專利名稱：具有電容器的半導(dǎo)體設(shè)備及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備，特別涉及電容器結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
許多最新的集成電路都需要使用電容器。例如，在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)設(shè)備中，電容器發(fā)揮了至關(guān)重要的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能。由于DRAM和其他存儲(chǔ)設(shè)備集成度變得越來(lái)越高，需要新的制造工藝以增加這些電容器的存儲(chǔ)容量。然而要想獲得需要的電容容量卻變得越來(lái)越難。足夠的電容容量，對(duì)于獲得諸如數(shù)據(jù)保持、刷新效果和恒定工作特性這樣的特有的設(shè)備特性來(lái)說(shuō)，是十分重要的。
為提高電容容量，半導(dǎo)體行業(yè)將焦點(diǎn)投放在發(fā)展具有三維結(jié)構(gòu)的電容器電極之上。這是因?yàn)殡娙萜鞯碾娙荽笮∨c電容器電極的表面積直接成正例。據(jù)此，制造工藝通過(guò)增加單元電容器電極或存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的高度，以達(dá)到增大有效表面積之目的。例如，圖1示出了存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的高度與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)制定的設(shè)計(jì)規(guī)則之間的關(guān)系。如圖1所示，在現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)設(shè)計(jì)規(guī)則降低時(shí)，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的高度即可增加。
然而令人遺憾的是，增加存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的高度會(huì)導(dǎo)致許多問(wèn)題。例如，如果需要存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的高度大于大約10,000埃，則很難構(gòu)圖作為存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的導(dǎo)電層。而且，當(dāng)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的高度增加時(shí)，發(fā)生傾斜存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的可能性也會(huì)顯著增加。傾斜存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)會(huì)導(dǎo)致在相鄰的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)之間產(chǎn)生電橋。這種情況在圖2和圖3中被部分地示出了。圖2示意當(dāng)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的高度增加時(shí)，底部存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的CD(臨界尺寸)就會(huì)降低。圖3是一幅照片，它展示了在現(xiàn)有技術(shù)中的常規(guī)電容器結(jié)構(gòu)中，各個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)向相鄰的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)傾斜的情況。
除上述所示問(wèn)題之外，當(dāng)設(shè)計(jì)規(guī)則降低時(shí)，毗鄰的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)之間發(fā)生接觸的問(wèn)題的機(jī)率也會(huì)增加。圖4是一幅照片，它展示了毗鄰的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的接觸，示出了一種“未打開(kāi)(not open)”現(xiàn)象，該現(xiàn)象發(fā)生在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)制造的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器設(shè)備的常規(guī)電容器陣列中。由于這些以及其他問(wèn)題，改進(jìn)集成電路電容器及其制造方法的需求依然十分重要。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備優(yōu)選地包括半導(dǎo)體襯底和在半導(dǎo)體襯底之上的中間絕緣層。中間絕緣層可以在其中包括存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸焊盤。電容器的下電極優(yōu)選地與接觸焊盤電連接。電容器下電極可以進(jìn)一步包括焊盤形狀的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，并與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸焊盤電連接。杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)優(yōu)選地安置在焊盤形狀的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)之上。采用這種新穎的電容器下節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)，使得增加電容容量和降低毗鄰接觸的發(fā)生成為可能。同樣能夠顯著減少存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)傾斜的情況。
本發(fā)明同時(shí)考慮了在不增加電極高度的情況下，增加電容器電極表面積的其他方法。例如，其他同樣可以用來(lái)增加焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)表面積，并且不背離本發(fā)明原則和精神的方法。加大焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)寬度是達(dá)到這個(gè)目的的方法之一。改變焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的形狀，以增加其表面積，是不必增加電極高度從而達(dá)到增加電容容量目的的另一種方法。


本發(fā)明的其他目的、特性和優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)下面參照附圖對(duì)于優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明而變得更加明了，其中圖1示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的在存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的高度和設(shè)計(jì)規(guī)則之間的關(guān)系圖。
圖2示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)在存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的底部臨界尺寸(CD)和存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)高度之間的關(guān)系圖。
