專利名稱：半導(dǎo)體器件及包括該半導(dǎo)體器件的光學(xué)器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及包括該半導(dǎo)體器件的光學(xué)器件，并且特別涉及一種具有光電二極管的半導(dǎo)體器件，以及包括此種半導(dǎo)體器件的光學(xué)器件。
背景技術(shù)：
光電二極管能夠?qū)⒐庑盘栟D(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘枺⑶乙驯粡V泛地使用于，例如各種光電轉(zhuǎn)換器中的控制光傳感器。為改善光電二極管的靈敏性，在光電二極管上形成了用于抑制入射光反射的抗反射涂層。
采用氧化硅膜和氮化硅膜作為抗反射涂層。例如，膜厚約32nm的氧化硅膜形成于光電二極管上，并且膜厚約55nm的氮化硅膜進(jìn)一步形成于氧化硅膜上。這會實現(xiàn)對于波長分別為780nm和650nm的光的不大于6％的光反射率。
波長為780nm的光被用于例如在CD(光盤)或MD(迷你光盤)中讀取或?qū)懭胄畔ⅰＡ硪环矫?，波長為650nm的光被用于在DVD(數(shù)字化視頻光盤)中讀取或?qū)懭胄畔ⅰ?br> 抗反射涂層的反射率取決于其相對于大范圍的膜厚。因此，在形成抗反射涂層后的工藝步驟中，需要避免由于蝕刻使抗反射涂層的膜厚減小。
為此，例如，在形成抗反射涂層后緊接著形成用于保護(hù)抗反射涂層的氧化硅膜。在后續(xù)指定的處理步驟之后，最終，形成覆蓋絕緣膜。在進(jìn)一步的指定的蝕刻步驟后，保護(hù)抗反射涂層的氧化硅膜被濕法蝕刻以將其移除。因此，防止了抗反射涂層膜厚的減小。
圖5示出了包括此種傳統(tǒng)光電二極管的半導(dǎo)體器件的示例。如圖5所示，半導(dǎo)體襯底101設(shè)置有形成NPN晶體管的區(qū)域T和形成光電二極管的區(qū)域PD。
現(xiàn)在將描述該半導(dǎo)體器件的制造方法的示例。例如，在電阻率為60Ω·cm的P-型硅襯底101的表面上選擇性地形成作為NPN晶體管的集電極區(qū)的N+型埋入?yún)^(qū)102和P+型元件隔離區(qū)104。接著，在P型硅襯底101上形成具有2Ω·cm的電阻率和約2μm的膜厚的N型外延層103。
然后，通過例如LOCOS(Local Oxidation of Silicon硅的局部氧化)在N型外延層103上形成由氧化硅膜制成的元件隔離絕緣膜(element isolationinsulating film)105。元件的隔離是通過元件隔離絕緣膜105、P+型元件隔離區(qū)104和P-型硅襯底101實現(xiàn)的。此處，P+型元件隔離區(qū)104還用作光電二極管的陽極伸出部分(電極)。
另一方面，在PD區(qū)域中，通過例如熱氧化法形成膜厚約32nm的氧化硅膜116a，并且在N型外延層103中形成N+型區(qū)域111。然后，通過CVD(化學(xué)汽相沉積)形成膜厚約55nm的氮化硅膜116b。
其后，位于區(qū)域S以外的區(qū)域中的氮化硅膜被通過指定的光刻工藝移除，其中該S區(qū)域為光電二極管的光接收面所處的區(qū)域。由此在區(qū)域PD上形成了抗反射涂層116。
接著，在形成NPN晶體管的區(qū)域T中，在一個由元件隔離絕緣膜105圍繞的區(qū)域中形成N+型集電極區(qū)106。然后在N型外延層103中由元件隔離絕緣膜105包圍的另一區(qū)域中形成P型基極區(qū)110。
然后，形成由例如氧化硅膜制成的絕緣膜107。接著，在位于P型基極區(qū)110上的絕緣膜107中形成作為發(fā)射極接觸區(qū)的N+型多晶硅層114。此處，N+型多晶硅層114還作為陰極伸出部分(電極)形成于光電二極管區(qū)域中。
