專利名稱：形成多晶硅層的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種形成多晶硅層的方法，尤其是指一種在制造薄膜晶體管液晶顯示面板時(shí)，將非晶硅層結(jié)晶成為多晶硅層的方法。
背景技術(shù)：
在顯示器的產(chǎn)業(yè)中，消費(fèi)者所青睞的顯示器產(chǎn)品，已逐漸由映像管式的顯示器，發(fā)展至液晶顯示器。其中薄膜晶體管液晶顯示器(TFT LCD)于中型尺寸顯示器中，更是為消費(fèi)者的最愛。實(shí)際的產(chǎn)品應(yīng)用如桌上型/筆記型計(jì)算機(jī)的顯示器、各式中型尺寸的操控面板顯示器、觸控面板等，甚至部分已發(fā)展用來取代娛樂性質(zhì)的電視。
薄膜晶體管液晶顯示器主要是由薄膜晶體管液晶顯示面板與外殼所組合而成。請參閱圖1，為現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管液晶顯示面板2的構(gòu)造示意圖。其中，薄膜晶體管液晶顯示面板2的各層組件及結(jié)構(gòu)皆設(shè)置于一基板(substrate)4之上，通常是玻璃基板。于基板4上有一層阻障層(bufferlayer)6，以防止玻璃中的雜質(zhì)擴(kuò)散到多晶硅層中。進(jìn)一步于阻障層6上形成一多晶硅層8，多晶硅層8中兩側(cè)形成摻雜區(qū)(deped region)8a、8b，兩摻雜區(qū)8a、8b中間形成一信道(channel)8c，兩摻雜區(qū)8a、8b分別與源極導(dǎo)線12以及汲極導(dǎo)線14連接，并以一介電層16以隔離一閘極金屬18，當(dāng)閘極金屬18通以閘極電壓時(shí)，會(huì)使兩摻雜區(qū)8a、8b藉由信道8c導(dǎo)通電流，藉由上述組件以構(gòu)成薄膜晶體管組件20。在制造薄膜晶體管組件20前，需先形成一多晶硅層(polysilicon)8，以作為制造薄膜晶體管組件20中兩摻雜區(qū)8a、8b以及信道8c的基本材料。但是，在形成多晶硅層8之前，是先形成一非晶硅層(amorphous silicon)，因?yàn)榉蔷Ч璧碾娮?電洞遷移率(mobility)效能是不及多晶硅的，而薄膜晶體管組件20又需要高的遷移率以完成其電路的功能，故需再將非晶硅層結(jié)晶成為多晶硅層8。
一般來說，現(xiàn)有技術(shù)將非晶硅層結(jié)晶成為多晶硅層8，是藉由一種結(jié)晶促進(jìn)材料(crystallization promoting material)來完成的。其中，使用金屬物質(zhì)作為結(jié)晶促進(jìn)材料，來將薄膜晶體管液晶顯示面板2的非晶硅層結(jié)晶成為多晶硅層8，是一項(xiàng)廣泛熟知的結(jié)晶技術(shù)。在結(jié)晶的過程中，非晶硅與金屬物質(zhì)接觸的多寡，將影響多晶硅的晶格的大小與均勻度。而所述金屬物質(zhì)的多寡，可分為金屬物質(zhì)的濃度，以及金屬物質(zhì)分布于非晶硅層表面的厚度等兩個(gè)角度來看。
將金屬物質(zhì)分布于非晶硅層表面的方法，可分為(1)利用金屬濺鍍(sputtering)來沉積金屬物質(zhì)于非晶硅層表面。(2)旋轉(zhuǎn)涂布(spin coating)金屬物質(zhì)于非晶硅層表面。然而，金屬濺鍍會(huì)使金屬物質(zhì)的厚度較不均勻，特別是沉積很薄的金屬物質(zhì)時(shí)，厚度的均勻程度特別差。另外，由于旋轉(zhuǎn)涂布的離心力，非晶硅層表面的旋轉(zhuǎn)中心以及旋轉(zhuǎn)邊緣的金屬物質(zhì)的濃度皆不一樣。無論金屬物質(zhì)厚度不均勻或是金屬物質(zhì)濃度不均勻，皆會(huì)促進(jìn)非晶硅層成為多晶硅層8的晶格的大小與分布均勻度不佳，如此而大大影響了所制成薄膜晶體管組件的效能。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的主要目的為在旋轉(zhuǎn)涂布方法之下，提供一種可使金屬物質(zhì)分布較均勻，進(jìn)而促進(jìn)非晶硅層結(jié)晶成為較均勻的多晶硅層的方法，以解決上述問題。
