專(zhuān)利名稱(chēng)：一種介質(zhì)濾波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種介質(zhì)濾波器，可用于構(gòu)成數(shù)百M(fèi)Hz到數(shù)個(gè)GHz微波段的諧振回路。具體地講，本發(fā)明涉及一種介質(zhì)濾波器，可以抑制生產(chǎn)中出現(xiàn)的差異和實(shí)現(xiàn)小型化以及提高產(chǎn)量。
為了實(shí)現(xiàn)介質(zhì)濾波器的小型化，有必要減少諧振器(諧振電極)的尺寸。
通常，諧振電極的開(kāi)口端形成電容。例如，如圖6和7所示，介質(zhì)濾波器100具有介質(zhì)基體104，其中多個(gè)介質(zhì)層(S1到S9，見(jiàn)圖7)層疊在一起，進(jìn)行燒結(jié)，然后形成一個(gè)整體。接著，在表面上形成接地電極102。介質(zhì)濾波器100包括兩組諧振器(第一和第二諧振器106A，106B)，分別設(shè)置在介質(zhì)基體104上。諧振器106A，106B分別包括兩個(gè)在層疊方向上疊在一起的諧振電極108A1，108A2和108B1，108B2。介質(zhì)層沿層疊方向設(shè)置在各諧振電極之間。
另外，對(duì)于諧振電極108A1，108A2和108B1，108B2分別設(shè)置了三個(gè)內(nèi)層接地電極112A1，112A2，112A3和112B1，112B2，112B3。諧振電極108A1，108A2和108B1，108B2的開(kāi)口端設(shè)置在三個(gè)內(nèi)層接地電極112A1，112A2，112A3和112B1，112B2，112B3之間。
換句話，諧振電極108A1，108A2和108B1，108B2的開(kāi)口端和內(nèi)層接地電極112A1，112A2，112A3和112B1，112B2，112B3之間形成電容，使濾波器頻帶的頻率降低和使尺寸變小。
為了進(jìn)一步降低濾波器頻帶的頻率和減小尺寸，在圖8所示的介質(zhì)濾波器100中，增加了諧振器106A，106B的諧振電極108A1，108A2，...，108An和108B1，108B2，...，108Bn的數(shù)量并沿介質(zhì)層的疊層方向設(shè)置。內(nèi)層接地電極112A1，112A2，...，112An和112B1，112B2，...112Bn分別設(shè)置在各諧振電極108A1，108A2，...，108An和108B1，108B2，...，108Bn的開(kāi)口端之間。
然而，如果諧振電極108A1，108A2，...，108An和108B1，108B2，...，108Bn只是簡(jiǎn)單地疊放，諧振電極108A1，108B1和108An，108Bn的短路端部接近設(shè)置在上下表面的接地電極102。其結(jié)果是空載值Q下降。
現(xiàn)在假定La表示在介質(zhì)基體104的上下表面形成的接地電極102之間的距離；Lb表示多個(gè)諧振電極108A1，108A2，...，108An和108B1，108B2，...，108Bn中諧振電極108A1，108B1的短路端部到諧振電極108An，108Bn的短路端部之間的距離，諧振電極108A1，108B1最接近介質(zhì)基體104上表面形成的接地電極102，諧振電極108An，108Bn最接近介質(zhì)基體104下表面形成的接地電極102。根據(jù)這種假定，Lb/La和空載值Q之間的關(guān)系如圖9所示。
應(yīng)當(dāng)指出，空載值Q在Lb/La增加到0.15的范圍內(nèi)傾向于增加，在Lb/La超過(guò)0.15的點(diǎn)大體上是下降的。
另外，如果諧振電極108A1，108A2，...，108An和108B1，108B2，...，108Bn只是簡(jiǎn)單地疊放，還有必要再設(shè)置耦合-調(diào)整電極120(見(jiàn)圖6和7)所需的空間，以調(diào)整諧振器106A、106B之間的耦合程度；還要設(shè)置輸入電極122和輸出電極124(見(jiàn)圖6和7)所需的空間，以連接各諧振電極106A，106B和輸入及輸出端子。結(jié)果是，不可能實(shí)現(xiàn)介質(zhì)濾波器100的小型化。