其后，進(jìn)行指定的退火處理以使N+型多晶硅層114中的n型雜質(zhì)擴(kuò)散，從而形成N型發(fā)射極區(qū)108。按此方式，形成了具有N型發(fā)射極區(qū)108、P型基極區(qū)110和N+型集電極區(qū)106的NPN晶體管。
其后，形成由例如氧化硅膜制成的第一層間絕緣膜112，以完全覆蓋NPN晶體管和光電二極管。在絕緣膜105和第一層間絕緣膜112的指定區(qū)域中形成接觸孔，然后，沉積例如鈦、鎢、鋁等，從而形成第一互連(interconnection)115。
然后，形成由例如氧化硅膜和氮化硅膜制成的第二層間絕緣膜113，以覆蓋第一互連115。在第二層間絕緣膜113上形成由例如鋁制成的第二互連117。在第二互連117上形成由例如氮化硅膜制成的覆蓋絕緣膜118。
在對上述第一互連115和第二互連117進(jìn)行構(gòu)圖時，其位于光電二極管的光接收面所處的區(qū)域S中的部分被移除。另外，在分別形成了第二層間絕緣膜113和覆蓋絕緣膜118后，其位于光電二極管的光接收面所處的區(qū)域S中的部分也被移除。
從而，在其中形成了覆蓋絕緣膜118的臺處，第一層間絕緣膜120的表面暴露于光電二極管的光接收面所處的區(qū)域S中，而抗反射涂層116由第一層間絕緣膜120所保護(hù)。其后，光電二極管的光接收面所處的區(qū)域S中的第一層間絕緣膜120被通過濕法蝕刻移除，從而暴露出抗反射涂層116。
接著，已被進(jìn)行了用于制造NPN晶體管和光電二極管的工藝的硅襯底(晶片)被切割，以形成半導(dǎo)體芯片。單個的半導(dǎo)體芯片被以銀膠等貼附至導(dǎo)線框架，并以成型絕緣膜(molding insulating film)119成型。按此方式完成了具有光電二極管的半導(dǎo)體器件。
另一方面，上述的傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件具有如下問題。在具有光電二極管的半導(dǎo)體器件中，抗反射涂層116形成于光電二極管上，用于改善光電二極管的靈敏度。此處，抗反射涂層116的反射率取決于對于大范圍的膜厚。
從而，在抗反射涂層116形成后的工藝步驟中，形成了用于保護(hù)抗反射涂層116的第一層間絕緣膜120，使得抗反射涂層116的膜厚不會被蝕刻減小。
第一層間絕緣膜120最終被通過濕法蝕刻移除，如上所述。因此，需要額外的工藝步驟。
另外，在利用成型絕緣膜使半導(dǎo)體芯片成型時，抗反射涂層116暴露于光電二極管的光接收面所處的區(qū)域S中。因此，區(qū)域S與其它區(qū)域之間的高度差異相對較大，并且空氣容易殘留在臺階部分。這將導(dǎo)致光靈敏度的變化。

發(fā)明內(nèi)容
設(shè)計本發(fā)明正是為了解決上述問題。本發(fā)明的一個目的是提供一種半導(dǎo)體器件，其在不使光反射率退化的同時能夠?qū)崿F(xiàn)工藝步驟個數(shù)的減少。本發(fā)明的另一方面是提供一種包括此類半導(dǎo)體器件的光學(xué)器件。
根據(jù)本發(fā)明一個方面的一種半導(dǎo)體器件，包括光接收元件、抗反射涂層、保護(hù)膜和成型材料。光接收元件具有形成于半導(dǎo)體襯底的主表面上的光接收面?？狗瓷渫繉颖恍纬蔀楦采w光接收元件的光接收面，并由用于抑制入射光的反射的指定層形成。保護(hù)膜形成于抗反射涂層上并保護(hù)抗反射涂層。成型材料形成于半導(dǎo)體襯底上，而直接覆蓋保護(hù)層。
在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件中，成型材料形成于半導(dǎo)體襯底上，而直接覆蓋抗反射涂層。另一方面，在本結(jié)構(gòu)中，保護(hù)膜位于抗反射涂層上。因此，不必移除光接收元件的光接收面所處的區(qū)域中的保護(hù)膜，并且實現(xiàn)了工藝步驟數(shù)量的減少。另外，可將光反射率抑制在相對低的值，即使是在保護(hù)膜的膜厚變化時。