本發(fā)明的目的在于提供一種用于薄膜晶體管液晶顯示面板中，利用具有金屬物質(zhì)的氧化層將非晶硅層結(jié)晶成為多晶硅層的方法。
具體地說，本發(fā)明的目的在于提供一種利用具有分布均勻的金屬物質(zhì)的氧化層，將非晶硅層結(jié)晶成為均勻的多晶硅層的方法。
本發(fā)明所提供的促進(jìn)設(shè)置于基板上的非晶硅層結(jié)晶成為多晶硅層的方法，包含下列步驟首先，提供一種具有氧化劑以及金屬物質(zhì)的混合物；接著，將該混合物涂布于設(shè)置于基板上的非晶硅層表面；藉由混合物中的氧化劑，于非晶硅層中接近混合物處形成一氧化層；同時(shí)，金屬物質(zhì)隨著非晶硅層被氧化成氧化層，而陷入該氧化層中，形成具有金屬物質(zhì)的氧化層；接著，提高溫度環(huán)境超過攝氏550度以上；最后，藉由具有金屬物質(zhì)的氧化層(或稱為金屬硅化物)為成核中心，促進(jìn)非晶硅層結(jié)晶成為均勻的多晶硅層。
藉由本發(fā)明的促進(jìn)非晶硅層結(jié)晶成為多晶硅層的方法，利用一種具有氧化劑以及金屬物質(zhì)的混合物，以形成金屬物質(zhì)分布均勻的氧化層，藉此以促進(jìn)薄膜晶體管液晶顯示面板中的非晶硅層，結(jié)晶成為均勻的多晶硅層，以提高后續(xù)制造出薄膜晶體管組件的制造品質(zhì)。
關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與精神可以藉由以下的具體實(shí)施方式
及所附圖式得到進(jìn)一步的了解。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管液晶顯示面板的構(gòu)造示意圖；圖2a-圖2f為本發(fā)明促進(jìn)結(jié)晶的方法的流程中結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明旋轉(zhuǎn)涂布的設(shè)備示意圖；圖4a-圖4f為本發(fā)明一具體實(shí)施例促進(jìn)結(jié)晶的方法的流程中結(jié)構(gòu)示意圖；圖5a-圖5f為本發(fā)明另一具體實(shí)施例促進(jìn)結(jié)晶的方法的流程中結(jié)構(gòu)示意圖。
圖式的符號說明2薄膜晶體管液晶顯示面板4、42基板6、43、56阻障層
8、52多晶硅層8a、8b摻雜區(qū)8c信道12源極導(dǎo)線 14汲極導(dǎo)線 16介電層18閘極金屬 20薄膜晶體管組件30旋轉(zhuǎn)涂布設(shè)備32氧化劑產(chǎn)生器 34金屬物質(zhì)添加裝置 36噴嘴38轉(zhuǎn)軸 40旋轉(zhuǎn)臺(tái)44非晶硅層45金屬物質(zhì) 46氧化層54光阻層58組件分布區(qū) 60非組件分布區(qū) 62混合物具體實(shí)施方式
關(guān)于本發(fā)明促進(jìn)結(jié)晶的方法，請參閱圖2a-圖2f，為本發(fā)明促進(jìn)結(jié)晶的方法的流程中結(jié)構(gòu)示意圖。圖2包含下列步驟請參閱圖2a，非晶硅層44設(shè)置于基板42上，阻障層43在非晶硅層44與基板42之間。首先，將所述氧化劑與金屬物質(zhì)混合成混合物62，其中，氧化劑可以采用雙氧水或是臭氧水，金屬物質(zhì)可選自于鈀、鉑、銅、銀、金、銦、錫、鉛、或鎳等金屬。接著，請參閱圖2b，將混合氧化劑與金屬物質(zhì)的混合物62涂布于非晶硅層44表面。