根據(jù)本發(fā)明，提出了一種介質(zhì)濾波器，其包括介質(zhì)基體和在所述介質(zhì)基體表面形成的接地電極；所述介質(zhì)基體由多個(gè)介質(zhì)層疊加而成，一個(gè)或多個(gè)諧振器設(shè)置在所述介質(zhì)基體上，內(nèi)層接地電極設(shè)置在所述介質(zhì)基體上；其中，所述諧振器具有一個(gè)或多個(gè)諧振電極，所述諧振電極的開(kāi)口端部分是多層結(jié)構(gòu)；所述諧振電極的開(kāi)口端部分互相相對(duì)，使所述諧振電極的開(kāi)口端部分和所述內(nèi)層接地電極之間形成電容。
由于所述諧振器的一個(gè)或多個(gè)諧振電極的開(kāi)口端部分是多層的，只有開(kāi)口端部分在介質(zhì)層的疊層方向上可以間隔開(kāi)。因此，內(nèi)層接地電極可以分別設(shè)置在諧振電極的各開(kāi)口端之間。因此，可以有效地實(shí)現(xiàn)小型化和降低介質(zhì)濾波器頻帶的頻率。另外，諧振電極的短路端部可以在與設(shè)置在上下表面的接地電極部分分開(kāi)的位置處形成。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以實(shí)現(xiàn)介質(zhì)濾波器頻帶的頻率降低，尺寸小型化和低損耗。
各諧振電極包括主諧振電極體，所述主諧振電極體具有短路端部；其中，在與所述主諧振電極體不同的平面上形成的所述開(kāi)口端部分通過(guò)通孔與所述主諧振電極體連接。
最好能夠滿(mǎn)足Lo＜Lc，其中Lo表示諧振電極的開(kāi)口端部分到在介質(zhì)基體的上下表面形成的接地電極的最短距離；Lc表示所述主諧振電極體的短路端部到介質(zhì)基體的上下表面形成的接地電極之間的最短距離。
各內(nèi)層接地電極分別大于諧振電極的各開(kāi)口端部分，所以所述諧振電極的各所述開(kāi)口端部分被內(nèi)層接地電極覆蓋。
在這樣的設(shè)置中，最好內(nèi)層接地電極具有沒(méi)有電極的部分，以便與通孔絕緣。另外，這樣設(shè)置，即使在諧振電極的開(kāi)口端和內(nèi)層接地電極之間出現(xiàn)任何的位置偏差或差異，都不會(huì)出現(xiàn)特性波動(dòng)，不然疊層偏差或差異都可能造成特性波動(dòng)，這是因?yàn)橹C振電極和內(nèi)層接地電極之間的相對(duì)面積(諧振電極的開(kāi)口端和內(nèi)層接地電極之間形成電容的區(qū)域)沒(méi)有發(fā)生變化。這導(dǎo)致了產(chǎn)量的提高和減少了生產(chǎn)介質(zhì)濾波器的步驟。
從下面參考附圖所作的介紹，對(duì)本發(fā)明的上述和其他的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)可有更清楚的了解。其中本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例通過(guò)說(shuō)明性示例進(jìn)行顯示。
如

圖1所示，根據(jù)第一實(shí)施例的介質(zhì)濾波器10A具有介質(zhì)基體14，其包括多個(gè)介質(zhì)層(S1到S11，見(jiàn)圖3)，其疊加到一起，進(jìn)行燒結(jié)，形成一個(gè)整體。接地電極12在介質(zhì)層表面形成。介質(zhì)濾波器10A包括兩組設(shè)置在介質(zhì)基體14上的諧振器(第一和第二諧振器16A，16B)。諧振器16A，16B各包括三個(gè)主諧振電極體18A，20A，22A和18B，20B，22B，諧振電極體按順序疊放到一起。介質(zhì)層沿疊加方向位于各主諧振電極體之間。
當(dāng)各諧振器16A，16B是四分之一波長(zhǎng)諧振器時(shí)，接地電極12在介質(zhì)基體14的側(cè)表面上形成，主諧振電極體18A，20A，22A和18B，20B，22B面對(duì)該側(cè)表面。故主諧振電極體18A，20A，22A和18B，20B，22B的端部與接地電極12短路。