另外，優(yōu)選保護(hù)膜與成型材料之間折射率的差異不大于0.3。
因此，對于波長780nm和650nm的光的反射率可分別被抑制在不大于10％，而不考慮保護(hù)膜的膜厚的變化。
具體地，優(yōu)選此保護(hù)膜包括氧化硅膜或聚酰亞胺基樹脂。
優(yōu)選該半導(dǎo)體器件還包括用于處理指定信號的信號處理電路部分，形成于半導(dǎo)體襯底的與形成了光接收元件的區(qū)域不同的區(qū)域中。
在此情況下，優(yōu)選半導(dǎo)體器件還包括第一絕緣膜，其被形成為覆蓋信號處理電路部分，并且保護(hù)膜包括由與第一絕緣膜相同的層形成的膜。
另外，優(yōu)選半導(dǎo)體器件還包括第一互連，形成于半導(dǎo)體襯底上，并具有插入其中的第二絕緣膜，并且保護(hù)膜包括由與第二絕緣膜相同的層形成的膜。
另外，優(yōu)選半導(dǎo)體器件還包括第三絕緣膜，其被形成為覆蓋第一互連，并且保護(hù)膜包括由與第三絕緣膜相同的層形成的膜。
另外，優(yōu)選半導(dǎo)體器件還包括形成于第三絕緣膜上的第二互連，以及被形成為覆蓋第二互連的第四絕緣膜，并且保護(hù)膜包括由與第四絕緣膜相同的層形成的膜。
因此，可在形成信號處理電路部分的步驟的同時形成保護(hù)膜。
根據(jù)本發(fā)明另一方面的光學(xué)器件，其包括一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括光接收元件、抗反射涂層、保護(hù)膜和成型材料。光接收元件具有形成于半導(dǎo)體襯底的主表面上的光接收面。抗反射涂層被形成為覆蓋光接收元件的光接收面，并由用于抑制入射光的反射的指定層形成。保護(hù)膜形成于抗反射涂層上并保護(hù)抗反射涂層。成型材料形成于半導(dǎo)體襯底上，以直接覆蓋保護(hù)層。
根據(jù)此光學(xué)器件，光的折射率可被抑制為相對低的值，并且另外可以降低其制造成本。
本發(fā)明的前述及其它目的、特點、方面和優(yōu)點將在下面通過結(jié)合附圖隊本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述而變得明顯易懂。


圖1為本發(fā)明第一實施例中的半導(dǎo)體器件的截面圖；圖2說明了第一實施例中光反射率對保護(hù)絕緣膜的膜厚的依賴關(guān)系；圖3為本發(fā)明第二實施例中的半導(dǎo)體器件的截面圖；圖4說明了第二實施例中光反射率對成型絕緣膜的折射率的依賴關(guān)系；以及圖5為傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件的截面圖。
具體實施例方式
第一實施例下面將描述本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件。圖1所示的半導(dǎo)體器件表示了包括安裝有光電二極管和雙極元件的電路的光接收元件。如圖1所示，NPN晶體管形成于面對紙面時的左側(cè)的區(qū)域T中，而光電二極管形成于右側(cè)的區(qū)域PD中。
用于形成NPN晶體管和光電二極管的工藝步驟與傳統(tǒng)方法中的類似。例如，在電阻率為60Ω·cm的P-型硅襯底1的表面上選擇性地形成作為NPN晶體管的集電極區(qū)的N+埋入?yún)^(qū)2和P+型元件隔離區(qū)4。
接著，在P-型硅襯底1的表面上形成電阻率為2Ω·cm、膜厚約2μm的N型外延層3。然后，通過例如LOCOS在N型外延層3上形成由氧化硅膜制成的元件隔離絕緣膜5。
此處，元件隔離是通過元件隔離絕緣膜5、P+型元件隔離區(qū)4和P-型硅襯底1實現(xiàn)的。P+型元件隔離區(qū)4同樣還作為光電二極管的陽極伸出部分(電極)。
