專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
與相關(guān)申請(qǐng)的交叉參考本申請(qǐng)基于和要求2002年6月12日申請(qǐng)的在先日本專利申請(qǐng)No.2002-171371的優(yōu)先權(quán)；在此引入其全部?jī)?nèi)容作為參考。
在形成熔絲窗口的時(shí)候，不僅需要加工這些變厚的層間絕緣膜，而且需要留下熔絲表面上的層間絕緣膜。盡管要求待留在熔絲表面上的層間絕緣膜的膜厚度盡可能地薄，以便通過激光燒斷能穩(wěn)定地切掉熔絲，但是，如上所解釋的，待加工的層間絕緣膜制得十分厚，由此很難控制層間絕緣膜的加工。
而且，近年來，為了提高半導(dǎo)體器件的處理速度，金屬布線中電流延遲的最小化已成為主要問題。必需考慮解決前述問題的對(duì)策，低介電常數(shù)的絕緣膜(低k膜)作為層間絕緣膜插入金屬布線之間。在此情況下，容易想到制造一種結(jié)構(gòu)布置低k膜，貼近從金屬焊盤向下計(jì)算的第二層。如果這樣，在該低k膜中的熔絲通過激光燒斷將被切掉，但是這導(dǎo)致激光燒斷損壞該低k膜，因此極壞地影響半導(dǎo)體器件的性能和可靠性。
如上所解釋，在半導(dǎo)體器件例如嵌入式存儲(chǔ)器的情況下，隨著趨向于多個(gè)布線層，在下面貼近最上面的金屬布線層布置的金屬布線層，以及布置在熔絲表面上的層間絕緣膜傾于使厚度增大，并且由于層間絕緣膜的厚度增加，在形成熔絲窗口的時(shí)候很難控制層間絕緣膜的加工。而且，當(dāng)使用低k膜作為層間絕緣膜，以便提高半導(dǎo)體器件的處理速度時(shí)，該低k膜將被熔絲切斷中待用的激光燒斷所損壞，因此極壞地影響半導(dǎo)體器件的性能和可靠性。
本

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體基板；在所述半導(dǎo)體基板上在同一平面形成的第一金屬布線和熔絲；淀積在所述的半導(dǎo)體基板上以覆蓋所述第一金屬布線和所述熔絲的第一絕緣膜，所述的第一絕緣膜具有到達(dá)所述第一金屬布線的第一焊盤開口；至少在所述的第一焊盤開口內(nèi)形成的第二金屬布線，所述的第二金屬布線不在所述的熔絲上延伸；在所述的第一絕緣膜和所述的第二金屬布線上形成的停止層膜；以及在所述的停止層膜上形成的第二絕緣膜；其中形成第二焊盤開口以通過除去所述的第二絕緣膜和所述的停止層膜露出部分所述的第二金屬布線，通過除去所述的第二絕緣膜和所述的停止層膜，以及通過除去所述的第一絕緣膜到厚度的中部，至少在所述的熔絲上形成熔絲開口。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括在半導(dǎo)體基板上形成第一金屬布線和熔絲；在所述的半導(dǎo)體基板上淀積第一絕緣膜以覆蓋所述的第一金屬布線和所述的熔絲；有選擇地蝕刻淀積在所述第一金屬布線上的所述第一絕緣膜以形成第一焊盤開口；有選擇地形成第二金屬布線以通過所述的第一焊盤開口與所述的第一金屬布線接觸；在所述的第一絕緣膜和所述的第二金屬布線上形成停止層膜；在所述的停止層膜上形成第二絕緣膜；有選擇地蝕刻對(duì)應(yīng)于部分所述的第二金屬布線和對(duì)應(yīng)于至少一部分所述熔絲的所述第二絕緣膜的部分，由此露出所述停止層膜的一部分；以及蝕刻掉通過所述的第二絕緣膜的選擇性蝕刻已經(jīng)露出的所述停止層膜的所述部分。
圖2是說明根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的元件結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖3A至3G分別示出了說明根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例制造半導(dǎo)體器件的步驟的剖視圖；圖4是說明代表本發(fā)明的第一實(shí)施例的修改實(shí)例的半導(dǎo)體器件的元件結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖5是說明根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的元件結(jié)構(gòu)的剖視圖；以及圖6是說明根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的元件結(jié)構(gòu)的剖視圖。