輸入端子24在介質(zhì)基體14的一側(cè)表面上形成，輸出端子26在另一側(cè)表面上形成，絕緣區(qū)(介質(zhì)基體14在這部分是暴露的)28，30分別設(shè)置在輸入端子24和接地電極之間12，輸出端子26和接地電極12之間。
第一和第二諧振器16A，16B各自具有疊層的開(kāi)口端，其中包含有7個(gè)開(kāi)口端。在開(kāi)口端中的4個(gè)用作諧振電極40A，42A，44A，46A和40B，42B，44B，46B。諧振電極40A，42A，44A，46A和40B，42B，44B，46B在與主諧振電極體18A，20A，22A和18B，20B，22B不同的平面上形成。因此，在下面的介紹中，第一和第二諧振器16A，16B的開(kāi)口端上的4個(gè)諧振電極40A，42A，44A，46A和40B，42B，44B，46B很自然地稱(chēng)作‘開(kāi)口端電極’。
另外，在第一實(shí)施例中，第一內(nèi)層接地電極48A，48B在第一開(kāi)口端電極40A，40B和第二開(kāi)口端電極42A，42B之間形成。第二內(nèi)層接地電極50A，50B在與第二主諧振電極體20A，20B相同的平面上形成。第三內(nèi)層接地電極52A，52B在第三開(kāi)口端電極44A，44B和第四開(kāi)口端電極46A，46B之間形成。
在這種結(jié)構(gòu)設(shè)置中，各諧振器16A，16B的開(kāi)口端通過(guò)第一到第三內(nèi)層接地電極48A，50A，52A和48B，50B，52B電容耦合到接地電極12。因此，可縮短諧振器16A，16B的電極長(zhǎng)度。
介質(zhì)濾波器10A的設(shè)置將通過(guò)圖3進(jìn)行特別的說(shuō)明，首先，介質(zhì)基體14通過(guò)連續(xù)疊放第一到第十一介質(zhì)層S1到S11形成。第一到第十一介質(zhì)層S1到S11各由一層或多層組成。
兩個(gè)第一開(kāi)口端電極40A，40B在第二介質(zhì)層S2的第一主表面上形成。兩個(gè)第一內(nèi)層接地電極48A，48B在第三介質(zhì)層S3的第一主表面上形成。兩個(gè)第二開(kāi)口端電極42A，42B和一個(gè)用于調(diào)整第一和第二諧振器16A和16B之間耦合程度的耦合-調(diào)整電極60在第四介質(zhì)層S4的第一主表面上形成。
兩個(gè)第一層主諧振電極體18A，18B在第五介質(zhì)層S5的第一主表面上形成。兩個(gè)第二層主諧振電極體20A，20B和第二內(nèi)層接地電極50A，50B在第六介質(zhì)層S6的第一主表面上形成。兩個(gè)第三層主諧振電極體22A，22B在第七介質(zhì)層S7的第一主表面上形成。
此外，在第八介質(zhì)層S8的第一主表面上形成兩個(gè)第三開(kāi)口端電極44A，44B、通過(guò)電容耦合第一諧振器16A和輸入端子24(見(jiàn)圖1)的輸入電極62、和通過(guò)電容耦合第二諧振器16B和輸出端子26(見(jiàn)圖1)的輸出電極64。兩個(gè)第三內(nèi)層接地電極52A，52B在第九介質(zhì)層S9的第一主平面上形成。兩個(gè)第四開(kāi)口端電極46A，46B在第十介質(zhì)層S10的第一主平面上形成。
第一開(kāi)口端電極40A、第二開(kāi)口端電極42A、第一層主諧振電極體18A、第二層主諧振電極體20A、第三層主諧振電極體22A、第三開(kāi)口端電極44A、和第四開(kāi)口端電極46A通過(guò)輸入側(cè)的第一通孔70A互相電連接。第一開(kāi)口端電極40B、第二開(kāi)口端電極42B、第一層主諧振電極體18B、第二層主諧振電極體20B、第三層主諧振電極體22B、第三開(kāi)口端電極44B、和第四開(kāi)口端電極46B通過(guò)輸出側(cè)的第二通孔70B互相電連接。
如圖2所示，假定Lo1表示第一開(kāi)口端電極40A，40B到介質(zhì)基體14上表面形成的接地電極12的距離，Lo2表示第四開(kāi)口端電極46A，46B到介質(zhì)基體14下表面形成的接地電極12的距離，Lc1表示第一層主諧振電極體18A，18B的短路端部到介質(zhì)基體14上表面形成的接地電極12的距離，Lc2表示第三層主諧振電極體22A，22B的短路端部到介質(zhì)基體14下表面形成的接地電極12的距離。根據(jù)這個(gè)假定，應(yīng)滿(mǎn)足Lo1＜Lc1，Lo2＜Lc2。