請參閱圖2c，藉由混合物62中的氧化劑，于非晶硅層44中接近混合物62處形成一氧化層46，此時(shí)，混合物62中的金屬物質(zhì)會(huì)隨著氧化劑氧化非晶硅層44表面，而同時(shí)陷入氧化層46中，以于非晶硅層44中靠近涂布氧化劑與金屬物質(zhì)的混合物62的表面處，形成一厚度均勻且濃度均勻的具有金屬物質(zhì)45的氧化層46。此時(shí)，具有金屬物質(zhì)45的氧化層46中包含分布均勻的金屬物質(zhì)45，其中氧化層46的厚度范圍介于10埃至30埃之間。接著，提高溫度環(huán)境超過攝氏550度以上(溫度的上限以使基板不變形為原則，越高越好，基板材質(zhì)不同會(huì)有所變化，本實(shí)施例中采用的為玻璃基板，溫度應(yīng)在攝氏600度以下)。
接著，請參閱圖2d，藉由具有金屬物質(zhì)45的氧化層46，在攝氏550度以上的溫度環(huán)境中，會(huì)促進(jìn)非晶硅層44中，與具有金屬物質(zhì)45的氧化層46接觸的表面，逐漸結(jié)晶成為如圖2e所示的均勻的多晶硅層52。所形成的多晶硅層52會(huì)包含些許的氧以及金屬物質(zhì)，其中所述氧在多晶硅層52中的濃度超過1E19 atom/cm3，而金屬物質(zhì)在多晶硅層52中的濃度不超過1E19 atom/cm3。最終，去除多晶硅層52表面的物質(zhì)之后，如去除前述的具有金屬物質(zhì)45的氧化層46以及混合物62等，如圖2f的具有均勻多晶硅層52的結(jié)構(gòu)就已經(jīng)完成。
前述將混合物62涂布于非晶硅層44表面，可以利用旋轉(zhuǎn)涂布(spincoating)的方法。如圖3所示，為本發(fā)明旋轉(zhuǎn)涂布的設(shè)備示意圖。本發(fā)明的旋轉(zhuǎn)涂布設(shè)備30包含一氧化劑產(chǎn)生器32、一金屬物質(zhì)添加裝置34、一噴嘴36、一轉(zhuǎn)軸38、以及一旋轉(zhuǎn)臺(tái)40。
將基板42放置于旋轉(zhuǎn)臺(tái)40之上，基板42上為一層非晶硅層44，基板42與非晶硅層44之間為一阻障層43。旋轉(zhuǎn)臺(tái)40下方具有轉(zhuǎn)軸38以使旋轉(zhuǎn)臺(tái)40轉(zhuǎn)動(dòng)。氧化劑產(chǎn)生器32是用以產(chǎn)生氧化劑，該氧化劑可以是雙氧水(H2O2)以及臭氧水(ozonated water)等氧化劑。金屬物質(zhì)添加裝置34是用以添加金屬物質(zhì)進(jìn)入氧化劑中，該金屬物質(zhì)可選自于鈀、鉑、銅、銀、金、銦、錫、鉛、或鎳等金屬。將氧化劑與金屬物質(zhì)混合成混合物62后，經(jīng)過噴嘴36噴出混合物62，以旋轉(zhuǎn)涂布使混合物62附著于基板42上非晶硅層44的表面，以供后續(xù)于非晶硅層44中形成具有金屬物質(zhì)45的氧化層46。其中，若氧化劑采用臭氧水，則混合物62中臭氧水的濃度不超過30ppm，即，混合物的載體為水，其中臭氧的濃度的不超過30ppm，具體濃度不做嚴(yán)格限定，但在達(dá)到需要效果前提下避免操作時(shí)間過長，一般臭氧的濃度不低于5ppm。本發(fā)明的金屬物質(zhì)在混合物62中的濃度范圍介于0.1ppm至200ppm之間，在以上的濃度條件下，使本發(fā)明發(fā)揮最佳的效益。
其中，在形成氧化層46的操作中，維持時(shí)間與所需形成的厚度及金屬物質(zhì)的濃度之間是相關(guān)聯(lián)的，例如，形成氧化層46的厚度為15埃()、金屬物質(zhì)的濃度為20ppm時(shí)，維持時(shí)間約為30秒，在具體操作中可以通過簡單試驗(yàn)摸索來確定。
進(jìn)一步請參閱圖4以及圖5，如前述的促進(jìn)結(jié)晶的結(jié)構(gòu)，其中薄膜晶體管液晶顯示面板包含復(fù)數(shù)個(gè)薄膜晶體管組件，依照該薄膜晶體管組件的分布狀況，薄膜晶體管液晶顯示面板可分為組件分布區(qū)58以及非組件分布區(qū)60。組件分布區(qū)58的垂直對應(yīng)方向分布有薄膜晶體管組件。非組件分布區(qū)60的垂直對應(yīng)方向不分布有薄膜晶體管組件，其中具有金屬物質(zhì)45的氧化層46分布于非組件分布區(qū)60。以下以兩個(gè)具體實(shí)施例來說明所述具有金屬物質(zhì)45的氧化層46分布于非組件分布區(qū)60。