圖3示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)技術(shù)的一個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備的截面圖，該設(shè)備的電容器結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)發(fā)生了傾斜的情況。
圖4示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)技術(shù)的一個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備的電容器結(jié)構(gòu)的俯視圖，該設(shè)備發(fā)生了毗鄰(非開(kāi)放)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)間的接觸。
圖5至圖16示出了半導(dǎo)體設(shè)備的示意性截面圖，它示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的一種制造集成電路存儲(chǔ)器設(shè)備的電容器結(jié)構(gòu)的方法。在圖5至圖16中，奇數(shù)號(hào)的圖表示位線方向的截面圖，而偶數(shù)號(hào)的圖表示字線方向的截面圖。以及圖17示出了根據(jù)圖15中示出的本發(fā)明的實(shí)施例的包括盤形存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和杯形存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電容器下電極的平面圖。在圖5至圖16中，奇數(shù)號(hào)的圖表示位線方向的截面圖，而偶數(shù)號(hào)的圖表示字線方向的截面圖。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)圖5至圖16，本發(fā)明所采用的一種實(shí)施例將在下文詳述，以提供對(duì)本發(fā)明原則的一種更徹底的理解。然而，本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員可以理解，本發(fā)明可以通過(guò)多種形式實(shí)現(xiàn)。此外，為了簡(jiǎn)明，在此省略了對(duì)眾所周知的結(jié)構(gòu)和技術(shù)的描述。
首先參考圖15，根據(jù)本發(fā)明所采用的實(shí)施例實(shí)現(xiàn)的半導(dǎo)體設(shè)備優(yōu)選地包括位于半導(dǎo)體襯底100之上的中間絕緣層102。中間絕緣層102優(yōu)選地內(nèi)嵌存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸焊盤104。電容器下電極106可置于接觸焊盤104之上，并與之電連接。電容器下電極106包含焊盤形狀的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)40，且該節(jié)點(diǎn)與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸焊盤104電連接；以及置于焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)40上的杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)70。
焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)40可包含任何合適形狀以支持杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)70，例如，有四條邊的盒狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)或?qū)嵭?非空心)的圓柱狀節(jié)點(diǎn)。杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)70可包含“單一圓柱層疊”(OCS)結(jié)構(gòu)。杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)70的電容容量比簡(jiǎn)單的層疊式電容器結(jié)構(gòu)的容量大約兩倍，因?yàn)楸瓲畲鎯?chǔ)節(jié)點(diǎn)的內(nèi)部表面和外部表面都可以用作有效的電容區(qū)域。
圖17示出了根據(jù)圖15所示的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的電容器下電極106的平面圖，電容器下電極106包含焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)40，以及覆蓋于存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸焊盤104之上的杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)70。參考圖17，雖然杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)70被顯示為大體是正方形的形狀，在平面圖中，它仍然可以是諸如圓形、橢圓形、菱形或是其他任何合適的形狀。
圖5至圖16為截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的另一方面的制造如圖15和圖17所示的集成電路存儲(chǔ)設(shè)備的制造方法。參考圖5與圖6，一種低結(jié)構(gòu)(lower structure)，例如柵疊層112或位線(未顯示)，優(yōu)選地置于半導(dǎo)體襯底100之上。在獲得的結(jié)構(gòu)之上為中間絕緣層102，它隨后由諸如氧化物這樣的介電材料構(gòu)成。
接下來(lái)，位于中間絕緣層102中的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸焊盤104，可與半導(dǎo)體襯底100的有源區(qū)電連接。蝕刻終止層10與第一犧牲層20優(yōu)選地順序形成于存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸焊盤104和中間絕緣層102之上。這些層可以通過(guò)常規(guī)工藝制造。
相對(duì)第一犧牲層20，蝕刻終止層10優(yōu)選地有更高的蝕刻選擇性。蝕刻終止層10可由氮化硅制成，以達(dá)到例如500到1000埃之間的厚度。在后續(xù)地的蝕刻剝離工藝中，蝕刻終止層10優(yōu)選地作為蝕刻處理的終點(diǎn)，該蝕刻處理是為了去除第一犧牲層20，以及后來(lái)形成于其上的第二和第三犧牲層。
第一犧牲層20優(yōu)選地由厚度介于3000到20000埃之間的氧化物構(gòu)成，它是使用諸如低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)之類的常規(guī)技術(shù)制造而成的。第一犧牲層20可以是由增強(qiáng)等離子體四乙基氧硅烷(PE-TEOS)構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)，或是包含PE-TEOS的多層結(jié)構(gòu)。
現(xiàn)在參考圖7和圖8，第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)開(kāi)口30優(yōu)選地形成于第一犧牲層20之中，是通過(guò)常規(guī)的光刻法和蝕刻工藝制成的，并將蝕刻終止層10作為蝕刻的終點(diǎn)。存留在第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)開(kāi)口30中的蝕刻終止層優(yōu)選地被去除。
參考圖9與圖10，焊盤形狀(亦可為諸如盒狀的其他形狀)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)40可通過(guò)LPCVD和CMP過(guò)程形成于第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)開(kāi)口30之中。諸如摻雜多晶硅、鉑(Pt)、釕(Ru)或錫(TiN)之類的導(dǎo)電材料可填充于位于第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)開(kāi)口30的上述結(jié)構(gòu)中，并且平面化來(lái)形成焊盤形狀的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)40。