發(fā)明的詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，下面貼近金屬焊盤(第二金屬布線)布置的金屬布線(第一金屬布線)作為熔絲，其中在插入第一和第二金屬布線之間的第一絕緣膜上以及第二金屬布線上形成停止層膜。而且，在停止層膜上已形成第二絕緣膜之后，分兩個(gè)步驟進(jìn)行蝕刻，即，第二絕緣膜的選擇性蝕刻和停止層膜的選擇性蝕刻。由于這些工序，不僅可以穩(wěn)定地確保熔絲上殘余的絕緣膜，而且可以可靠地形成焊盤開口。
更具體地說，構(gòu)圖光致抗蝕劑以使其具有焊盤部分和熔絲窗口部分的圖形之后，在確保第二絕緣膜和停止層膜之間充分的蝕刻選擇率的條件下，使用所得的光致抗蝕劑圖形作為掩模以進(jìn)行第二絕緣膜的蝕刻，直到露出停止層膜。例如，在使用氧化硅膜作為第二絕緣膜和使用氮化硅膜作為停止層膜的情況下，使用包括例如C4F8+CO+Ar的混合氣體進(jìn)行干蝕刻，由此使之易于進(jìn)行第二絕緣膜的干蝕刻加工，同時(shí)確保相對(duì)于停止層膜的充分的選擇率。通過優(yōu)化蝕刻條件，該選擇率可以提高到大約10，以便現(xiàn)在可以進(jìn)行充分的過蝕刻，由此可以實(shí)現(xiàn)第二絕緣膜的穩(wěn)定加工。
而且，當(dāng)進(jìn)行第二絕緣膜加工隨后進(jìn)行停止層膜蝕刻時(shí)，如果預(yù)先使停止層的膜厚度相對(duì)于第一絕緣膜的膜厚度充分地薄，可以與熔絲開口處第一絕緣膜的蝕刻同時(shí)進(jìn)行相對(duì)于停止層膜的蝕刻的第一絕緣膜的充分過蝕刻。
結(jié)果，現(xiàn)在不僅可以穩(wěn)定地確保熔絲上殘余的絕緣膜，而且可以可靠地形成焊盤開口，由此使之可以增強(qiáng)器件的性能和可靠性。
至于解決這些常規(guī)問題的方法，可以想到利用下面貼近金屬焊盤布置的金屬布線層使用熔絲。而且，為了使制造工藝簡(jiǎn)化，希望通過單個(gè)構(gòu)圖工藝(總的開口加工)進(jìn)行焊盤部分的加工和熔絲窗口的形成。但是，當(dāng)根據(jù)常規(guī)技術(shù)通過使用總的開口加工在焊盤開口的加工中進(jìn)行過蝕刻到足夠程度時(shí)，在熔絲窗口部分留下層間絕緣膜變得困難，因此熔絲被暴露，且因此可能極壞地影響器件的性能和可靠性。
下面解釋上述的現(xiàn)象，參考附

圖1A至1C。如圖1A所示，在預(yù)先形成有熔絲101和第一金屬布線102的半導(dǎo)體基板100的表面上淀積第一層間絕緣膜103，然后，通過曝光和干蝕刻形成第一焊盤開口105。此后，在基板100露出的表面上淀積金屬布線材料，并通過使用曝光和干蝕刻形成第二金屬布線(金屬焊盤)106。然后，在第二層間絕緣膜109的淀積完成之后，在其上形成具有圖形的光致抗蝕劑110，圖形包括對(duì)應(yīng)于熔絲窗口部分和還對(duì)應(yīng)于第二焊盤開口部分的開口。
然后，如圖1B所示，通過干蝕刻，同時(shí)形成熔絲開口112和第二焊盤開口111。此時(shí)，為了穩(wěn)定地打開第二焊盤開口111，一般需要約50％的過蝕刻，但是由于該過蝕刻導(dǎo)致熔絲101曝光。然后熔絲101的曝光將導(dǎo)致熔絲101的腐蝕，因此極壞地影響器件的性能和可靠性。例如，如果第一層間絕緣膜103的厚度假定為500nm，第二層間絕緣膜109的厚度假定為1000nm，當(dāng)在第二焊盤開口111進(jìn)行50％的過蝕刻時(shí)，熔絲開口112完全貫穿。