另外，假定La表示在介質(zhì)基體14上和下表面形成的接地電極12之間的距離，Lb表示第一層主諧振電極體18A，18B的短路端部到第三層主諧振電極體22A，22B的短路端部之間的距離。根據(jù)這個(gè)假定，應(yīng)滿(mǎn)足0.03＜Lb/La＜0.5。
如上所述，在濾波器10A中，第一和第二諧振器16A，16B的開(kāi)口端部分是多層結(jié)構(gòu)，因此，只有開(kāi)口端之間在介質(zhì)層的疊層方向上可以留出間距。因此，內(nèi)層接地電極48A，50A，52A和48B，50B，52B可以設(shè)置在開(kāi)口端電極之間?？梢杂行У貙?shí)現(xiàn)濾波器10A頻帶的頻率降低和濾波器10A的小型化。
另外，主諧振電極體18A，20A，22A和18B，20B，22B的短路端部可與上下表面的接地電極12分開(kāi)。因此，空載值Q可以幾乎不減少。
特別地，根據(jù)在介質(zhì)基體的上下表面形成的接地電極12部分之間距離La與第一層主諧振電極體18A，18B的短路端部和第三層主諧振電極體22A，22B的短路端部之間距離Lb的比Lb/La的關(guān)系，還可以設(shè)定空載值Q為最高的點(diǎn)，如圖9所示。比值Lb/La希望處于0.03＜Lb/La＜0.5的范圍，更希望比值Lb/La處于0.05＜Lb/La＜0.45，最希望其處于0.05＜Lb/La＜0.35的范圍。尤其是，當(dāng)比值Lb/La處于0.05＜Lb/La＜0.45的范圍，可以得到具有低損耗的濾波器10A。
因此，在第一實(shí)施例中，濾波器10A可以實(shí)現(xiàn)頻帶的頻率降低，小型化和低損耗。
接下來(lái)，根據(jù)第二實(shí)施例的介質(zhì)濾波器10B將參考圖4和圖5進(jìn)行說(shuō)明。
如圖4和5所示，濾波器10B通過(guò)與上面介紹的濾波器10A相同的方式構(gòu)建。然而，濾波器10B在下面的幾點(diǎn)上與濾波器10A不同。所有的內(nèi)層接地電極48A，50A，52A和48B，50B，52B在與主諧振電極體18A，20A，22A和18B，20B，22B不同的平面上形成。各個(gè)內(nèi)層接地電極48A，50A，52A，54A和48B，50B，52B，54B大于開(kāi)口端電極40A，42A，44A，46A和40B，42B，44B，46B。開(kāi)口端電極40A，42A，44A，46A和40B，42B，44B，46B被內(nèi)層接地電極48A，50A，52A，54A和48B，50B，52B，54B覆蓋。內(nèi)層接地電極48A，50A，52A，54A和48B，50B，52B，54B具有無(wú)電極部分80A，82A，84A，86A和80B，82B，84B，86B，以便與通孔70A，70B絕緣。
將通過(guò)參考圖5對(duì)濾波器10B進(jìn)行特殊地說(shuō)明。首先，通過(guò)連續(xù)地疊放第一到第十三介質(zhì)層S1到S13形成介質(zhì)基體14。第一到第十三介質(zhì)層S1到S13各由一層或多層組成。
兩個(gè)第一開(kāi)口端電極40A，40B在第二介質(zhì)層S2的第一主表面上形成。兩個(gè)第一內(nèi)層接地電極48A，48B在第三介質(zhì)層S3的第一主表面上形成。兩個(gè)第二開(kāi)口端電極42A，42B在第四介質(zhì)層S4的第一主表面上形成。兩個(gè)第二內(nèi)層接地電極50A，50B和耦合-調(diào)整電極60在第五介質(zhì)層S5的第一主表面上形成。
兩個(gè)第一層主諧振電極體18A，18B在第六介質(zhì)層S6的第一主表面上形成。兩個(gè)第二層主諧振電極體20A，20B在第七介質(zhì)層S7的第一主表面上形成。兩個(gè)第三層主諧振電極體22A，22B在第八介質(zhì)層S8的第一主表面上形成。