另一方面，在形成光電二極管的區(qū)域PD中利用例如熱氧化法形成了膜厚約32nm的氧化硅膜16a，并且在N型外延層3中形成N+型區(qū)域11。然后，通過CVD形成膜厚約55nm的氮化硅膜16b。
其后，通過指定的光刻工藝移除位于除光電二極管的光接收面所處的區(qū)域S以外的區(qū)域中的氮化硅膜。由此形成抗反射涂層16。
接著，在NPN晶體管區(qū)域中，在一個由元件隔離絕緣膜5圍繞的區(qū)域中形成N+型集電極區(qū)6。隨后，在N型外延層3中的另一個由元件隔離絕緣膜5圍繞的區(qū)域中形成P型基極區(qū)10。
然后，形成由例如氧化硅膜制成的絕緣膜7。接著，在位于P型基極區(qū)10上的絕緣膜7中形成作為發(fā)射極接觸區(qū)的N+型多晶硅層14。此處，N+型多晶硅層14還形成于形成光電二極管的區(qū)域PD中，作為陰極伸出部分(電極)。
其后，進(jìn)行指定的退火處理以使N+型多晶硅層14中的n型雜質(zhì)擴(kuò)散，從而形成N型發(fā)射極區(qū)8。按此方式，形成了具有N型發(fā)射極區(qū)8、P型基極區(qū)10和N+型集電極區(qū)6的NPN晶體管。
接著，形成由例如氧化硅膜制成的第一層間絕緣膜12，以完全覆蓋NPN晶體管和光電二極管。在絕緣膜5和第一層間絕緣膜12的指定區(qū)域中形成接觸孔，然后，沉積例如鈦、鎢、鋁等，從而形成第一互連15。
然后，形成由例如氧化硅膜和氮化硅膜構(gòu)成的疊層膜制成的第二層間絕緣膜13，以覆蓋第一互連15。在第二層間絕緣膜13上形成由例如鋁制成的第二互連17。在第二互連17上形成由例如氮化硅膜制成的覆蓋絕緣膜18。
在對上述第一互連15和第二互連17進(jìn)行構(gòu)圖時，其處于光電二極管的光接收面所處的區(qū)域S中的部分被移除。另外，在分別形成第二層間絕緣膜13和覆蓋絕緣膜18后，其處于光電二極管的光接收面所處的區(qū)域S中的部分也被移除。
在其中形成了覆蓋絕緣膜18的臺處，在光電二極管的光接收面所處的區(qū)域S中的抗反射涂層16上僅保留了由絕緣膜7和第一層間絕緣膜12制成的保護(hù)絕緣膜20。保護(hù)絕緣膜20未如傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件中那樣在后來通過蝕刻移除，并且抗反射涂層16仍然由保護(hù)絕緣膜20覆蓋。
其后，已被進(jìn)行了用于制造NPN晶體管和光電二極管的工藝的硅襯底(晶片)被切割，以形成半導(dǎo)體芯片。單個的半導(dǎo)體芯片被以銀膠等貼附至導(dǎo)線框架，并以諸如透明成型樹脂的成型絕緣膜19成型。按此方式完成了具有光電二極管的半導(dǎo)體器件。
按上述方式形成的根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件不同于，由絕緣膜7和第一層間絕緣膜12制成的保護(hù)絕緣膜20保留在抗反射涂層16上。
此處，評價了由抗反射涂層16(氧化硅膜16a和氮化硅膜16b)、保護(hù)絕緣膜20(絕緣膜7和第一層間絕緣膜12)和成型絕緣膜19構(gòu)成的疊層膜的反射率對保護(hù)絕緣膜20的膜厚的依賴關(guān)系。
結(jié)果在圖2中示出。圖2示出了分別對于波長780nm和650nm的光的反射率。此處，假定已將氧化硅膜16a、氮化硅膜16b和成型絕緣膜19的折射率設(shè)置為1.45、2.00和1.54。
如前所述，波長780nm的光為在例如CD或MD中讀取或?qū)懭胄畔⒍峁ㄩL650nm的光為在DVD中讀取或?qū)懭胄畔⒍峁?br> 如圖2所示，即使保護(hù)絕緣膜20的膜厚變化，可以一直獲得不大于6％的反射率。另外，反射率的變化范圍獲得為約3％，可實現(xiàn)優(yōu)良的反射率特性。