另一方面，當(dāng)試圖在熔絲開口112處留下部分第一層間絕緣膜103時(shí)，如圖1C所示，無疑，將在第二焊盤開口111處留下蝕刻殘留物115，由此導(dǎo)致焊盤部分的導(dǎo)電失效。
如上所解釋，當(dāng)試圖通過使用下面貼近最上層金屬焊盤布置的金屬布線形成熔絲，且同時(shí)通過半導(dǎo)體器件例如嵌入式存儲(chǔ)器的制造中的單個(gè)構(gòu)圖步驟形成焊盤開口和熔絲開口時(shí)，很難同時(shí)實(shí)現(xiàn)其開口部分沒有絕緣膜的任何殘留物的焊盤開口和其窗口部分具有絕緣膜的殘留膜留下的熔絲開口。
因此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供停止層絕緣膜以解決前述問題。下面參考附圖解釋本發(fā)明的實(shí)施例。(第一實(shí)施例)圖2是說明根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的元件結(jié)構(gòu)的剖視圖。
參考圖2，10表示預(yù)先具有各種元件例如MOS晶體管(未示出)和布線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體基板。該半導(dǎo)體基板在其表面區(qū)還具有熔絲11和第一金屬布線12，兩者都埋置在表面區(qū)。第一層間絕緣膜13淀積在基板10上，第一層間絕緣膜13具有第一焊盤開口15，用于使第一金屬布線12與第一焊盤開口15中形成的第二金屬布線16電接觸。
停止層絕緣膜18形成在第一層間絕緣膜13和第二金屬布線16上，第二層間絕緣膜19淀積在停止層絕緣膜18上。而且，蝕刻掉位于第二金屬布線16上的第二層間絕緣膜19的部分以及停止層絕緣膜18的部分，以形成第二焊盤開口21。此外，還蝕刻掉位于熔絲11上的第二層間絕緣膜19的部分以及停止層絕緣膜18的部分，且同時(shí)，還部分地蝕刻掉第一層間絕緣膜13，即，到其厚度的中間部分，由此形成熔絲開口22。
下面，將解釋根據(jù)該實(shí)施例用于制造半導(dǎo)體器件的方法，參考附圖3A至3G。
首先，如圖3A所示，通過使用CVD在半導(dǎo)體基板10上淀積第一層間絕緣膜13，半導(dǎo)體基板10具有熔絲11和金屬布線12，然后通過使用光刻法在第一層間絕緣膜13上形成具有預(yù)定圖形的光致抗蝕劑14。順便提及，通過所謂的鑲嵌工藝形成熔絲11和金屬布線12，其中例如在半導(dǎo)體基板上的層間絕緣膜中形成具有約1μm深的凹槽部分，然后將Cu埋置在該凹槽部分，接著所得的表面被拋光以平整該表面，由此形成熔絲11和金屬布線12。而且，層間絕緣膜13由TEOS(四乙氧基硅烷)氧化硅形成，具有約500nm厚。
然后，如圖3B所示，通過干蝕刻，使用光致抗蝕劑14作為掩模以及使用混合氣體例如C4F8+CO+Ar，有選擇地蝕刻第一層間絕緣膜13以形成第一焊盤開口15。接著，通過使用灰化和濕清洗，除去光致抗蝕劑14。
然后，如圖3C所示，通過濺射，在第一焊盤開口15的內(nèi)部和在第一層間絕緣膜13上淀積第二金屬布線16。例如，該金屬布線16由鋁形成，具有500nm厚。然后，通過使用光刻法，在金屬布線16上形成具有圖形的光致抗蝕劑17以覆蓋第一焊盤開口15。
然后，如圖3D所示，通過干蝕刻，使用光致抗蝕劑17作為掩模，第二金屬布線16經(jīng)受蝕刻加工。此后，通過使用灰化和濕法清洗，蝕刻掉光致抗蝕劑17。在此情況下，第二金屬布線16可以僅僅淀積在第一焊盤開口15的內(nèi)部和在圍繞第一焊盤開口15的區(qū)域之上。另外，可以淀積第二金屬布線16，以便在第一層間絕緣膜13上延伸。在第一層間絕緣膜13上延伸的第二金屬布線16的部分可以用作布線。
然后，如圖3E所示，通過CVD，在第一層間絕緣膜13和第二金屬布線16上淀積由氮化硅制成的停止層絕緣膜18。然后，通過CVD，在停止層絕緣膜18上淀積由TEOS制成的第二層間絕緣膜19。在此情況下，要求停止層絕緣膜18的厚度相對(duì)于第一層間絕緣膜13的厚度充分地薄。例如，形成停止層絕緣膜18，具有100nm的厚度。另一方面，例如，形成第二層間絕緣膜19，具有1μm的厚度。
