專利名稱：熱增強(qiáng)型球柵陣列集成電路封裝基板制造方法及封裝基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路(Integrated Circuit，IC)封裝基板及其制造技術(shù)，具體是一種熱增強(qiáng)型球柵陣列(Enhanced BGA)集成電路封裝基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著信息電子技術(shù)的日新月異，對信息的傳輸和處理的速度要求越來越快，集成電路芯片的工作頻率也越來越高。為使芯片充分發(fā)揮其性能，集成電路封裝扮演著相當(dāng)重要的角色。芯片的高頻阻抗匹配和熱耗散均需要通過封裝的結(jié)構(gòu)和布線設(shè)計來完成。
球柵陣列(BALL GRID ARRAY-BGA)封裝利用焊球(Solder Ball)布滿整個基板的底面積的方式，來代替?zhèn)鹘y(tǒng)的金屬導(dǎo)線架的引腳。由于BGA可利用整個基板的底面積作為接點的布置，故具有高的輸入輸出I/O數(shù)的優(yōu)勢。此外，用BGA封裝的集成電路與母板組裝過程的回流焊工序時，焊球溶解后的表面張力可產(chǎn)生BGA引腳與母板引腳間的自我校準(zhǔn)的現(xiàn)象，因此組裝過程BGA封裝與母板間引腳的對位精度要求不高，再加上結(jié)合強(qiáng)度好、優(yōu)良的電氣特性，使得BALL GRID ARRAY成為目前集成電路封裝的主流之一。
熱增強(qiáng)型BGA(Thermal Enhanced BGA-EBGA)是集成電路芯片對封裝的熱耗散有較高要求的情況下誕生的一種BGA封裝類型。EBGA是將BGA的導(dǎo)線圖形層、絕緣層與散熱銅板結(jié)合為一體的BGA封裝基板。
圖1-6表示熟知的包含散熱層的Tape BGA(卷帶式BGA)封裝基板制作工藝，其步驟如下首先參考圖1，Tape BGA之基板(101)與銅箔(103)壓合為一體，并通過機(jī)械加工方法在基板(101)的邊界附近形成Tape貫通孔(102)，Tape貫通孔(102)用于基板(101)在Tape BGA工裝夾具上的傳輸目的，基板(101)為聚酰亞胺絕緣基材。
隨后如圖2所示，對Tape貫通孔表面去膠渣(Desmear)、化學(xué)拋光等，接著在銅箔(103)上形成光致抗蝕層(Photo resist)，通過曝光、顯影及蝕刻，或者減薄銅箔及圖形電鍍的方法形成BGA導(dǎo)電圖形(104)，最后再褪掉抗蝕層。
然后，如圖3所示，在BGA導(dǎo)電圖形(104)上涂敷阻焊層(105)，通過曝光、顯影，將BGA導(dǎo)電圖形(104)上的球拍、邦定手指和環(huán)等圖形部分暴露出來。
如圖4所示，對阻焊層(105)的開口處暴露的球拍、邦定手指和環(huán)等部分導(dǎo)電圖形進(jìn)行后續(xù)鎳(106)和金(107)的電鍍。
如圖5所示，在基板(101)上加工出芯片空腔(110)，并將基板切割成與預(yù)制的散熱銅板(109)相對應(yīng)尺寸的單元組，最后將粘結(jié)片(108)放在基板(101)和散熱銅板(109)之間，通過印刷線路板制作中常用的熱壓合工藝將基板(101)粘結(jié)在散熱銅板(109)上。圖6為這種產(chǎn)品在去除貫通孔(102)邊框后并裝上錫球(111)后的剖面圖。
如上所述方法需要將散熱銅板(109)逐條地與基板(101)條壓合粘貼為一體，工藝耗時長。且因為在散熱銅板(109)與BGA基板(101)之間需要粘附一層粘著層(108)，該粘著層一方面對芯片通過錫球(111)向主板的散熱通道起著阻礙作用外，另一方面對基板的整體可靠性也造成了一定的影響。此外，制作該基板的基材為聚酰亞胺，價格昂貴，造成基板成本較高。