根據(jù)上述的半導(dǎo)體器件，可在沒有用于移除光電二極管的光接收面所處的區(qū)域S中的保護(hù)絕緣膜20的工藝步驟的情況下獲得期望的低反射率，從而實現(xiàn)了工藝步驟個數(shù)的減少。
另外，由于保護(hù)絕緣膜20未被移除，因此光電二極管的光接收面所處的區(qū)域S與其它區(qū)域之間的高度差異可以變得更小。因此，在通過成型絕緣膜使半導(dǎo)體芯片成型時，可以防止空氣殘留在形成的光電二極管的區(qū)域的部分中。
另外，構(gòu)成保護(hù)絕緣膜20的絕緣膜7和第一層間絕緣膜12可在半導(dǎo)體襯底1上形成晶體管的步驟的同時形成。
第二實施例下面將介紹本發(fā)明第二實施例中的半導(dǎo)體器件。在圖3所示的半導(dǎo)體器件中，采用單層氧化硅膜作為第二層間絕緣膜13，并且采用聚酰亞胺基樹脂作為覆蓋絕緣膜18。另外，第二層間絕緣膜13和覆蓋絕緣膜18未被移除，而是保留在光電二極管的光接收面所處的區(qū)域S中的第一層間絕緣膜12上。
其它的結(jié)構(gòu)與圖1所示參照第一實施例介紹的半導(dǎo)體器件相同。因此，相同的附圖標(biāo)記分配給了相同的部件，并且不再重復(fù)地對其描述。
根據(jù)本半導(dǎo)體器件，如同前面描述的半導(dǎo)體器件中一樣，首先，可在沒有用于移除光電二極管的光接收面所處的區(qū)域S中的保護(hù)絕緣膜20的工藝步驟的情況下獲得期望的低反射率，從而實現(xiàn)了工藝步驟個數(shù)的減少。
另外，由于絕緣膜7、第一層間絕緣膜12、第二層間絕緣膜13與覆蓋絕緣膜18起到了保護(hù)絕緣膜20的作用，因此光電二極管的光接收面所處的區(qū)域S中的高度差異可以進(jìn)一步變小。另外，可通過采用聚酰亞胺基樹脂作為覆蓋絕緣膜18改善耐潮濕性能。
即使是在保護(hù)絕緣膜20的膜厚大于前述半導(dǎo)體器件的示例中的膜厚時，也可獲得對于保護(hù)絕緣膜20的相對寬的厚度范圍的低反射率，從而可以使光反射率保持在相對低的值。
圖4示出了在通過成型絕緣膜19使半導(dǎo)體器件成型時，反射率對成型絕緣膜19的折射率的依賴關(guān)系。反射率范圍表示作為保護(hù)絕緣膜20的氧化硅膜的膜厚變化時反射率變化的范圍；范圍L1表示對于波長650nm的光的反射率的范圍；以及，范圍L2表示對于波長780nm的光的反射率的范圍。
如圖4所示，為抑制對于波長780nm和650nm的光的反射率，使其在不考慮保護(hù)絕緣膜20的膜厚變化時分別不大于10％，優(yōu)選地，作為保護(hù)絕緣膜20的氧化硅膜的折射率(1.45)與成型絕緣膜19的折射率之間的差異D1不大于0.3。
如上所述，若保護(hù)絕緣膜20與成型絕緣膜19之間的折射率差異D1不大于0.3，則由于保護(hù)絕緣膜20的膜厚的變化導(dǎo)致的反射率的變化可變得相對較小。因此，位于保護(hù)絕緣膜20下的抗反射涂層16受到了保護(hù)絕緣膜20的保護(hù)。
另外，為使反射率不大于6％從而獲得光電二極管的充分的靈敏度，優(yōu)選作為保護(hù)絕緣膜20的氧化硅膜與成型絕緣膜19之間的折射率差異D2不大于0.1。從而可以改善光電二極管的靈敏度。
盡管在上述每個實施例中，將NPN晶體管作為形成于半導(dǎo)體襯底上的晶體管的示例，但也可形成PNP晶體管、MOS晶體管等。另外，除晶體管外，可形成諸如電阻和電容的元件。
另外，盡管將光電二極管描述為光接收元件的示例，但光接收元件不限于此，只要是接收指定波長的光并將其轉(zhuǎn)變?yōu)樾盘柕脑紝儆谒龉饨邮赵?br> 考慮抗反射涂層，可以采用允許其結(jié)構(gòu)和膜厚根據(jù)信號光的波長進(jìn)行調(diào)整的、并且由單個氮化硅層或由例如兩層或更多層制成的膜制成的抗反射涂層。
上述的半導(dǎo)體器件本身可作為單個光接收器件，或該半導(dǎo)體器件可與半導(dǎo)體激光器元件、全息元件和會聚透鏡等集成應(yīng)用于諸如全息激光單元(hologram laser unit)的光學(xué)器件。