然后，如圖3F所示，在第二層間絕緣膜19上涂敷光致抗蝕劑20，通過使用光刻法，通過單個(gè)構(gòu)圖步驟同時(shí)形成第二焊盤開口圖形和熔絲窗口圖形。
然后，如圖3G所示，通過使用光致抗蝕劑20作為掩模，在確保相對(duì)于停止層絕緣膜18充分的選擇率蝕刻條件下，第二層間絕緣膜19經(jīng)受蝕刻，直到露出停止層絕緣膜18。在此情況下，為了使對(duì)應(yīng)于第二焊盤圖形的部分被完全打開，第二層間絕緣膜19進(jìn)行約50％的過蝕刻。至于在此有用的蝕刻氣體，可以使用包括C4F8+CO+Ar的混合氣體。
接著，通過干蝕刻，使用CHF3+O2的混合氣體，用光致抗蝕劑20作為掩模，蝕刻停止層絕緣膜18。此時(shí)，與熔絲11重合和由于停止層絕緣膜18的蝕刻已露出的第一層間絕緣膜13的部分被半蝕刻。結(jié)果，可以同時(shí)形成第二焊盤開口21和熔絲開口22。接著，通過使用灰化和濕清洗，除去光致抗蝕劑20，完成圖2所示的結(jié)構(gòu)。
如上所解釋，根據(jù)該實(shí)施例，由于第二層間絕緣膜19的過蝕刻，現(xiàn)在可以可靠地除去位于焊盤開口21和熔絲開口22處的這些絕緣膜19的適當(dāng)部分。在此情況下，由于通過停止層絕緣膜18構(gòu)造第二層間絕緣膜19的基礎(chǔ)層，因此幾乎不可能蝕刻掉熔絲開口22處的第一層間絕緣膜13。而且，由于形成的停止層絕緣膜18與第一層間絕緣膜13相比足夠地薄，因此即使過蝕刻停止層絕緣膜18，也可以可靠地留下熔絲開口22處的第一層間絕緣膜13的部分。
因此，可以進(jìn)行第二焊盤開口21的形成，不存在其中留下殘余絕緣膜的任何可能性，且同時(shí)，部分絕緣膜可以可靠地和穩(wěn)定地留在熔絲開口22中，由此使之能增強(qiáng)器件的性能和可靠性。
順便提及，在該實(shí)施例中可以在停止層絕緣膜18的蝕刻之前進(jìn)行光致抗蝕劑20的除去。在此情況下，通過使用光致抗蝕劑20作為掩模，在確保相對(duì)于停止層絕緣膜18充分的選擇率的蝕刻條下，第二層間絕緣膜19經(jīng)受蝕刻加工，直到露出停止層絕緣膜18。此后，通過使用灰化和濕清洗，除去光致抗蝕劑20。然后所得的表面通過使用干蝕刻完全經(jīng)受后蝕刻處理以進(jìn)行停止層絕緣膜18的加工。
而且，該實(shí)施例可以應(yīng)用于低k膜42布置在層間絕緣膜41下的結(jié)構(gòu)，層間絕緣膜41具有埋置其中的熔絲11和第一金屬布線12，如圖4所示。在此情況下，具有熔絲11和第一金屬布線12的層間絕緣膜41可以由TEOS形成，低k膜42可以由具有小于4，更優(yōu)選小于3或更小的相對(duì)介電常數(shù)的低介電常數(shù)膜形成，例如聚甲基硅氧烷和聚亞芳基。
當(dāng)用這樣的方式構(gòu)造時(shí)，可以獲得在激光燒斷保險(xiǎn)絲11時(shí)防止低k膜42被損壞的效果。當(dāng)熔絲形成在貼近從金屬焊盤向下計(jì)算的第二層16布置的層中時(shí)，亦即，形成在常規(guī)結(jié)構(gòu)的低k膜42中時(shí)，在激光燒斷熔絲11的時(shí)候損壞將發(fā)生在該低k膜42中，因此使半導(dǎo)體器件的性能和可靠性退化。然而，根據(jù)該實(shí)施例，由于熔絲11形成在下面貼近金屬焊盤的層中，因此可以可靠地克服上述問題。(第二實(shí)施例)圖5是說明根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的元件結(jié)構(gòu)的剖視圖。順便提及，與圖2相同的部分用相同的參考標(biāo)記表示，因此省略其詳細(xì)說明。
該實(shí)施例與前述第一實(shí)施例不同的主要特點(diǎn)在于第二焊盤開口的位置偏移第一焊盤開口。