同時，該基板制作方法中獲得的導(dǎo)線層是位于絕緣介質(zhì)層的上面，形成的BGA導(dǎo)電圖形，如邦定手指等，均有圖7所示的一定側(cè)向斜坡延伸，并常伴有毛刺，因此后續(xù)鎳、金電鍍會放大側(cè)向斜坡延伸和毛刺邊沿，如圖8所示，這種缺陷將限制邦定手指的設(shè)計密度。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有Tape BGA制作技術(shù)存在的上述問題，本發(fā)明提供一種熱增強(qiáng)型球柵陣列(Enhanced BGA)集成電路封裝基板及其制造方法。
本發(fā)明熱增強(qiáng)型球柵陣列集成電路封裝基板制造方法是這樣實現(xiàn)的，它包括如下步驟a、在不銹鋼板上整板電鍍銅箔，在銅箔表面貼抗蝕膜，通過曝光、顯影、圖形電鍍和褪膜的方法在所述銅箔上形成BGA導(dǎo)電圖形；在所述BGA導(dǎo)電圖形上設(shè)置半固化狀態(tài)的絕緣介質(zhì)層；b、在散熱銅板表面貼抗蝕膜，通過曝光、顯影、圖形電鍍和褪膜的方法形成導(dǎo)熱銅柱，然后通過氧化處理形成一層促進(jìn)層；c、將散熱銅板帶有導(dǎo)熱銅柱的一面與不銹鋼板的具有BGA導(dǎo)電圖形的一面對疊，使散熱銅板上的導(dǎo)熱銅柱與不銹鋼板上導(dǎo)電圖形的接地球拍上下對準(zhǔn)，然后通過真空熱壓板工藝促使散熱銅板與絕緣介質(zhì)層、不銹鋼板固化粘接；d、將不銹鋼板從銅箔上剝離，去除銅箔，在露出的BGA導(dǎo)電圖形上形成阻焊層，并在BGA導(dǎo)線圖形的金屬球拍、邦定手指和環(huán)上均形成開口，電鍍鎳、金，在所述開口處形成鎳層、金層；e、開設(shè)IC封裝用的空腔，然后將整板分割成若干單個基板單元。
采用本發(fā)明方法制造的集成電路封裝基板單元，主要包括散熱銅板，其特征是散熱銅板(301)的上面設(shè)置絕緣介質(zhì)層(205)，絕緣介質(zhì)層(205)與散熱銅板(301)之間有絕緣介質(zhì)粘結(jié)促進(jìn)層(303)，絕緣介質(zhì)層(205)表面鑲嵌有BGA導(dǎo)電圖形(203)，在BGA導(dǎo)線圖形(203)上有阻焊層(206)，阻焊層(206)上暴露的BGA導(dǎo)線圖形的金屬球拍、邦定手指和環(huán)表面鍍有鎳層(208)和金層(209)，散熱銅板(301)中間開有用于放置芯片的空腔(212)。
本發(fā)明采用在不銹鋼板上形成線路和涂敷絕緣介質(zhì)，在散熱銅板上形成導(dǎo)熱銅柱，通過真空熱壓板的工藝方式使線路和絕緣介質(zhì)從不銹鋼板轉(zhuǎn)移到散熱銅板上的方法。其制造工藝簡化，避免了傳統(tǒng)的除膠渣、化學(xué)沉銅等工藝，易于控制，可降低基板制造成本，提高散熱能力，并能形成較細(xì)線路，產(chǎn)品具有良好的可靠性。
其BGA導(dǎo)電圖形是嵌在絕緣介質(zhì)內(nèi)，在隨后的球拍、邦定手指和環(huán)的金屬鎳和金的電鍍過程中，手指側(cè)面的絕緣介質(zhì)起到電鍍掩模板的作用，使得邦定手指的鎳金電鍍毛刺和側(cè)向擴(kuò)展極小，有利于制作高密度邦定手指的基板。同時，由于手指的平坦度高，邦定的有效面積增大，封裝的可靠性好。
所用的絕緣介質(zhì)原料可選擇的范圍廣，價格適宜，便于應(yīng)用電氣性能好、成本低且濕熱可靠性很高的絕緣材料。
散熱銅板具有導(dǎo)熱銅柱結(jié)構(gòu)，該導(dǎo)熱銅柱直接與導(dǎo)電圖形的接地球拍相對接，芯片工作時散發(fā)的熱量部分可以通過散熱銅板、導(dǎo)熱銅柱、接地球拍和錫球傳導(dǎo)到電子裝置的母板銅層上，從而增強(qiáng)了基板的散熱效能。


