壓半導(dǎo)體過壓保護(hù)器件，涉及半導(dǎo)體電壓保護(hù)器件PN結(jié)擴(kuò)散區(qū)結(jié)構(gòu)。本技術(shù)所述半導(dǎo)體過壓保護(hù)器件，包括N
文檔編號H01L23/62GK2631041SQ0322586
公開日2004年8月4日 申請日期2003年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月30日
發(fā)明者喬長華 申請人:深圳市新達(dá)微電子有限公司