專利名稱：形成貫穿襯底的互連的方法
背景技術(shù)：
由于將越來越多的電路元件安裝到單個襯底上已經(jīng)成為了可能，因此，可以相應(yīng)在襯底上制造大量的互連，以將電路元件連接到遠離襯底的電路。傳統(tǒng)的互連通常形成在襯底上與電路元件相同的一側(cè)(襯底的“正面”)，端接在環(huán)繞襯底正面的周邊而形成的接觸焊盤上。隨著單個襯底上的電路元件的數(shù)量的增加，接觸焊盤和互連沿襯底的周邊變得更加擁擠。有時要減小互連的尺寸，以將其擠壓到有效空間內(nèi)。減小互連尺寸可以引起各種問題，如由互連橫截面積小引起的高互連阻抗，和由增加的小型化引起的制造成本的增加。
在各種具體實施例中，將互連設(shè)置在襯底正面上也會引起其他問題。例如，連接打印設(shè)備打印頭芯片中的激發(fā)機構(gòu)和外部電路的互連通常形成在襯底上流體噴嘴的同側(cè)。因此，在打印頭使用期間，這些互連暴露在打印流體中，這將會損害互連，并最終導致打印頭故障。此外，由于用于電絕緣和保護互連的封裝墊圈具有一定的厚度，因此，打印頭距離打印介質(zhì)這樣一個距離，使得在到達打印介質(zhì)之前，由打印頭噴出的打印流體的液滴將散開過多。打印流體液滴的過度散開將難以提高打印精度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一些實施例提供了一種制造微電子器件的貫穿襯底的互連的方法，該器件包括具有正面和背面的襯底，該方法包括在襯底的正面形成電路元件；在襯底的背面形成延伸到電路元件的溝槽；在溝槽中形成絕緣聚合材料層；從絕緣聚合材料層去除足夠量的聚合材料，以至少部分露出電路元件；和在溝槽中形成導電互連層，其中，導電互連層與電路元件電連通。


圖1示出了根據(jù)本發(fā)明形成貫穿襯底的互連的第一方法的流程圖。
圖2示出了根據(jù)圖1的方法的第一實施例在襯底正面形成絕緣層和電路元件之后襯底的截面圖。
圖3示出了在襯底的下部形成溝槽之后圖2的襯底的截面圖。
圖4示出了在溝槽中形成絕緣聚合物層之后圖3的襯底的截面圖。
圖5示出了從溝槽中去除了絕緣聚合物層的一部分之后圖4的襯底的截面圖。
圖5A示出了根據(jù)圖1的實施例的另一實施方式在絕緣聚合物層上形成擴散阻擋層之后圖5的襯底的截面圖。
圖6示出了在絕緣聚合物層上形成導電互連層之后圖5的襯底的截面圖。
圖7示出了在導電層上部分形成填充層之后圖6的襯底的截面圖。
圖8示出了在導電層上基本完全形成填充層之后圖7的襯底的截面圖。
圖9示出了根據(jù)圖1的實施例的另一實施方式在電路元件和絕緣層上形成開口以露出絕緣聚合物層之后圖4的襯底的截面圖。
圖10示出了去除絕緣聚合物層的一部分之后圖9的襯底的截面圖。
圖11示出了在絕緣聚合物層上形成導電互連層之后圖10的襯底的截面圖。
圖12示出了在導電互聯(lián)層上形成填充層之后圖11的襯底的截面圖。
圖13示出了包括根據(jù)本發(fā)明的一個實施例構(gòu)成的結(jié)構(gòu)的打印設(shè)備。
具體實施例方式
圖1中以10示出了本發(fā)明的一個實施例，其作為一種形成微電子器件的貫穿襯底的互連的方法。方法10包括在襯底的正面形成電路元件(步驟12)。之后，方法10包括在襯底上自襯底的背面形成一個溝槽，該溝槽延伸進襯底足夠遠，以足以露出電路元件(步驟14)。在步驟14中，在襯底的背面形成溝槽之后，在溝槽中形成絕緣聚合材料層(步驟16)。而后，去除足夠量的絕緣聚合材料，以露出電路元件(步驟18)。最后，在溝槽中形成導電層(步驟20)，以使導電互連層與電路元件電連通。在步驟20形成的導電互連層還可以與形成在襯底的背面上的接觸焊盤電連接。這使接觸焊盤被連接在形成于襯底安裝件(通常為流體噴頭承載器或流體盒)上的互補接點上。由此，在該實施方式中，沒有連接到襯底正面的外部導線。