圖1-5是傳統(tǒng)Tape BGA的IC封裝基板的制作工藝流程示意圖；圖6是傳統(tǒng)Tape BGA的剖面圖；圖7、8是傳統(tǒng)Tape BGA制造過程中導(dǎo)線層中的邦定手指鎳金前、后的局部放大圖；圖9-29是本發(fā)明的制作工藝流程圖；其中圖9-14表示在不銹鋼板上的全板電鍍銅箔與圖形電鍍過程；圖15為在圖14的不銹鋼板上涂敷絕緣介質(zhì)示意圖；圖16-17是散熱銅板上的導(dǎo)熱銅柱形成和表面的棕化或黑化處理示意圖；圖18是通過涂敷絕緣介質(zhì)將不銹鋼板上的BGA導(dǎo)電圖形轉(zhuǎn)移到散熱銅板的示意圖；圖19是通過半固化的絕緣介質(zhì)薄膜將不銹鋼板上的BGA導(dǎo)電圖形轉(zhuǎn)移到散熱銅板的示意圖；圖20是不銹鋼從銅箔剝離后的狀態(tài)圖；圖21是線路上銅箔通過銅箔減薄工藝方法去除后的狀態(tài)圖；
圖22是在圖21的基礎(chǔ)上形成阻焊層的示意圖；圖23是阻焊層上暴露的BGA導(dǎo)電圖形的球拍、邦定手指、環(huán)等位置電鍍鎳金的示意圖；圖24、25是本發(fā)明基板中邦定手指鎳金電鍍前、后的截面放大圖；圖26是散熱銅板背面電鍍鎳層示意圖；圖27是開設(shè)放置芯片的空腔后的基板單元結(jié)構(gòu)示意圖；圖28是生產(chǎn)用的整板經(jīng)過分割形成基板單元示意圖；圖29是采用本發(fā)明基板單元封裝芯片后的剖視圖。
具體實施方法以下結(jié)合附圖對本分發(fā)明進(jìn)一步說明。
附圖中標(biāo)號說明101基板 110放置芯片的空腔102Tape貫通孔 111錫球103銅箔 112比較例基板邦定手指104BGA導(dǎo)電圖形電鍍鎳金側(cè)向斜坡擴(kuò)展105阻焊層 200不銹鋼板106比較例基板上的電鍍鎳層 201電鍍銅箔107比較例基板上的電鍍金層 202抗蝕膜層108基板與散熱銅板間的粘結(jié)層 203BGA導(dǎo)電圖形109散熱銅板 204BGA接地球拍
205絕緣介質(zhì) 301散熱銅板205a絲印涂敷的絕緣介質(zhì)層302導(dǎo)熱銅柱205b半固化片的絕緣介質(zhì)薄膜 303絕緣介質(zhì)粘結(jié)促進(jìn)層206阻焊層 304散熱銅板背面電鍍鎳層207阻焊層的鎳金電鍍開口 305芯片208本發(fā)明基板上的電鍍鎳層 306錫球209本發(fā)明基板上的電鍍金層 307包封膠圍壩210邦定手指導(dǎo)電銅層 308接地環(huán)211本發(fā)明基板邦定手指鎳金 309電源環(huán)電鍍的側(cè)向斜坡延伸 310包封膠212放置芯片的空腔 311邦定金線300封裝基板單元本發(fā)明的集成電路(IC)封裝基板的主要制造工藝如下一、不銹鋼板上BGA導(dǎo)電圖形的形成與絕緣介質(zhì)的涂敷如圖9，10所示，首先在不銹鋼板(200)上通過整板電鍍的方法電鍍一層薄的銅箔(201)，該銅箔起到絕緣介質(zhì)與不銹鋼板的隔離作用。
如圖11-14所示，在銅箔(201)表面貼抗蝕膜(202)，通過曝光、顯影、圖形電鍍和褪膜的方法在所述銅箔(201)上形成BGA導(dǎo)電圖形(203)，見圖14。
參照圖15，在所述BGA導(dǎo)電圖形上設(shè)置半固化狀態(tài)的絕緣介質(zhì)層。所述的絕緣介質(zhì)可是具有熱壓合粘結(jié)固化性質(zhì)的可涂敷絕緣介質(zhì)油墨，或具有熱壓合粘結(jié)固化性質(zhì)的半固化樹脂片、或半固化樹脂干膜等。
絕緣介質(zhì)層可以采用絲印、或輥涂、或簾涂的方法在線路上涂敷一層絕緣介質(zhì)油墨(205a)，經(jīng)過合適的烘烤條件，使絕緣介質(zhì)(205a)達(dá)到半固化狀態(tài)(B-Stage)，即在常溫狀態(tài)下為固態(tài)，在加熱到一定高溫仍能呈現(xiàn)出液態(tài)。所絲印的絕緣介質(zhì)(205a)的厚度取決于最終形成BGA封裝基板后的絕緣層厚度要求。