參考圖11與圖12，第二犧牲層60繼而形成于第一犧牲層20和焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)40之上。第二犧牲層60優(yōu)選地由厚度介于10000至30000埃之間的氧化物形成。本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員將會(huì)發(fā)現(xiàn)其他適當(dāng)?shù)慕殡姴牧贤瑯涌梢杂米餍纬傻谝缓偷诙奚鼘?0、60。
參考圖13與圖14，第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)開(kāi)口80優(yōu)選地通過(guò)常規(guī)的光刻法和蝕刻工藝，形成于第一和第二犧牲層20、60之中。使用諸如LPCVD工藝之類的常規(guī)技術(shù)，將諸如摻雜多晶硅之類的導(dǎo)電材料填充于第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)開(kāi)口80中，即可形成杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)70。
第三犧牲層90可形成于杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)70之上，通過(guò)諸如LPCVD工藝之類的常規(guī)技術(shù)，并由氧化物之類的材料構(gòu)成。第三犧牲層90優(yōu)選地由厚度介于3000到5000埃之間的介電材料，諸如未摻雜介質(zhì)的硅酸鹽玻璃(USG)層制成。
最終的結(jié)構(gòu)優(yōu)選地被隨后平面化來(lái)形成杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)70，毗鄰的杯狀節(jié)點(diǎn)70之間分隔開(kāi)來(lái)。因此，每個(gè)杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)70(例如OCS類型的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn))都可形成在覆蓋于焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)40之上的第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)開(kāi)口80之中?？刹捎弥T如CMP工藝或深腐蝕之類的常規(guī)平面化工藝來(lái)隔離各個(gè)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)(電容器下電極)106。
參考圖15和圖16，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第一、第二、第三犧牲層20、60、90可通過(guò)常規(guī)的剝離工藝同時(shí)去除以形成新型的電容器下電極106。因此，本發(fā)明的電容器下電極優(yōu)選地由兩個(gè)連續(xù)的重疊部分構(gòu)成。第一部分包含焊盤形狀(例如盒狀)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)40。第二部分包含杯狀的(例如OCS正方形)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)70，它堆疊于焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)40之上。焊盤形狀的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)40與杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)70之間的高度比約為0.9∶1。因此，杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的高度略低于常規(guī)OCS存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的高度。結(jié)果，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)發(fā)生傾斜情況的機(jī)率將顯著減少，與此同時(shí)電容器的電容量得到提升。
因此，本發(fā)明的原則就是，采用一種新的存儲(chǔ)電容器結(jié)構(gòu)及其制造方法，以提供更加可靠堅(jiān)固的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，由于在杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)或OCS存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)之中只需除去更少的犧牲層，本發(fā)明所采用的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)一步提供了一種更簡(jiǎn)單的剝離工藝。此外，由于杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)開(kāi)口的邊緣可有足夠的光刻邊緣，亦可顯著降低發(fā)生非開(kāi)放接觸現(xiàn)象的機(jī)率。進(jìn)一步的，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，電容器下電極底部的寬度可以增加，防止傾斜現(xiàn)象之發(fā)生，與此同時(shí)使用杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)或OCS存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，增加了電容器結(jié)構(gòu)的電容量。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，說(shuō)明了本發(fā)明原則，在不背離這些原則的情況下，可對(duì)本發(fā)明的排列和細(xì)節(jié)部分進(jìn)行修改。因此，對(duì)所有不背離下列權(quán)利要求之范圍與精神的修改和變化，我們聲明對(duì)其擁有權(quán)利。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體電容器下電極，包括焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸焊盤電連接；杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，位于焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)之上。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體電容器下電極，其特征在于杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)為單一圓柱層疊(OCS)電容器。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體電容器下電極，其特征在于杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)在平面圖中可為方形、圓形或橢圓形。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體電容器下電極，其特征在于焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)與杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)之間的高度比約為0.9∶1。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體電容器下電極，其特征在于焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)包括盒狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體電容器下電極，其特征在于焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)包括實(shí)心圓柱狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。