根據(jù)本發(fā)明的貫穿襯底的互連除了可以將襯底正面的電路元件連接到襯底背面的接觸焊盤之外還具有其他可能應(yīng)用。例如，該互連還可以用于連接形成在襯底背面的電路元件和形成在襯底正面的電路元件，從而使襯底的兩側(cè)都可以用于電路元件的制造。
可以以任何希望的方式執(zhí)行方法10中所描述的步驟。方法10的第一實施方式如圖2-8所描述，其示出了執(zhí)行實施例的選定步驟之后襯底30的橫截面圖。
參考圖2，絕緣層32和導電電路元件34首先形成在襯底30的正面。絕緣層32使電路元件34與襯底塊36電絕緣，并用作擴散阻擋和吸雜層，以防止材料從電路元件上擴散到襯底塊中。附加的擴散阻擋層(未示出)可以形成在絕緣層32之上或之下。此外，如果需要，還可以省去絕緣層32。絕緣層32可以以任意適當絕緣材料形成。例如，使用硅形成襯底30的情況下，可以用二氧化硅作絕緣層32。在本發(fā)明的一些實施例中，可能不太用關(guān)心電路元件34和襯底塊36之間的漏電流，或者幾乎沒有用于形成電路元件34的材料對襯底塊的污染的危險。在這些實施例中，電路元件34可以直接形成在襯底30上，而不需要絕緣層32。
電路元件34可以以任意適當形式形成。在圖2所示的實施例中，電路元件34從屬性上說被作為用于向著和/或從形成在襯底正面的其他電路元件傳導電流的導電層而示出。然而，應(yīng)當理解，電路元件也可以具有更加復(fù)雜的結(jié)構(gòu)，可以由比所描述的單層導體更多的材料層形成。
下面參考圖3，在全部器件制造過程中某些稍后所指出的步驟中，在襯底30的背面形成溝槽38，該溝槽延伸進襯底30的背面足夠遠，以露出絕緣層32(或，在沒有使用絕緣層的情況下，露出電路元件34)。可以以任意適當?shù)姆椒ㄐ纬蓽喜?8。適當?shù)姆椒ò切┛梢孕纬删哂邢鄬^高的深寬比的特征的方法，因為溝槽38的深度明顯高于溝槽的寬度。適當?shù)姆椒ǖ膶嵤├?，但是并不限于，激光燒蝕和深反應(yīng)離子蝕刻在形成溝槽38之后，以適當?shù)慕^緣聚合物層涂覆溝槽的壁，在形成溝槽之后，如圖4中的40所示。以適當絕緣聚合物層涂覆溝槽38的壁有助于平整溝槽38的壁的粗糙度，并有助于覆蓋裂紋和/或凸起。
適當?shù)慕^緣聚合材料可以包括多種希望的物理特性中的任意一種。例如，適當?shù)慕^緣聚合材料可以包括那些具有相對較高的介質(zhì)擊穿強度以獲得良好的絕緣特性的材料，和/或那些具有相對較低的介電常數(shù)以避免高頻應(yīng)用中的電損耗的材料。并且，適當?shù)木酆喜牧线€包括熱塑性材料，其可以在沉積之后被加熱，以平整表面的不規(guī)則性。這有助于防止溝槽38的壁的粗糙傳遞到絕緣層40的表面。此外，適當?shù)木酆衔锝^緣材料還可以包括那些通過氣相反應(yīng)沉積的材料，和那些以相對較高的沉積速率沉積的材料，以便于以商業(yè)上可行的方式處理襯底30。應(yīng)當理解，適當?shù)木酆喜牧峡梢园ㄟ@些特性中的任意一種、這些特征的任意組合和/或這里沒有闡明的其他有利的物理特性。