盡管根據(jù)該實(shí)施例的基本制造步驟與第一實(shí)施例的基本上相同，但該實(shí)施例與第一實(shí)施例不同之處在于第一焊盤開口15不局限于僅僅在第一金屬布線12上的一個(gè)位置，而是形成在環(huán)繞第一金屬布線12的外圍的多個(gè)部分或沿著第一金屬布線12的外圍形成環(huán)形。而且，第二金屬布線16不僅形成在第一焊盤開口15中，而且形成在第一層間絕緣膜13上，第一層間絕緣膜13布置在第一金屬布線12上。此外，第二焊盤開口21不形成在沿第一金屬布線12的外圍形成的第一焊盤開口15上，而是形成在第一金屬布線12的中心部分之上，即，形成在淀積在第一層間絕緣膜13上的第二金屬布線16的部分上，其位置與第一金屬布線12的中心部分重合。
當(dāng)用這樣的方式構(gòu)造時(shí)，不僅可以獲得與前述第一實(shí)施例同樣的效果，而且可以獲得如下說明的附加效果。即，由于進(jìn)行布線鍵合不通過在第一金屬布線12上直接形成第二金屬布線16的部分，而是通過位于第一層間絕緣膜13上的第二金屬布線16的部分，因此由于布線鍵合的任何損壞可以由絕緣膜13吸收，由此可以防止第一金屬布線12被布線鍵合損壞。(第三實(shí)施例)圖6是說明根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的元件結(jié)構(gòu)的剖視圖。順便提及，與圖2相同的部分用相同的參考標(biāo)記表示，由此省略其詳細(xì)說明。
該實(shí)施例與前述第一實(shí)施例不同的主要特點(diǎn)在于第二金屬布線16還作為引線，以及第二焊盤開口21的位置偏移第一焊盤開口15。
盡管根據(jù)該實(shí)施例的基本制造步驟與第一實(shí)施例的基本上相同，但該實(shí)施例與第一實(shí)施例不同之處在于不僅在第一焊盤開口15和其外圍區(qū)域中形成第二金屬布線16，而且在遠(yuǎn)離第一焊盤開口15的第一層間絕緣膜13的區(qū)域上也形成第二金屬布線16。此外，形成第二焊盤開口21而不露出第一焊盤開口15處的第二金屬布線16，但是露出形成在第一層間絕緣膜13上的第二金屬布線16。
當(dāng)用這樣的方式構(gòu)造時(shí)，可以獲得與前述的第二實(shí)施例幾乎相同的效果。而且，由于第二金屬布線16還用作引線，將增加定位第二焊盤開口的自由度。
本發(fā)明不應(yīng)該理解為限于前述實(shí)施例。例如第一金屬布線有用的材料不局限于Cu的單質(zhì)，而是可以由包含銅作為主要成分的材料形成。而且，主要含Ag的材料可以用來代替銅。而且，就用于第二金屬布線的材料而言，在此有用的材料不局限于Al的單質(zhì)，而是可以由包含Al作為主要成分的材料形成。而且，用于第二金屬布線的材料不限于Al。即，用于第二金屬布線的材料可以由任何種類的材料構(gòu)成，只要它們與構(gòu)成第一金屬布線的材料比較起來抗氧化能力和耐腐蝕性更好。在基板上形成的布線可以由普通的布線構(gòu)成，例如通過RIE形成。
至于停止層絕緣膜，希望采用在第二層間絕緣膜的蝕刻工序中幾乎不蝕刻的材料。例如當(dāng)?shù)诙娱g絕緣膜由TEOS形成時(shí)，用于停止層絕緣膜的材料可以選自氮化硅和碳化硅。用這樣的方式，本發(fā)明在其精神范圍之內(nèi)可以進(jìn)行多種修改。
如上述詳細(xì)說明，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，它不僅可以穩(wěn)定地確保熔絲上殘余的絕緣膜，而且可以在下面貼近金屬焊盤布置的金屬布線用作熔絲的結(jié)構(gòu)中可靠地形成焊盤開口，由此使之可以增強(qiáng)半導(dǎo)體器件的性能和可靠性。