7.一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括半導(dǎo)體襯底；位于半導(dǎo)體襯底之上的中間絕緣層，且該中間絕緣層中具有接觸焊盤；電容器下電極，與接觸焊盤電連接，電容器下電極包括與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸焊盤電連接的焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)；以及位于焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)之上的杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。
8.如權(quán)利要求7所述的電容器，其特征在于焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)為盒狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)或?qū)嵭膱A柱狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。
9.如權(quán)利要求7所述的電容器，其特征在于焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)由多晶硅構(gòu)成。
10.一種制造半導(dǎo)體設(shè)備的方法，包括在半導(dǎo)體襯底上形成中間絕緣層，中間絕緣層包括接觸焊盤；在接觸焊盤上形成焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)；在焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)上形成杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)以構(gòu)成電容器下電極。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，形成焊盤形狀的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)包括在接觸焊盤上形成蝕刻終止層和第一犧牲層，在第一犧牲層中形成第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)開(kāi)口，在第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)開(kāi)口中形成焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，在第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)開(kāi)口中形成焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)包括使導(dǎo)電材料填充位于第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)開(kāi)口中的最終結(jié)構(gòu)，并平面化導(dǎo)電材料以形成焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，形成杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)包括在第一犧牲層和焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)之上形成第二犧牲層，在第二犧牲層中形成第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)開(kāi)口，在第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)開(kāi)口中形成杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，還包括在杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)之上形成第三犧牲層。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，還包括將電容器下電極與半導(dǎo)體設(shè)備的其他電容器下電極分隔開(kāi)來(lái)。
16.一種制造半導(dǎo)體設(shè)備的方法，包括形成位于半導(dǎo)體襯底之上的中間絕緣層，且該中間絕緣層中包含接觸焊盤；在中間絕緣層之上形成蝕刻終止層；在蝕刻終止層之上形成第一犧牲層；在第一絕緣層之中形成第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)開(kāi)口；在開(kāi)口中形成焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)；在焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和蝕刻終止層上形成第二犧牲層；在位于焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)之上的第二犧牲層中形成第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)開(kāi)口；在第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)開(kāi)口中形成杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)；除去第一和第二犧牲層以形成電容器下電極。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，在第一絕緣層中形成第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)開(kāi)口的過(guò)程中，蝕刻終止層起到蝕刻終止的作用。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)為盒狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)可包含正方形、圓形，或橢圓形截面。
20.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于除去第一和第二犧牲層以形成電容器下電極包括并使用平面化或深腐蝕工藝以將電容器下電極與其他電容器下電極分隔開(kāi)來(lái)。
全文摘要
一種半導(dǎo)體設(shè)備包括半導(dǎo)體襯底和形成于半導(dǎo)體襯底之上的中間絕緣層。中間絕緣層優(yōu)選地包含一個(gè)接觸焊盤。電容器下電極與接觸焊盤電連接。電容器下電極還包括與接觸焊盤相連的焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)；和置于焊盤形狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)之上的杯狀存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。使用這種方法，可以增加電容容量并降低非開(kāi)放接觸。同樣可顯著減少發(fā)生存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)傾斜問(wèn)題的機(jī)率。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1536669SQ03147820
公開(kāi)日2004年10月13日 申請(qǐng)日期2003年6月25日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月3日
發(fā)明者鄭泰榮, 李宰求, 樸濟(jì)民 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社