適當?shù)木酆喜牧系姆N類的一個實施例是聚合物中的聚對二甲苯類。聚對二甲苯聚合物是基于聚對苯二亞甲基的聚合物，可以通過氣相處理從固相二聚物二對苯二亞甲基作為薄膜沉積。二對苯二亞甲基首先被加熱以升華二聚物，然后以較高的溫度加熱以形成氣相對苯二亞甲基單體。該單體然后被運送到容納襯底的室溫沉積室，在這里，其被吸附在襯底的表面，及聚合以形成聚對二甲苯薄膜。沉積只發(fā)生在適度真空狀態(tài)下，因此在這些實施例中可以通過相對快速而簡單的過程獲得保形的基本上沒有針孔的聚合物的覆蓋層，而不用遮蔽。并且，聚對二甲苯薄膜可以以遠快于氧化物或氮化物薄膜的沉積速率沉積。此外，由于聚對二甲苯聚合物是熱塑性的，因此，可以在沉積之后對其加熱，以平整聚合物層的表面。另外，只相當于幾微米厚的聚對二甲苯薄膜通常具相當于幾百伏特直流電的介質(zhì)擊穿電壓，并具有足夠低的介電常數(shù)(大約為2.5到3.2)，以使其適于高頻應(yīng)用。并且，通常無應(yīng)力生長的聚對二甲苯薄膜比氮化物或氧化物薄膜更加柔順，因此對熱誘導應(yīng)力引起的損傷不那么敏感。而且，由于可以在室溫或接近室溫的條件下進行聚對二甲苯聚合反應(yīng)，因此，在執(zhí)行室溫沉積的該實施例中，加工中其他器件層有可能引起熱降解或熱損傷的風險被降到了最小。
由于聚對二甲苯可以與硅結(jié)合緊密，因此，在有些實施例中，其適于與硅襯底一同使用。許多低阻金屬，如銀、銅和鋁，都可以與聚對二甲苯緊密結(jié)合，可以選擇用于以后沉積的導電層材料。并且，聚對二甲苯是可光致確定的，并可以在有些實施例中有選擇的使用受激準分子激光器和/或氧等離子體蝕刻進行蝕刻。此外，聚對二甲苯聚合物薄膜可以是憎水性和防潮的，從而在高濕度和溫度的條件下，其電流的流通和泄露都很少。
可以使用任意適當?shù)木蹖Χ妆骄酆衔镄纬山^緣聚合物層40。適當?shù)木蹖Χ妆骄酆衔锏膶嵤├?，但并不限定于，聚對二甲?N、聚對二甲苯-C和聚對二甲苯-D。并且，用于形成聚合物層40的聚對二甲苯層可以具有任意適當?shù)暮穸?。為了獲得平滑、保形覆層，可以應(yīng)用具有大約一到四倍于溝槽38的表面上的缺陷的大小的厚度或更大的厚度的聚對二甲苯薄膜，以覆蓋溝槽表面上的全部缺陷。例如，在使用相對較高的蝕刻/燒蝕速度形成溝槽38的情況下，溝槽的壁具有大約5微米的粗糙度。在這種情況下，根據(jù)各種因素，如溝槽38的直徑，使用具有約為15到25微米厚度的聚對二甲苯薄膜。應(yīng)當理解，絕緣聚對二甲苯層40可以具有其它任意適當?shù)暮穸?，不管厚于或薄于這些尺寸，以足以保形涂覆并平整溝槽38的壁。
在這些實施例中，聚對二甲苯層40可以通過加熱到約300攝氏度進行短暫熱處理，以形成更為平滑的表面，其它材料層可沉積在該表面上。熱處理的聚對二甲苯層40還在鄰接聚對二甲苯層的表面的聚對二甲苯中形成了外部擴散阻擋區(qū)。在沒有對聚對二甲苯層40進行熱處理的實施例中，在沉積任意導電層之前，可以將擴散阻擋層(通常為金屬氧化物或金屬氮化物)沉積在聚對二甲苯上，以防止銅擴散進下面的材料中。然而，在沉積后加熱聚對二甲苯層40的實施例中，在聚對二甲苯的表面區(qū)域形成的擴散阻擋層可以提供足夠的保護，以使沉積附加的擴散阻擋層的步驟可以被省略。這是因為，在這些實施例中，聚對二甲苯層40的外部聚對二甲苯擴散阻擋區(qū)在高達兩百五十攝氏度條件下對銅擴散是不可滲透的。應(yīng)當理解，如果需要，也可以在聚對二甲苯層40上形成附加的擴散阻擋層，如圖5A中的41所示，以提供防止雜質(zhì)擴散到聚對二甲苯層40和襯底塊36中的附加的保護方式。用于形成附加的擴散阻擋層41的適當?shù)牟牧系膶嵤├?，但并不局限于，鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、鉭/氮化鉭雙層和鈦/氮化鈦雙層。