對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易產(chǎn)生額外的優(yōu)點(diǎn)和修改。因此，本發(fā)明更寬的方面不局限于在此示出和描述的具體細(xì)節(jié)和代表實(shí)施例。由此，可以進(jìn)行各種修改而不脫離由附加權(quán)利要求和它們等效的權(quán)利所限定的一般發(fā)明概念的精神或范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體基板；形成在所述半導(dǎo)體基板上的同一平面的第一金屬布線和熔絲；淀積在所述半導(dǎo)體基板上以覆蓋所述第一金屬布線和所述熔絲的第一絕緣膜，所述的第一絕緣膜具有到達(dá)所述第一金屬布線的第一焊盤開口；至少在所述的第一焊盤開口內(nèi)形成的第二金屬布線，所述的第二金屬布線不在所述的熔絲上延伸；形成在所述的第一絕緣膜和所述的第二金屬布線上的停止層膜；以及形成在所述的停止層膜上的第二絕緣膜；其中形成第二焊盤開口以通過除去所述第二絕緣膜和所述停止層膜露出部分所述第二金屬布線，通過除去所述的第二絕緣膜和所述的停止層膜，以及通過除去所述的第一絕緣膜到厚度的中部至少在所述的熔絲上形成熔絲開口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述的停止層膜由不同于所述的第二絕緣膜的材料形成，且包括氮化硅和碳化硅中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述的第二絕緣膜由TEOS形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述的第二金屬布線由抗氧化性或抗腐蝕性比所述第一金屬布線高的材料形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述的第一金屬布線和所述的熔絲由Cu、Ag或包含Cu或Ag作為主要成分的金屬的材料形成，所述的第二金屬布線由Al或包括Al作為主要成分的金屬形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述的第一金屬布線和所述的熔絲埋置在層間絕緣膜中形成的凹槽部分內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體器件，還包括在所述的層間絕緣膜下面的低介質(zhì)層間絕緣膜，所述的層間絕緣膜具有埋置在其內(nèi)的所述第一金屬布線和所述熔絲，所述的低介質(zhì)層間絕緣膜具有小于4的相對(duì)介電常數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述的第二焊盤開口布置在所述的第一焊盤開口上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述的第二金屬布線從所述的第一焊盤開口的內(nèi)部延伸以覆蓋所述第一絕緣膜的部分，所述的第二焊盤開口形成在所述的第一絕緣膜的所述部分之上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述的第一焊盤開口形成在所述的第一金屬布線的外圍部分之上，所述的第二焊盤開口形成在所述的第一絕緣膜的部分之上，所述的第一絕緣膜位于所述的第一金屬布線的中部之上。
11.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括在半導(dǎo)體基板上形成第一金屬布線和熔絲；在所述的半導(dǎo)體基板上淀積第一絕緣膜以覆蓋所述的第一金屬布線和所述的熔絲；有選擇地蝕刻淀積在所述第一金屬布線上的第一絕緣膜以形成第一焊盤開口；有選擇地形成第二金屬布線以通過所述的第一焊盤開口與所述的第一金屬布線接觸；在所述的第一絕緣膜和所述的第二金屬布線上形成停止層膜；在所述的停止層膜上形成第二絕緣膜；有選擇地蝕刻對(duì)應(yīng)于所述第二金屬布線的部分和對(duì)應(yīng)于所述熔絲的至少一部分的所述第二絕緣膜的部分，由此露出所述停止層膜的一部分；以及蝕刻掉通過所述第二絕緣膜的選擇性蝕刻已露出的所述停止層膜的所述部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述蝕刻所述的停止層膜包括過蝕刻所述的停止層膜，以蝕刻掉位于所述的停止層膜下面的所述第一絕緣膜的部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中作為所述停止層膜用的材料，使用不同于所述第二絕緣膜的材料且包括氮化硅和碳化硅的至少一種。