兩個(gè)第三內(nèi)層接地電極52A，52B、輸入電極62、和輸出電極64在第九介質(zhì)層S9的第一主表面上形成。兩個(gè)第三開(kāi)口端電極44A，44B在第十介質(zhì)層S10的第一主表面上形成。兩個(gè)第四內(nèi)層接地電極54A，54B在第十一介質(zhì)層S11的第一主表面上形成。兩個(gè)第四開(kāi)口端電極46A，46B在第十二介質(zhì)層S12的第一主表面上形成。
在輸入側(cè)形成的第一到第四內(nèi)層接地電極48A，50A，52A，54A覆蓋第一到第四開(kāi)口端電極40A，42A，44A，46A，并具有無(wú)電極部分80A，82A，84A，86A，以便分別與第一通孔70A絕緣。在輸出側(cè)形成的第一到第四內(nèi)層接地電極48B，50B，52B，54B覆蓋第一到第四開(kāi)口端電極40B，42B，44B，46B，并具有無(wú)電極部分80B，82B，84B，86B，以便分別與第二通孔70B絕緣。
在濾波器10B，也可以實(shí)現(xiàn)頻帶的頻率的降低，小型化和低損耗。特別地，各個(gè)內(nèi)層接地電極48A，50A，52A，54A和48B，50B，52B，54B的面積大于開(kāi)口端電極40A，42A，44A，46A和40B，42B，44B，46B的面積。開(kāi)口端電極40A，42A，44A，46A和40B，42B，44B，46B被內(nèi)層接地電極48A，50A，52A，54A和48B，50B，52B，54B覆蓋。因此，即使開(kāi)口端電極40A，42A，44A，46A，40B，42B，44B，46B和內(nèi)層接地電極48A，50A，52A，54A，48B，50B，52B，54B之間出現(xiàn)位置偏差或差異，內(nèi)層接地電極48A，50A，52A，54A，48B，50B，52B，54B和開(kāi)口端電極40A，42A，44A，46A，40B，42B，44B，46B之間的相對(duì)面積沒(méi)有變化。相對(duì)面積定義為當(dāng)一個(gè)開(kāi)口端電極40A，42A，44A，46A，40B，42B，44B，46B垂直投影到一個(gè)內(nèi)層接地電極48A，50A，52A，54A，48B，50B，52B，54B上所得到的面積。因此，任何疊放偏差或差異都不會(huì)造成特性變化。這導(dǎo)致了產(chǎn)量的提高和減少了生產(chǎn)濾波器10B的步驟數(shù)目。
在上面介紹的實(shí)施例中，本發(fā)明應(yīng)用于各具有兩個(gè)諧振器16A，16B的濾波器10A，10B。在另外的方案中，本發(fā)明也可以應(yīng)用于有三個(gè)或更多諧振器的濾波器。
在上面介紹的實(shí)施例中，各諧振器16A，16B分別包括三層主諧振電極體18A，20A，22A和18B，20B，22B。在可替換的方案中，濾波器可以由一層、二層、四層或更多層諧振電極組成。
在上面介紹的實(shí)施例中，分別為諧振器16A，16B設(shè)置了四個(gè)開(kāi)口端電極40A，42A，44A，46A和40B，42B，44B，46B。但是，也可以由二個(gè)、三個(gè)、五個(gè)或更多開(kāi)口端電極形成。
當(dāng)然，根據(jù)本發(fā)明的介質(zhì)濾波器并不限于上面所介紹的實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明的基本特征或主要精神的情況下，可以通過(guò)其他的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。
權(quán)利要求
1.一種介質(zhì)濾波器，其包括介質(zhì)基體(14)和在所述介質(zhì)基體(14)表面上形成的接地電極(12)；所述介質(zhì)基體(14)由多個(gè)介質(zhì)層疊加而成，一個(gè)或多個(gè)諧振器(16A，16B)設(shè)置在所述介質(zhì)基體(14)上，內(nèi)層接地電極(48A，50A，52A，48B，50B，52B)設(shè)置在所述介質(zhì)基體(14)上；其中，所述諧振器(16A，16B)具有一個(gè)或多個(gè)諧振電極，所述諧振電極的開(kāi)口端部分(40A，42A，44A，46A，40B，42B，44B，46B)是多層結(jié)構(gòu)；和所述諧振電極的開(kāi)口端部分(40A，42A，44A，46A，40B，42B，44B，46B)互相相對(duì)，使所述諧振電極的開(kāi)口端部分(40A，42A，44A，46A，40B，42B，44B，46B)和所述內(nèi)層接地電極(48A，50A，52A，48B，50B，52B)之間形成電容。