在形成絕緣聚合物層40之后，絕緣聚合物層40的至少一部分和鄰接聚合物層的電絕緣層32的一部分從溝槽38中被去除掉，以露出電路元件的背面，如圖5的實施例所示。鄰接電路元件34的聚合物層的部分可以通過任意適當?shù)姆椒ū蝗コ?。適當?shù)姆椒ǖ膶嵤├?，但并不局限于激光燒蝕法和氧等離子體蝕刻法。在有些實施例中，使用激光燒蝕去除鄰接電路元件34的絕緣聚合物層40的部分相比于使用氧等離子體蝕刻法具有更高的可選擇性和更高的精度。
下面參考圖6，在去除鄰接電路元件34的部分絕緣聚合物層40部分之后，在絕緣聚合物層40和電路元件34的露出部分的表面上形成導電互連層42，以完成從襯底30到電路元件的導電通道?；ミB層可以具有任意適當?shù)慕Y(jié)構(gòu)。圖6中所示的典型的導電層42包括形成在絕緣聚合物層40的表面上的導電籽晶層42a和形成在籽晶層上的略厚的導電覆蓋層42b。
在該實施例中，籽晶層42a的形成方式要使其與絕緣聚合物層40強力結(jié)合，并可以提供適于形成較厚的覆蓋層42b的表面。籽晶層42a可以以任意適當?shù)牟牧蠘?gòu)成。適當?shù)牟牧习?，但并不局限于，導電材料，如鋁、銀、金和銅。
籽晶層42a可以以任意適當?shù)姆椒ㄐ纬?。適當?shù)姆椒òㄐ纬山^緣聚合物層40和籽晶層42a之間的強力結(jié)合的那些方法，和可以用于涂覆高深寬比部件的那些方法。形成籽晶層42a的適當?shù)姆椒ǖ囊粋€實施例是電離物理汽相淀積法(I-PVD)。I-PVD可以涂覆具有高深寬比的部件，如溝槽38。此外，由于沖擊能較高，因此使用I-PVD將金屬如鋁、銀、金和銅等沉積在聚對二甲苯上可以使金屬層牢固附著在下面的聚對二甲苯層上。然而，在有些實施例中，對這些材料的I-PVD沉積速率略低于其他沉積技術(shù)的沉積速率。因此，一旦已經(jīng)沉積了籽晶層42a，就可以通過較快的沉積速率的方法沉積較厚的覆蓋層42b。用于形成覆蓋層42b的方法的實施例包括電鍍和無電鍍。覆蓋層42b可以以任意適當?shù)囊环N或多種材料構(gòu)成，可以以與籽晶層42a相同的材料構(gòu)成或以與籽晶層42a不同的材料構(gòu)成。用于籽晶層42a和覆蓋層42b的適當?shù)牟牧系膶嵤├?，但并不局限于，導電金屬，如鋁、銀、金和銅。
一旦形成了互連層42，就可以以填充層基本填充溝槽38，如圖7和8中的44所指出的。填充層44可以執(zhí)行任意多種功能。例如，填充層44可以用于幫助避免污染或后面的處理步驟對互連層42的損害。并且，填充層44通過填充溝槽38中的剩余空間還有助于平整襯底30的背面，從而便于附加的結(jié)構(gòu)如襯底背面的接觸焊盤或電路元件的制造。
填充層44可以以任意適當?shù)囊环N或多種材料構(gòu)成。例如，在這些實施例中，填充層44可以由導電材料構(gòu)成，如銅。形成導電材料的填充層44有助于增加提供到電路元件34的電流量。有選擇的，填充層44還可以由電絕緣材料構(gòu)成，如氧化物或氮化物材料構(gòu)成。同樣，填充層44還可以由絕緣聚合材料構(gòu)成，如聚對二甲苯聚合物。由于聚對二甲苯薄膜形成處于相對較高的速率，因此，由聚對二甲苯聚合物形成填充層44有助于降低形成填充層所需的時間量。此外，由于聚對二甲苯薄膜保形涂覆表面，因此，使用聚對二甲苯聚合物形成填充層44有助于避免填充層44中的空隙的形成。