上述絕緣介質(zhì)材料(205a)可選用如日立化成生產(chǎn)的液態(tài)的AE-3000熱固型絕緣樹脂等；上述絕緣介質(zhì)薄膜(205b)可選用如日本太陽油墨公司生產(chǎn)的干膜型LFI-700BP等。
二、散熱銅板的處理參照圖16、17，在散熱銅板(301)表面貼抗蝕膜，通過曝光、顯影、圖形電鍍和褪膜的方法形成導(dǎo)熱銅柱(302)，然后通過黑氧化或者棕氧化工藝的方法形成一層樹脂粘接的促進(jìn)層(303)。
三、線路的轉(zhuǎn)移如圖18所示，將散熱銅板(301)帶有導(dǎo)熱銅柱(302)和樹脂粘結(jié)促進(jìn)層(303)的一面，與不銹鋼板(200)的具有BGA導(dǎo)電圖形(203)、并涂敷有絕緣介質(zhì)樹脂(205a)的一面對疊，利用銷釘定位的方法將散熱銅板上的導(dǎo)熱銅柱(302)與不銹鋼板上BGA導(dǎo)電圖形的接地球拍(204)上下對準(zhǔn)，然后通過傳統(tǒng)的真空熱壓板工藝促使散熱銅板(301)與絕緣介質(zhì)樹脂(205a)和載有BGA導(dǎo)電圖形的不銹鋼板(200)的固化粘接。
上述過程也可以利用將半固化片狀態(tài)的絕緣介質(zhì)薄膜(205b)夾在圖14所示的已形成BGA導(dǎo)電圖形的不銹鋼板(200)和圖17所示的已形成導(dǎo)熱銅柱(302)并生長有樹脂粘接促進(jìn)層(303)的散熱銅板(301)之間，利用銷釘定位的方法將散熱銅板上的導(dǎo)熱銅柱(302)與不銹鋼板上BGA導(dǎo)電圖形的接地球拍(204)上下對準(zhǔn)，然后利用真空熱壓板的工藝將不銹鋼板上BGA導(dǎo)電圖形(203)與散熱銅板(301)通過半固化片狀態(tài)的絕緣介質(zhì)薄膜(205b)壓合并固化為一體，見圖19。
將不銹鋼板(200)與銅箔(201)進(jìn)行剝離，完成BGA導(dǎo)電圖形(203)通過絕緣介質(zhì)(205)到散熱銅板(301)上如圖20所示的轉(zhuǎn)移。不銹鋼板與不銹鋼板上電鍍的銅箔間的分離是利用不銹鋼板與不銹鋼板上銅箔之間的結(jié)合力遠(yuǎn)小于所述銅箔與絕緣介質(zhì)的結(jié)合力，從而將不銹鋼從銅箔處實現(xiàn)剝離的。
如圖21所示，通過銅箔減薄工藝將覆蓋在BGA導(dǎo)電圖形(203)上的銅箔(201)去除干凈。
四、阻焊層的形成如圖22所示，阻焊層(206)是通過圖形轉(zhuǎn)移(即絲印，曝光，顯影)將可感光阻焊樹脂圖形轉(zhuǎn)移到基板單元面上的。阻焊層(206)形成對BGA導(dǎo)電圖形的保護(hù)層并在BGA導(dǎo)線圖形(203)上的金屬球拍、邦定手指和環(huán)上形成需要后續(xù)鎳金電鍍的開口(207)。
五、后續(xù)鎳金層形成利用鎳、金電鍍工藝對阻焊層(206)上開口(207)處暴露的金屬球拍、邦定手指和環(huán)進(jìn)行后續(xù)電鍍鎳、金，形成鎳、金層(208、209)，見圖23。
圖24，25是本發(fā)明基板中邦定手指電鍍鎳金前后的局部放大剖面圖。圖24顯示出本發(fā)明基板的邦定手指導(dǎo)電銅層(210)是嵌入在絕緣介質(zhì)(205)內(nèi)的，邦定手指導(dǎo)電銅層的側(cè)面包裹著絕緣介質(zhì)，而這些絕緣介質(zhì)在后續(xù)的鎳金電鍍過程中起到電鍍掩膜作用，因此在后續(xù)鎳金電鍍過程中鎳(208)和金(209)的側(cè)向斜坡延伸(211)很小，見圖25。本發(fā)明基板的這種特點將有助于高密度邦定手指的設(shè)計。