請參閱圖4a-圖4f，為本發(fā)明一具體實(shí)施例促進(jìn)結(jié)晶的方法的流程中結(jié)構(gòu)示意圖。如前述的促進(jìn)結(jié)晶的方法，該薄膜晶體管液晶顯示面板包含復(fù)數(shù)個(gè)薄膜晶體管組件，分為組件分布區(qū)58以及非組件分布區(qū)60。所述促進(jìn)結(jié)晶的方法還包含下列步驟，以形成具有金屬物質(zhì)45的氧化層46于非組件分布區(qū)60中。
請參閱圖4a，首先，如圖2a的非晶硅層44、阻障層43、基板42所組合的結(jié)構(gòu)中，于組件分布區(qū)58中形成一光阻層54于非晶硅層44之上。
接著如圖4b，將混合物62涂布于非晶硅層44的表面。接著如圖4c所示，藉由混合物62中的氧化劑，會(huì)于非晶硅層44中接近混合物62處形成一氧化層46，混合物62中的金屬物質(zhì)會(huì)隨著氧化劑氧化非晶硅層44表面，而同時(shí)陷入氧化層46中，以于非晶硅層44中靠近涂布氧化劑與金屬物質(zhì)的混合物62的上表面處，形成一厚度均勻的具有金屬物質(zhì)45的氧化層46。由于非組件分布區(qū)60無光阻層54的分布，故僅有非組件分布區(qū)60中具有含金屬物質(zhì)45的氧化層46，該具有金屬物質(zhì)45的氧化層46會(huì)直接接觸并設(shè)置在非晶硅層44的表面。
請參閱圖4d，接著，去除光阻層54，如此，于非晶硅層44的表面，僅于非組件分布區(qū)60中留下具有金屬物質(zhì)45的氧化層46。后續(xù)由非組件分布區(qū)60中的具有金屬物質(zhì)45的氧化層46，在溫度超過攝氏550度以上的環(huán)境下，促進(jìn)組件分布區(qū)58中的非晶硅層44逐漸結(jié)晶成為如圖4e所示的均勻多晶硅層52，進(jìn)一步再經(jīng)過回火的過程，更可使多晶硅層52的晶格大小一致且均勻，以供后續(xù)制做效能較佳的薄膜晶體管組件。
最終，去除多晶硅層52表面的物質(zhì)之后，如利用化學(xué)機(jī)械研磨法(Chemical Mechanical Polishing；CMP)去除具有金屬物質(zhì)45的氧化層46，如圖4f的具有均勻多晶硅層52的結(jié)構(gòu)就已經(jīng)完成。整個(gè)圖4的實(shí)施例將具有金屬物質(zhì)45的氧化層46生成于非組件分布區(qū)60中，其原因是為了減少金屬物質(zhì)45污染非組件分布區(qū)60中多晶硅層52的機(jī)會(huì)，以免日后形成薄膜晶體管組件會(huì)有瑕疵。
請參閱圖5a-圖5f，為本發(fā)明另一具體實(shí)施例促進(jìn)結(jié)晶的方法的流程中結(jié)構(gòu)示意圖。如前述的促進(jìn)結(jié)晶的方法，該薄膜晶體管液晶顯示面板包含復(fù)數(shù)個(gè)薄膜晶體管組件，該薄膜晶體管液晶顯示面板同樣分為組件分布區(qū)58以及非組件分布區(qū)60。所述促進(jìn)結(jié)晶的方法還包含下列步驟，以形成具有金屬物質(zhì)45的氧化層46于非組件分布區(qū)60中。
請參閱圖5a，首先，于圖5a的非晶硅層44、阻障層43、基板42的結(jié)構(gòu)中，形成一阻障層56于非晶硅層44之上，如硅氧化合物或硅氮化合物的阻障層56。請參閱圖5b，接著，于非組件分布區(qū)60中去除阻障層56，以形成一開口而使非晶硅層44表面暴露出來，并將混合物62涂布于非晶硅層44的表面上已經(jīng)去除阻障層56的區(qū)域。