圖7-8示出了聚對二甲苯填充層44的形成的一個實施例。首先，圖7是出了部分形成的填充層44的圖。由于聚對二甲苯均勻的沉積在表面上，因此，聚對二甲苯層的厚度以均勻的速率在互連層42的所有表面上增加，有助于避免空隙的形成。填充層44的形成在所有方向上均勻持續(xù)，如圖8所示，最后基本上完全填充溝槽38。
在形成填充層44的過程中，一些填充材料(未示出)可能沉積在襯底30的背面環(huán)繞溝槽38的區(qū)域中。在一些實施例中，即在填充材料為金屬、氧化物或氮化物的情況下，過剩的填充材料可以通過適當?shù)臐裎g刻或干蝕刻過程而被去除掉。在填充材料為聚對二甲苯聚合物的情況下，過剩的聚對二甲苯可以通過機械拋光而被去除掉。應(yīng)當理解，在填充材料為導電材料的情況下，最好可以盡可能多的去除掉襯底背面上的過剩的填充料，以避免相鄰互連之間短路的形成。然而，在填充材料為電絕緣材料的情況下，殘留在襯底30的背面的任意填充材料都不會引起襯底30的背面的相鄰互連之間的短路。
圖9-12示出了方法10的第二實施方式，其中，絕緣聚合物層鄰接電路元件的部分從襯底正面被去除掉，而不是從襯底背面被去除掉。首先，圖9示出了與圖4中的襯底相似的襯底130，其與圖4中的不同之處在于形成有開口150，其貫穿襯底正面上的絕緣層132和電路元件134，以從襯底正面露出絕緣聚合物層140的一部分。開口150可以以任意適當?shù)姆绞叫纬?。實施例包括，但不局限于，通常的濕蝕刻和干蝕刻過程。
形成開口150之后，露出的絕緣聚合物層140的部分可以被去除以從襯底的正面開放貫穿襯底130的通道，如圖10所示。任意適當?shù)姆椒ǘ伎梢杂糜谌コ徑与娐吩?34的絕緣聚合物層140部分。實施例包括氧等離子體蝕刻法和激光燒蝕法。
一旦去除了鄰接電路元件134的絕緣聚合物層140部分，就可以在絕緣聚合物層140的表面上形成導電互連層142，如圖11所示?；ミB層142可以具有任意適當?shù)慕Y(jié)構(gòu)。所述的互連層142包括籽晶層142a和形成在籽晶層上的較厚的導電覆蓋層142b。層142a和142b的材料和形成方法可以與上述圖2-8的實施例中所述的層42a和42b的材料和形成方法相似?；ミB層142在開口150的邊緣上接觸電路元件134，從而使得電流可以從互連層流到電路元件上。
下面參考圖12，在形成互連層142之后，可以在互連層142上(或內(nèi)部)形成填充層144。如上述圖2-8的實施例的層44所述，在有些實施例中，根據(jù)所需的填充層的電特性的不同，可以使用導電填充層或絕緣填充層144。在使用絕緣聚合物如聚對二甲苯形成填充層144的情況下，在這些表面上形成任何附加的結(jié)構(gòu)之前，可以通過拋光去除沉積在襯底130的正面或背面上的任何過剩的材料。
應(yīng)當理解，這里所披露的方法可以用于相對形成在襯底30上的其他部分形成任意適當尺寸和/或深寬比的貫穿襯底的互連。例如，溝槽38可以具有從幾微米到幾百微米的直徑(典型的具有小于等于20的深寬比)，聚對二甲苯層40可以具有從亞微米到幾十微米的厚度，導電層42可以具有從亞微米到幾十微米的厚度(或較大足以填充穿孔)。還應(yīng)當理解，這些僅僅是示例性的，這些結(jié)構(gòu)還可以具有這些范圍之外的尺寸。
