專利名稱：熱探針的監(jiān)控晶圓片的制成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種熱探針的監(jiān)控晶圓片的制成方法及使用這種方法制成的晶圓片。
背景技術(shù)：
在晶圓片的制造過程中，不正確的摻雜量會導(dǎo)致所形成的晶圓片的品質(zhì)不良。因此，一般使用熱探針加以監(jiān)控。已知的如熱探針500中，使用一監(jiān)控晶圓片以監(jiān)控晶圓片制造過程中的離子植入部份，以測量一般圓片的不規(guī)則性，雜質(zhì)，或晶格缺陷等。
在已知的熱探針中，使用砷(As)或硼(B)植入晶圓片監(jiān)控熱探針中，以確保熱探針量測機臺的穩(wěn)定性。
但是，已知的砷(As)或硼(B)植入晶圓片因為植入的自我退火而需要約兩周以準備一適當?shù)谋O(jiān)控晶圓片。因此，在效率上相當不便。此外，即使適當?shù)臏蕚浯吮O(jiān)視晶圓片，監(jiān)控數(shù)據(jù)亦會隨著使用時間而逐漸下降(如圖1所示)，而變成不適于用作監(jiān)控晶圓片。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于上述已知使用在熱探針中的監(jiān)控晶圓片的缺點，本發(fā)明揭示了一種新的熱探針監(jiān)控晶圓片及其形成方法，其中該監(jiān)控晶圓片可快速的形成和使用，且該監(jiān)視圓片可使用長達2個月，數(shù)據(jù)很穩(wěn)定。
依照本發(fā)明的第一觀點，本發(fā)明提供一種熱探針(thermo-probe)的監(jiān)控晶圓片的形成方法，該熱探針用以測試一般晶圓片的品質(zhì)，該方法包含在加熱爐中，在P型晶圓片上成長多晶硅膜；和使該多晶硅圓片在1025℃的溫度下退火20秒。
依照本發(fā)明的一個觀點，較佳的，該多晶硅膜為2000。
依照本發(fā)明的另一觀點，較佳的，在退火時未使用氧氣。
依照本發(fā)明的再一觀點，較佳的，在退火時使用氧氣。
依照本發(fā)明，本發(fā)明揭示一種監(jiān)控晶圓片，其使用如本發(fā)明提供的熱探針的監(jiān)視圓片的形成方法形成。


通過以下的說明和附圖，可更加明了本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點，其中圖1為已知砷植入晶圓片當成監(jiān)控晶圓片使用在熱探針500中的時間數(shù)據(jù)圖，其中橫座標為時間，而縱座標為TW值；圖2為本發(fā)明的多晶硅晶圓片監(jiān)控熱探針500的數(shù)據(jù)圖，其中●表示在1025℃下，退火20秒而未使用氧化的情形，▲表示在1025℃下，退火20秒，而使用20％氧化的情形，和 表示在1025℃下，退火20秒，而使用40％氧化的情形。
具體實施例方式
依照本發(fā)明的較佳實施例，本發(fā)明的熱探針監(jiān)控晶圓片的形成方法包含的步驟為首先在加熱爐中，在P型晶圓片上成長多晶硅膜。而后，使該多晶硅圓片，在1025℃的溫度下退火20秒。
在上述熱探針監(jiān)控晶圓片的形成方法中，該多晶硅膜的厚度約為2000。
在上述的熱探針的監(jiān)視圓片的形成方法中，在退火時可使用氧氣或不使用氧氣。
參考圖2，其中●表示在1025℃下，退火20秒而未使用氧化的情形，▲表示在1025℃下，退火20秒，而使用20％氧化的情形，和 表示在1025℃下，退火20秒，而使用40％氧化的情形。由圖2可看出，在1025℃下，退火20秒而未使用氧化的情形下，數(shù)據(jù)的偏移度為約0.89％；在1025℃下，退火20秒，而使用20％氧化的情形下，數(shù)據(jù)偏移度為約0.77％；和在1025℃下，退火20秒，而使用40％氧化的情形下，數(shù)據(jù)偏移度為約0.72％。因此，由圖2知，最佳的情形為在在1025℃下，退火20秒而使用氧化的情形。
本發(fā)明亦提供一種熱探針監(jiān)控晶圓片，其使用如上述熱探針的監(jiān)控晶圓片的形成方法形成。
藉由使用如本發(fā)明所揭示的監(jiān)控晶圓片，該監(jiān)視圓片可在剛退火后即可使用于熱探針中，而非如已知砷/硼植入晶圓片需等待約2周的時間才可使用。因此，監(jiān)視效率可顯著的提高。此外，由于本發(fā)明的監(jiān)控晶圓片的數(shù)據(jù)較不易隨時間而變化，因此其一般可使用長達2個月，而非如已知砷/硼植入晶圓片之數(shù)據(jù)易于隨時間而下降。
本發(fā)明并不限于上述之實施例，且于此仍可達成各種改變和修飾，但其仍屬本發(fā)明的精神和范疇。因此，本發(fā)明的精神和范疇應(yīng)由所附的權(quán)利要求書來界定。
權(quán)利要求
1.一種熱探針的監(jiān)控晶圓片的形成方法，該熱探針用以測試一般晶圓片的品質(zhì)，該方法包含在加熱爐中，在P型晶圓片上成長多晶硅膜；和使該晶圓片在1025℃的溫度下退火20秒。
2.如權(quán)利要求1所述的熱探針的監(jiān)控晶圓片的形成方法，其特征在于，該多晶硅膜為2000。
3.如權(quán)利要求1所述的熱探針的監(jiān)控晶圓片的形成方法，其特征在于，在退火時未使用氧氣。
4.如權(quán)利要求1所述的熱探針的監(jiān)視圓片的形成方法，其特征在于，在退火時使用氧氣。
5.一種熱探針的監(jiān)控晶圓片，其使用如權(quán)利要求1所述的熱探針的監(jiān)控晶圓片的形成方法形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種熱探針(thermo－probe)的監(jiān)控晶圓片的制成方法，該熱探針用以測試一般晶圓片的品質(zhì)，該方法包含在加熱爐中，在P型晶圓片上成長多晶硅膜；然后使該多晶硅晶圓片在1025℃的溫度下，在有/無氧化下，退火20秒。
文檔編號H01L21/20GK1531045SQ03115709
公開日2004年9月22日 申請日期2003年3月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月10日
發(fā)明者吳金剛, 劉玉紅, 王粒子, 黃晉德 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司, 中芯國際集成電路制造(上海)有限公