14.根據(jù)權(quán)利要求11的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中使用TEOS作為所述的第二絕緣膜的材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求11的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中作為所述第一金屬布線和所述熔絲的材料，使用選自Cu、Ag或包括Cu或Ag作為主要成分的金屬的材料，作為所述第二金屬布線的材料，使用Al或包括Al作為主要成分的金屬。
16.根據(jù)權(quán)利要求11的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，還包括在所述的第二絕緣膜上形成抗蝕劑圖形，所述的抗蝕劑圖形具有與所述第二金屬布線部分連通的焊盤開口圖形，和具有與所述熔絲的至少一部分連通的熔絲開口圖形，以及在蝕刻所述第二絕緣膜的時(shí)候使用所述的抗蝕劑圖形作為掩模。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述蝕刻所述的停止層膜包括有選擇地蝕刻由于所述第二絕緣膜的選擇性蝕刻露出的所述停止層膜，以及通過所述的熔絲開口圖形蝕刻所述第一絕緣膜到厚度中部，所述的抗蝕劑圖形用作掩模。
18.根據(jù)權(quán)利要求16的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，還包括在蝕刻所述停止層膜之前除去所述的抗蝕劑圖形，其中所述蝕刻所述的停止層膜包括有選擇地蝕刻由于所述第二絕緣膜的選擇性蝕刻露出的所述停止層膜，通過所述的熔絲開口圖形蝕刻所述的第一絕緣膜到厚度中部，所述的第二絕緣膜用作掩模。
19.根據(jù)權(quán)利要求11的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，還包括在所述的半導(dǎo)體基板上形成層間絕緣膜；在所述的層間絕緣膜中形成凹槽部分；以及在所述的凹槽部分中埋置所述的第一金屬布線和所述的熔絲，所述的凹槽部分已形成在所述的層間絕緣膜中。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，還包括在所述的層間絕緣膜形成之前，在所述的半導(dǎo)體基板上形成具有小于4的相對(duì)介電常數(shù)的低介電常數(shù)層間絕緣膜。
全文摘要
公開一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體基板；在所述的半導(dǎo)體基板上形成在同一平面的第一金屬布線和熔絲；在所述第一金屬布線和所述熔絲上形成的第一絕緣膜，所述的第一絕緣膜具有到達(dá)所述第一金屬布線的第一焊盤開口；至少在所述的第一焊盤開口內(nèi)形成的第二金屬布線，所述的第二金屬布線不在所述的熔絲上延伸；在所述的第一絕緣膜和所述的第二金屬布線上形成的停止層膜；以及在所述的停止層膜上形成的第二絕緣膜，其中通過除去所述的第二絕緣膜和所述的停止層膜形成第二焊盤開口，以露出所述的第二金屬布線。通過除去所述的第二絕緣膜和所述的停止層膜以及通過不完全地除去所述的第一絕緣膜至少在所述的熔絲上形成熔絲開口。
文檔編號(hào)H01L23/525GK1469467SQ0313717
公開日2004年1月21日 申請(qǐng)日期2003年6月12日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月12日
發(fā)明者大村光廣, 佐藤文夫, 夫 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