根據(jù)本發(fā)明的方法構(gòu)成的貫穿襯底的互連可以構(gòu)成于多種不同的電子元件中的任意一種中，例如，大容量存儲器件和固態(tài)存儲器件。另一實施例包括檢測器或發(fā)射器陣列、微型機械裝置、光學開關(guān)和流體噴出裝置如打印設(shè)備的流體噴頭裝置。典型的打印設(shè)備如圖13中210所示，流體噴出承載器如212所示。盡管打印設(shè)備210為臺式打印機，應(yīng)當理解，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)成的流體噴出承載器還可以用于其他任意的打印設(shè)備，如傳真機或復(fù)印機。此外，打印設(shè)備210還可以具有任意希望的尺寸，大規(guī)格或小規(guī)格的。
流體噴出承載器212包括流體噴頭214，其上形成有多個流體噴出器件(未示出)。流體噴出器件可以構(gòu)成為將流體噴射到位于流體噴出承載器212下方的流體接受介質(zhì)上。如上所述，流體噴頭214的互連穿過襯底延伸到形成在襯底的背面上的接觸焊盤上。由此，流體噴頭212可以比傳統(tǒng)的打印頭更接近流體接受介質(zhì)，從而可以獲得更高分辨率的印刷品。并且，互連并不暴露于流體，由此可以具有更長的使用壽命。此外，由于該互連允許接觸焊盤位于流體噴頭214的背面，暴露于流體的導線被最小化，并由此相比于傳統(tǒng)流體噴頭降低了對由流體導致的污染引起的故障的敏感度。
雖然本發(fā)明包括了具體的實施例，但是，具體的實施例并不應(yīng)以限定的方式進行考慮，因為有可能具有多種改變。本發(fā)明披露的主題包括中所披露的各種元件、特征、功能和/或特性的所有新的和非顯而易見的組合和子組合。下面的權(quán)利要求特別指出了具有新穎性和非顯而易見的特定的組合和子組合。這些權(quán)利要求可以涉及一個元件或第一元件及其等同物。這些權(quán)利要求應(yīng)當理解為包括一個或多個這些元件的組合，既不需要也不排除兩個或多個這種元件。特征、功能、元件和/或特性的其他的組合和子組合可以通過對本發(fā)明的權(quán)利要求的修正而主張權(quán)利或通過提出本申請或相關(guān)的申請中的新的權(quán)利要求的出現(xiàn)而要求。這些權(quán)利要求，不管是寬于、窄于、等于或不同于原始權(quán)利要求的范圍，都視作包括在本發(fā)明披露的主題的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種制造微電子器件的貫穿襯底的互連(42)的方法(10)，該器件包括具有正面和背面的襯底(30)，該方法包括在襯底(30)的正面形成電路元件(34)；在襯底的背面形成延伸到電路元件(34)的溝槽(38)；在溝槽(38)中形成絕緣聚合材料層(40)；從絕緣聚合材料層(40)去除足夠量的聚合材料，以至少部分露出電路元件(34)；和在溝槽(38)中形成導電互連層(42)，其中，導電互連層(42)與電路元件(34)電連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法(10)，其中，形成襯底(30)背面的溝槽(38)的步驟包括通過利用由包括激光燒蝕法和深反應(yīng)離子蝕刻法的組中選定的技術(shù)形成溝槽(38)的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法(10)，其中，在溝槽(38)中形成絕緣