六.散熱銅板背面鎳電鍍在用可褪除薄膜保護(hù)住正面BGA圖形情況下，利用鎳電鍍工藝在散熱銅板背面電鍍一層金屬鎳層(304)，起到保護(hù)散熱銅板面不被氧化，并便于基板背面印字，見圖26。
七、集成電路芯片放置空腔的形成參照圖27，通過傳統(tǒng)機(jī)械加工的方法，在每一個基板單元之散熱銅板的中間開一空腔(212)，用來放置IC芯片。同時在該空腔(212)內(nèi)表面用化學(xué)方法形成黑或者棕色氧化層。
八、基板單元的切割通過如圖28所示意的切割路線，用機(jī)械加工的辦法將一塊整體的大板分割成若干單個基板單元(300)，圖27即為基板單元(300)的一典型例。
參照圖27，本發(fā)明方法制造的集成電路封裝基板單元包括散熱銅板，其散熱銅板(301)的上面設(shè)置絕緣介質(zhì)層(205)，絕緣介質(zhì)層(205)與散熱銅板(301)之間有絕緣介質(zhì)粘結(jié)促進(jìn)層(303)，絕緣介質(zhì)層(205)表面鑲嵌有BGA導(dǎo)電圖形(203)，在BGA導(dǎo)線圖形(203)上有阻焊層(206)，阻焊層(206)上暴露的BGA導(dǎo)線圖形的金屬球拍、邦定手指和環(huán)表面鍍有鎳層(208)和金層(209)，散熱銅板(301)中間開有用于放置芯片的空腔(212)，底面可鍍鎳層(304)。
散熱銅板(301)帶有導(dǎo)熱銅柱(302)，導(dǎo)熱銅柱(302)直接與導(dǎo)電圖形的接地球拍(204)相對接。芯片工作時散發(fā)的熱量部分可以通過散熱銅板、導(dǎo)熱銅柱、接地球拍和錫球傳導(dǎo)到電子裝置的母板銅層上，從而增強(qiáng)了基板的散熱效能。
圖29是采用本發(fā)明基板單元封裝芯片后的剖視圖。芯片(305)放置在空腔(212)中，通過邦定金線(311)實現(xiàn)芯片(305)信號端口與基板BGA導(dǎo)電圖形(203)的連通。
印刷包封膠圍壩(307)，并在圍壩(307)內(nèi)注入包封膠(310)封住芯片(305)與邦定(即鍵合)金線(311)，保護(hù)芯片(305)和邦定金線(311)不受外界環(huán)境的影響。最后放置錫球(306)到BGA基板上的球拍位置并通過回流焊將錫球固定在球拍上，便得到完整的BGA封裝集成電路。
權(quán)利要求
1.一種熱增強(qiáng)型球柵陣列集成電路封裝基板制造方法，其特征是包括如下步驟a、在不銹鋼板上整板電鍍銅箔，在所述銅箔上形成BGA導(dǎo)電圖形，在所述BGA導(dǎo)電圖形上設(shè)置半固化狀態(tài)的絕緣介質(zhì)層；b、在散熱銅板表面通過圖形電鍍技術(shù)形成導(dǎo)熱銅柱，然后通過氧化處理形成一層促進(jìn)層；c、將散熱銅板帶有導(dǎo)熱銅柱的一面與不銹鋼板具有BGA導(dǎo)電圖形的一面對疊，使散熱銅板上的導(dǎo)熱銅柱與不銹鋼板上導(dǎo)電圖形的接地球拍上下對準(zhǔn)，然后通過真空熱壓板工藝促使散熱銅板與絕緣介質(zhì)層、不銹鋼板固化粘接；d、剝離不銹鋼板，去除銅箔，在露出的BGA導(dǎo)電圖形上形成阻焊層，電鍍BGA導(dǎo)線圖形的金屬球拍、邦定手指和環(huán)處，形成鎳層、金層；e、開設(shè)IC封裝用的空腔，然后將整板分割成若干單個基板單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述制造方法，其特征是步驟a中，在銅箔表面貼抗蝕膜，通過曝光、顯影、圖形電鍍和褪膜的方法在所述銅箔上形成BGA導(dǎo)電圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述制造方法，其特征是步驟a中，采用絲印、或輥涂、或簾涂的方法在所述BGA導(dǎo)電圖形上涂敷一層絕緣介質(zhì)，烘烤，使絕緣介質(zhì)變成半固化狀態(tài)；或在所述BGA導(dǎo)電圖形上貼附半固化狀態(tài)的絕緣介質(zhì)薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述制造方法，其特征是所述的絕緣介質(zhì)是具有熱壓合粘結(jié)固化性質(zhì)的可涂敷絕緣介質(zhì)油墨。