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)濾波器，其特征在于，各所述諧振電極包括主諧振電極體(18A，20A，22A，18B，20B，22B)，所述主諧振電極體(18A，20A，22A，18B，20B，22B)具有短路端部；其中，在與所述主諧振電極體(18A，20A，22A，18B，20B，22B)不同的平面上形成的所述開(kāi)口端部分(40A，42A，44A，46A，40B，42B，44B，46B)通過(guò)通孔(70A，70B)與所述主諧振電極體(18A，20A，22A，18B，20B，22B)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的介質(zhì)濾波器，其特征在于，應(yīng)滿(mǎn)足Lo＜Lc，其中Lo表示所述諧振電極的所述開(kāi)口端部分(40A，42A，44A，46A，40B，42B，44B，46B)到所述介質(zhì)基體(14)的上下表面形成的所述接地電極(12)的最短距離；Lc表示所述主諧振電極體(18A，20A，22A，18B，20B，22B)的所述短路端部到所述介質(zhì)基體(14)的所述上下表面形成的所述接地電極(12)的最短距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的介質(zhì)濾波器，其特征在于，各所述內(nèi)層接地電極(48A，50A，52A，48B，50B，52B)分別大于所述諧振電極的各所述開(kāi)口端部分(40A，42A，44A，46A，40B，42B，44B，46B)，所以所述諧振電極的各所述開(kāi)口端部分(40A，42A，44A，46A，40B，42B，44B，46B)被所述內(nèi)層接地電極(48A，50A，52A，48B，50B，52B)覆蓋。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的介質(zhì)濾波器，其特征在于，所述諧振電極的各所述開(kāi)口端部分(40A，42A，44A，46A，40B，42B，44B，46B)通過(guò)所述通孔(70A，70B)連接到所述主諧振電極體(18A，20A，22A，18B，20B，22B)，所述內(nèi)層接地電極(48A，50A，52A，48B，50B，52B)具有沒(méi)有電極部分(80A，82A，84A，86A，80B，82B，84B，86B)，以與所述通孔(70A，70B)絕緣。
全文摘要
一種介質(zhì)濾波器，其包括第一和第二諧振器(16A，16B)，各諧振器具有由7個(gè)開(kāi)口端部形成的多層開(kāi)口端部。在與主諧振電極體(18A，20A，22A，18B，20B，22B)不同的平面，四個(gè)開(kāi)口端部形成開(kāi)口端電極(40A，42A，44A，46A，40B，42B，44B，46B)。介質(zhì)濾波器還包括各自在第一開(kāi)口端電極(40A，40B)和第二開(kāi)口端電極(42A，42B)之間形成的第一內(nèi)層接地電極(48A，48B)，各自在與第二層主諧振電極體(20A，20B)相同平面上形成的第二內(nèi)層接地電極(50A，50B)，和各自在第三開(kāi)口端電極(44A，44B)和第四開(kāi)口端電極(46A，46B)之間形成的第三內(nèi)層接地電極(52A，52B)。
文檔編號(hào)H01P1/20GK1434540SQ03102959
公開(kāi)日2003年8月6日 申請(qǐng)日期2003年1月21日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月21日
發(fā)明者阪太伸, 水谷靖彥, 平井隆已 申請(qǐng)人:日本礙子株式會(huì)社, 雙信電機(jī)株式會(huì)社