聚合材料層(40)包括在溝槽(38)中形成聚對二甲苯層(40)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法(10)，還包括，在溝槽(38)中形成聚對二甲苯層(40)之后將襯底(30)加熱到約300攝氏度，以聚對二甲苯層(40)的外部區(qū)域中形成擴散阻擋層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法(10)，還包括在溝槽(38)內(nèi)在導電互連層(42)上形成填充層(44)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法(10)，其中，填充層(44)由聚對二甲苯構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法(10)，其中，填充層(44)由導電材料構(gòu)成。
8.一種制造微電子器件的貫穿襯底的互連(42)的方法(10)，該器件包括具有正面和背面的襯底(30)，該方法包括在襯底的正面形成導電電路元件(34)；在襯底的背面形成延伸到電路元件(34)的溝槽(38)，溝槽(38)包括內(nèi)表面，其中，溝槽(38)延伸到電路元件(34)；在溝槽(38)的內(nèi)表面上形成聚對二甲苯層(40)，以使電路元件(34)的至少一部分通過溝槽(38)露出；和在聚對二甲苯層(40)內(nèi)形成導電互連層(42)，其中，導電互連層(42)與電路元件(34)電連通。
9.一種微電子器件，包括具有正面、背面和體部(36)的襯底(30)；形成在襯底(30)正面的電路元件(34)；和從襯底(30)的背面經(jīng)過襯底(30)的體部(36)延伸到襯底(30)的正面的貫穿襯底的互連(42)，其中，貫穿襯底的互連(42)包括由聚合物電介質(zhì)層(40)與襯底(30)的體部(36)分開的導電互連層(42)。
10.一種流體噴射器件(210)，包括構(gòu)型為將流體噴射到流體接受介質(zhì)上的流體噴頭(214)，流體噴頭(214)包括一襯底(30)，其具有正面、背面和構(gòu)型為將電流從襯底(30)的背面經(jīng)過襯底(30)傳導到形成在襯底(30)正面的電路元件(34)的貫穿襯底的互連(42)，其中，貫穿襯底的互連(42)包括在襯底(30)中延伸的溝槽(38)、形成在溝槽(38)內(nèi)的聚合物電介質(zhì)材料層(40)，和在溝槽(38)中聚合物電介質(zhì)材料層(40)上形成的導電層(42)，導電層(42)與電路元件(34)電連通。
全文摘要
本發(fā)明披露了一種制造微電子器件的貫穿襯底的互連(42)的方法，該器件包括具有正面和背面的襯底(30)。該方法的一些實施例包括在襯底(30)的正面形成電路元件(34)；在襯底的背面形成延伸到電路元件(34)的溝槽(38)；在溝槽(38)中形成絕緣聚合材料層(40)；從絕緣聚合材料層(40)去除足夠量的聚合材料，以至少部分露出電路元件(34)；和在溝槽(38)中形成導電互連層(42)，其中，互連層(42)與電路元件(34)電連通。
文檔編號H01L23/48GK1499607SQ03152218
公開日2004年5月26日 申請日期2003年7月31日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月31日
發(fā)明者A·法塔斯, A 法塔斯 申請人:惠普開發(fā)有限公司