接著如圖5c，藉由混合物62中的氧化劑，會(huì)于非晶硅層44中接近混合物62處形成一氧化層46，混合物62中的金屬物質(zhì)會(huì)隨著氧化劑氧化非晶硅層44表面，而同時(shí)陷入氧化層46中，以于非晶硅層44中靠近涂布氧化劑與金屬物質(zhì)的混合物62的上表面處，并于非晶硅層44上已經(jīng)去除阻障層56的區(qū)域，形成一厚度均勻的具有金屬物質(zhì)45的氧化層46。藉此以形成具有金屬物質(zhì)45的氧化層46于非組件分布區(qū)60中，并直接接觸非晶硅層44的表面。
請參閱圖5d，后續(xù)由非組件分布區(qū)60中的具有金屬物質(zhì)45的氧化層46，在溫度超過攝氏550度以上的環(huán)境下，促進(jìn)組件分布區(qū)58中的非晶硅層44逐漸結(jié)晶成為如圖5e所示的均勻多晶硅層52，進(jìn)一步再經(jīng)過回火的過程，更可使多晶硅層52的晶格大小一致且均勻，以供后續(xù)制做效能較佳的薄膜晶體管組件。
最終，去除多晶硅層52表面的物質(zhì)之后，如利用化學(xué)機(jī)械研磨法(Chemical Mechanical Polishing；CMP)去除剩余的阻障層56以及具有金屬物質(zhì)45的氧化層46等，如圖5f的具有均勻多晶硅層52的結(jié)構(gòu)就已經(jīng)完成了。整個(gè)圖5的實(shí)施例將具有金屬物質(zhì)45的氧化層46生成于非組件分布區(qū)60中，其原因是為了減少金屬物質(zhì)45污染非組件分布區(qū)60中多晶硅層52的機(jī)會(huì)，以免日后形成薄膜晶體管組件會(huì)有瑕疵。
因此，藉由本發(fā)明的促進(jìn)非晶硅層結(jié)晶成為多晶硅層的方法，利用一種具有氧化劑以及金屬物質(zhì)的混合物62，以形成金屬物質(zhì)45分布均勻的氧化層46，藉此以促進(jìn)薄膜晶體管液晶顯示面板中的非晶硅層44，結(jié)晶成為一均勻的多晶硅層52，以提高后續(xù)制造出薄膜晶體管組件的制造品質(zhì)。
藉由以上優(yōu)選具體實(shí)施例的詳述，旨在能更加清楚地描述本發(fā)明的特征與精神，而并非對本發(fā)明的范疇加以限制。凡本領(lǐng)域技術(shù)人員依據(jù)本發(fā)明所作的各種改變及具相等性的變化，皆應(yīng)包含于本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種形成多晶硅層的方法，用以促進(jìn)設(shè)置于基板上的非晶硅層結(jié)晶成為多晶硅層，該方法包含下列步驟提供一種具有氧化劑以及金屬物質(zhì)的混合物；將該混合物涂布于設(shè)置于基板上的非晶硅層表面；藉由混合物中的氧化劑，在非晶硅層中與混合物的接觸面，形成一氧化層，并且金屬物質(zhì)于該氧化層形成的過程陷入氧化層中，而形成具有金屬物質(zhì)的氧化層；以及提高溫度環(huán)境超過攝氏550度以上，并藉由具有金屬物質(zhì)的氧化層，促進(jìn)非晶硅層中與具有金屬物質(zhì)的氧化層接觸的表面結(jié)晶成為多晶硅層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述具有金屬物質(zhì)的氧化層是厚度均勻設(shè)置于非晶硅層的表面，并包含分布均勻的金屬物質(zhì)，藉由該具有金屬物質(zhì)的氧化層促進(jìn)非晶硅層結(jié)晶成均勻的多晶硅層。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述氧化劑是選自于由雙氧水以及臭氧水所組成的族群中的氧化劑。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述臭氧水的濃度不超過30ppm。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述混合物中金屬物質(zhì)的濃度范圍介于0.1ppm至200ppm之間，且該金屬物質(zhì)是選自于由鈀、鉑、銅、銀、金、銦、錫、鉛、以及鎳所組成的族群中的元素。