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述制造方法，其特征是所述的絕緣介質(zhì)薄膜是具有熱壓合粘結(jié)固化性質(zhì)的半固化樹脂片，或半固化樹脂干膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述制造方法，其特征是步驟b中，在散熱銅板表面貼抗蝕膜，通過曝光、顯影、圖形電鍍和褪膜的方法形成導(dǎo)熱銅柱，導(dǎo)熱銅柱所在表面和導(dǎo)熱銅柱表面的促進(jìn)層是采用黑氧化或者棕氧化工藝實現(xiàn)的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述制造方法，其特征是步驟d中，在散熱銅板背面電鍍金屬鎳層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述制造方法，其特征是基板單元之散熱銅板中間的空腔的內(nèi)表面有氧化層。
9.按照權(quán)利要求1的方法制造的集成電路封裝基板單元，包括散熱銅板，其特征是散熱銅板(301)的上面設(shè)置絕緣介質(zhì)層(205)，絕緣介質(zhì)層(205)與散熱銅板(301)之間有絕緣介質(zhì)粘結(jié)促進(jìn)層(303)，絕緣介質(zhì)層(205)表面鑲嵌有BGA導(dǎo)電圖形(203)，在BGA導(dǎo)線圖形(203)上有阻焊層(206)，阻焊層(206)上暴露的BGA導(dǎo)線圖形的金屬球拍、邦定手指和環(huán)表面鍍有鎳層(208)和金層(209)，散熱銅板(301)中間開有用于放置芯片的空腔(212)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的集成電路封裝基板單元，其特征是散熱銅板(301)帶有導(dǎo)熱銅柱(302)，導(dǎo)熱銅柱(302)直接與導(dǎo)電圖形的接地球拍(204)相對接。
全文摘要
一種熱增強(qiáng)型BGA集成電路封裝基板制造方法，包括a.在不銹鋼板上整板電鍍銅箔，在所述銅箔上形成BGA導(dǎo)電圖形，并設(shè)置絕緣介質(zhì)層；b.在散熱銅板表面形成導(dǎo)熱銅柱；c.將散熱銅板帶有導(dǎo)熱銅柱的一面與不銹鋼板的具有BGA導(dǎo)電圖形的一面對疊，通過真空熱壓板工藝促使散熱銅板與絕緣介質(zhì)層、不銹鋼板固化粘接；d.剝離不銹鋼板，去除銅箔，在BGA導(dǎo)電圖形上形成阻焊層，電鍍BGA導(dǎo)線圖形的金屬球拍、邦定手指和環(huán)處；e.開設(shè)IC封裝空腔，然后分割成若干單個基板單元。其構(gòu)思新穎，制造工藝簡單，導(dǎo)電圖形嵌在絕緣介質(zhì)內(nèi)，具有導(dǎo)熱銅柱結(jié)構(gòu)，散熱能力大大提高，并能形成較細(xì)線路，封裝的可靠性好。
文檔編號H01L23/50GK1591805SQ0314045
公開日2005年3月9日 申請日期2003年9月4日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月4日
發(fā)明者尤寧圻, 朱惠賢, 陳金富, 蘭赤軍, 張士茜, 張烈洋 申請人:美龍翔微電子科技(深圳)有限公司