盡管本發(fā)明已經(jīng)如上詳細(xì)介紹，但顯然這些描述是出于對本發(fā)明的說明和例示而非對其構(gòu)成任何限制，本發(fā)明的精神和范圍僅由所附權(quán)利要求所限定。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括光接收元件，其具有形成于半導(dǎo)體襯底的主表面上的光接收面；抗反射涂層，其被形成為覆蓋所述光接收元件的光接收面，并由用于抑制入射光的反射的指定層形成；保護(hù)膜，其形成于所述抗反射涂層上并保護(hù)所述抗反射涂層；以及成型材料，其形成于所述半導(dǎo)體襯底上，以直接覆蓋所述保護(hù)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述保護(hù)膜的折射率與所述成型材料的折射率的差異不大于0.3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述保護(hù)膜包括氧化硅膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述保護(hù)膜包括聚酰亞胺基樹脂。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括用于處理指定信號的信號處理電路部分，形成于所述半導(dǎo)體襯底的與形成了所述光接收元件的區(qū)域不同的區(qū)域中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，還包括第一絕緣膜，其被形成為覆蓋所述信號處理電路部分，其中所述保護(hù)膜包括由與所述第一絕緣膜相同的層形成的膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，還包括第一互連，形成于所述半導(dǎo)體襯底上，且第二絕緣膜插入其中，其中所述保護(hù)膜包括由與所述第二絕緣膜相同的層形成的膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，還包括第三絕緣膜，其被形成為覆蓋所述第一互連，其中所述保護(hù)膜包括由與所述第三絕緣膜相同的層形成的膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，還包括形成于所述第三絕緣膜上的第二互連，以及被形成為覆蓋所述第二互連的第四絕緣膜，其中所述保護(hù)膜包括由與所述第四絕緣膜相同的層形成的膜。
10.一種光學(xué)器件，其包括根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件及包括該半導(dǎo)體器件的光學(xué)器件，在該半導(dǎo)體器件中，在光電二極管的光接收面所處的區(qū)域(S)中，在對第一互連(15)和第二互連(17)進(jìn)行構(gòu)圖時，相應(yīng)的層被移除。在分別形成第二層間絕緣膜(13)和覆蓋絕緣膜(18)后，同樣，相應(yīng)的層被移除。另一方面，在光電二極管的光接收面所處的區(qū)域(S)中，保護(hù)絕緣膜(20)未通過蝕刻移除，并且抗反射涂層(16)仍然由保護(hù)絕緣膜(20)覆蓋。因此，所得的半導(dǎo)體器件在不降低光反射率的同時減少了工藝步驟的個數(shù)，并且同樣可以獲得一種光學(xué)器件。
文檔編號H01L31/12GK1472822SQ0314751
公開日2004年2月4日 申請日期2003年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月9日
發(fā)明者細(xì)川誠, 瀧本貴博, 笠松利光, 光, 博 申請人:夏普株式會社