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述具有金屬物質(zhì)的氧化層的厚度范圍介于10埃至30埃之間。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所形成的多晶硅層中包含氧以及金屬物質(zhì)，且氧的濃度超過1E19 atom/cm3，金屬物質(zhì)的濃度不超過1E19atom/cm3。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中是利用一設(shè)備形成所述混合物以及旋轉(zhuǎn)涂布該混合物于非晶硅層表面，以供后續(xù)形成具有金屬物質(zhì)的氧化層，該設(shè)備包含旋轉(zhuǎn)臺(tái)，該旋轉(zhuǎn)臺(tái)用以放置表面具有非晶硅層的基板；轉(zhuǎn)軸，用以旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)臺(tái)；氧化劑產(chǎn)生器，用以提供氧化劑；以及金屬物質(zhì)添加裝置，用以提供金屬物質(zhì)進(jìn)入氧化劑中；其中所述金屬物質(zhì)與氧化劑均勻混合之后，噴灑涂布于旋轉(zhuǎn)臺(tái)上的非晶硅層表面。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，是應(yīng)用于薄膜晶體管液晶顯示面板中。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述薄膜晶體管液晶顯示面板包含復(fù)數(shù)個(gè)薄膜晶體管組件，該薄膜晶體管液晶顯示面板還包含組件分布區(qū)以及非組件分布區(qū)，且組件分布區(qū)的垂直對應(yīng)方向分布有薄膜晶體管組件，而非組件分布區(qū)的垂直對應(yīng)方向不分布該薄膜晶體管組件，所述促進(jìn)結(jié)晶的方法包含于非組件分布區(qū)中形成具有金屬物質(zhì)的氧化層的步驟。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述促進(jìn)結(jié)晶的方法還包含下列步驟于組件分布區(qū)中形成一光阻層于非晶硅層之上；形成具有金屬物質(zhì)的氧化層于非晶硅層上；以及去除光阻層，藉此以于非組件分布區(qū)中形成具有金屬物質(zhì)的氧化層。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述促進(jìn)結(jié)晶的方法還包含下列步驟于非晶硅層之上形成一阻障層；于非組件分布區(qū)中去除阻障層；以及于非晶硅層上已經(jīng)去除阻障層的區(qū)域形成具有金屬物質(zhì)的氧化層，藉此于非組件分布區(qū)中形成具有金屬物質(zhì)的氧化層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種形成多晶硅層的方法，用以促進(jìn)設(shè)置于基板上的非晶硅層結(jié)晶成為多晶硅層，其步驟包含首先，提供一種具有氧化劑以及金屬物質(zhì)的混合物；接著，涂布該混合物于設(shè)置于基板上的非晶硅層表面；于非晶硅層中接近混合物處形成一氧化層，同時(shí)，金屬物質(zhì)隨著非晶硅層被氧化成氧化層的過程，而陷入氧化層中，形成具有金屬物質(zhì)的氧化層；接著，增加溫度環(huán)境超過550攝氏度以上；最后，藉由具有金屬物質(zhì)的氧化層，促進(jìn)非晶硅層中與具有金屬物質(zhì)的氧化層接觸的表面結(jié)晶成為均勻的多晶硅層。
文檔編號H01L21/02GK1585089SQ0315581
公開日2005年2月23日 申請日期2003年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月22日
發(fā)明者彭佳添 申請人:友達(dá)光電股份有限公司